JP2017107629A - 回路付サスペンション基板およびその製造方法 - Google Patents

回路付サスペンション基板およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】接続端子を、スライダの端子に対して確実に接続させることのできる回路付サスペンション基板、および、回路付サスペンション基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
回路付サスペンション基板1は、金属支持基板8と、金属支持基板8の上に配置されるベース絶縁層9と、ベース絶縁層9の上に配置され、スライダ4と電気的に接続されるヘッド側端子58を備える導体層10と、ヘッド側端子58を露出するように導体層10を被覆し、ベース絶縁層9の上に配置されるカバー絶縁層11と、ヘッド側端子58を被覆するめっき層12とを備え、カバー絶縁層11は、ベース絶縁層9の上に配置される第1カバー絶縁層71と、第1カバー絶縁層71の上に配置される第2カバー絶縁層72とを備え、めっき層12の厚みは、第1カバー絶縁層71の厚みと第2カバー絶縁層72の厚みとの総和以下である。
【選択図】図3

Description

本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板、および、その製造方法に関する。
従来、ハードディスクドライブには、磁気ヘッドを備えるスライダが搭載される回路付サスペンション基板が実装される。
このような回路付サスペンション基板では、ヘッド側端子を、スライダの磁気ヘッドの端子に対して、はんだボールによって電気的に接続している(例えば、特許文献1参照。)。
特開2012−099204号公報
しかるに、上記した特許文献1に記載の回路付サスペンション基板において、ヘッド側端子と磁気ヘッドの端子とは、厚み方向において離間しており、その程度が大きい場合には、はんだボールを溶融させたときに、ヘッド側端子と磁気ヘッドの端子との接触面積を確保することができず、接触不良を起こす場合がある。
本発明の目的は、接続端子を、スライダの端子に対して確実に接続させることのできる回路付サスペンション基板、および、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
本発明[1]は、金属支持基板と、金属支持基板の厚み方向一方側に配置されるベース絶縁層と、ベース絶縁層の厚み方向一方側に配置され、スライダと電気的に接続される接続端子を備える導体層と、接続端子を露出するように導体層を被覆し、ベース絶縁層の厚み方向一方側に配置されるカバー絶縁層と、接続端子を被覆するめっき層とを備え、カバー絶縁層は、ベース絶縁層の厚み方向一方側に配置される第1カバー絶縁層と、第1カバー絶縁層の厚み方向一方側に配置される第2カバー絶縁層とを備え、めっき層の厚みは、第1カバー絶縁層の厚みと第2カバー絶縁層の厚みとの総和以下である回路付サスペンション基板を含んでいる。
このような構成によれば、第1カバー絶縁層と第2カバー絶縁層とによって、接続端子を被覆するめっき層を、確実に保護することができる。
また、スライダの位置に応じて、第1カバー絶縁層の厚みと第2カバー絶縁層の厚みとの総和の範囲内で、めっき層の厚みを適宜調整し、厚み方向において、めっき層をスライダの端子に対して近接させることができる。
そのため、接続端子を、スライダの端子に対して確実に接続させることができる。
本発明[2]は、スライダを支持する台座をさらに備え、台座は、ベース絶縁層からなり、金属支持基板の厚み方向一方側に配置されるベース台座層と、第1カバー絶縁層からなり、ベース台座層の厚み方向一方側に配置される第1カバー台座層と、第2カバー絶縁層からなり、第1カバー台座層の厚み方向一方側に配置される第2カバー台座層とを備える、上記[1]の回路付サスペンション基板を含んでいる。
このような構成によれば、ベース台座層がベース絶縁層からなり、第1カバー台座層が第1カバー絶縁層からなり、第2カバー台座層が第2カバー絶縁層からなるので、スライダを支持するための部材を別途設けることなく、台座を形成することができる。
また、カバー絶縁層が、第1カバー絶縁層および第2カバー絶縁層の2層からなるので、台座の厚みを精度よく調整することができる。
本発明[3]は、上記[2]の回路付サスペンション基板の製造方法であって、金属支持基板を用意する工程、金属支持基板の厚み方向一方側に、ベース台座層を備えるベース絶縁層を形成する工程、ベース絶縁層の厚み方向一方側に、接続端子を備える導体層を形成する工程、ベース台座層の厚み方向一方側に第1カバー台座層を配置するように、ベース絶縁層の厚み方向一方側に第1カバー絶縁層を形成する工程、第1カバー台座層の厚み方向一方側に第2カバー台座層を配置するように、第1カバー絶縁層の厚み方向一方側に第2カバー絶縁層を形成する工程、および、接続端子に対して、めっき層を形成する工程を備える回路付サスペンション基板の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、接続端子のめっき層を保護するための第1カバー絶縁層および第2カバー絶縁層を形成する工程において、第1カバー台座層および第2カバー台座層を同時に形成することができる。
そのため、カバー絶縁層によってめっき層を保護することができながら、別途工程を増やすことなく、効率よく台座を形成することができる。
本発明の回路付サスペンション基板およびその製造方法によれば、接続端子を、スライダの端子に対して確実に接続させることができる。
図1は、本発明の回路付サスペンション基板の第1実施形態の平面図を示す。 図2は、図1に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の平面図を示す。 図3Aは、図2に示すジンバル部のA−A線に沿う断面図を示す。図3Bは、図2に示すジンバル部のB−B線に沿う断面図を示す。 図4A〜図4Cは、図3Bに示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図4Aは、金属支持基板を用意する工程、図4Bは、ベース絶縁層を形成する工程、図4Cは、導体層を形成する工程を示す。 図5D〜図5Fは、図4Cに引き続き、図3Bに示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図5Dは、第1カバー絶縁層を形成する工程、図5Eは、第2カバー絶縁層を形成する工程、図5Fは、金属支持基板を外形加工する工程を示す。 図6G〜図6Iは、図5Fに引き続き、図3Bに示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図6Gは、ベース絶縁層を部分的に除去する工程、図6Hは、めっき層を形成する工程、図6Iは、スライダを実装する工程を示す。 図7は、本発明の回路付サスペンション基板の第2実施形態の断面図であって、図3Bに対応する断面図を示す。
<第1実施形態>
図1に示す回路付サスペンション基板1は、磁気ヘッド3を搭載するスライダ4、および、ピエゾ素子5を実装し、外部基板6および電源7が接続されて、ハードディスクドライブ(図示せず)に搭載される。
なお、図1において、紙面左右方向は、先後方向(第1方向)であって、紙面左側が先側(第1方向一方側)、紙面右側が後側(第1方向他方側)である。また、紙面上下方向は、左右方向(幅方向、第2方向)であって、紙面上側が左側(幅方向一方側、第2方向一方側)、紙面下側が右側(幅方向他方側、第2方向他方側)である。また、紙面紙厚方向は、上下方向(厚み方向、第3方向)であって、紙面手前側が上側(厚み方向一方側、第3方向一方側)、紙面奥側が下側(厚み方向他方側、第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
また、図1において、架橋部36(後述)以外のベース絶縁層9(後述)、および、カバー絶縁層11(第1カバー絶縁層71(後述)、第2カバー絶縁層72(後述))を省略している。また、図2においては、ベース絶縁層9(後述)、および、第2カバー絶縁層72(後述)を図示し、第1カバー絶縁層71(後述)を省略している。
回路付サスペンション基板1は、図1に示すように、先後方向に延びる平帯形状に形成されている。回路付サスペンション基板1は、図3Aおよび図3Bに示すように、金属支持基板8、金属支持基板8の上に形成されるベース絶縁層9、ベース絶縁層9の上に形成される導体層10、ベース絶縁層9の上に導体層10を被覆するように形成されるカバー絶縁層11、および、導体層10の後述する複数の端子(外部側端子57、ヘッド側端子58、ピエゾ側端子59)の表面を被覆するめっき層12を備えている。
金属支持基板8は、図1に示すように、先後方向に延びる平帯形状に形成されており、本体部13と、本体部13の先側に形成されるジンバル部14とを一体的に備えている。
本体部13は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。本体部13は、回路付サスペンション基板1がハードディスクドライブに搭載されるときに、ハードディスクドライブのロードビーム(図示せず)に支持される。
ジンバル部14は、図2に示すように、本体部13の先端から先側に延びるように形成されている。
ジンバル部14は、1対のアウトリガー部17と、搭載部18と、1対の連結部19とを備えている。
アウトリガー部17は、平面視細長矩形状をなし、本体部13の幅方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように1対として形成されている。
搭載部18は、1対のアウトリガー部17に対して幅方向内側に間隔を隔て、かつ、本体部13の先端縁に対して、先後方向に間隔を隔てるように配置されている。搭載部18は、幅方向両側に向かって開く平面視略H字状に形成されている。すなわち、搭載部18は、先後方向中央部の幅方向両端部が切り欠かれ(開口され)ている。具体的には、搭載部18は、基部21と、ステージ22と、中央部23とを一体的に備えている。
基部21は、搭載部18の後端部に配置されており、幅方向に長く延びる平面視略矩形状に形成されている。
ステージ22は、基部21の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状に形成されている。また、ステージ22は、ステージ開口部27を備えている。
ステージ開口部27は、図2および図3Aに示すように、ステージ22を厚み方向に平面視略矩形状に貫通するように形成されている。
中央部23は、図2に示すように、基部21およびステージ22の幅方向中央を接続し、先後方向に延びる平面視細長矩形状に形成されている。中央部23は、幅方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。
なお、搭載部18において、切り欠かれた部分は、1対の連通空間24として区画されている。1対の連通空間24は、中央部23の幅方向両側に区画されており、金属支持基板8を厚み方向に貫通するように形成されている。
1対の連結部19のそれぞれは、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端部から、基部21の幅方向両端部に連結されるように、幅方向内側斜め後方に延びている。これにより、1対の連結部19は、1対のアウトリガー部17と搭載部18とを連結している。また、これによって、1対の連結部19と1対のアウトリガー部17との間、および、搭載部18と本体部13との間に、平面視において先側に向かって開く略U字状の基板開口部16が開口されている。
金属支持基板8は、例えば、ステンレス、42アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。
金属支持基板8の厚みは、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、例えば、30μm以下、好ましくは、25μm以下である。
ベース絶縁層9は、金属支持基板8の上面に、導体層10に対応するパターンに形成されている。具体的には、ベース絶縁層9は、本体部13に対応する本体部絶縁層31と、ジンバル部14に対応するジンバル部絶縁層32とを備えている。
本体部絶縁層31は、図1に示す本体部13における導体層10(具体的には、後述する外部側端子57、および、配線60)に対応するように形成されている。
ジンバル部絶縁層32は、基板開口部16に対応する基板開口部絶縁層34と、搭載部18に対応する搭載部絶縁層35と、架橋部36とを備えている。
基板開口部絶縁層34は、基板開口部16を先後方向に跨ぐように形成されている。具体的には、基板開口部絶縁層34は、本体部絶縁層31の幅方向両端部の先端から連続して基板開口部16を通過するように先側に向かって延びており、基板開口部16の後側において幅方向両側に分岐され、基部21よりも後側で合一となり、基部21の先後方向途中まで延びる平面視略Y字状に形成されている。
搭載部絶縁層35は、搭載部18に対応して、平面視略H字状に形成されている。具体的には、搭載部絶縁層35は、基部絶縁層38と、ステージ絶縁層39と、中央部絶縁層40とを備えている。
基部絶縁層38は、搭載部18の基部21における導体層10に対応して形成されている。基部絶縁層38は、搭載部18の基部21の先側において、基板開口部絶縁層34から連続して、幅方向両外側に延びる平面視略矩形状に形成されている。また、基部絶縁層38は、基部21の先端縁よりも先方まで延びるように形成されている。基部絶縁層38において、搭載部18の中央部23を跨いで連通空間24から露出される部分が、1対の後ピエゾ側端子形成部43として区画されている。
ステージ絶縁層39は、搭載部18のステージ22における導体層10に対応して形成されている。ステージ絶縁層39は、基部絶縁層38の先側に間隔を隔てて配置され、搭載部18のステージ22の先側から、ステージ22の後端縁よりも後方まで延びる平面視略矩形状に形成されている。ステージ絶縁層39において、搭載部18の中央部23を跨いで連通空間24から露出される部分が、1対の前ピエゾ側端子形成部44として区画されている。また、ステージ絶縁層39は、ステージ開口部27に対応する接続端子開口部45と、窪部48(図3B参照)と、複数(2つ)の接地開口部46とを備えている。
接続端子開口部45は、図2および図3Aに示すように、ステージ絶縁層39を厚み方向に略矩形に貫通するように形成されている。接続端子開口部45の幅方向両端縁、および、後端縁は、厚み方向に投影したときに、ステージ開口部27の幅方向両端縁、および、後端縁と一致している。接続端子開口部45の先端縁は、ステージ開口部27の先端縁よりも後方に位置している。
窪部48は、接続端子開口部45の先端縁よりも先方であって、厚み方向に投影したときにステージ開口部27と重なる部分において、ステージ絶縁層39の下面から上側に向かって窪むように形成されている。
接地開口部46は、厚み方向に投影したときに、搭載部18のステージ22の後端部と重なる部分において、ステージ絶縁層39を厚み方向に貫通するように形成されている。
中央部絶縁層40は、図2に示すように、搭載部18の中央部23における導体層10に対応して形成されている。中央部絶縁層40は、基部絶縁層38およびステージ絶縁層39の幅方向中央を接続し、先後方向に延びる平面視細長矩形状に形成されている。なお、中央部絶縁層40は、中央部23よりも幅狭であり、幅方向に湾曲可能に形成されている。
なお、1対の後ピエゾ側端子形成部43と、1対の前ピエゾ側端子形成部44とを併せて、ピエゾ側端子形成部47とする。
ピエゾ側端子形成部47は、図2および図3Aに示すように、端子開口部49を備えている。
端子開口部49は、基部絶縁層38の1対の後ピエゾ側端子形成部43のそれぞれ、および、ステージ絶縁層39の1対の前ピエゾ側端子形成部44のそれぞれに、1つずつ形成されている。端子開口部49は、後ピエゾ側端子形成部43、および、前ピエゾ側端子形成部44を厚み方向に略矩形に貫通するように形成されている。
架橋部36は、図2に示すように、1対のアウトリガー部17の先端と、ステージ22の幅方向両端とを湾曲状に連結する1対の湾曲部52と、1対のアウトリガー部17の先端およびステージ22の先端を連結するE字部53とを備えている。
湾曲部52は、アウトリガー部17の先端から幅方向内側斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ22の幅方向両端に至っている。
E字部53は、平面視略E字状をなし、具体的には、両アウトリガー部17の先端から先側に向かって延び、その後、幅方向内側に屈曲し、幅方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ22の先端の幅方向中央に至っている。
ベース絶縁層9は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
ベース絶縁層9の厚み(最大厚み)は、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、35μm以下、好ましくは、33μm以下である。
導体層10は、図1に示すように、外部側端子57と、接続端子の一例としてのヘッド側端子58と、ピエゾ側端子59と、配線60とを備えている。
外部側端子57は、本体部13に対応する本体部絶縁層31の後端部に複数(6つ)配置されている。外部側端子57は、信号端子57Aと、電源端子57Bとを備えている。
信号端子57Aは、外部側端子57の複数(6つ)の内、後方に配置される4つであり、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されている。信号端子57Aは、外部基板6と電気的に接続される。
電源端子57Bは、外部側端子57の複数(6つ)の内、前方に配置される2つであり、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されている。電源端子57Bは、電源7と電気的に接続される。
ヘッド側端子58は、図2に示すように、ステージ22に対応するステージ絶縁層39の先端部の上面に設けられ、幅方向に互いに間隔を隔てて複数(4つ)配置されている。ヘッド側端子58は、図3Aおよび図3Bに示すように、ステージ開口部27の先端縁と、接続端子開口部45の先端縁とを跨ぐように先後方向に延びている。ヘッド側端子58は、後述するヘッド接合材66を介して、磁気ヘッド3と電気的に接続される。ヘッド側端子58は、先側部58Aと、中央部58Bと、後側部58Cとを備えている。
先側部58Aは、ヘッド側端子58におけるステージ開口部27の先端縁よりも先側部分である。先側部58Aは、厚み方向に投影したときに、金属支持基板8およびベース絶縁層9と重なっている。先側部58Aは、ヘッド側端子58を支持している。
中央部58Bは、ヘッド側端子58におけるステージ開口部27の先端縁と、接続端子開口部45の先端縁との間の部分である。中央部58Bは、先側部58Aの後端部から連続して延びている。中央部58Bは、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層9と重なっている。中央部58Bは、ステージ開口部27内に配置されるが、ベース絶縁層9により支持されている。
後側部58Cは、ヘッド側端子58における接続端子開口部45の先端縁よりも後側部分である。後側部58Cは、中央部58Bの後端部から連続して、下方に屈曲した後、後方に延びている。これにより、後側部58Cの上面と、中央部58Bの上面とは段差を形成している。また、後側部58Cの下面は、窪部48と面一である。後側部58Cは、ステージ開口部27内に配置され、より磁気ヘッド3の近傍に位置することができる。
ピエゾ側端子59は、連通空間24におけるベース絶縁層9のピエゾ側端子形成部47に、複数(4つ)配置されている。具体的には、ピエゾ側端子59は、基部絶縁層38の1対の後ピエゾ側端子形成部43のそれぞれの端子開口部49、および、ステージ絶縁層39の1対の前ピエゾ側端子形成部44のそれぞれの端子開口部49に落ち込み、充填されている。なお、図2および図3Aに示すように、ピエゾ側端子59において、1対の後ピエゾ側端子形成部43のそれぞれの端子開口部49に充填されるピエゾ側端子59を後ピエゾ側端子59Aとし、1対の前ピエゾ側端子形成部44のそれぞれの端子開口部49に充填されるピエゾ側端子59を前ピエゾ側端子59Bとする。ピエゾ側端子59は、後述するピエゾ接合材68を介して、ピエゾ素子5と電気的に接続される。
配線60は、図1に示すように、本体部13に対応する本体部絶縁層31(図2参照)、および、ジンバル部14に対応するジンバル部絶縁層32(図2参照)において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数(6つ)形成されている。配線60は、信号配線60Aと、電源配線60Bとを備えている。
信号配線60Aは、複数(6つ)の配線60の内の幅方向内側の4つであり、信号端子57Aと、ヘッド側端子58とに電気的に接続されている。信号配線60Aは、磁気ヘッド3(図3Aおよび図3B参照)、および、外部基板6間に電気信号を伝達する。
具体的には、信号配線60Aは、本体部13に対応する本体部絶縁層31(図2参照)の後端部において、信号端子57Aから先側に向かって延びた後、図2に示すように、基板開口部絶縁層34、および、搭載部絶縁層35の上を順次通過して、ヘッド側端子58に至るように形成されている。
電源配線60Bは、図1に示すように、複数(6つ)の配線60の内、信号配線60Aよりも幅方向両外側の2つであり、電源端子57Bと、後ピエゾ側端子59Aとに電気的に接続されている。電源配線60Bは、ピエゾ素子5に、電源7から電力を供給する。
具体的には、電源配線60Bは、本体部13に対応する本体部絶縁層31(図2参照)の後端部において、電源端子57Bから先側に向かって延びた後、図2に示すように、基板開口部絶縁層34、および、搭載部絶縁層35を順次通過して、後ピエゾ側端子59Aに至るように形成されている。
また、配線60は、ジンバル部14に対応するジンバル部絶縁層32において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数(2つ)形成されるグランド配線60Cを備えている。
グランド配線60Cは、前ピエゾ側端子59Bを接地するために設けられている。具体的には、グランド配線60Cは、図2および図3Aに示すように、前ピエゾ側端子59Bから先側に向かって延び、信号配線60Aの後側において、接地開口部46に落ち込み、充填されるように下側に屈曲し、金属支持基板8と接触している。
導体層10は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
導体層10の厚みは、例えば、3μm以上、好ましくは、5μm以上であり、例えば、50μm以下、好ましくは、20μm以下である。
カバー絶縁層11は、図3Aおよび図3Bに示すように、第1カバー絶縁層71と、第2カバー絶縁層72とを備えている。
第1カバー絶縁層71は、図1が参照されるように、本体部13およびジンバル部14にわたって形成され、図3Aおよび図3Bに示すように、ベース絶縁層9の上に配置され、平面視において導体層10を含むパターンに形成されている。
具体的には、第1カバー絶縁層71は、配線60の上面を被覆し、外部側端子57(図1参照)、および、ヘッド側端子58の上面を露出するパターンに形成されている。
第1カバー絶縁層71は、ベース絶縁層9を形成する絶縁材料と同一の絶縁材料から形成されている。第1カバー絶縁層71の厚みは、めっき層12の厚みより薄く、めっき層12の厚み100%に対して、例えば、10%以上、好ましくは、30%以上であり、例えば、99%以下、好ましくは、90%以下である。第1カバー絶縁層71の厚みは、具体的には、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、40μm以下、好ましくは、10μm以下である。
第2カバー絶縁層72は、第1カバー絶縁層71の上に配置される。第2カバー絶縁層72は、端子周辺層77と、第2カバー台座層の一例としての1対の先側スライダ接触層78と、第2カバー台座層の一例としての後側スライダ接触層79とを備えている。
端子周辺層77は、ヘッド側端子58の上面を露出するように、ヘッド側端子58よりも先側の第1カバー絶縁層71の上に配置されている。端子周辺層77は、厚み方向に投影したときに、信号配線60Aと重なるように形成されている。端子周辺層77は、4つのヘッド側端子58の先側において、先後方向に投影したときに、4つのヘッド側端子58のすべてと重なるように、幅方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
1対の先側スライダ接触層78のそれぞれは、2つの接地開口部46と接続端子開口部45との間において、第1カバー絶縁層71の上に配置されている。先側スライダ接触層78は、厚み方向に投影したときに、信号配線60Aと重なるように形成されている。先側スライダ接触層78は、平面視略矩形状に形成されている。1対の先側スライダ接触層78は、幅方向において、互いに間隔を隔てて配置されている。
なお、厚み方向に投影したときに、1対の先側スライダ接触層78のそれぞれと重なる第1カバー絶縁層71が、第1カバー台座層の一例としての先側スライダ支持層81である。
また、厚み方向に投影したときに、1対の先側スライダ接触層78と重なるベース絶縁層9が、ベース台座層の一例としての先側ベース層82である。
このように、先側ベース層82は、ベース絶縁層9からなり、金属支持基板8の上に配置されており、先側スライダ支持層81は、第1カバー絶縁層71からなり、先側ベース層82の上に配置されており、先側スライダ接触層78は、第2カバー絶縁層72からなり、先側スライダ支持層81の上に配置されている。
そして、先側スライダ接触層78、先側スライダ支持層81、および、先側ベース層82から、台座の一例としての第1台座88が形成されている。つまり、第1台座88は1対設けられている。1対の第1台座88は、幅方向において、互いに間隔を隔てて配置されている。
後側スライダ接触層79は、中央部絶縁層40の上に形成されている。後側スライダ接触層79は、厚み方向に投影したときに、信号配線60Aと重なるように形成されている。後側スライダ接触層79は、平面視略矩形状に形成されている。
なお、厚み方向に投影したときに、後側スライダ接触層79と重なる第1カバー絶縁層71が第1カバー台座層の一例としての後側スライダ支持層84である。
また、厚み方向に投影したときに、後側スライダ接触層79と重なるベース絶縁層9が、ベース台座層の一例としての後側ベース層85である。
このように、後側ベース層85は、ベース絶縁層9からなり、金属支持基板8の上に配置されており、後側スライダ支持層84は、第1カバー絶縁層71からなり、後側ベース層85の上に配置されており、後側スライダ接触層79は、第2カバー絶縁層72からなり、後側ベース層85の上に配置されている。
そして、後側スライダ接触層79、後側スライダ支持層84、および、後側ベース層85から、台座の一例としての第2台座89が形成されている。第2台座89は、1対の第1台座88よりも後側であって、1対の第1台座88の幅方向略中央に配置されている。つまり、第2台座89と1対の第1台座88とは、それぞれを頂点とする略三角形状に配置されている。
第2カバー絶縁層72は、ベース絶縁層9を形成する絶縁材料と同一の絶縁材料から形成されている。第2カバー絶縁層72の厚みは、めっき層12の厚みより薄く、めっき層12の厚み100%に対して、例えば、10%以上、好ましくは、30%以上であり、例えば、99%以下、好ましくは、90%以下である。第2カバー絶縁層72の厚みは、具体的には、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
めっき層12は、複数の端子、具体的には、外部側端子57、ヘッド側端子58、ピエゾ側端子59の表面に形成されている。めっき層12は、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっき、好ましくは、電解めっきによって形成される。めっき層12は、例えば、ニッケル、金などの金属材料から形成されて、好ましくは、金から形成されている。また、めっき層12の厚みは、第1カバー絶縁層71の厚みと第2カバー絶縁層72の厚みとの総和以下である。具体的には、第1カバー絶縁層71の厚みと、第2カバー絶縁層72の厚みとの総和100%に対して、5%以上、好ましくは、30%以上であり、例えば、99%以下、好ましくは、95%以下である。めっき層12の厚みは、具体的には、例えば、0.3μm以上、好ましくは、2μm以上であり、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
また、ヘッド側端子58の表面に形成されるめっき層12を、ヘッドめっき層91とする。
ヘッドめっき層91は、ヘッド側端子58の形状に対応して設けられている。具体的には、ヘッドめっき層91は、ヘッド側端子58の先側部58Aの上面および両側面と、中央部58Bの上面および両側面と、後側部58Cの上面、両側面、後面および下面とを被覆している。つまり、ヘッドめっき層91は、ヘッド側端子58の上面から、下面まで、回り込むように形成されている。また、中央部58Bの上面を被覆するヘッドめっき層91と、後側部58Cの上面を被覆するヘッドめっき層91とは、段差を形成している。
スライダ4は、その先端にハードディスクの情報を読み書き可能な磁気ヘッド3が搭載されており、平面視略矩形箱形状に形成されている。なお、磁気ヘッド3の先端には、複数のヘッド側端子58に対応して、複数(4つ)のヘッド端子65が設けられている。
ヘッド端子65は、磁気ヘッド3の前端面に配置され、磁気ヘッド3の下端部よりも上側に位置し、厚み方向に長さを有し、先側に臨むように設けられている。
スライダ4は、1対の第1台座88および第2台座89に接着剤などを介して、載置されており、ヘッド端子65がヘッド側端子58の上面に臨むように、ヘッド側端子58の上側に微小間隔を隔てて配置されている。
そして、ヘッド側端子58の上面には、ヘッド接合材66が設けられている。
ヘッド接合材66は、例えば、はんだや、導電性接着剤などの導電性材料から形成されている。好ましくは、低融点のはんだから形成されている。この低融点のはんだとしては、例えば、錫、銀、銅の合金からなるはんだ、錫、銀、ビスマス、インジウムの合金からなるはんだ、錫、亜鉛の合金からなるはんだ、錫、ビスマスの合金からなるはんだ、錫、ビスマス、銀の合金からなるはんだなどが挙げられる。低融点のはんだの融点は、好ましくは220℃以下である。また、導電性接着剤としては、例えば、銀ペーストなどが挙げられる。
ヘッド接合材66は、ヘッド側端子58と、磁気ヘッド3のヘッド端子65とを電気的に接続している。
このように、めっき層12の厚みを調整することにより、めっき層12をスライダ4が搭載する磁気ヘッド3のヘッド端子65に対して近接させている。
ピエゾ素子5は、先後方向に伸縮可能なアクチュエータであって、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。ピエゾ素子5は、電力が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮する。なお、ピエゾ素子5の上部における前側および後側のそれぞれには、ピエゾ端子67が設けられている。ピエゾ素子5は、図2および図3Aに示すように、幅方向に間隔を隔てて1対配置されている。このとき、ピエゾ素子5は、後ピエゾ側端子59A、および、前ピエゾ側端子59Bを回路付サスペンション基板1に対して下側から架設し、ピエゾ側端子59の下面に対して、ピエゾ端子67が臨むように配置されている。
そして、ピエゾ側端子59の上面には、ピエゾ接合材68が設けられている。ピエゾ接合材68は、例えば、ヘッド接合材66を形成する導電性材料と同一の導電性材料から形成されている。
ピエゾ接合材68は、ピエゾ側端子59と、ピエゾ素子5のピエゾ端子67とを電気的に接続している。
次に、回路付サスペンション基板1の製造方法について、図4A〜図6Iを参照して説明する。
この方法では、図4Aに示すように、まず、金属支持基板8を用意する。
次いで、図4Bに示すように、ベース絶縁層9を金属支持基板8の上に形成する。
具体的には、ベース絶縁層9を、本体部絶縁層31(図1参照)、および、ジンバル部絶縁層32に対応するパターンとして、金属支持基板8の上に形成する。ジンバル部絶縁層32においては、先側ベース層82と、後側ベース層85と、ヘッド側端子58に対応する部分に凹部93と、接続端子開口部45とを備えるパターンとして形成する。
凹部93は、接続端子開口部45の先端部において、ベース絶縁層9の上面から下側に向かって窪むように形成される。
凹部93および接続端子開口部45が形成されるベース絶縁層9を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板8の上に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。
その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光する。フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分、および、光全透過部分をパターンで備えており、ベース絶縁層9(凹部93および接続端子開口部45を形成する部分を除く。)を形成する部分には光全透過部分を、凹部93を形成する部分には光半透過部分を、ベース絶縁層9を形成しない部分、および、接続端子開口部45を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して対向配置し、露光する。
その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させることにより、先側ベース層82、後側ベース層85、凹部93、および、接続端子開口部45を備えるベース絶縁層9を、上記したパターンで形成する。
次いで、図4Cに示すように、導体層10を、ベース絶縁層9の上面に形成する。詳しくは、ベース絶縁層9の上面に、導体層10をアディティブ法またはサブトラクティブ法などのパターン形成法、好ましくは、アディティブ法によって形成する。
これにより、図1が参照されるように、導体層10が、ベース絶縁層9の上面に、外部側端子57、ヘッド側端子58、ピエゾ側端子59、および、配線60を備えるように形成される。なお、ヘッド側端子58の後側部分は、凹部93に落ち込むように形成される。
次いで、図5Dに示すように、第1カバー絶縁層71を、ベース絶縁層9の上に、1対の先側スライダ支持層81および後側スライダ支持層84を備えるパターンとして形成する。1対の先側スライダ支持層81および後側スライダ支持層84を備える第1カバー絶縁層71を形成するには、ベース絶縁層9および導体層10の上に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成した後、カバー皮膜を露光し、続いて、現像して、加熱硬化することにより、上記したパターンで形成する。
次いで、図5Eに示すように、第2カバー絶縁層72を、第1カバー絶縁層71の上に形成する。
具体的には、第2カバー絶縁層72を、端子周辺層77、1対の先側スライダ接触層78(図2および図3A参照)、および、後側スライダ接触層79を備えるパターンに形成する。端子周辺層77、1対の先側スライダ接触層78(図2および図3A参照)、および、後側スライダ接触層79を備える第2カバー絶縁層72を形成するには、第1カバー絶縁層71の上に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成した後、カバー皮膜を露光し、続いて、現像して、加熱硬化することにより、上記したパターンで形成する。
これにより、図3Aが参照されるように、先側スライダ接触層78は、対応する第1カバー絶縁層71の先側スライダ支持層81、および、ベース絶縁層9の先側ベース層82とともに、第1台座88を構成する。
また、図5Eに示すように、後側スライダ接触層79は、対応する第1カバー絶縁層71の後側スライダ支持層84、および、ベース絶縁層9の後側ベース層85とともに、第2台座89を構成する。
次いで、図5Fに示すように、金属支持基板8を、例えば、エッチングなどによって、基板開口部16(図1および図2参照)、および、ステージ開口部27が形成されるように、外形加工する。
これにより、ステージ開口部27から、凹部93が形成される部分のベース絶縁層9の下面が露出される。
次いで、図6Gに示すように、ベース絶縁層9において、ステージ開口部27から露出する凹部93が形成される部分、および、凹部93よりも先側部分のベース絶縁層9を部分的に除去する。具体的には、エッチング、好ましくは、ウェットエッチングなどによって、除去する。
これにより、窪部48が形成されるとともに、ヘッド側端子58の後側部58Cの下面が露出される。
次いで、図6Hに示すように、複数の端子、具体的には、外部側端子57、ヘッド側端子58、ピエゾ側端子59の表面に、めっき層12を形成する。
具体的には、無電解めっき、電解めっきなどのめっき、好ましくは、電解めっきによって、めっき層12を形成する。
これにより、回路付サスペンション基板1が完成する。
次いで、図6Iに示すように、回路付サスペンション基板1に対して、磁気ヘッド3が搭載されたスライダ4を接続するときには、まず、ヘッド側端子58(めっき層12)の上にヘッド接合材66を形成する。具体的には、上記した導電性材料を公知の印刷機による印刷、または、ディスペンサーで塗布することで、ヘッド接合材66を形成する。
次いで、磁気ヘッド3が搭載されたスライダ4を、1対の第1台座88(図2および図3A参照)、および、第2台座89によって支持され、ヘッド端子65がヘッド側端子58の上側に位置するように、回路付サスペンション基板1に対して上側に配置する。
そして、ヘッド接合材66を、レーザー(Xeランプレーザー)照射、または、はんだごてなどの加熱方法によって、その溶融温度以上に加熱する。好ましくは、ヘッド接合材66を、レーザー照射により加熱する。
これにより、図3Aおよび図3Bに示すように、ヘッド接合材66が溶融されて流動し、ヘッド側端子58と、磁気ヘッド3のヘッド端子65とが電気的に接続される。
このとき、ヘッド接合材66がフィレットを形成することで、ヘッド端子65の上端部まで、確実にヘッド接合材66を配置することができ、ヘッド側端子58とヘッド端子65とを確実に電気的に接続させることができる。
また、図3Aに示すように、回路付サスペンション基板1に対して、ピエゾ素子5を接続するときには、まず、ピエゾ側端子59の下にピエゾ接合材68を形成する。具体的には、上記した導電性材料を、公知の印刷機による印刷、または、ディスペンサーで塗布することで、ピエゾ接合材68を形成する。
そして、1対のピエゾ素子5を、ピエゾ端子67が対応するピエゾ側端子59の下側に位置するように、回路付サスペンション基板1に対して下側に配置する。
次いで、ピエゾ素子5が配置された回路付サスペンション基板1のジンバル部14をリフロー炉内に入れて加熱し、ピエゾ接合材68をリフローする。
リフロー温度は、ピエゾ接合材68が溶融する温度以上、例えば、100℃以上、好ましくは、130℃以上であり、例えば、350℃以下、好ましくは、300℃以下である。
また、リフロー時間は、例えば、5秒以上、好ましくは、10秒以上であり、例えば、500秒以下、好ましくは、300秒以下である。
これにより、ピエゾ接合材68は、溶融することにより流動し、ピエゾ側端子59と、ピエゾ素子5のピエゾ端子67とを接着する。
ピエゾ素子5は、ピエゾ側端子59を介して電源7から電力が供給され、その電圧が制御されることによって、先後方向に伸縮する。ピエゾ素子5が伸縮することにより、スライダ4の位置を微調整することができる。
この回路付サスペンション基板1によれば、図3Aおよび図3Bに示すように、ヘッド側端子58の周りに形成される第1カバー絶縁層71と、第2カバー絶縁層72の端子周辺層77とによって、ヘッド側端子58を被覆するめっき層12を高さ調整のために厚く形成しても、確実に保護することができる。
また、スライダ4の位置に応じて、第1カバー絶縁層71の厚みと第2カバー絶縁層72の端子周辺層77の厚みとの総和の範囲内で、めっき層12の厚みを適宜調整し、厚み方向において、めっき層12をスライダ4が搭載する磁気ヘッド3のヘッド端子65に対して近接させることができる。
そのため、ヘッド側端子58を、スライダ4が搭載する磁気ヘッド3のヘッド端子65に対して確実に接続させることができる。
また、この回路付サスペンション基板1によれば、図3Aおよび図3Bに示すように、先側ベース層82および後側ベース層85がベース絶縁層9からなり、先側スライダ支持層81および後側スライダ支持層84が第1カバー絶縁層71からなり、先側スライダ接触層78および後側スライダ接触層79が第2カバー絶縁層72からなるので、スライダ4を支持するための部材を別途設けることなく、配線60を被覆するようにして、第1台座88および第2台座89を形成することができる。
この回路付サスペンション基板1の製造方法によれば、ヘッド側端子58のめっき層12を保護するための第1カバー絶縁層71および第2カバー絶縁層72を形成する工程において、先側スライダ支持層81および後側スライダ支持層84と、先側スライダ接触層78および後側スライダ接触層79とを同時に形成することができる。
そのため、カバー絶縁層11によってめっき層12を保護することができながら、別途工程を増やすことなく、効率よく第1台座88および第2台座89を形成することができる。
<第2実施形態>
次いで、図7を参照して、本発明の第2実施形態の回路付サスペンション基板1について説明する。なお、第2実施形態において、上記した第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
上記した第1実施形態では、めっき層12の厚みを調整することにより、めっき層12をスライダ4が搭載する磁気ヘッド3のヘッド端子65に対して近接させている。
対して、第2実施形態では、回路付サスペンション基板1は、図7に示すように、ヘッド側端子58とめっき層12との間に、めっき層の一例としての追加めっき層99を備えている。
追加めっき層99は、ヘッド側端子58の上に形成されている。具体的には、ヘッド側端子58の先側部58Aと中央部58Bとに跨るように配置されている。追加めっき層99は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料から形成されて、好ましくは、銅から形成されている。追加めっき層99の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、2μm以上であり、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
また、第2実施形態においては、めっき層12の厚みは、例えば、0.3μm以上、好ましくは、2μm以上であり、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
なお、追加めっき層99は、めっき層12よりも厚く、めっき層12の厚み100%に対して、例えば、110%以上、好ましくは、200%以上であり、例えば、1000%以下、好ましくは、500%以下である。
そして、追加めっき層99の厚みと、追加めっき層99の表面に形成されるめっき層12の厚みとの総和は、第1カバー絶縁層71の厚みと第2カバー絶縁層72の厚みとの総和以下である。具体的には、第1カバー絶縁層71の厚みと、第2カバー絶縁層72の厚みとの総和100%に対して、5%以上、好ましくは、30%以上であり、例えば、99%以下、好ましくは、95%以下である。
追加めっき層99は、導体層10をベース絶縁層9の上面に形成した後に、めっきにより形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、とりわけ、電解銅めっきが好ましく用いられる。
このような第2実施形態においても、第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
<変形例>
上記した第1実施形態および第2実施形態では、回路付サスペンション基板1は、スライダ4を支持するための第1台座88および第2台座89を備えているが、第1台座88および第2台座89を備えず、接着剤層などにより、スライダ4が支持されていてもよい。
このような変形例においても、第1実施形態および第2実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
1 回路付サスペンション基板
4 スライダ
8 金属支持基板
9 ベース絶縁層
10 導体層
11 カバー絶縁層
12 めっき層
58 ヘッド側端子
71 第1カバー絶縁層
72 第2カバー絶縁層
78 先側スライダ接触層
79 後側スライダ接触層
81 先側スライダ支持層
82 先側ベース層
84 後側スライダ支持層
85 後側ベース層
88 第1台座
89 第2台座
99 追加めっき層

Claims (3)

  1. 金属支持基板と、前記金属支持基板の厚み方向一方側に配置されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置され、スライダと電気的に接続される接続端子を備える導体層と、前記接続端子を露出するように前記導体層を被覆し、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置されるカバー絶縁層と、前記接続端子を被覆するめっき層とを備え、
    前記カバー絶縁層は、
    前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置される第1カバー絶縁層と、
    前記第1カバー絶縁層の前記厚み方向一方側に配置される第2カバー絶縁層と
    を備え、
    前記めっき層の厚みは、前記第1カバー絶縁層の厚みと前記第2カバー絶縁層の厚みとの総和以下であることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
  2. 前記スライダを支持する台座をさらに備え、
    前記台座は、
    前記ベース絶縁層からなり、前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に配置されるベース台座層と、
    前記第1カバー絶縁層からなり、前記ベース台座層の前記厚み方向一方側に配置される第1カバー台座層と、
    前記第2カバー絶縁層からなり、前記第1カバー台座層の前記厚み方向一方側に配置される第2カバー台座層と
    を備えていることを特徴とする、請求項1に記載の回路付サスペンション基板。
  3. 請求項2に記載の回路付サスペンション基板の製造方法であって、
    前記金属支持基板を用意する工程、
    前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に、前記ベース台座層を備える前記ベース絶縁層を形成する工程、
    前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に、前記接続端子を備える前記導体層を形成する工程、
    前記ベース台座層の前記厚み方向一方側に前記第1カバー台座層を配置するように、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に前記第1カバー絶縁層を形成する工程、
    前記第1カバー台座層の前記厚み方向一方側に前記第2カバー台座層を配置するように、前記第1カバー絶縁層の前記厚み方向一方側に前記第2カバー絶縁層を形成する工程、および、
    前記接続端子に対して、前記めっき層を形成する工程
    を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
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