JP2017103517A - Electronic unit, imaging apparatus and flexible substrate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce influences that are exerted upon an electronic unit or the outside of the electronic unit by at least one of a magnetic field and an electric field generated by a current supplied from a power source to an electronic component.SOLUTION: An electronic unit comprises: a substrate; an electronic component provided on the substrate; first wiring which is provided on the substrate and through which a current supplied from a first power source to the electronic component is made flow in a first direction; and second wiring which is provided on the substrate along the first wiring and through which a current supplied through the first wiring to the electronic component and returned from the electronic component to the first power source is made flow in a second direction substantially opposite to the first direction in the vicinity of the first wiring. The electronic unit comprises: a substrate; an imaging device provided on the substrate and including a pixel element for outputting a pixel signal and a vertical signal line for transmitting the pixel signal; and wiring provided substantially in parallel with a face of the substrate on which the imaging element is provided, for causing a current supplied from a capacitor to at least one of the imaging element and another electronic component provided on the substrate, to flow in a direction substantially orthogonal to a direction in which the vertical signal line transmits the pixel signal.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、電子ユニット、撮像装置及びフレキシブル基板に関する。   The present invention relates to an electronic unit, an imaging device, and a flexible substrate.

従来より基板に実装された電子素子を備えた電子素子モジュールが知られている。
しかしながら、従来の電子素子モジュールではノイズを除去できないという問題があった。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2010−45082号
Conventionally, an electronic element module including an electronic element mounted on a substrate is known.
However, the conventional electronic element module has a problem that noise cannot be removed.
[Prior art documents]
[Patent Literature]
[Patent Document 1] JP 2010-45082 A

第1の態様においては、電子ユニットは、基板と、基板に設けられた電子部品と、基板に設けられ、第1電源から電子部品に供給される電流を第1の向きに流す第1配線と、第1配線に沿って基板に設けられ、第1配線を通じて電子部品に供給されて電子部品から第1電源に戻る電流を、第1配線の近傍で第1の向きとは略反対の第2の向きに流す第2配線とを備える。   In the first aspect, the electronic unit includes a substrate, an electronic component provided on the substrate, a first wiring provided on the substrate and configured to flow a current supplied from the first power source to the electronic component in a first direction. The second current that is provided on the substrate along the first wiring and is supplied to the electronic component through the first wiring and returns from the electronic component to the first power source is a second that is substantially opposite to the first direction in the vicinity of the first wiring. And a second wiring that flows in the direction.

第2の態様においては、電子ユニットは、基板と、基板に設けられた電子部品と、基板に設けられ、第1電源から電子部品に供給される電流を流す第1配線と、基板に設けられ、第1配線を通じて電子部品に供給されて電子部品から第1電源に戻る電流を流す第2配線とを備え、第2配線は、第2配線を流れて第1電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、第1配線を流れて電子部品に供給される電流による磁界及び電界の少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、第1配線に沿って設けられる。   In the second aspect, the electronic unit is provided on the substrate, the electronic component provided on the substrate, the first wiring provided on the substrate and supplying a current supplied from the first power source to the electronic component, and the substrate. And a second wiring that supplies a current that is supplied to the electronic component through the first wiring and returns from the electronic component to the first power source, and the second wiring includes a magnetic field and an electric field generated by the current that flows through the second wiring and returns to the first power source. Is provided along the first wiring so that at least one of the magnetic field and the electric field due to the current supplied to the electronic component through the first wiring is canceled.

第3の態様においては、電子ユニットは、基板と、基板に設けられ、画素信号を出力する画素素子及び画素信号を伝送する垂直信号線を有する撮像素子と、基板において撮像素子が設けられた面と略平行に設けられ、撮像素子及び基板に設けられた他の電子部品の少なくとも一方にキャパシタから供給される電流を、垂直信号線が画素信号を伝送する方向に略直交する方向に流す配線とを備える。   In the third aspect, the electronic unit includes a substrate, an image sensor that is provided on the substrate and has a pixel element that outputs a pixel signal and a vertical signal line that transmits the pixel signal, and a surface on which the image sensor is provided on the substrate. And a wiring for flowing a current supplied from the capacitor to at least one of the image sensor and other electronic components provided on the substrate in a direction substantially perpendicular to the direction in which the vertical signal line transmits the pixel signal. Is provided.

第4の態様においては、撮像装置は、上記電子ユニットを備える。   In a fourth aspect, an imaging device includes the electronic unit.

第5の態様においては、フレキシブル基板は、第1電源から電子部品に供給される電流を第1の向きに流す第1配線と、第1配線に隣接して第1配線に沿って設けられ、第1配線を通じて電子部品に供給されて電子部品から第1電源に戻る電流を、第1の向きとは略反対の第2の向きに流す第2配線とを備える。   In the fifth aspect, the flexible substrate is provided along the first wiring adjacent to the first wiring, the first wiring for flowing the current supplied from the first power source to the electronic component in the first direction, And a second wiring that supplies a current that is supplied to the electronic component through the first wiring and returns from the electronic component to the first power supply in a second direction substantially opposite to the first direction.

第6の態様においては、フレキシブル基板は、第1電源から電子部品に供給される電流を流す第1配線と、第1配線を通じて電子部品に供給されて電子部品から第1電源に戻る電流を流す第2配線とを備え、第2配線は、第2配線を流れて第1電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、第1配線を流れて電子部品に供給される電流による磁界及び電界の少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、第1配線に沿って設けられる。   In the sixth aspect, the flexible substrate flows a first wiring for supplying a current supplied from the first power source to the electronic component, and a current supplied to the electronic component through the first wiring and returning from the electronic component to the first power source. And the second wiring includes at least one of a magnetic field and an electric field generated by a current flowing through the second wiring and returning to the first power source, and a magnetic field and an electric field generated by a current supplied through the first wiring to the electronic component. Are provided along the first wiring so that at least one of them is canceled out.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

カメラ10を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing a camera 10. FIG. 第1実施形態に係る撮像ユニット40を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the imaging unit 40 which concerns on 1st Embodiment. 撮像ユニット40のA−A断面を模式的に示す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a cross section AA of the imaging unit 40. FIG. 撮像ユニット40のB−B断面を模式的に示す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a BB cross section of the imaging unit 40. FIG. 配線層214に含まれる電源パターン及び配線層216に含まれるグランドパターンの一例を模式的に示す。An example of a power supply pattern included in the wiring layer 214 and a ground pattern included in the wiring layer 216 are schematically shown. 撮像チップ100を模式的に示す下面図である。2 is a bottom view schematically showing the imaging chip 100. FIG. 撮像チップ100に形成された回路ブロックの構成を模式的に示す図である。2 is a diagram schematically illustrating a configuration of a circuit block formed on the imaging chip 100. FIG. 第2実施形態に係る撮像ユニット2040を模式的に表す断面図である。It is sectional drawing which represents typically the imaging unit 2040 which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る撮像ユニット3040を模式的に表す断面図である。It is sectional drawing which represents typically the imaging unit 3040 which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る撮像ユニット4040を模式的に表す断面図である。It is sectional drawing which represents typically the imaging unit 4040 which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る撮像ユニット5040を模式的に表す断面図である。It is sectional drawing which represents typically the imaging unit 5040 which concerns on 5th Embodiment. フレキシブル基板600が装着された実装基板120を模式的に示す下面図である。It is a bottom view which shows typically the mounting substrate 120 with which the flexible substrate 600 was mounted | worn. フレキシブル基板600が装着された状態の撮像ユニット40を模式的に表す断面図であるFIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the imaging unit 40 with the flexible substrate 600 attached. フレキシブル基板700及び撮像ユニット40を模式的に表す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a flexible substrate 700 and an imaging unit 40. FIG. フレキシブル基板800及び撮像ユニット40を模式的に表す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a flexible substrate 800 and an imaging unit 40. FIG. フレキシブル基板900が装着された実装基板6120を模式的に示す下面図である。It is a bottom view which shows typically the mounting substrate 6120 with which the flexible substrate 900 was mounted | worn.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、実施形態に係るカメラ10を模式的に示す断面図である。カメラ10は、撮像装置の一例である一眼レフレックスカメラである。カメラ10は、レンズユニット20及びカメラボディ30を備える。カメラボディ30には、レンズユニット20が装着される。レンズユニット20は、その鏡筒内に、光軸22に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ30の撮像ユニット40へ導く。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a camera 10 according to the embodiment. The camera 10 is a single-lens reflex camera that is an example of an imaging apparatus. The camera 10 includes a lens unit 20 and a camera body 30. The lens unit 20 is attached to the camera body 30. The lens unit 20 includes an optical system arranged along the optical axis 22 in the lens barrel, and guides an incident subject light flux to the imaging unit 40 of the camera body 30.

本実施形態において、光軸22に沿う方向をz軸方向と定める。すなわち、撮像ユニット40が有する撮像チップ100へ被写体光束が入射する方向をz軸方向と定める。具体的には、被写体光束が入射する方向をz軸マイナス方向と定め、その反対方向をz軸プラス方向と定める。撮像チップ100の長手方向をx軸方向と定める。撮像チップ100の短手方向をy軸方向と定める。具体的には、x軸方向及びy軸方向は、図1に図示した方向に定められる。x軸、y軸、z軸は右手系の直交座標系である。なお、説明の都合上、z軸プラス方向のことを前方、前側、上方、上面側等と呼ぶ場合がある。また、z軸マイナス方向のことを後方、後側、下方、背面側等と呼ぶ場合がある。また、z軸プラス方向の位置からz軸マイナス方向に見た場合の図を上面図等と呼ぶ場合がある。また、z軸マイナス方向の位置からz軸プラス方向に見た場合の図を下面図等と呼ぶ場合がある。   In the present embodiment, the direction along the optical axis 22 is defined as the z-axis direction. That is, the direction in which the subject light beam enters the imaging chip 100 included in the imaging unit 40 is defined as the z-axis direction. Specifically, the direction in which the subject luminous flux is incident is defined as the z-axis minus direction, and the opposite direction is defined as the z-axis plus direction. The longitudinal direction of the imaging chip 100 is defined as the x-axis direction. The short direction of the imaging chip 100 is defined as the y-axis direction. Specifically, the x-axis direction and the y-axis direction are determined in the directions illustrated in FIG. The x-axis, y-axis, and z-axis are right-handed orthogonal coordinate systems. For convenience of explanation, the z-axis plus direction may be referred to as the front side, the front side, the upper side, the upper surface side, or the like. Further, the negative z-axis direction may be referred to as the rear side, the rear side, the lower side, the back side, or the like. Further, a view when viewed in the z-axis minus direction from a position in the z-axis plus direction may be referred to as a top view or the like. Further, a view when viewed in the z-axis plus direction from a position in the z-axis minus direction may be referred to as a bottom view or the like.

カメラボディ30は、レンズ側マウント24に結合されるボディ側マウント26よりz軸マイナス方向の位置に、ミラーユニット31を有する。ミラーユニット31は、メインミラー32及びサブミラー33を含む。メインミラー32は、レンズユニット20が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32に対して回転可能に軸支される。サブミラー33は、メインミラー32とともに進入位置に進入し、メインミラー32とともに退避位置に退避する。このように、ミラーユニット31は、被写体光束の光路中に進入した進入状態と、被写体光束から退避した退避状態とをとる。   The camera body 30 has a mirror unit 31 at a position in the negative z-axis direction from the body side mount 26 coupled to the lens side mount 24. The mirror unit 31 includes a main mirror 32 and a sub mirror 33. The main mirror 32 is rotatably supported between an entry position where it enters the optical path of the subject light beam emitted from the lens unit 20 and a retreat position where it is retracted from the optical path of the subject light flux. The sub mirror 33 is rotatably supported with respect to the main mirror 32. The sub mirror 33 enters the entry position together with the main mirror 32 and retracts to the retract position together with the main mirror 32. As described above, the mirror unit 31 takes the approach state in which the subject light flux enters the optical path and the retreat state in which the subject light flux is retracted.

ミラーユニット31が進入状態にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束の一部は、メインミラー32に反射されてピント板80に導かれる。ピント板80は、撮像ユニット40が有する撮像チップ100の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット20の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板80に形成された被写体像は、ペンタプリズム82及びファインダ光学系84を通じてファインダ窓86から観察される。   When the mirror unit 31 is in the entering state, a part of the subject light beam incident on the main mirror 32 is reflected by the main mirror 32 and guided to the focus plate 80. The focus plate 80 is disposed at a position conjugate with the imaging surface of the imaging chip 100 included in the imaging unit 40, and visualizes the subject image formed by the optical system of the lens unit 20. The subject image formed on the focus plate 80 is observed from the finder window 86 through the pentaprism 82 and the finder optical system 84.

ミラーユニット31が進入状態にある場合、メインミラー32に入射した被写体光束のうちメインミラー32で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー33に入射する。具体的には、メインミラー32はハーフミラー領域を有し、メインミラー32のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー33に入射する。サブミラー33は、ハーフミラー領域から入射した光束を、結像光学系70に向かって反射する。結像光学系70は、入射光束を、焦点位置を検出するための焦点検出センサ72に導く。焦点検出センサ72は、焦点位置の検出結果をMPU51へ出力する。   When the mirror unit 31 is in the entering state, light beams other than the subject light beam reflected by the main mirror 32 out of the subject light beam incident on the main mirror 32 enter the sub mirror 33. Specifically, the main mirror 32 has a half mirror area, and the subject light flux that has passed through the half mirror area of the main mirror 32 enters the sub mirror 33. The sub mirror 33 reflects the light beam incident from the half mirror region toward the imaging optical system 70. The imaging optical system 70 guides the incident light beam to a focus detection sensor 72 for detecting the focus position. The focus detection sensor 72 outputs the focus position detection result to the MPU 51.

ピント板80、ペンタプリズム82、メインミラー32、サブミラー33及びファインダ光学系84は、支持部材としてのミラーボックス60に支持される。ミラーユニット31が退避状態にあり、シャッタユニット38の先幕及び後幕が開状態となれば、レンズユニット20を透過する被写体光束は、撮像チップ100の撮像面に到達する。   The focus plate 80, the pentaprism 82, the main mirror 32, the sub mirror 33, and the finder optical system 84 are supported by a mirror box 60 as a support member. When the mirror unit 31 is in the retracted state and the front curtain and the rear curtain of the shutter unit 38 are in the open state, the subject luminous flux that passes through the lens unit 20 reaches the imaging surface of the imaging chip 100.

撮像ユニット40のz軸マイナス方向の位置には、基板62及び表示部88が順次配置される。表示部88としては、例えば液晶パネル等を適用できる。表示部88の表示面は、カメラボディ30の背面に現れる。表示部88は、撮像チップ100からの出力信号から生成される画像を表示する。   A substrate 62 and a display unit 88 are sequentially arranged at a position in the negative z-axis direction of the imaging unit 40. As the display unit 88, for example, a liquid crystal panel or the like can be applied. The display surface of the display unit 88 appears on the back surface of the camera body 30. The display unit 88 displays an image generated from the output signal from the imaging chip 100.

基板62には、MPU51、ASIC52等の電子回路が実装される。MPU51は、カメラ10の全体の制御を担う。撮像チップ100からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等のフレキシブル基板を介してASIC52へ出力される。ASIC52は、撮像チップ100から出力された出力信号を処理する。   Electronic circuits such as MPU 51 and ASIC 52 are mounted on the substrate 62. The MPU 51 is responsible for overall control of the camera 10. An output signal from the imaging chip 100 is output to the ASIC 52 via a flexible board such as a flexible printed board. The ASIC 52 processes the output signal output from the imaging chip 100.

ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。表示部88は、ASIC52が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ASIC52は、撮像チップ100からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ASIC52は、撮像チップの出力信号に対して例えば画像処理や圧縮処理を施すことで記録用の画像データを生成する。ASIC52が生成した記録用の画像データは、カメラボディ30に装着された記録媒体に記録される。カメラボディ30は、記録媒体を着脱可能な構成を有する。   The ASIC 52 generates image data for display based on the output signal from the imaging chip 100. The display unit 88 displays an image based on the display image data generated by the ASIC 52. The ASIC 52 generates image data for recording based on the output signal from the imaging chip 100. The ASIC 52 generates image data for recording by performing, for example, image processing or compression processing on the output signal of the imaging chip. The recording image data generated by the ASIC 52 is recorded on a recording medium attached to the camera body 30. The camera body 30 has a configuration in which a recording medium can be attached and detached.

図2は、第1実施形態に係る撮像ユニット40を模式的に示す上面図である。図3は、撮像ユニット40のA−A断面を模式的に示す断面図である。図4は、撮像ユニット40のB−B断面を模式的に示す断面図である。撮像ユニット40は、撮像チップ100と、実装基板120と、フレーム140と、カバーガラス160とを含んで構成される。   FIG. 2 is a top view schematically showing the imaging unit 40 according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an AA cross section of the imaging unit 40. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a BB cross section of the imaging unit 40. The imaging unit 40 includes an imaging chip 100, a mounting substrate 120, a frame 140, and a cover glass 160.

撮像チップ100は、CMOSイメージセンサやCCDイメージセンサである。撮像チップ100は、撮像領域101と周辺領域102とを含んで構成される。撮像領域101は、xyに平行な面内において撮像チップ100の中央部分に形成される。撮像チップ100の撮像領域101には、被写体光を光電変換する複数の光電変換素子で撮像面が形成されている。撮像チップ100の周辺領域102は、撮像領域101の周辺に位置する。撮像チップ100の周辺領域102には、光電変換素子における光電変換によって得られた画素信号を読み出して信号処理を行う処理回路を有する。処理回路は、出力された画素信号をデジタル信号に変換する回路を含む。撮像チップ100は、xy平面において長方形の形状を持つ。撮像チップ100は、第1短辺105a及び第2短辺105bと、第1長辺106a及び第2長辺106bとを有する。第1短辺105aは、第2短辺105bよりx軸プラス方向に位置する。第1長辺106aは、第2長辺106bよりy軸プラス方向に位置する。   The imaging chip 100 is a CMOS image sensor or a CCD image sensor. The imaging chip 100 includes an imaging area 101 and a peripheral area 102. The imaging region 101 is formed in the central portion of the imaging chip 100 in a plane parallel to xy. In the imaging region 101 of the imaging chip 100, an imaging surface is formed by a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert subject light. The peripheral area 102 of the imaging chip 100 is located around the imaging area 101. The peripheral area 102 of the imaging chip 100 includes a processing circuit that reads out a pixel signal obtained by photoelectric conversion in the photoelectric conversion element and performs signal processing. The processing circuit includes a circuit that converts the output pixel signal into a digital signal. The imaging chip 100 has a rectangular shape on the xy plane. The imaging chip 100 has a first short side 105a and a second short side 105b, and a first long side 106a and a second long side 106b. The first short side 105a is located in the x-axis plus direction from the second short side 105b. The first long side 106a is positioned in the y-axis plus direction from the second long side 106b.

撮像チップ100は、実装基板120に設けられる。撮像チップ100は、実装基板120に実装される。撮像チップ100は、実装基板120にCOB(Chip On Board)実装されている。撮像チップ100は、実装基板120の第1主面111に実装される。撮像チップ100は、実装基板120に接着されることで実装されている。   The imaging chip 100 is provided on the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is mounted on the mounting substrate 120 by COB (Chip On Board). The imaging chip 100 is mounted on the first main surface 111 of the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is mounted by being bonded to the mounting substrate 120.

具体的には、撮像チップ100は、実装基板120のソルダレジスト層201に接着されている。撮像チップ100は、接着剤によってソルダレジスト層201に接着されている。撮像チップ100を実装基板120に接着する接着剤は、例えば熱硬化性接着剤である。撮像チップ100は、例えば熱硬化性接着剤を熱硬化させることにより、実装基板120に接着されて固定される。   Specifically, the imaging chip 100 is bonded to the solder resist layer 201 of the mounting substrate 120. The imaging chip 100 is bonded to the solder resist layer 201 with an adhesive. An adhesive that adheres the imaging chip 100 to the mounting substrate 120 is, for example, a thermosetting adhesive. The imaging chip 100 is bonded and fixed to the mounting substrate 120 by, for example, thermosetting a thermosetting adhesive.

撮像チップ100は、ボンディングワイヤ110a、ボンディングワイヤ110b、ボンディングワイヤ110c及びボンディングワイヤ110dを含むボンディングワイヤを介して、実装基板120と電気的に接続される。当該複数のボンディングワイヤを、ボンディングワイヤ110と総称する場合がある。   The imaging chip 100 is electrically connected to the mounting substrate 120 via bonding wires including a bonding wire 110a, a bonding wire 110b, a bonding wire 110c, and a bonding wire 110d. The plurality of bonding wires may be collectively referred to as bonding wires 110.

ボンディングワイヤ110は、実装基板120のボンディングリード240及び撮像チップ100に実装される。ボンディングワイヤ110は、ワイヤボンディング工程(ボンディングワイヤ実装工程)を経ることにより、撮像チップ100とボンディングリード240とを電気的に接続する。撮像チップ100の処理回路でデジタル信号に変換された画素信号は、ボンディングワイヤ110を介して実装基板120に出力される。   The bonding wire 110 is mounted on the bonding lead 240 of the mounting substrate 120 and the imaging chip 100. The bonding wire 110 electrically connects the imaging chip 100 and the bonding lead 240 through a wire bonding process (bonding wire mounting process). The pixel signal converted into a digital signal by the processing circuit of the imaging chip 100 is output to the mounting substrate 120 via the bonding wire 110.

実装基板120は、撮像チップ100を実装する。実装基板120は、第1層121と、芯層209と、第2層122とを含む。第1層121は、ソルダレジスト層201と、配線層202と、絶縁層203と、配線層204と、絶縁層205と、配線層206とを含む。第2層122は、配線層216と、絶縁層215と、配線層214と、絶縁層213と、配線層212と、ソルダレジスト層211とを含む。実装基板120は、芯層209をコア層として有する多層コア基板である。   The mounting substrate 120 mounts the imaging chip 100. The mounting substrate 120 includes a first layer 121, a core layer 209, and a second layer 122. The first layer 121 includes a solder resist layer 201, a wiring layer 202, an insulating layer 203, a wiring layer 204, an insulating layer 205, and a wiring layer 206. The second layer 122 includes a wiring layer 216, an insulating layer 215, a wiring layer 214, an insulating layer 213, a wiring layer 212, and a solder resist layer 211. The mounting substrate 120 is a multilayer core substrate having a core layer 209 as a core layer.

実装基板120において、撮像チップ100、第1層121、芯層209、第2層122は、光軸22に沿って、撮像チップ100、第1層121、芯層209、第2層122の順で配される。具体的には、実装基板120において、光軸22に沿って、撮像チップ100、ソルダレジスト層201、配線層202、絶縁層203、配線層204、絶縁層205、配線層206、芯層209、配線層216、絶縁層215、配線層214、絶縁層213、配線層212、ソルダレジスト層211の順で配されている。   In the mounting substrate 120, the imaging chip 100, the first layer 121, the core layer 209, and the second layer 122 are arranged in the order of the imaging chip 100, the first layer 121, the core layer 209, and the second layer 122 along the optical axis 22. Arranged at. Specifically, on the mounting substrate 120, along the optical axis 22, the imaging chip 100, the solder resist layer 201, the wiring layer 202, the insulating layer 203, the wiring layer 204, the insulating layer 205, the wiring layer 206, the core layer 209, The wiring layer 216, the insulating layer 215, the wiring layer 214, the insulating layer 213, the wiring layer 212, and the solder resist layer 211 are arranged in this order.

絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215及び絶縁層213は、例えば樹脂層である。絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215及び絶縁層213それぞれの厚みは、20μm〜50μmである。なお、厚みとは、z軸方向における長さである。   The insulating layer 203, the insulating layer 205, the insulating layer 215, and the insulating layer 213 are, for example, resin layers. The thickness of each of the insulating layer 203, the insulating layer 205, the insulating layer 215, and the insulating layer 213 is 20 μm to 50 μm. The thickness is a length in the z-axis direction.

配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212は、配線パターンを含む。配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212の材料として、ニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等を用いることができる。配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212が有する配線パターンそれぞれの厚みは、10μmから50μm程度である。   The wiring layer 202, the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 include a wiring pattern. As a material of the wiring layer 202, the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212, an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, aluminum, or the like can be used. The thickness of each of the wiring patterns included in the wiring layer 202, the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 is about 10 μm to 50 μm.

芯層209は樹脂で形成される。芯層209を樹脂で形成する場合、芯層209は、例えばFR4、FR4より弾性率の高い材料を用いて形成されてよい。芯層209の厚みは、配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212のいずれの配線層の厚みより厚い。芯層209の厚みは、絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215及び絶縁層213のいずれの絶縁層の厚みより厚い。具体的には、芯層209の厚みは、0.1mmから0.8mm程度である。芯層209の剛性は、配線層202、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212のいずれの配線層の剛性よりも高い。芯層209の剛性は、第1層121の剛性より高くてもよい。芯層209の剛性は、第2層122の剛性より高くてもよい。   The core layer 209 is made of resin. When the core layer 209 is formed of resin, the core layer 209 may be formed using, for example, a material having a higher elastic modulus than FR4 and FR4. The thickness of the core layer 209 is greater than the thickness of any of the wiring layers 202, 204, 204, 206, 216, 214, and 212. The thickness of the core layer 209 is larger than the thickness of any of the insulating layers 203, 205, 215, and 213. Specifically, the thickness of the core layer 209 is about 0.1 mm to 0.8 mm. The rigidity of the core layer 209 is higher than the rigidity of any of the wiring layers 202, 204, 204, 206, 216, 214, and 212. The rigidity of the core layer 209 may be higher than the rigidity of the first layer 121. The rigidity of the core layer 209 may be higher than the rigidity of the second layer 122.

このように、実装基板120は、樹脂コアを有する多層コア基板である。実装基板120の厚みは、全体として0.3mmから1.0mm程度であってよい。   Thus, the mounting substrate 120 is a multilayer core substrate having a resin core. The thickness of the mounting substrate 120 may be about 0.3 mm to 1.0 mm as a whole.

配線層202の少なくとも一部は、撮像チップ100からボンディングワイヤ110を介して出力された画素信号を受け取る配線パターンに使用される。また、配線層202の少なくとも一部は、撮像チップ100に供給される電源電流を、ボンディングワイヤ110に供給する配線パターンに使用される。また、配線層202の少なくとも一部は、撮像チップ100に電源電流として供給され、ボンディングワイヤ110を介して撮像チップ100から出力される戻り電流を受け取る配線パターンに使用される。   At least a part of the wiring layer 202 is used for a wiring pattern that receives a pixel signal output from the imaging chip 100 via the bonding wire 110. Further, at least a part of the wiring layer 202 is used for a wiring pattern that supplies a power supply current supplied to the imaging chip 100 to the bonding wires 110. Further, at least a part of the wiring layer 202 is supplied to the imaging chip 100 as a power supply current, and used for a wiring pattern that receives a return current output from the imaging chip 100 via the bonding wires 110.

配線層202は、ボンディングワイヤ110が接続されるボンディングリード240を含む。配線層202は、撮像チップ100からボンディングワイヤ110を介して出力された画素信号を、ボンディングリード240で受け取る。また、配線層202は、撮像チップ100への電源電流を、ボンディングリード240を介してボンディングワイヤ110に出力する。また、配線層202は、撮像チップ100からボンディングワイヤ110を介して出力された戻り電流を、ボンディングリード240で受け取る。   The wiring layer 202 includes bonding leads 240 to which the bonding wires 110 are connected. The wiring layer 202 receives the pixel signal output from the imaging chip 100 via the bonding wire 110 by the bonding lead 240. Further, the wiring layer 202 outputs a power supply current to the imaging chip 100 to the bonding wire 110 via the bonding lead 240. Further, the wiring layer 202 receives the return current output from the imaging chip 100 via the bonding wire 110 by the bonding lead 240.

配線層202は、配線層204、配線層206、配線層216及び配線層214及び配線層212のそれぞれと、ビア131a、ビア131b、ビア131c、ビア131d及びビア131eを含むビアを介して、電気的に接続されている。例えば、ボンディングリード240が、配線層204、配線層206、配線層216、配線層214及び配線層212のそれぞれと、ビアを介して電気的に接続されている。   The wiring layer 202 is electrically connected to each of the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212, and vias including the via 131a, the via 131b, the via 131c, the via 131d, and the via 131e. Connected. For example, the bonding lead 240 is electrically connected to each of the wiring layer 204, the wiring layer 206, the wiring layer 216, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 through vias.

例えば、撮像チップ100から出力された画素信号は、ボンディングワイヤ110c及びボンディングワイヤ110dを介して、配線層202のボンディングリード240に伝送され、配線層202と配線層212とを電気的に接続するビア131d及びビア131eを介して、配線層212に伝送される。   For example, the pixel signal output from the imaging chip 100 is transmitted to the bonding lead 240 of the wiring layer 202 via the bonding wire 110c and the bonding wire 110d, and a via that electrically connects the wiring layer 202 and the wiring layer 212. The data is transmitted to the wiring layer 212 via 131d and via 131e.

また、配線層204に含まれる配線パターン、配線層206に含まれる配線パターン、配線層216に含まれる配線パターン及び配線層214に含まれる配線パターンは、例えば、グランドラインの一部、電源ラインの一部等に使用できる。すなわち、配線層204に含まれる配線パターン、配線層206に含まれる配線パターン、配線層216に含まれる配線パターン及び配線層214に含まれる配線パターンは、グランド用配線パターン、電源用配線パターンとして使用される。   The wiring pattern included in the wiring layer 204, the wiring pattern included in the wiring layer 206, the wiring pattern included in the wiring layer 216, and the wiring pattern included in the wiring layer 214 include, for example, a part of the ground line, the power line Can be used for some parts. That is, the wiring pattern included in the wiring layer 204, the wiring pattern included in the wiring layer 206, the wiring pattern included in the wiring layer 216, and the wiring pattern included in the wiring layer 214 are used as a ground wiring pattern and a power wiring pattern. Is done.

実装基板120において第1主面111とは反対側の第2主面112には、電子部品が実装される。例えば、第2主面112に実装される電子部品は、ソルダレジスト層211上に設けられる。第2主面112に実装される電子部品と配線層212とは、リード部材によって電気的に接続される。当該リード部材は、配線層212にはんだ等で固定されている。配線層212の一部は、ソルダレジスト層211に形成された開口から外部に露出して、当該リード部材を接続するためのランド等の電極を提供する。第2主面112に設けられる電子部品としては、例えばコネクタ181等の機構部品、キャパシタ182及び抵抗183等の受動部品、トランジスタ184及びレギュレータ等の能動部品を含む。   An electronic component is mounted on the second main surface 112 opposite to the first main surface 111 of the mounting substrate 120. For example, the electronic component mounted on the second main surface 112 is provided on the solder resist layer 211. The electronic component mounted on the second main surface 112 and the wiring layer 212 are electrically connected by a lead member. The lead member is fixed to the wiring layer 212 with solder or the like. A part of the wiring layer 212 is exposed to the outside through an opening formed in the solder resist layer 211 to provide an electrode such as a land for connecting the lead member. The electronic components provided on the second main surface 112 include, for example, mechanical components such as a connector 181, passive components such as a capacitor 182 and a resistor 183, active components such as a transistor 184 and a regulator.

コネクタ181は、配線層212に電気的に接続される。例えば、撮像チップ100から、ボンディングワイヤ110、配線層202及びビアを介して配線層212に伝送された画素信号は、配線層212を通じてコネクタ181に伝送される。コネクタ181には、例えばフレキシブル基板が装着される。コネクタ181に装着されるフレキシブル基板は、コネクタ181に伝送された画素信号を、ASIC52に伝送する。   The connector 181 is electrically connected to the wiring layer 212. For example, a pixel signal transmitted from the imaging chip 100 to the wiring layer 212 through the bonding wire 110, the wiring layer 202, and the via is transmitted to the connector 181 through the wiring layer 212. For example, a flexible substrate is attached to the connector 181. The flexible substrate attached to the connector 181 transmits the pixel signal transmitted to the connector 181 to the ASIC 52.

また、コネクタ181に装着されるフレキシブル基板は、撮像チップ100へ供給される電力をコネクタ181に出力する。フレキシブル基板によって供給される電力は、カメラボディ30が有する電池ユニットから供給される。フレキシブル基板からコネクタ181に出力された電力は、配線層212を通じて、直接に又はレギュレータ等の電源回路を通じて、電源用配線パターンに出力され、撮像チップ100に供給される。フレキシブル基板については、図12から図16に関連して後述する。   Further, the flexible substrate attached to the connector 181 outputs the power supplied to the imaging chip 100 to the connector 181. The electric power supplied by the flexible substrate is supplied from a battery unit included in the camera body 30. The power output from the flexible substrate to the connector 181 is output to the power supply wiring pattern through the wiring layer 212, directly or through a power supply circuit such as a regulator, and supplied to the imaging chip 100. The flexible substrate will be described later with reference to FIGS.

撮像ユニット40においては、配線層204に含まれる配線パターン及び配線層216に含まれる配線パターンは、グランド用配線パターンとして使用される。また、配線層214に含まれる配線パターンは、電源用配線パターンとして使用される。   In the imaging unit 40, the wiring pattern included in the wiring layer 204 and the wiring pattern included in the wiring layer 216 are used as a ground wiring pattern. Further, the wiring pattern included in the wiring layer 214 is used as a power supply wiring pattern.

配線層204は、グランドパターン490を有する。グランドパターン490は、ビア131aを介してボンディングワイヤ110aと電気的に接続される。グランドパターン490は、ベタ状のパターンである。   The wiring layer 204 has a ground pattern 490. The ground pattern 490 is electrically connected to the bonding wire 110a through the via 131a. The ground pattern 490 is a solid pattern.

配線層216は、グランドパターン400と、グランドパターン480とを有する。グランドパターン400は、ビア131bを介してボンディングワイヤ110bに電気的に接続される。グランドパターン480は、面状のパターンである。グランドパターン480は、実質的にはベタ状のパターンである。グランドパターン480は、グランドパターン490にビアを介して電気的に接続されてよい。   The wiring layer 216 includes a ground pattern 400 and a ground pattern 480. The ground pattern 400 is electrically connected to the bonding wire 110b through the via 131b. The ground pattern 480 is a planar pattern. The ground pattern 480 is substantially a solid pattern. The ground pattern 480 may be electrically connected to the ground pattern 490 through a via.

図3及び図4に示すように、配線層214は、電源パターン300と、電源パターン310と、電源パターン320と、電源パターン330と、電源パターン340と、電源パターン350と、電源パターン360とを有する。電源パターン300、電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360は、互いに独立した電源用の電源パターンである。電源パターン300は、ビアを介して、電源電流用のボンディングワイヤ110に電気的に接続される。また、電源パターン310は、他のビアを介して、他の電源電流用のボンディングワイヤ110に電気的に接続される。同様に、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360は、それぞれ対応する電源電流用のボンディングワイヤ110に、ビアを介して電気的に接続される。   As shown in FIGS. 3 and 4, the wiring layer 214 includes a power supply pattern 300, a power supply pattern 310, a power supply pattern 320, a power supply pattern 330, a power supply pattern 340, a power supply pattern 350, and a power supply pattern 360. Have. The power supply pattern 300, the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360 are power supply patterns for power supplies that are independent from each other. The power supply pattern 300 is electrically connected to the bonding wire 110 for power supply current through a via. The power supply pattern 310 is electrically connected to another power supply current bonding wire 110 through another via. Similarly, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360 are electrically connected to the corresponding bonding wires 110 for power supply current through vias.

コネクタ181に装着されたフレキシブル基板から配線層212に伝送された電力は、直接に又は電源回路を介して、配線層212と電源パターン300とを電気的に接続するビア131cを介して、電源パターン300に供給される。電源パターン300に供給された電力は、電源パターン300と配線層202とを電気的に接続するビアを介して配線層202に供給され、ボンディングワイヤ110を介して撮像チップ100に供給される。したがって、撮像チップ100への電源電流は、電源パターン300から、電源パターン300と配線層202とを電気的に接続するビアと、配線層202と、ボンディングワイヤ110とを介して、撮像チップ100に供給される。   The power transmitted to the wiring layer 212 from the flexible board attached to the connector 181 is directly or via a power supply circuit via the via 131c that electrically connects the wiring layer 212 and the power supply pattern 300. 300. The power supplied to the power supply pattern 300 is supplied to the wiring layer 202 through a via that electrically connects the power supply pattern 300 and the wiring layer 202, and is supplied to the imaging chip 100 through the bonding wire 110. Therefore, the power supply current to the imaging chip 100 is supplied to the imaging chip 100 from the power supply pattern 300 via the vias that electrically connect the power supply pattern 300 and the wiring layer 202, the wiring layer 202, and the bonding wires 110. Supplied.

電源パターン300から撮像チップ100に電源電流として供給され、撮像チップ100から出力された戻り電流は、ボンディングワイヤ110bを介して配線層202に出力され、配線層202とグランドパターン400とを電気的に接続するビア131bを介して、グランドパターン400に出力される。グランドパターン400に出力された戻り電流は、グランドパターン400と配線層212とを電気的に接続するビアを介して、配線層212に出力される。   A return current supplied from the power supply pattern 300 to the imaging chip 100 as a power supply current and output from the imaging chip 100 is output to the wiring layer 202 via the bonding wire 110b, and the wiring layer 202 and the ground pattern 400 are electrically connected. The signal is output to the ground pattern 400 via the connecting via 131b. The return current output to the ground pattern 400 is output to the wiring layer 212 through a via that electrically connects the ground pattern 400 and the wiring layer 212.

電源パターン310から供給される電力は、電源パターン310と配線層202とを電気的に接続するビアを介して配線層202に供給され、ボンディングワイヤ110を介して撮像チップ100に供給される。電源パターン310から撮像チップ100に電源電流として供給され、撮像チップ100から出力された戻り電流は、ビアを介して、グランドパターン480又はグランドパターン490に出力される。電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360から撮像チップ100に供給される電力についても同様に、撮像チップ100から出力された戻り電流は、グランドパターン480又はグランドパターン490に出力される。   The electric power supplied from the power supply pattern 310 is supplied to the wiring layer 202 through vias that electrically connect the power supply pattern 310 and the wiring layer 202, and is supplied to the imaging chip 100 through the bonding wires 110. A return current supplied from the power supply pattern 310 to the imaging chip 100 as a power supply current and output from the imaging chip 100 is output to the ground pattern 480 or the ground pattern 490 via the via. Similarly, for the power supplied to the imaging chip 100 from the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360, the return current output from the imaging chip 100 is the ground pattern 480 or the ground pattern. 490 is output.

電源パターン300から撮像チップ100に供給される電源電流の瞬時値は、比較的に大きい。撮像チップ100の読み出し動作中に、電源パターン300から撮像チップ100への電源電流は時間的に大きく変化する。例えば、電源パターン300から撮像チップ100に供給される電源電流は、撮像チップ100のCDS(correlated double sampling)処理を担うCDS用の処理回路に供給される。CDS用の処理回路は、撮像チップ100の読み出し動作中において、動作と非動作とを高速で繰り返す。電源パターン300及びグランドパターン400を流れる電流は、CDS用の処理回路の動作状態に応じて変化する。CDS用の処理回路が非動作状態から動作状態に切り替わる場合に、電源パターン300及びグランドパターン400を介してラッシュ電流が流れる。   The instantaneous value of the power supply current supplied from the power supply pattern 300 to the imaging chip 100 is relatively large. During the reading operation of the imaging chip 100, the power supply current from the power supply pattern 300 to the imaging chip 100 changes greatly with time. For example, a power supply current supplied from the power supply pattern 300 to the imaging chip 100 is supplied to a processing circuit for CDS that performs a CDS (correlated double sampling) process of the imaging chip 100. The processing circuit for CDS repeats operation and non-operation at high speed during the reading operation of the imaging chip 100. The currents flowing through the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 change according to the operating state of the CDS processing circuit. When the CDS processing circuit switches from the non-operating state to the operating state, a rush current flows through the power supply pattern 300 and the ground pattern 400.

ここで、グランドパターン400は、電源パターン300を流れる電流によって生じる電磁波が、グランドパターン400を流れる電流によって生じる電磁波によって弱められるように、電源パターン300に対応して設けられている。グランドパターン400及び電源パターン300の一例については後述する。   Here, the ground pattern 400 is provided corresponding to the power supply pattern 300 so that the electromagnetic wave generated by the current flowing through the power supply pattern 300 is weakened by the electromagnetic wave generated by the current flowing through the ground pattern 400. An example of the ground pattern 400 and the power supply pattern 300 will be described later.

撮像チップ100は、フレーム140の開口部138に収容されている。フレーム140は、撮像チップ100を環囲する環囲部材の一例である。フレーム140は、実装基板120に接着される。具体的には、フレーム140は、実装基板120のソルダレジスト層201に接着されている。フレーム140は、例えば接着剤で接着される。フレーム140を実装基板120に接着する接着剤は、例えば熱硬化性接着剤である。フレーム140は、熱硬化性接着剤を熱硬化することによって実装基板120に接着に実装される。フレーム実装工程において、フレーム140を実装基板120に実装する場合に、フレーム140は加熱された実装基板120に熱圧着によって実装される。   The imaging chip 100 is accommodated in the opening 138 of the frame 140. The frame 140 is an example of a surrounding member that surrounds the imaging chip 100. The frame 140 is bonded to the mounting substrate 120. Specifically, the frame 140 is bonded to the solder resist layer 201 of the mounting substrate 120. The frame 140 is bonded with, for example, an adhesive. An adhesive that bonds the frame 140 to the mounting substrate 120 is, for example, a thermosetting adhesive. The frame 140 is mounted on the mounting substrate 120 in an adhesive manner by thermosetting a thermosetting adhesive. In the frame mounting process, when the frame 140 is mounted on the mounting substrate 120, the frame 140 is mounted on the heated mounting substrate 120 by thermocompression bonding.

フレーム140は、第1面141と、第2面142と、第3面143と、第4面144と、第5面145と、第6面146とを有する。第6面146は、開口部138を形成する。第6面146は、フレーム140の内壁面を形成する。開口部138は、例えばxy面内の中央部分に形成される。   The frame 140 has a first surface 141, a second surface 142, a third surface 143, a fourth surface 144, a fifth surface 145, and a sixth surface 146. The sixth surface 146 forms an opening 138. The sixth surface 146 forms the inner wall surface of the frame 140. The opening 138 is formed at, for example, a central portion in the xy plane.

第1面141は、カバーガラス160と接着される面である。第1面141は、第6面146の端部に接する面である。第1面141は、第6面146の外縁に沿って形成される。第1面141は、xy平面と略平行な面である。   The first surface 141 is a surface bonded to the cover glass 160. The first surface 141 is a surface in contact with the end of the sixth surface 146. The first surface 141 is formed along the outer edge of the sixth surface 146. The first surface 141 is a surface substantially parallel to the xy plane.

第2面142は、第1面141の端部に接する面である。第2面142は、第1面141の外縁に沿って形成される面である。第2面142は、yz平面に略平行な面と、xz平面に略平行な面とを有する。   The second surface 142 is a surface in contact with the end of the first surface 141. The second surface 142 is a surface formed along the outer edge of the first surface 141. The second surface 142 has a surface substantially parallel to the yz plane and a surface substantially parallel to the xz plane.

第3面143は、第2面142の端部に接する面である。第3面143は、xy平面と略平行な面であり、第1面141と略平行な面である。   The third surface 143 is a surface in contact with the end of the second surface 142. The third surface 143 is a surface substantially parallel to the xy plane and a surface substantially parallel to the first surface 141.

第4面144は、第3面143の端部に接する面である。第4面144は、第3面143の外縁に沿って形成される面である。第4面144は、yz平面に略平行な面と、xz平面に略平行な面とを有する。   The fourth surface 144 is a surface in contact with the end of the third surface 143. The fourth surface 144 is a surface formed along the outer edge of the third surface 143. The fourth surface 144 has a surface substantially parallel to the yz plane and a surface substantially parallel to the xz plane.

第5面145は、第4面144の端部に接する面である。第5面145は、第4面144の外縁に沿って形成される面である。第5面145は、xy平面と略平行な面である。第5面145は、第1面141及び第3面143と略平行な面である。第5面145は、実装基板120のソルダレジスト層201と接着される面である。第5面145は、第6面146の端部に接する面である。第5面145は、第6面146の外縁に沿って形成される。   The fifth surface 145 is a surface in contact with the end of the fourth surface 144. The fifth surface 145 is a surface formed along the outer edge of the fourth surface 144. The fifth surface 145 is a surface substantially parallel to the xy plane. The fifth surface 145 is a surface substantially parallel to the first surface 141 and the third surface 143. The fifth surface 145 is a surface that is bonded to the solder resist layer 201 of the mounting substrate 120. The fifth surface 145 is a surface in contact with the end of the sixth surface 146. The fifth surface 145 is formed along the outer edge of the sixth surface 146.

フレーム140は、第1面141と第2面142と第3面143とにより形成された段部を有する。フレーム140は、取付部として取付穴148を有する。フレーム140は、例えば3つの取付穴148を有する。3つの取付穴148はいずれも第3面143から第5面145までを貫通する穴である。3つの取付穴148はいずれも、撮像ユニット40をミラーボックス60等の他の構造体に取り付けるために利用される。   The frame 140 has a step portion formed by the first surface 141, the second surface 142, and the third surface 143. The frame 140 has a mounting hole 148 as a mounting portion. The frame 140 has, for example, three attachment holes 148. All of the three attachment holes 148 pass through the third surface 143 to the fifth surface 145. All of the three attachment holes 148 are used for attaching the imaging unit 40 to another structure such as the mirror box 60.

フレーム140は、3つの取付穴148を介して、例えばビスでビス止めされることで、ブラケット150に固定される。ブラケット150は、例えばビス止めされることでミラーボックス60に固定される。よって、撮像ユニット40は、ミラーボックス60に固定される。   The frame 140 is fixed to the bracket 150 by, for example, being screwed with three screws through the three mounting holes 148. The bracket 150 is fixed to the mirror box 60 by, for example, screwing. Therefore, the imaging unit 40 is fixed to the mirror box 60.

取付穴148を用いてフレーム140とブラケット150とを例えば金属のビスでビス止めした場合、撮像チップ100が動作している場合に生じた熱を、当該ビスを介してミラーボックス60の方へ熱を逃がすための伝熱経路を形成することができる。   When the frame 140 and the bracket 150 are screwed with, for example, metal screws using the mounting holes 148, heat generated when the imaging chip 100 is operating is heated toward the mirror box 60 via the screws. It is possible to form a heat transfer path for releasing the heat.

フレーム140は、位置決め穴147を有する。フレーム140は、例えば2つの位置決め穴147を有する。2つの位置決め穴147はいずれも第3面143から第5面145までを貫通する穴である。位置決め穴147はいずれも、撮像ユニット40に対して撮像ユニット40を位置決めするために利用される。2つの位置決め穴147のうち、一方の位置決め穴は嵌合穴で形成され、他方の位置決め穴147は長穴で形成されている。   The frame 140 has a positioning hole 147. The frame 140 has two positioning holes 147, for example. Each of the two positioning holes 147 is a hole penetrating from the third surface 143 to the fifth surface 145. Any of the positioning holes 147 is used to position the imaging unit 40 with respect to the imaging unit 40. Of the two positioning holes 147, one positioning hole is a fitting hole, and the other positioning hole 147 is a long hole.

フレーム140は、2つの位置決め穴147を用いてブラケット150に対して位置決めされる。例えばブラケット150に設けられた2つの位置決めピンが2つの位置決め穴147に挿入されることで、フレーム140とブラケット150とが位置決めされる。フレーム140は、ブラケット150に対して位置決めされた状態で固定される。よって、撮像ユニット40は、ミラーボックス60に位置決めされた状態で固定される。なお、フレーム140及びブラケット150は、ミラーボックス60以外の他の構造体に対して固定されてよい。   The frame 140 is positioned with respect to the bracket 150 using the two positioning holes 147. For example, the frame 140 and the bracket 150 are positioned by inserting two positioning pins provided on the bracket 150 into the two positioning holes 147. The frame 140 is fixed while being positioned with respect to the bracket 150. Therefore, the imaging unit 40 is fixed while being positioned on the mirror box 60. The frame 140 and the bracket 150 may be fixed to a structure other than the mirror box 60.

なお、撮像ユニット40は、ブラケット150を介さずにミラーボックス60に固定されてもよい。撮像ユニット40は、3つの取付穴148を介して例えばビス止めされることで、ミラーボックス60に固定されてよい。   The imaging unit 40 may be fixed to the mirror box 60 without using the bracket 150. The imaging unit 40 may be fixed to the mirror box 60 by, for example, screwing through the three mounting holes 148.

カバーガラス160は、撮像チップ100を封止するために用いられる。カバーガラス160は、フレーム140の開口部138を覆うようにフレーム140に固定される。カバーガラス160は、フレーム140及び実装基板120とともに開口部138を密封空間とする。   The cover glass 160 is used for sealing the imaging chip 100. Cover glass 160 is fixed to frame 140 so as to cover opening 138 of frame 140. The cover glass 160 uses the opening 138 as a sealed space together with the frame 140 and the mounting substrate 120.

カバーガラス160は、フレーム140に接着される。カバーガラス160は、接着剤によりフレーム140に接着される。カバーガラス160をフレーム140に接着する接着剤は、例えば光硬化型接着剤である。カバーガラス160をフレーム140に接着する光硬化型接着剤は、例えば紫外線硬化型接着剤である。カバーガラス160は、紫外線硬化型接着剤を紫外線で硬化させることによって、フレーム140に接着されて固定される。カバーガラス160の材料として、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等を用いることができる。カバーガラス160は、透光性を有している。カバーガラス160の厚みは、0.5mmから0.8mmである。   Cover glass 160 is bonded to frame 140. The cover glass 160 is bonded to the frame 140 with an adhesive. The adhesive that bonds the cover glass 160 to the frame 140 is, for example, a photo-curing adhesive. The photocurable adhesive that bonds the cover glass 160 to the frame 140 is, for example, an ultraviolet curable adhesive. The cover glass 160 is bonded and fixed to the frame 140 by curing an ultraviolet curable adhesive with ultraviolet rays. As a material for the cover glass 160, borosilicate glass, quartz glass, non-alkali glass, heat-resistant glass, or the like can be used. The cover glass 160 has translucency. The thickness of the cover glass 160 is 0.5 mm to 0.8 mm.

カバーガラス160は、撮像チップ100、ボンディングワイヤ110及びフレーム140が実装基板120に実装された後に、フレーム140に固定される。カバーガラス160は透光性を有するので、カバーガラス160とフレーム140との間を、光硬化型接着剤を用いて接着することができる。なお、カバーガラス160は、透光性部材の一例である。透光性部材としては、ガラスの他に水晶等を適用できる。   The cover glass 160 is fixed to the frame 140 after the imaging chip 100, the bonding wire 110 and the frame 140 are mounted on the mounting substrate 120. Since the cover glass 160 has a light-transmitting property, the cover glass 160 and the frame 140 can be bonded using a photo-curing adhesive. The cover glass 160 is an example of a translucent member. As the translucent member, quartz or the like can be applied in addition to glass.

このように、実装基板120とフレーム140とカバーガラス160とによって、密封空間が形成される。撮像チップ100は、実装基板120とフレーム140とカバーガラス160とによって形成される密封空間内に配置されている。これにより、撮像チップ100が外部環境の影響を受けにくくなる。例えば、撮像チップ100が密封空間外に存在する水分の影響を受けにくくなる。そのため、撮像チップ100の劣化を防止できる。   Thus, the mounting space is formed by the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160. The imaging chip 100 is disposed in a sealed space formed by the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160. As a result, the imaging chip 100 is less affected by the external environment. For example, the imaging chip 100 is not easily affected by moisture existing outside the sealed space. Therefore, deterioration of the imaging chip 100 can be prevented.

図5は、配線層214に含まれる電源パターン及び配線層216に含まれるグランドパターンの一例を模式的に示す。図5の(a)は、配線層214に含まれる電源パターンを模式的に示す。図5の(a)は、撮像ユニット40から絶縁層213及び配線層214を取り出した場合の上面図である。図5の(b)は、配線層216に含まれるグランドパターンを模式的に示す。図5の(b)は、撮像ユニット40から絶縁層215及び配線層216を取り出した場合の上面図である。   FIG. 5 schematically shows an example of the power supply pattern included in the wiring layer 214 and the ground pattern included in the wiring layer 216. FIG. 5A schematically shows a power supply pattern included in the wiring layer 214. FIG. 5A is a top view when the insulating layer 213 and the wiring layer 214 are taken out from the imaging unit 40. FIG. 5B schematically shows a ground pattern included in the wiring layer 216. FIG. 5B is a top view when the insulating layer 215 and the wiring layer 216 are taken out from the imaging unit 40.

図6は、実装基板120を模式的に示す下面図である。図6は、コネクタ181及びキャパシタ182の位置関係を模式的に示すことを目的としており、図6ではコネクタ181及びキャパシタ182以外の電子部品及び配線層212等の図示は省略されている。コネクタ181は、n個の端子をリード部材として含む。具体的には、コネクタ181は、第1端子281、第2端子282、第n−1端子283及び第n端子284を含む。第1端子281及び第2端子282は、コネクタ181が有する端子のうち、y軸方向において最もプラス側に位置する端子対である。第n−1端子283及び第n端子284は、コネクタ181が有する端子のうち、y軸方向において最もマイナス側に位置する端子対である。   FIG. 6 is a bottom view schematically showing the mounting substrate 120. 6 is intended to schematically show the positional relationship between the connector 181 and the capacitor 182, and in FIG. 6, the electronic components other than the connector 181 and the capacitor 182, the wiring layer 212, and the like are not shown. The connector 181 includes n terminals as lead members. Specifically, the connector 181 includes a first terminal 281, a second terminal 282, an n−1 terminal 283, and an nth terminal 284. The first terminal 281 and the second terminal 282 are a pair of terminals located on the most positive side in the y-axis direction among the terminals included in the connector 181. The (n−1) th terminal 283 and the nth terminal 284 are terminal pairs that are located on the most minus side in the y-axis direction among the terminals of the connector 181.

グランドパターン400は、電源パターン300に対するグランドとして機能する。グランドパターン480は、電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360のグランドとして機能する。   The ground pattern 400 functions as a ground for the power supply pattern 300. The ground pattern 480 functions as a ground for the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360.

図5の(a)に示されるように、電源パターン300は、電源接続部302と、電流通流部301と、チップ接続部303とを有する。電源接続部302は、コネクタ181の第1端子281と、ビアを介して電気的に接続される。チップ接続部303は、配線層202とビアを介して接続される。   As shown in FIG. 5A, the power supply pattern 300 includes a power supply connection portion 302, a current flow portion 301, and a chip connection portion 303. The power connection unit 302 is electrically connected to the first terminal 281 of the connector 181 through a via. The chip connection unit 303 is connected to the wiring layer 202 through a via.

電流通流部301は、電源接続部302とチップ接続部303との間の部分である。電流通流部301は、y軸方向に沿って延伸する。具体的には、電流通流部301は、y軸に沿う長辺とx軸に沿う短辺を有する矩形状のパターン部分である。電流通流部301は、y軸プラス側において電源接続部302に接続し、y軸マイナス側においてチップ接続部303に接続する。すなわち、電流通流部301のy軸プラス側は、電源接続部302のy軸マイナス側に接続し、電流通流部301のy軸マイナス側は、チップ接続部303のy軸プラス側に接続する。   The current flow part 301 is a part between the power supply connection part 302 and the chip connection part 303. The current flow part 301 extends along the y-axis direction. Specifically, the current flow part 301 is a rectangular pattern portion having a long side along the y axis and a short side along the x axis. The current flow unit 301 is connected to the power supply connection unit 302 on the y-axis plus side, and is connected to the chip connection unit 303 on the y-axis minus side. That is, the y-axis plus side of the current flow part 301 is connected to the y-axis minus side of the power supply connection part 302, and the y-axis minus side of the current flow part 301 is connected to the y-axis plus side of the chip connection part 303. To do.

電源パターン300の少なくとも一部は、撮像領域101の下方に位置する。具体的には、電流通流部301の少なくとも一部は、撮像領域101の下方に位置する。より具体的には、電流通流部301及び撮像領域101をxy平面に投影した場合、電流通流部301の少なくとも一部は、撮像領域101の一部と重なる。   At least a part of the power supply pattern 300 is located below the imaging region 101. Specifically, at least a part of the current flow unit 301 is located below the imaging region 101. More specifically, when the current flow unit 301 and the imaging region 101 are projected on the xy plane, at least a part of the current flow unit 301 overlaps a part of the imaging region 101.

グランドパターン400は、電源接続部402と、電流通流部401と、チップ接続部403とを有する。電源接続部402は、コネクタ181の第2端子282と、ビアを介して電気的に接続される。チップ接続部403は、配線層202とビアを介して接続される。   The ground pattern 400 includes a power supply connection unit 402, a current flow unit 401, and a chip connection unit 403. The power supply connection unit 402 is electrically connected to the second terminal 282 of the connector 181 through a via. The chip connection unit 403 is connected to the wiring layer 202 through a via.

電源接続部402は、電源接続部302に対応するパターン部分である。チップ接続部403は、チップ接続部303に対応するパターン部分である。電流通流部401は、電流通流部301に対応するパターン部分である。   The power connection unit 402 is a pattern portion corresponding to the power connection unit 302. The chip connection unit 403 is a pattern portion corresponding to the chip connection unit 303. The current flow portion 401 is a pattern portion corresponding to the current flow portion 301.

電流通流部401は、電源接続部402とチップ接続部403との間の部分である。電流通流部401は、電流通流部301が延伸する方向に略平行な方向に延伸する。具体的には、電流通流部401は、y軸方向に沿って延伸する。電流通流部401は、y軸に沿う長辺とx軸に沿う短辺を有する矩形状のパターン部分である。電流通流部401は、y軸プラス側において電源接続部402に接続し、y軸マイナス側においてチップ接続部403に接続する。すなわち、電流通流部401のy軸プラス側は、電源接続部402のy軸マイナス側に接続し、電流通流部401のy軸マイナス側は、チップ接続部403のy軸プラス側に接続する。   The current flow part 401 is a part between the power supply connection part 402 and the chip connection part 403. The current flow part 401 extends in a direction substantially parallel to the direction in which the current flow part 301 extends. Specifically, the current flow part 401 extends along the y-axis direction. The current conducting portion 401 is a rectangular pattern portion having a long side along the y axis and a short side along the x axis. The current flow unit 401 is connected to the power supply connection unit 402 on the y-axis plus side, and is connected to the chip connection unit 403 on the y-axis minus side. That is, the y-axis plus side of the current flow unit 401 is connected to the y-axis minus side of the power supply connection unit 402, and the y-axis minus side of the current flow unit 401 is connected to the y-axis plus side of the chip connection unit 403. To do.

グランドパターン400の少なくとも一部は、撮像領域101の下方に位置する。具体的には、電流通流部401の少なくとも一部は、撮像領域101の下方に位置する。より具体的には、電流通流部401及び撮像領域101をxy平面に投影した場合、電流通流部401の少なくとも一部は、撮像領域101の一部と重なる。   At least a part of the ground pattern 400 is located below the imaging region 101. Specifically, at least a part of the current flow unit 401 is located below the imaging region 101. More specifically, when the current flow unit 401 and the imaging region 101 are projected on the xy plane, at least a part of the current flow unit 401 overlaps a part of the imaging region 101.

電源パターン300には、コネクタ181の第1端子281から供給される電流が、コネクタ181の第1端子281と、第1端子281と電源接続部302とを電気的に接続するビアを介して、電源接続部302に流入する。電源接続部302に流入した電流は、電源接続部302のy軸マイナス側から流出して、電流通流部301のy軸プラス側に流入する。電流通流部301に流入した電流は、電流通流部301をy軸マイナス方向に通流して、電流通流部301のy軸マイナス側から流出し、チップ接続部303に流入する。チップ接続部303に流入した電流は、チップ接続部303と配線層202とを接続するビア、配線層202及びボンディングワイヤ110を介して、撮像チップ100の周辺領域102に供給される。具体的には、チップ接続部303に流入した電流は、周辺領域102に設けられた処理回路に供給され、当該処理回路はチップ接続部303を介して供給された電流によって駆動される。当該処理回路については後述する。周辺領域102に供給され、周辺領域102から戻ってくる戻り電流は、配線層202とチップ接続部303とを接続するビアを介して、チップ接続部403に流入する。   In the power supply pattern 300, the current supplied from the first terminal 281 of the connector 181 is transmitted via the first terminal 281 of the connector 181 and vias that electrically connect the first terminal 281 and the power supply connection portion 302. It flows into the power supply connection unit 302. The current that has flowed into the power supply connection portion 302 flows out from the y-axis minus side of the power supply connection portion 302 and flows into the y-axis plus side of the current flow portion 301. The current flowing into the current flow part 301 flows through the current flow part 301 in the negative y-axis direction, flows out of the current flow part 301 from the negative y-axis side, and flows into the chip connection part 303. The current that has flowed into the chip connection unit 303 is supplied to the peripheral region 102 of the imaging chip 100 via the vias that connect the chip connection unit 303 and the wiring layer 202, the wiring layer 202, and the bonding wires 110. Specifically, the current that flows into the chip connection unit 303 is supplied to a processing circuit provided in the peripheral region 102, and the processing circuit is driven by the current supplied through the chip connection unit 303. The processing circuit will be described later. A return current supplied to the peripheral region 102 and returning from the peripheral region 102 flows into the chip connection unit 403 through a via connecting the wiring layer 202 and the chip connection unit 303.

チップ接続部403に流入した電流は、チップ接続部403のy軸プラス側から流出して、電流通流部401のy軸マイナス側に流入する。電流通流部401に流入した電流は、電流通流部401をy軸プラス方向に通流して、電流通流部401のy軸プラス側から流出し、電源接続部402に流入する。電源接続部402に流入した電流は、電源接続部402と第2端子282とを接続するビアを介して、第2端子282に流入する。   The current that flows into the chip connection unit 403 flows out from the y-axis plus side of the chip connection unit 403 and flows into the y-axis minus side of the current flow unit 401. The current that has flowed into the current flow portion 401 flows through the current flow portion 401 in the y-axis plus direction, flows out from the y-axis plus side of the current flow portion 401, and flows into the power supply connection portion 402. The current that has flowed into the power supply connection portion 402 flows into the second terminal 282 through a via that connects the power supply connection portion 402 and the second terminal 282.

図3、図4及び図5に示されるように、電流通流部401は、電流通流部301に沿って設けられ、電流通流部301及び電流通流部401は略平行に設けられている。電流通流部401は、電流通流部401の少なくとも一部の面と、電源パターンの少なくとも一部の面とが向かい合うように設けられる。具体的には、電流通流部401及び電流通流部301をxy平面に投影した場合、電流通流部401がxy平面において占める領域と電流通流部301がxy平面において占める領域とは、少なくとも一部が重なる。xy平面に投影した場合に電流通流部401及び電流通流部301が重なる領域は、電流通流部301及び電流通流部401の少なくとも一方のy軸プラス側と、電流通流部301及び電流通流部401の少なくとも一方のy軸マイナス側との間を延伸する領域を形成する。また、電流通流部401、電流通流部301及び撮像領域101をxy平面に投影した場合に、電流通流部401が占める領域の一部と、電流通流部301が占める領域の一部と、撮像領域101が占める領域の一部とが、互いに重なる。   As shown in FIGS. 3, 4 and 5, the current flow portion 401 is provided along the current flow portion 301, and the current flow portion 301 and the current flow portion 401 are provided substantially in parallel. Yes. The current conducting part 401 is provided so that at least a part of the surface of the current conducting part 401 faces at least a part of the power supply pattern. Specifically, when the current flow unit 401 and the current flow unit 301 are projected on the xy plane, the region occupied by the current flow unit 401 in the xy plane and the region occupied by the current flow unit 301 in the xy plane are: At least partly overlaps. The region where the current conduction part 401 and the current conduction part 301 overlap when projected onto the xy plane is the y-axis plus side of at least one of the current conduction part 301 and the current conduction part 401, the current conduction part 301 and A region extending between at least one y-axis minus side of the current flow part 401 is formed. In addition, when the current flow unit 401, the current flow unit 301, and the imaging region 101 are projected on the xy plane, a part of the region occupied by the current flow unit 401 and a part of the region occupied by the current flow unit 301 And a part of the area occupied by the imaging area 101 overlap each other.

このように、電流通流部301及び電流通流部401は、少なくとも一部がxy平面に投影した場合に重なり合う位置関係にある。そして、電流通流部301及び電流通流部401は平行に延伸している。電流通流部401を電流が流れる向きが、電流通流部301を電流が流れる向きと逆向きであり、電流通流部301を流れる電流の大きさは、電流通流部401を流れる電流の大きさと実質的に等しい。したがって、電流通流部301及び電源接続部302は、一対の平衡な差動線路を提供するパターン構成を有する。また、電流通流部301及び電流通流部401は、隣接する配線層に設けられている。したがって、電流通流部301及び電流通流部401は、密結合する一対の平衡な差動線路を提供する。そのため、電流通流部301を流れる電流及び電流通流部401を流れる電流によって生じる電磁界が撮像チップ100に与えられる影響を抑制できる。   Thus, the current flow part 301 and the current flow part 401 are in a positional relationship that overlaps when at least a part is projected onto the xy plane. And the current flow part 301 and the current flow part 401 are extended in parallel. The direction in which the current flows through the current flow unit 401 is opposite to the direction in which the current flows through the current flow unit 301. The magnitude of the current flowing through the current flow unit 301 is the current flowing through the current flow unit 401. Substantially equal to size. Therefore, the current flow unit 301 and the power supply connection unit 302 have a pattern configuration that provides a pair of balanced differential lines. Further, the current conducting part 301 and the current conducting part 401 are provided in the adjacent wiring layers. Therefore, the current flow unit 301 and the current flow unit 401 provide a pair of balanced differential lines that are tightly coupled. Therefore, it is possible to suppress the influence of the electromagnetic field generated by the current flowing through the current flow portion 301 and the current flowing through the current flow portion 401 on the imaging chip 100.

具体的には、電流通流部301及び電流通流部401のそれぞれからは、xz平面に平行な面内において、同心円状の磁力線が生じる。しかし、上述したように電流通流部301と電流通流部401とで一対の平衡な差動線路を提供するので、電流通流部301及び電流通流部401がそれぞれ生成する同心円状の磁界は打ち消す方向に働く。すなわち、電流通流部301を流れる電流によって生じる磁界は、電流通流部401を流れる電流によって生じる磁界によって強く打ち消される。   Specifically, concentric lines of magnetic force are generated from each of the current flow part 301 and the current flow part 401 in a plane parallel to the xz plane. However, as described above, a pair of balanced differential lines is provided by the current flow unit 301 and the current flow unit 401, and therefore, concentric magnetic fields generated by the current flow unit 301 and the current flow unit 401, respectively. Works in the direction to counteract. That is, the magnetic field generated by the current flowing through the current flow unit 301 is strongly canceled by the magnetic field generated by the current flowing through the current flow unit 401.

また、上述したように、電源パターン300によって供給される電流は時間的に大きく変化する。ここで一般には、単独に設けられた線路からは、電気力線が自由に放散していくフリンジ電界を形成する。しかし、電流通流部301及び電流通流部401が密結合する一対の平衡な差動線路を提供するので、それぞれから放散される電気力線が結合するように働き、結合した電界は電流通流部301及び電流通流部401の近傍を超えて伝搬することがない。浮遊フリンジ電界は比較的に遠方に到達できるが、その電磁界エネルギーは非常に小さい。また、配線層204がベタ状のグランドパターンを有しているので、浮遊フリンジ電界が撮像チップ100に到達することを抑制できる。したがって、例えば電流通流部301及び電流通流部401をそれぞれ単独の線路又は単独のベタ状パターンとして設けた場合に比べて、撮像チップ100に伝わる電磁界エネルギーを著しく低減することができる。そのため、例えば撮像チップ100の画素信号に重畳されるノイズを低減できる。   Further, as described above, the current supplied by the power supply pattern 300 varies greatly with time. Here, in general, a fringe electric field in which electric lines of force freely dissipate is formed from a line provided independently. However, since the current conducting part 301 and the current conducting part 401 provide a pair of balanced differential lines in which the current conducting part 301 and the current conducting part 401 are tightly coupled, the electric field lines dissipated from each of the current conducting parts 301 and 401 act as coupled. It does not propagate beyond the vicinity of the flow part 301 and the current flow part 401. Although the stray fringe field can reach relatively far, its electromagnetic field energy is very small. Further, since the wiring layer 204 has a solid ground pattern, it is possible to suppress the floating fringe electric field from reaching the imaging chip 100. Therefore, for example, the electromagnetic field energy transmitted to the imaging chip 100 can be remarkably reduced as compared with the case where the current conducting portion 301 and the current conducting portion 401 are each provided as a single line or a single solid pattern. Therefore, for example, noise superimposed on the pixel signal of the imaging chip 100 can be reduced.

電流通流部301は、実装基板120に設けられ、電源から撮像チップ100に供給される電流を第1の向きに流す配線の一例である。また、電流通流部401は、電流通流部301に沿って実装基板120に設けられ、電流通流部301を通じて撮像チップ100に供給されて撮像チップ100から電源に戻る電流を、第1の向きとは略反対の第2の向きに流す配線の一例である。   The current flow unit 301 is an example of a wiring that is provided on the mounting substrate 120 and flows a current supplied from the power source to the imaging chip 100 in the first direction. In addition, the current flow unit 401 is provided on the mounting substrate 120 along the current flow unit 301, and the current supplied to the imaging chip 100 through the current flow unit 301 and returning from the imaging chip 100 to the power source is the first current flow. It is an example of wiring that flows in a second direction substantially opposite to the direction.

なお、電源パターン310からビアを介して配線層202に供給された電流は、ボンディングワイヤ110を介して撮像チップ100に供給され、撮像チップ100からの戻り電流は、ボンディングワイヤ110を介して、グランドパターン480が接続される配線層202に出力される。配線層202に出力された戻り電流は、ビアを介してグランドパターン480に戻される。同様に、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360からそれぞれ撮像チップ100に供給された電流も、グランドパターン480に戻される。   Note that the current supplied from the power supply pattern 310 to the wiring layer 202 via the via is supplied to the imaging chip 100 via the bonding wire 110, and the return current from the imaging chip 100 is grounded via the bonding wire 110. The data is output to the wiring layer 202 to which the pattern 480 is connected. The return current output to the wiring layer 202 is returned to the ground pattern 480 through the via. Similarly, currents supplied to the imaging chip 100 from the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360 are also returned to the ground pattern 480.

グランドパターン480は、面状に形成されたパターンであり、特定の線路を提供するパターン構成を有していない。また、電源パターン320及び電源パターン350も面状に形成されたパターンであり、実質的に一方向の電流経路を提供しない。電源パターン310、電源パターン330及び電源パターン340は、面状に形成されたパターンではないが、実質的に一方向の電流経路を提供しない。   The ground pattern 480 is a pattern formed in a planar shape, and does not have a pattern configuration that provides a specific line. Further, the power supply pattern 320 and the power supply pattern 350 are also formed in a planar shape and do not substantially provide a unidirectional current path. The power supply pattern 310, the power supply pattern 330, and the power supply pattern 340 are not formed in a planar shape, but do not substantially provide a one-way current path.

しかし、電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360から撮像チップ100に供給される電流の瞬時値の大きさは、電源パターン300から撮像チップ100に供給される電流の瞬時値の大きさと比べて小さく、時間的な変化率も小さい。したがって、電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360を流れる電流と、グランドパターン480を流れる電流とによって生じて撮像チップ100に伝わる電磁界のエネルギーは比較的に小さい。したがって、これらの電源パターンからの電源電流によって撮像チップ100の画素信号等に重畳されるノイズは比較的に小さい。   However, the magnitude of the instantaneous value of the current supplied to the imaging chip 100 from the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360 is from the power supply pattern 300 to the imaging chip 100. Compared to the magnitude of the instantaneous value of the supplied current, the temporal change rate is also small. Accordingly, the energy of the electromagnetic field generated by the current flowing through the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350 and the power supply pattern 360 and the current flowing through the ground pattern 480 and transmitted to the imaging chip 100 is Relatively small. Therefore, the noise superimposed on the pixel signal and the like of the imaging chip 100 by the power supply current from these power supply patterns is relatively small.

なお、電流通流部301と電流通流部401との間には、キャパシタ182が電気的に接続されている。具体的には、キャパシタ182は、電流通流部301及び電流通流部401のy軸マイナス側の端部近傍において、電流通流部301と電流通流部401との間を電気的に接続する。より具体的には、キャパシタ182の一方の端子は、電流通流部301とチップ接続部303との境界の近傍において、電流通流部301とビアを介して電気的に接続されている。キャパシタ182の他方の端子は、電流通流部401とチップ接続部403との境界の近傍において、電流通流部401とビアを介して電気的に接続されている。   A capacitor 182 is electrically connected between the current flow unit 301 and the current flow unit 401. Specifically, the capacitor 182 electrically connects between the current flow unit 301 and the current flow unit 401 in the vicinity of the y-axis negative side end portions of the current flow unit 301 and the current flow unit 401. To do. More specifically, one terminal of the capacitor 182 is electrically connected to the current flow portion 301 via a via in the vicinity of the boundary between the current flow portion 301 and the chip connection portion 303. The other terminal of the capacitor 182 is electrically connected to the current flow portion 401 via a via in the vicinity of the boundary between the current flow portion 401 and the chip connection portion 403.

キャパシタ182は、コネクタ181を介して電源から供給される電荷を蓄積する。周辺領域102の処理回路部540が動作を開始した場合、キャパシタ182から処理回路部540に電荷が速やかに供給され得る。周辺領域102の処理回路部540が動作を開始した直後においては、処理回路部540に供給される電流の大半は、キャパシタ182の放電によって供給される。キャパシタ182が放電した分の電荷は、コネクタ181から供給される電流によって、キャパシタ182に徐々に補充される。   The capacitor 182 accumulates electric charges supplied from the power supply via the connector 181. When the processing circuit unit 540 in the peripheral region 102 starts to operate, charge can be quickly supplied from the capacitor 182 to the processing circuit unit 540. Immediately after the processing circuit unit 540 in the peripheral region 102 starts its operation, most of the current supplied to the processing circuit unit 540 is supplied by discharging the capacitor 182. The electric charge corresponding to the discharge of the capacitor 182 is gradually replenished to the capacitor 182 by the current supplied from the connector 181.

このように、撮像ユニット40によれば、チップ接続部303及びチップ接続部403の近傍にキャパシタ182を設けているので、大きな電流が流れる経路を短くすることができる。そのため、撮像チップ100の画素信号等に重畳されるノイズを抑制できる。   Thus, according to the imaging unit 40, since the capacitor 182 is provided in the vicinity of the chip connection unit 303 and the chip connection unit 403, a path through which a large current flows can be shortened. Therefore, noise superimposed on the pixel signal or the like of the imaging chip 100 can be suppressed.

図7は、撮像チップ100に形成された回路ブロックの構成を模式的に示す図である。撮像チップ100の撮像領域101には、画素部500が形成されている。周辺領域102には、周辺回路部570が形成されている。周辺回路部570は、処理回路部540、駆動信号生成部560、走査回路部580a、走査回路部580b及び出力回路部590を有する。   FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a configuration of a circuit block formed in the imaging chip 100. As illustrated in FIG. A pixel unit 500 is formed in the imaging region 101 of the imaging chip 100. A peripheral circuit portion 570 is formed in the peripheral region 102. The peripheral circuit unit 570 includes a processing circuit unit 540, a drive signal generation unit 560, a scanning circuit unit 580a, a scanning circuit unit 580b, and an output circuit unit 590.

画素部500は、N×M個の単位セル501を有する。単位セル501は、xy面内において二次元状に配列されている。例えば、単位セル501は、xy面内においてマトリクス状に配列されている。単位セル501のそれぞれは、1行からN行のうち対応する1つの行において、1列からM列のうち対応する1つの列に対応する位置に設けられる。単位セル501のそれぞれは、光電変換素子、光電変換素子が蓄積した蓄積電荷のリセット動作や読み出し動作を行うトランジスタ等の回路を含む。N×M個の単位セル501により形成される光電変換領域により撮像部が形成される。   The pixel unit 500 includes N × M unit cells 501. The unit cells 501 are two-dimensionally arranged in the xy plane. For example, the unit cells 501 are arranged in a matrix in the xy plane. Each of the unit cells 501 is provided at a position corresponding to one corresponding column from one column to M columns in one corresponding row from one row to N rows. Each of the unit cells 501 includes a photoelectric conversion element and a circuit such as a transistor that performs a reset operation or a read operation of accumulated charge accumulated in the photoelectric conversion element. An imaging unit is formed by a photoelectric conversion region formed by N × M unit cells 501.

走査回路部580a及び走査回路部580bは、画素部500の読み出し走査を行う。走査回路部580bは、単位セル501及び処理回路部540を駆動して、単位セル501が有する光電変換素子が光電変換することによって得られた信号を出力させる。単位セル501は、単位セル501が受光した受光量を示すアナログ信号の画素信号を出力する。   The scanning circuit portion 580a and the scanning circuit portion 580b perform readout scanning of the pixel portion 500. The scanning circuit unit 580b drives the unit cell 501 and the processing circuit unit 540, and outputs a signal obtained by photoelectric conversion of the photoelectric conversion element included in the unit cell 501. The unit cell 501 outputs an analog pixel signal indicating the amount of light received by the unit cell 501.

処理回路部540は、走査回路部580aの制御に従って、単位セル501から出力された信号に対して信号処理を行う。処理回路部540は、比較器551及びカウンタ552を含む変換回路550を有する。変換回路550は、CDS及びAD変換の処理を担う。処理回路部540は、いわゆるデジタルCDSを行う。出力回路部590は、処理回路部540で得られたデジタル信号の画素信号を、実装基板120へ出力する。   The processing circuit unit 540 performs signal processing on the signal output from the unit cell 501 in accordance with the control of the scanning circuit unit 580a. The processing circuit unit 540 includes a conversion circuit 550 including a comparator 551 and a counter 552. The conversion circuit 550 is responsible for CDS and AD conversion processing. The processing circuit unit 540 performs so-called digital CDS. The output circuit unit 590 outputs the pixel signal of the digital signal obtained by the processing circuit unit 540 to the mounting substrate 120.

具体的には、走査回路部580bは、行リセット線510−1〜行リセット線510−Nを介して、複数の単位セル501と電気的に接続されている。走査回路部580bは、行選択線520−1〜行選択線520−Nを介して、複数の単位セル501と電気的に接続されている。走査回路部580bは、シフトレジスタ等を含む。   Specifically, the scanning circuit portion 580b is electrically connected to the plurality of unit cells 501 via the row reset line 510-1 to the row reset line 510-N. The scanning circuit unit 580b is electrically connected to the plurality of unit cells 501 through the row selection line 520-1 to the row selection line 520-N. The scanning circuit unit 580b includes a shift register and the like.

処理回路部540は、比較器551−1〜比較器551−Mと、カウンタ552−1〜カウンタ552−Mとを含む。比較器551−1〜比較器551−Mには、垂直信号線530−1〜垂直信号線530−Mを介して、単位セル501が出力したアナログ信号が入力される。また、比較器551−1〜比較器551−Mには、参照電圧としてのランプ電圧が入力される。   Processing circuit unit 540 includes comparators 551-1 to 551 -M and counters 552-1 to 552 -M. The analog signals output from the unit cells 501 are input to the comparators 551-1 to 551 -M through the vertical signal lines 530-1 to 530 -M. In addition, a ramp voltage as a reference voltage is input to the comparators 551-1 to 551 -M.

単位セル501のそれぞれは、行リセット線510−1〜行リセット線510−Nのうち、それぞれの単位セル501に対応する行の行リセット線510に接続される。単位セル501のそれぞれは、行選択線520−1〜行選択線520−Nのうち、それぞれの単位セル501に対応する行の行選択線520に接続される。単位セル501のそれぞれは、垂直信号線530−1〜垂直信号線530−Mのうち、それぞれの単位セル501に対応する列の垂直信号線530に接続される。   Each of the unit cells 501 is connected to the row reset line 510 of the row corresponding to each unit cell 501 among the row reset lines 510-1 to 510-N. Each of the unit cells 501 is connected to the row selection line 520 of the row corresponding to each unit cell 501 among the row selection lines 520-1 to 520-N. Each of the unit cells 501 is connected to the vertical signal line 530 of the column corresponding to each unit cell 501 among the vertical signal lines 530-1 to 530-M.

行リセット線510−1〜行リセット線510−N及び行選択線520−1〜行選択線520−Nは、単位セル501の読み出しを制御する信号を、対応する行に設けられた単位セル501に伝送する。行リセット線510−1〜行リセット線510−Nは、走査回路部580bが有するシフトレジスタが生成したリセット信号を、対応する行に設けられた単位セル501に伝送する。単位セル501は、リセット信号に応じて、単位セル501が有する光電変換素子の蓄積電荷をリセットする。単位セル501は、蓄積電荷がリセットされた状態の光電変換素子の出力信号を、行選択線520に出力する。この出力信号は、リセットレベルを示すアナログ信号である。   The row reset line 510-1 to the row reset line 510-N and the row selection line 520-1 to the row selection line 520-N send a signal for controlling reading of the unit cell 501 to the unit cell 501 provided in the corresponding row. Transmit to. The row reset line 510-1 to the row reset line 510-N transmit a reset signal generated by the shift register included in the scanning circuit unit 580b to the unit cells 501 provided in the corresponding row. The unit cell 501 resets the accumulated charge of the photoelectric conversion element included in the unit cell 501 in response to the reset signal. The unit cell 501 outputs the output signal of the photoelectric conversion element in a state where the accumulated charge is reset to the row selection line 520. This output signal is an analog signal indicating a reset level.

行選択線520−1〜行選択線520−Nは、走査回路部580が有するシフトレジスタが生成した行選択信号を、対応する行に設けられた単位セル501に伝送する。単位セル501は、行選択信号に応じて、単位セル501が有する光電変換素子の出力信号を垂直信号線530に出力する。この出力信号は、画素信号の信号レベルを示すアナログ信号である。垂直信号線530は、出力信号をy軸方向に沿って処理回路部540に伝送する。   The row selection lines 520-1 to 520 -N transmit row selection signals generated by the shift register included in the scanning circuit unit 580 to the unit cells 501 provided in the corresponding rows. The unit cell 501 outputs the output signal of the photoelectric conversion element included in the unit cell 501 to the vertical signal line 530 in accordance with the row selection signal. This output signal is an analog signal indicating the signal level of the pixel signal. The vertical signal line 530 transmits the output signal to the processing circuit unit 540 along the y-axis direction.

駆動信号生成部560は、走査回路部580a、走査回路部580b、処理回路部540及び出力回路部590等の各回路の動作タイミングを制御するタイミング発生回路、変換回路550に出力される参照電圧としてのランプ電圧を生成する参照信号生成回路等を含む。   The drive signal generation unit 560 is a timing generation circuit that controls the operation timing of each circuit such as the scanning circuit unit 580a, the scanning circuit unit 580b, the processing circuit unit 540, and the output circuit unit 590, and a reference voltage output to the conversion circuit 550. Including a reference signal generation circuit for generating the ramp voltage of the reference.

比較器551は、駆動信号生成部560から比較器551に入力されるランプ電圧の電圧レベルを、対応する列の単位セル501からの出力信号の電圧レベルと比較して、比較結果を対応するカウンタ552に出力する。カウンタ552は、比較器551がランプ電圧の電圧レベルをリセットレベルと比較している間、単位セル501のランプ電圧の電圧レベルがリセットレベルに一致したことを示す比較結果が入力されるまで、ダウンカウントを行う。また、カウンタ552は、比較器551がランプ電圧の電圧レベルを単位セル501の信号レベルと比較している間、ランプ電圧の電圧レベルが信号レベルと一致したことを示す比較結果が入力されるまで、アップカウントを行う。カウンタ552により得られたカウント値は、画素信号のデジタル値に対応する。   The comparator 551 compares the voltage level of the ramp voltage input from the drive signal generator 560 to the comparator 551 with the voltage level of the output signal from the unit cell 501 in the corresponding column, and compares the comparison result with the corresponding counter. It outputs to 552. While the comparator 551 compares the voltage level of the lamp voltage with the reset level, the counter 552 is decreased until a comparison result indicating that the voltage level of the lamp voltage of the unit cell 501 matches the reset level is input. Count. Further, the counter 552 compares the voltage level of the ramp voltage with the signal level of the unit cell 501 while the comparator 551 is comparing the voltage level of the ramp voltage until a comparison result indicating that the voltage level of the ramp voltage matches the signal level is input. , Do an up-count. The count value obtained by the counter 552 corresponds to the digital value of the pixel signal.

これにより、変換回路550は、入力された信号レベルからリセットレベルの影響を除去したデジタルの画素信号を生成する。このようにして、変換回路550は、固定パターンノイズ等のノイズを低減したデジタルの画素信号を生成できる。変換回路550が生成したデジタルの画素信号は、出力回路部590に入力され、ボンディングワイヤ110を介して実装基板120に出力される。   Thereby, the conversion circuit 550 generates a digital pixel signal obtained by removing the influence of the reset level from the input signal level. In this way, the conversion circuit 550 can generate a digital pixel signal with reduced noise such as fixed pattern noise. The digital pixel signal generated by the conversion circuit 550 is input to the output circuit unit 590 and output to the mounting substrate 120 via the bonding wire 110.

ここで、電流通流部301及び電流通流部401は、撮像チップ100が有する画素部500の下方に位置する。具体的には、電流通流部301及び画素部500をxy平面に投影した場合、電流通流部301の少なくとも一部は、画素部500の一部と重なる。また、電流通流部401をxy平面に投影した場合、電流通流部401の少なくとも一部は、画素部500の一部と重なる。また、電源パターン300を介して供給される電流は、変換回路550のカウンタ552に供給される。一方、電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360を介して供給される電流は、周辺領域102に形成されている回路のうち、カウンタ552以外の回路や、画素部500に供給される。   Here, the current flow unit 301 and the current flow unit 401 are located below the pixel unit 500 included in the imaging chip 100. Specifically, when the current flow unit 301 and the pixel unit 500 are projected on the xy plane, at least a part of the current flow unit 301 overlaps a part of the pixel unit 500. Further, when the current conducting part 401 is projected on the xy plane, at least a part of the current conducting part 401 overlaps with a part of the pixel part 500. The current supplied via the power supply pattern 300 is supplied to the counter 552 of the conversion circuit 550. On the other hand, the current supplied through the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360 is a circuit other than the counter 552 among the circuits formed in the peripheral region 102. It is supplied to the circuit and the pixel portion 500.

カウンタ552は、カウント動作時に比較的に大きな電流を瞬間的に必要とする。カウンタ552は、カウント動作と非動作とを繰り返し行う。カウンタ552には、比較的に大きな電流が間欠的かつ周期的に供給される。そのため、カウンタ552に供給される電流によって、大きな電磁界が生じる場合がある。特に、撮像チップを多画素化したり、動画撮影における高速読み出しを可能にしたりするためには、画素信号の読み出し速度を高速化する必要がある。読み出し速度を高速化するためには、例えばカウンタ552の駆動周期が短くなる。これにより、カウンタ552に供給される電源電流の供給周期が短くなって、大きな電磁界が生じる場合がある。   The counter 552 instantaneously requires a relatively large current during the counting operation. The counter 552 repeatedly performs a counting operation and a non-operation. A relatively large current is intermittently and periodically supplied to the counter 552. Therefore, a large electromagnetic field may be generated due to the current supplied to the counter 552. In particular, in order to increase the number of pixels in the imaging chip or to enable high-speed reading in moving image shooting, it is necessary to increase the pixel signal reading speed. In order to increase the reading speed, for example, the driving cycle of the counter 552 is shortened. As a result, the supply cycle of the power supply current supplied to the counter 552 is shortened, and a large electromagnetic field may be generated.

一般に、電流の供給周期が短くなると、その電流によって生じる電磁放射が大きくなる。電磁界放射が大きくなると、撮像チップ等の電子部品の動作に影響を及ぼす場合がある。例えば、撮像ユニットにおいては、撮像チップが生成する画素信号に大きなノイズが混入してしまう場合がある。例えば、撮像チップの下方において基板をy軸に沿って横切る電源パターン形成されている場合、読み出し時に電源パターンから生じる電磁界によって画素信号にノイズが重畳してしまい、縦筋の固定パターンを含む画像が生成されてしまう場合がある。   Generally, when the current supply cycle is shortened, electromagnetic radiation generated by the current increases. When electromagnetic field radiation increases, the operation of electronic components such as an imaging chip may be affected. For example, in an imaging unit, large noise may be mixed into a pixel signal generated by an imaging chip. For example, when a power supply pattern that crosses the substrate along the y-axis is formed below the imaging chip, noise is superimposed on the pixel signal due to an electromagnetic field generated from the power supply pattern at the time of reading, and an image including a fixed pattern of vertical stripes May be generated.

これに対し、撮像ユニット40によれば、上述したように電源パターン300及びグランドパターン400が、一対の平衡な差動線路を提供するので、カウンタ552に供給される電流によって生じる電磁界放射を抑制できる。したがって、撮像チップ100の動作に与える影響を抑制できる。例えば、カウンタ552に供給される電流によって生じる電磁界放射によって、撮像チップ100が生成する画素信号に重畳されるノイズを抑制できる。   On the other hand, according to the imaging unit 40, as described above, since the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 provide a pair of balanced differential lines, the electromagnetic field radiation caused by the current supplied to the counter 552 is suppressed. it can. Therefore, the influence on the operation of the imaging chip 100 can be suppressed. For example, noise superimposed on the pixel signal generated by the imaging chip 100 can be suppressed by electromagnetic field radiation generated by the current supplied to the counter 552.

また、上述したように、チップ接続部303及びチップ接続部403の近傍には、キャパシタ182が電気的に接続されている。カウンタ552が動作状態と非動作状態との間の切り換わり時における電流の変化分は、キャパシタ182によって吸収される。そのため、電源パターン300及びグランドパターン400において、高速駆動されるカウンタ552への大電流が流れる電流経路は、実質的にチップ接続部303及びチップ接続部403に限られる。特に、カウンタ552の動作状態が切り替わった場合の急激な電流変化は、チップ接続部303及びチップ接続部403に主として表れる。   Further, as described above, the capacitor 182 is electrically connected in the vicinity of the chip connection portion 303 and the chip connection portion 403. The change in current when the counter 552 switches between the operating state and the non-operating state is absorbed by the capacitor 182. Therefore, in the power supply pattern 300 and the ground pattern 400, the current path through which a large current flows to the counter 552 that is driven at high speed is substantially limited to the chip connection unit 303 and the chip connection unit 403. In particular, an abrupt current change when the operation state of the counter 552 is switched mainly appears in the chip connection unit 303 and the chip connection unit 403.

ここで、y軸に沿って流れる電流の影響は、y軸に沿って配されている垂直信号線530を介して画素信号に表れ易い。撮像ユニット40においては、図5に示されるように、チップ接続部303及びチップ接続部403が全体としてx軸方向に延伸しているので、キャパシタ182と配線層202までの間には、y軸に沿う電流経路を実質的に有しない。そのため、撮像ユニット40によれば、カウンタ552に供給される電流の影響で、垂直信号線530を介して画素信号にノイズが重畳されることを抑制できる。チップ接続部303及びチップ接続部403は、実装基板120において撮像チップ100が設けられた面と略平行に設けられ、撮像チップ100にキャパシタ182から供給される電流を、垂直信号線530が画素信号を伝送する方向に略直交する方向に流す配線の一例である。具体的には、チップ接続部303は、電流通流部301と撮像チップ100との間の電流経路において、電流通流部301と撮像チップ100との間に位置し、キャパシタ182から撮像チップ100に供給される電流を、垂直信号線530が画素信号を伝送する伝送方向に略直交する方向に流す。また、チップ接続部403は、チップ接続部403と撮像チップ100との間の電流経路において、チップ接続部403と撮像チップ100との間に位置し、キャパシタ182から撮像チップ100に供給され撮像チップ100から戻る電流を、垂直信号線530が画素信号を伝送する伝送方向に略直交する方向に流す。   Here, the influence of the current flowing along the y-axis is likely to appear in the pixel signal via the vertical signal line 530 arranged along the y-axis. In the imaging unit 40, as shown in FIG. 5, since the chip connection portion 303 and the chip connection portion 403 as a whole extend in the x-axis direction, the y-axis is between the capacitor 182 and the wiring layer 202. There is substantially no current path along. Therefore, according to the imaging unit 40, it is possible to suppress noise from being superimposed on the pixel signal via the vertical signal line 530 due to the influence of the current supplied to the counter 552. The chip connection unit 303 and the chip connection unit 403 are provided substantially in parallel with the surface on which the imaging chip 100 is provided on the mounting substrate 120, and the current supplied from the capacitor 182 to the imaging chip 100 is supplied to the vertical signal line 530 as a pixel signal. It is an example of the wiring which flows in the direction substantially orthogonal to the direction which transmits. Specifically, the chip connection unit 303 is located between the current flow unit 301 and the imaging chip 100 in the current path between the current flow unit 301 and the imaging chip 100, and from the capacitor 182 to the imaging chip 100. Is supplied in a direction substantially perpendicular to the transmission direction in which the vertical signal line 530 transmits the pixel signal. Further, the chip connection unit 403 is located between the chip connection unit 403 and the imaging chip 100 in the current path between the chip connection unit 403 and the imaging chip 100, and is supplied from the capacitor 182 to the imaging chip 100 and is captured by the imaging chip. The current returning from 100 is passed in a direction substantially perpendicular to the transmission direction in which the vertical signal line 530 transmits the pixel signal.

なお、撮像チップの実装基板又は撮像チップ自体を実装する基板として、撮像チップより十分に広い基板を用いれば、撮像チップの外側にコネクタを配置したり、撮像チップの外側に電源パターンを構築する基板設計が可能になる。そして、特に大電源が流れる電源パターンについては、その形状をベタ状のパターンにすれば、電源パターンからの電磁放射の影響を比較的に小さくできる可能性がある。しかし、この基板設計を適用するためには、大面積の基板が必要となる。そのため、この基板設計を適用すると、カメラを小型化しにくい。また、コネクタ等の電子部品を撮像チップ100の近傍に配置することができないので、電子部品の数を削減することが容易でない。また、撮像ユニットを軽量化することが容易でない。また、基板設計の自由度が低くなってしまう。   In addition, if a board sufficiently wider than the imaging chip is used as a mounting board for the imaging chip or a board for mounting the imaging chip itself, a board in which a connector is arranged outside the imaging chip or a power supply pattern is constructed outside the imaging chip. Design becomes possible. And especially about the power supply pattern through which a large power supply flows, if the shape is a solid pattern, there is a possibility that the influence of electromagnetic radiation from the power supply pattern can be made relatively small. However, in order to apply this substrate design, a large-area substrate is required. Therefore, when this board design is applied, it is difficult to miniaturize the camera. Further, since electronic components such as connectors cannot be arranged in the vicinity of the imaging chip 100, it is not easy to reduce the number of electronic components. Moreover, it is not easy to reduce the weight of the imaging unit. In addition, the degree of freedom in board design is reduced.

これに対し、撮像ユニット40によれば、コネクタ181や電源パターン300を撮像チップ100の下方の位置に設けても、撮像チップ100に与えるノイズの影響を抑制できる。そのため、実装基板120を小型化しつつ、撮像性能の劣化を抑制できる。また、電子部品の数を削減することが容易になる。また、撮像ユニットを軽量化することが容易になる。また、基板設計の自由度を高めることができる。また、外部に放射される電磁波を抑制できるので、電磁適合性(EMC)における電磁放射(EMI)への対策になり得る。このように、撮像ユニット40によれば、電源パターン300及びグランドパターン400を流れる電流が撮像チップ100や、撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   On the other hand, according to the imaging unit 40, even if the connector 181 and the power supply pattern 300 are provided at a position below the imaging chip 100, the influence of noise on the imaging chip 100 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the imaging performance while downsizing the mounting board 120. Moreover, it becomes easy to reduce the number of electronic components. Moreover, it becomes easy to reduce the weight of the imaging unit. Moreover, the freedom degree of a board | substrate design can be raised. Moreover, since the electromagnetic wave radiated | emitted outside can be suppressed, it can become a countermeasure to the electromagnetic radiation (EMI) in electromagnetic compatibility (EMC). As described above, according to the imaging unit 40, the influence of the current flowing through the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 on the imaging chip 100 and the outside of the imaging unit 40 can be suppressed.

なお、図6に示されるように、電源パターン300に接続された第1端子281とグランドパターン400に接続された第2端子282とは、互いに隣接している。このように、コネクタ181の近傍の端子を電源側端子及びグランド側端子として割り当てると、電磁波等を打ち消し合う配線パターンを実現し易くなる。   As shown in FIG. 6, the first terminal 281 connected to the power supply pattern 300 and the second terminal 282 connected to the ground pattern 400 are adjacent to each other. As described above, when the terminals in the vicinity of the connector 181 are assigned as the power supply side terminals and the ground side terminals, it is easy to realize a wiring pattern that cancels electromagnetic waves and the like.

また、コネクタ181から出力されてコネクタ181に戻ってくるまでの電流経路は、短いことがより望ましい。そのため、例えばカウンタ552への電流供給用の電源側端子として、コネクタ181が有する端子のうち最も近い端子を用いることが望ましい。撮像ユニット40では、変換回路550は周辺領域102のy軸マイナス側に設けられているので、カウンタ552への電流供給用の電源側端子として第n−1端子283を用い、カウンタ552への電流供給用のグランド側端子として第n端子284を用いてもよい。   It is more desirable that the current path from the output from the connector 181 to the return to the connector 181 is short. Therefore, for example, it is desirable to use the nearest terminal among the terminals included in the connector 181 as a power supply side terminal for supplying current to the counter 552. In the imaging unit 40, since the conversion circuit 550 is provided on the negative side of the y-axis of the peripheral region 102, the n−1 terminal 283 is used as a power supply side terminal for supplying current to the counter 552, and the current to the counter 552 is The nth terminal 284 may be used as a ground side terminal for supply.

なお、周辺領域102のy軸マイナス側に変換回路550と同様の第1の変換回路を設け、y軸プラス側に変換回路550と同様の第2の変換回路を設けた場合、第1の変換回路用の電源側端子として第1端子281を用い、第1の変換回路用のグランド側端子として第2端子282を用いるとともに、第2の変換回路用の電源側端子として第n−1端子283を用い、第2の変換回路用のグランド側端子として第n端子284を用いることが望ましい。このように、互いに異なる位置に同種の回路が設けられ、一方の回路に供給される電源電流をコネクタの第1の端子対から供給して、他方の回路に供給される電源電流を、コネクタの第2の端子対から供給する場合には、第1の端子対が、第2の端子対より、一方の回路に近い側に位置し、第2の端子対が、第1の端子対より、他方の回路に近い側に位置することが望ましい。   Note that when the first conversion circuit similar to the conversion circuit 550 is provided on the y axis minus side of the peripheral region 102 and the second conversion circuit similar to the conversion circuit 550 is provided on the y axis plus side, the first conversion circuit The first terminal 281 is used as the power supply side terminal for the circuit, the second terminal 282 is used as the ground side terminal for the first conversion circuit, and the n−1th terminal 283 is used as the power supply side terminal for the second conversion circuit. It is desirable to use the nth terminal 284 as the ground side terminal for the second conversion circuit. In this way, the same kind of circuits are provided at different positions, the power supply current supplied to one circuit is supplied from the first terminal pair of the connector, and the power supply current supplied to the other circuit is supplied to the connector. When supplying from the second terminal pair, the first terminal pair is positioned closer to one circuit than the second terminal pair, and the second terminal pair is from the first terminal pair, It is desirable to be located on the side close to the other circuit.

なお、以上に説明した撮像ユニット40において、配線層214に電源パターン300を設けて、配線層216にグランドパターン400を設けてよい。なお、配線層212に電源パターン300及びグランドパターン400の一方を設けて、配線層214に電源パターン300及びグランドパターン400の他方を設けてよい。撮像チップ100に重畳されるノイズを抑制するという観点からは、電源パターン300及びグランドパターン400は、撮像チップ100からより離れた位置にあることが望ましい。例えば、電源パターン300及びグランドパターン400は、芯層209よりz軸マイナス側に位置することが望ましい。なお、電源パターン300及びグランドパターン400と撮像チップ100との間には、グランドパターン490のようにベタ状のグランドパターンを有することが望ましい。しかし、配線層204は、ベタ状のグランドパターン490を有しなくてもよい。なお、グランドパターン490は、実装基板120に設けられ、電流通流部301及び電流通流部401と撮像チップ100との間に位置して、撮像チップ100に対して電流通流部301及び電流通流部401を覆う、グランド電位の平板状導電体の一例である。   In the imaging unit 40 described above, the power supply pattern 300 may be provided in the wiring layer 214 and the ground pattern 400 may be provided in the wiring layer 216. Note that one of the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 may be provided in the wiring layer 212, and the other of the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 may be provided in the wiring layer 214. From the viewpoint of suppressing noise superimposed on the imaging chip 100, it is desirable that the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 are located farther from the imaging chip 100. For example, the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 are desirably located on the negative side of the z axis from the core layer 209. Note that it is desirable to have a solid ground pattern like the ground pattern 490 between the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 and the imaging chip 100. However, the wiring layer 204 may not have the solid ground pattern 490. The ground pattern 490 is provided on the mounting substrate 120 and is located between the current flow unit 301 and the current flow unit 401 and the imaging chip 100, and the current flow unit 301 and the current with respect to the imaging chip 100. It is an example of a flat conductor having a ground potential that covers a flow passage portion 401.

図8は、第2実施形態に係る撮像ユニット2040を模式的に表す断面図である。図8は、図3に対応する撮像ユニット2040の断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the imaging unit 2040 according to the second embodiment. FIG. 8 is a cross-sectional view of the imaging unit 2040 corresponding to FIG.

撮像ユニット2040は、撮像ユニット40が有する芯層209に代えて、金属で形成された芯層2209を有する。また、撮像ユニット2040は、撮像ユニット40が有する構成要素に加えて、絶縁層2207及び絶縁層2217を更に有する。なお、撮像ユニット2040が有する構成要素のうち、撮像ユニット40に関連して説明した構成要素と同じ符号が付された構成要素は、互いに同様の構成を有する。そのため、当該構成要素については、説明を省略する場合がある。   The imaging unit 2040 includes a core layer 2209 made of metal instead of the core layer 209 included in the imaging unit 40. The imaging unit 2040 further includes an insulating layer 2207 and an insulating layer 2217 in addition to the components included in the imaging unit 40. Note that among the constituent elements of the imaging unit 2040, constituent elements having the same reference numerals as those described in relation to the imaging unit 40 have the same configuration. Therefore, description of the components may be omitted.

芯層2209の材料として、例えばニッケルと鉄の合金(例えば42alloy、56alloy)、銅、アルミニウム等を用いてよい。芯層2209は、z軸方向において絶縁層2207及び絶縁層2217に挟まれる。配線層206と芯層2209との間に、配線層206及び芯層2209に接触する絶縁層2207が配され、芯層2209と配線層216との間に、芯層2209に接触する絶縁層2217が配される。絶縁層2207及び絶縁層2217は、絶縁層203、絶縁層205、絶縁層215及び絶縁層213を形成する材料と同じ材料で形成される。   As a material of the core layer 2209, for example, an alloy of nickel and iron (for example, 42 alloy, 56 alloy), copper, aluminum, or the like may be used. The core layer 2209 is sandwiched between the insulating layer 2207 and the insulating layer 2217 in the z-axis direction. An insulating layer 2207 that contacts the wiring layer 206 and the core layer 2209 is disposed between the wiring layer 206 and the core layer 2209, and an insulating layer 2217 that contacts the core layer 2209 between the core layer 2209 and the wiring layer 216. Is arranged. The insulating layer 2207 and the insulating layer 2217 are formed using the same material as the material for forming the insulating layer 203, the insulating layer 205, the insulating layer 215, and the insulating layer 213.

芯層2209は、ビアを介してグランドパターン480等のグランドパターンに電気的に接続されている。撮像ユニット2040によれば、電源パターン300及びグランドパターン400が芯層2209よりz軸マイナス側に設けられている。そのため、浮遊フリンジ電界が撮像チップ100に到達することを抑制できる。このように、撮像ユニット2040によれば、電源パターン300及びグランドパターン400で生じた電磁波を、芯層2209によって遮蔽できる。したがって、電源パターン300及びグランドパターン400を流れる電流が撮像チップ100や、撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   The core layer 2209 is electrically connected to a ground pattern such as the ground pattern 480 through a via. According to the imaging unit 2040, the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 are provided on the negative side of the z-axis from the core layer 2209. Therefore, it is possible to suppress the floating fringe electric field from reaching the imaging chip 100. Thus, according to the imaging unit 2040, the electromagnetic wave generated in the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 can be shielded by the core layer 2209. Therefore, the influence of the current flowing through the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 on the outside of the imaging chip 100 and the imaging unit 40 can be suppressed.

芯層2209は、実装基板120に設けられ、電流通流部301及び電流通流部401と撮像チップ100との間に位置して、撮像チップ100に対して電流通流部301及び電流通流部401を覆う、グランド電位の平板状導電体の一例である。なお、撮像ユニット2040において、配線層204がベタ状のグランドパターン490を有しなくてもよい。芯層2209が金属で形成されているので、配線層204がベタ状のグランドパターン490を有しなくても、電源パターン300及びグランドパターン400を流れる電流が、撮像チップ100や撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   The core layer 2209 is provided on the mounting substrate 120, and is positioned between the current flow unit 301 and the current flow unit 401 and the imaging chip 100, and the current flow unit 301 and the current flow with respect to the imaging chip 100. 4 is an example of a flat conductor having a ground potential that covers the portion 401. Note that in the imaging unit 2040, the wiring layer 204 may not have the solid ground pattern 490. Since the core layer 2209 is formed of metal, even if the wiring layer 204 does not have the solid ground pattern 490, the current flowing through the power supply pattern 300 and the ground pattern 400 is external to the imaging chip 100 and the imaging unit 40. The influence which it has on can be suppressed.

図9は、第3実施形態に係る撮像ユニット3040を模式的に表す断面図である。図9は、図4に対応する撮像ユニット3040の断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 3040 according to the third embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view of the imaging unit 3040 corresponding to FIG.

撮像ユニット3040は、撮像ユニット40が有する電源パターン300及びグランドパターン400に代えて、電源パターン3300及びグランドパターン3400を有する。なお、撮像ユニット3040が有する構成要素のうち、撮像ユニット40に関連して説明した構成要素と同じ符号が付された構成要素は、互いに同様の構成を有する。そのため、当該構成要素については、説明を省略する場合がある。また、撮像ユニット3040が有する構成要素のうち、撮像ユニット40に関連して説明した構成要素に対応する構成要素は、撮像ユニット40が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、説明を省略する場合がある。   The imaging unit 3040 includes a power pattern 3300 and a ground pattern 3400 instead of the power pattern 300 and the ground pattern 400 included in the imaging unit 40. Note that, among the components included in the imaging unit 3040, components having the same reference numerals as those described in relation to the imaging unit 40 have the same configuration. Therefore, description of the components may be omitted. In addition, among the components included in the imaging unit 3040, the components corresponding to the components described in relation to the imaging unit 40 have the same configuration as the corresponding components included in the imaging unit 40, and thus description thereof is omitted. There is a case.

撮像ユニット3040は、電源パターン3300以外の電源パターンとして、電源パターン3310、電源パターン3320、電源パターン3330、電源パターン3340及び電源パターン3350を配線層216に有する。これらの電源パターンは、撮像ユニット40における電源パターン300以外の電源パターンである電源パターン310、電源パターン320、電源パターン330、電源パターン340、電源パターン350及び電源パターン360に対応する。また、撮像ユニット3040は、グランドパターン480に対応するグランドパターンとして、グランドパターン3480を配線層214に有する。   The imaging unit 3040 includes a power pattern 3310, a power pattern 3320, a power pattern 3330, a power pattern 3340, and a power pattern 3350 in the wiring layer 216 as power patterns other than the power pattern 3300. These power supply patterns correspond to the power supply pattern 310, the power supply pattern 320, the power supply pattern 330, the power supply pattern 340, the power supply pattern 350, and the power supply pattern 360, which are power supply patterns other than the power supply pattern 300 in the imaging unit 40. Further, the imaging unit 3040 has a ground pattern 3480 in the wiring layer 214 as a ground pattern corresponding to the ground pattern 480.

電源パターン3300及びグランドパターン3400は、実装基板120の配線層212に設けられている。グランドパターン3400は、電源パターン300に略平行に設けられる。グランドパターン3400は、電源パターン3300に沿って設けられている。具体的には、電源パターン3300及びグランドパターン3400は共に、y軸に平行な方向に延伸する。電源パターン3300は、実装基板120が有する1つの配線層に形成された配線の一例である。また、グランドパターン3400は、電源パターン3300が形成された配線層に形成され、電源パターン3300の近傍に位置する配線の一例である。   The power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are provided on the wiring layer 212 of the mounting substrate 120. The ground pattern 3400 is provided substantially parallel to the power supply pattern 300. The ground pattern 3400 is provided along the power supply pattern 3300. Specifically, both the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 extend in a direction parallel to the y-axis. The power supply pattern 3300 is an example of wiring formed in one wiring layer of the mounting substrate 120. The ground pattern 3400 is an example of a wiring that is formed in a wiring layer in which the power supply pattern 3300 is formed and is located in the vicinity of the power supply pattern 3300.

グランドパターン3480は、配線層214として設けられたベタ状のグランドパターンである。電源パターン3300及びグランドパターン3400は、実装基板120の第2主面112側の表層に設けられている。電源パターン3300、グランドパターン3400及びグランドパターン3480は、いわゆるマイクロストリップ線路構造を有している。この線路構造によれば、z軸プラス方向に発生する電気力線をグランドパターン3480が結合させる働きを持つ。そのため、電源パターン3300及びグランドパターン3400から生じる多くの電気力線を捕捉できる。   The ground pattern 3480 is a solid ground pattern provided as the wiring layer 214. The power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are provided on the surface layer of the mounting substrate 120 on the second main surface 112 side. The power supply pattern 3300, the ground pattern 3400, and the ground pattern 3480 have a so-called microstrip line structure. According to this line structure, the ground pattern 3480 has a function of coupling electric lines of force generated in the z-axis plus direction. Therefore, many lines of electric force generated from the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 can be captured.

このように、電源パターン3300及びグランドパターン3400は、一対の平衡な差動線路を提供する。そのため、電源パターン3300及びグランドパターン3400を流れる電流が撮像チップ100や、撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   Thus, the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 provide a pair of balanced differential lines. Therefore, the influence of the current flowing through the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 on the outside of the imaging chip 100 and the imaging unit 40 can be suppressed.

撮像チップ100に重畳されるノイズを抑制するという観点からは、電源パターン3300及びグランドパターン3400は、撮像チップ100からより離れた位置にあることが望ましい。しかし、電源パターン3300及グランドパターン3400は、実装基板120の内層に設けてもよい。例えば、電源パターン3300及グランドパターン3400を、配線層214、配線層216及び配線層206のいずれかの一つの配線層に設けてよい。この場合、電源パターン3300及グランドパターン3400を設けた配線層よりz軸プラス側の配線層に、ベタ状のグランドパターンを設ければよい。   From the viewpoint of suppressing noise superimposed on the imaging chip 100, it is desirable that the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are located farther from the imaging chip 100. However, the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 may be provided in the inner layer of the mounting substrate 120. For example, the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 may be provided in any one of the wiring layer 214, the wiring layer 216, and the wiring layer 206. In this case, a solid ground pattern may be provided in the wiring layer on the z-axis plus side from the wiring layer provided with the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400.

また、撮像ユニット2040と同様に、芯層209を金属で形成してよい。この場合、電源パターン3300及グランドパターン3400を、芯層209よりz軸マイナス側の配線層に設けることが望ましい。具体的には、電源パターン3300及グランドパターン3400を、配線層212、配線層214及び配線層216のいずれか一つの配線層に設けることが望ましい。   Further, similarly to the imaging unit 2040, the core layer 209 may be formed of metal. In this case, it is desirable to provide the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 in the wiring layer on the negative side of the z axis from the core layer 209. Specifically, the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are preferably provided in any one of the wiring layer 212, the wiring layer 214, and the wiring layer 216.

図10は、第4実施形態に係る撮像ユニット4040を模式的に表す断面図である。図10は、図9に対応する撮像ユニット4040の断面図である。   FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 4040 according to the fourth embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view of the imaging unit 4040 corresponding to FIG.

撮像ユニット4040は、撮像ユニット3040が有する構成要素に加えて、ガードパターン4500a及びガードパターン4500bを配線層212に更に有する。なお、撮像ユニット4040が有する構成要素のうち、撮像ユニット3040に関連して説明した構成要素と同じ符号が付された構成要素は、互いに同様の構成を有する。そのため、当該構成要素については、説明を省略する場合がある。また、撮像ユニット4040が有する構成要素のうち、撮像ユニット3040に関連して説明した構成要素に対応する構成要素は、撮像ユニット3040が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、説明を省略する場合がある。   The imaging unit 4040 further includes a guard pattern 4500a and a guard pattern 4500b in the wiring layer 212 in addition to the components included in the imaging unit 3040. Note that among the constituent elements of the imaging unit 4040, constituent elements having the same reference numerals as those described in relation to the imaging unit 3040 have the same configuration. Therefore, description of the components may be omitted. In addition, among the components included in the imaging unit 4040, the components corresponding to the components described in relation to the imaging unit 3040 have the same configuration as the corresponding components included in the imaging unit 3040, and thus description thereof is omitted. There is a case.

ガードパターン4500a、ガードパターン4500b、電源パターン3300及びグランドパターン3400は、同一の配線層に設けられる。ガードパターン4500aは、ビア4131aを介してグランドパターン3480に電気的に接続されている。ガードパターン4500bは、ビア4131bを介してグランドパターン3480に電気的に接続されている。   The guard pattern 4500a, the guard pattern 4500b, the power supply pattern 3300, and the ground pattern 3400 are provided in the same wiring layer. Guard pattern 4500a is electrically connected to ground pattern 3480 through via 4131a. Guard pattern 4500b is electrically connected to ground pattern 3480 through via 4131b.

ガードパターン4500aは、電源パターン3300及びグランドパターン3400が形成された配線層に、電源パターン3300及びグランドパターン3400に沿って形成されたグランド電位の配線の一例である。ガードパターン4500bは、電源パターン3300及びグランドパターン3400が形成された配線層に、電源パターン3300及びグランドパターン3400に沿って形成されたグランド電位の配線の一例である。電源パターン3300は、ガードパターン4500aとグランドパターン3400との間に位置する。また、グランドパターン3400は、ガードパターン4500bと電源パターン3300との間に位置する。   The guard pattern 4500a is an example of a ground potential wiring formed along the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 in the wiring layer in which the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are formed. The guard pattern 4500b is an example of a ground potential wiring formed along the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 in the wiring layer in which the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are formed. The power supply pattern 3300 is located between the guard pattern 4500a and the ground pattern 3400. The ground pattern 3400 is located between the guard pattern 4500b and the power supply pattern 3300.

このように、電源パターン3300及びグランドパターン3400の両側に、電源パターン3300及びグランドパターン3400に沿って延伸するグランド電位のガードパターン4500a及びガードパターン4500bを設けることで、電磁波の遮蔽ド効果をより高めることができる。この構成では、電源パターン3300及びグランドパターン3400はグランド電位で囲われていないので、電源系の周波数特性の劣化を抑制できる。   In this way, by providing the ground potential guard pattern 4500a and the guard pattern 4500b extending along the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 on both sides of the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400, the shielding effect of electromagnetic waves is further enhanced. be able to. In this configuration, since the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are not surrounded by the ground potential, it is possible to suppress the deterioration of the frequency characteristics of the power supply system.

なお、ガードパターン4500a及びガードパターン4500bは、規則的な間隔で複数のビアを設けて、グランドパターン3480に接続することが望ましい。ガードパターン4500a及びガードパターン4500bとグランドパターン3480とを接続するビアは、より多く設けることが望ましい。また、ガードパターン4500a及びガードパターン4500bとグランドパターン3480とを接続するビアの間隔は、電源パターン3300及びグランドパターン3400を流れる電流の周波数の1/4波長未満であることが望ましい。   Note that the guard pattern 4500a and the guard pattern 4500b are preferably connected to the ground pattern 3480 by providing a plurality of vias at regular intervals. It is desirable to provide more vias that connect the guard pattern 4500a and the guard pattern 4500b to the ground pattern 3480. In addition, the interval between vias connecting the guard pattern 4500a and the guard pattern 4500b and the ground pattern 3480 is preferably less than a quarter wavelength of the frequency of the current flowing through the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400.

なお、電源パターン3300とグランドパターン3400aとは、電源パターン3300とガードパターン4500aとの間より強く結合していることが望ましい。また、電源パターン3300とグランドパターン3400とは、グランドパターン3400とガードパターン4500bとの間より強く結合していることが望ましい。具体的には、電源パターン3300とグランドパターン3400との間の間隔をSとした場合、ガードパターン4500aは、電源パターン3300から2S以上離れて設けられていることが望ましい。同様に、ガードパターン4500bは、グランドパターン3400から2S以上離れて設けられていることが望ましい。このように、ガードパターン4500aと電源パターン3300との間の距離は、電源パターン3300とグランドパターン3400との間の距離の2倍より大きいことが望ましい。また、ガードパターン4500bとグランドパターン3400との間の距離は、電源パターン3300とグランドパターン3400との間の距離の2倍より大きいことが望ましい。   It is desirable that power supply pattern 3300 and ground pattern 3400a be more strongly coupled between power supply pattern 3300 and guard pattern 4500a. Further, it is desirable that the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 are more strongly coupled between the ground pattern 3400 and the guard pattern 4500b. Specifically, when the interval between the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400 is S, it is desirable that the guard pattern 4500a be provided 2S or more away from the power supply pattern 3300. Similarly, it is desirable that the guard pattern 4500b be provided 2S or more away from the ground pattern 3400. As described above, the distance between the guard pattern 4500a and the power supply pattern 3300 is preferably larger than twice the distance between the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400. The distance between the guard pattern 4500b and the ground pattern 3400 is preferably greater than twice the distance between the power supply pattern 3300 and the ground pattern 3400.

また、電源パターン3300の幅をWとした場合、ガードパターン4500aは、電源パターン3300から2W以上離れて設けられていることが望ましい。同様に、ガードパターン4500bは、グランドパターン3400から2W以上離れて設けられていることが望ましい。また、S<Wであることが望ましい。なお、電源パターン3300の幅とは、電源パターン3300が延伸する方向に直交する方向の長さである。すなわち、電源パターン3300の幅とは、x軸方向の長さである。同様に、グランドパターン3400の幅とは、グランドパターン3400のx軸方向の長さである。   In addition, when the width of the power supply pattern 3300 is W, the guard pattern 4500a is desirably provided 2 W or more away from the power supply pattern 3300. Similarly, the guard pattern 4500b is desirably provided at a distance of 2 W or more from the ground pattern 3400. Further, it is desirable that S <W. The width of the power supply pattern 3300 is a length in a direction orthogonal to the direction in which the power supply pattern 3300 extends. That is, the width of the power supply pattern 3300 is the length in the x-axis direction. Similarly, the width of the ground pattern 3400 is the length of the ground pattern 3400 in the x-axis direction.

図11は、第5実施形態に係る撮像ユニット5040を模式的に表す断面図である。図11は、図9に対応する撮像ユニット5040の断面図である。   FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing an imaging unit 5040 according to the fifth embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view of the imaging unit 5040 corresponding to FIG.

撮像ユニット5040は、撮像ユニット3040が有する電源パターン3300に代えて、電源パターン5300を有する。撮像ユニット5040は、撮像ユニット3040が有するグランドパターン3400に代えて、グランドパターン5400を有する。また、撮像ユニット5040は、撮像ユニット3040が有する芯層209に代えて、金属で形成された芯層5209を有する。撮像ユニット5040は、撮像ユニット3040が有する構成要素に加えて、絶縁層5207及び絶縁層5217を更に有する。なお、撮像ユニット5040が有する構成要素のうち、撮像ユニット3040に関連して説明した構成要素と同じ符号が付された構成要素は、互いに同様の構成を有する。そのため、当該構成要素については、説明を省略する場合がある。   The imaging unit 5040 includes a power supply pattern 5300 instead of the power supply pattern 3300 included in the imaging unit 3040. The imaging unit 5040 includes a ground pattern 5400 instead of the ground pattern 3400 included in the imaging unit 3040. Further, the imaging unit 5040 includes a core layer 5209 formed of metal instead of the core layer 209 included in the imaging unit 3040. The imaging unit 5040 further includes an insulating layer 5207 and an insulating layer 5217 in addition to the components included in the imaging unit 3040. Note that among the constituent elements of the imaging unit 5040, constituent elements having the same reference numerals as those described in relation to the imaging unit 3040 have the same configuration. Therefore, description of the components may be omitted.

電源パターン5300は、電源パターン3300に対応する電源パターンである。グランドパターン5400は、グランドパターン3400に対応するグランドパターンである。撮像ユニット5040は、電源パターン5300以外の電源パターンとして、電源パターン5310、電源パターン5320、電源パターン5330、電源パターン5340及び電源パターン5350を配線層216に有する。これらの電源パターンは、撮像ユニット3040において電源パターン3300以外の電源パターンである電源パターン3310、電源パターン3320、電源パターン3330、電源パターン3340及び電源パターン3350に対応する電源パターンである。なお、芯層5209は、撮像ユニット2040における芯層2209に対応する。絶縁層5207は、撮像ユニット2040における絶縁層2207に対応する。絶縁層5217は、撮像ユニット2040における絶縁層2217に対応する。撮像ユニット5040が有する構成要素のうち、撮像ユニット2040又は撮像ユニット3040に関連して説明した構成要素に対応する構成要素は、撮像ユニット2040又は撮像ユニット3040が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、説明を省略する場合がある。   The power supply pattern 5300 is a power supply pattern corresponding to the power supply pattern 3300. The ground pattern 5400 is a ground pattern corresponding to the ground pattern 3400. The imaging unit 5040 includes a power pattern 5310, a power pattern 5320, a power pattern 5330, a power pattern 5340, and a power pattern 5350 in the wiring layer 216 as power patterns other than the power pattern 5300. These power supply patterns are power supply patterns corresponding to the power supply pattern 3310, the power supply pattern 3320, the power supply pattern 3330, the power supply pattern 3340, and the power supply pattern 3350 which are power supply patterns other than the power supply pattern 3300 in the imaging unit 3040. The core layer 5209 corresponds to the core layer 2209 in the imaging unit 2040. The insulating layer 5207 corresponds to the insulating layer 2207 in the imaging unit 2040. The insulating layer 5217 corresponds to the insulating layer 2217 in the imaging unit 2040. Among the components included in the imaging unit 5040, the components corresponding to the components described in relation to the imaging unit 2040 or the imaging unit 3040 have the same configuration as the corresponding components included in the imaging unit 2040 or the imaging unit 3040. In some cases, the description is omitted.

電源パターン5300及びグランドパターン5400は、実装基板120の内層に設けられている。具体的には、電源パターン5300及びグランドパターン5400は、実装基板120の配線層216に設けられている。このように、電源パターン5300及びグランドパターン5400は、芯層5209及びグランドパターン3480に挟まれている。電源パターン5300及びグランドパターン5400は、芯層2209とグランドパターン3480との間に位置する。グランドパターン3480は、実装基板120に設けられ、電源パターン5300及びグランドパターン5400を覆う、グランド電位の平板状導電体の一例である。   The power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are provided in the inner layer of the mounting substrate 120. Specifically, the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are provided on the wiring layer 216 of the mounting substrate 120. As described above, the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are sandwiched between the core layer 5209 and the ground pattern 3480. The power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are located between the core layer 2209 and the ground pattern 3480. The ground pattern 3480 is an example of a flat conductor with a ground potential that is provided on the mounting substrate 120 and covers the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400.

電源パターン5300、グランドパターン5400、グランドパターン3480及び芯層5209は、いわゆるストリップライン構造を有している。この構造によれば、電源パターン5300及びグランドパターン5400が芯層5209及びグランドパターン3480によって実質的に遮蔽されるので、電磁波の遮蔽効果をより高めることができる。なお、他の実施形態と同様、電源パターン5300及びグランドパターン5400にキャパシタ182を接続しているので、電源パターン5300及びグランドパターン5400が導体で実質的に遮蔽されることにより生じる周波数応答の低下を抑制できる。   The power supply pattern 5300, the ground pattern 5400, the ground pattern 3480, and the core layer 5209 have a so-called stripline structure. According to this structure, since the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are substantially shielded by the core layer 5209 and the ground pattern 3480, the electromagnetic wave shielding effect can be further enhanced. Since the capacitor 182 is connected to the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 as in the other embodiments, the frequency response is reduced when the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 are substantially shielded by the conductor. Can be suppressed.

なお、電源パターン5300及びグランドパターン5400は、配線層216以外の他の配線層に設けられてよい。例えば、芯層5209よりz軸マイナス側の配線層であれば、電源パターン5300及びグランドパターン5400をいずれの層に設けてもよい。また、金属の芯層5209を用いずに、電源パターン5300及びグランドパターン5400を挟む2つの配線層にベタ状のグランドパターンを設けることによって、いわゆるストリップライン構造を持たせてもよい。   Note that the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 may be provided in a wiring layer other than the wiring layer 216. For example, as long as the wiring layer is on the z-axis minus side from the core layer 5209, the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 may be provided in any layer. Alternatively, a solid ground pattern may be provided in two wiring layers sandwiching the power supply pattern 5300 and the ground pattern 5400 without using the metal core layer 5209 so as to have a so-called stripline structure.

撮像ユニット3040、撮像ユニット4040及び撮像ユニット5040においては、電源パターン及びグランドパターンは同一の配線層に設けられている。しかし、電源パターン及びグランドパターンを異なる配線層に設けてもよい。例えば、電源パターンを配線層216に設けて、グランドパターンを配線層214に設けてもよい。このように、電源パターンを設けた配線層に隣接する配線層に、グランドパターンを設けてよい。電源パターンを設けた配線層とグランドパターンを設けた配線層とが近接していれば、相応の効果を期待できる。また、電磁波等を遮蔽するためには、各配線層の厚みが厚い方ことが望ましい。   In the imaging unit 3040, the imaging unit 4040, and the imaging unit 5040, the power supply pattern and the ground pattern are provided in the same wiring layer. However, the power supply pattern and the ground pattern may be provided in different wiring layers. For example, the power supply pattern may be provided on the wiring layer 216 and the ground pattern may be provided on the wiring layer 214. Thus, the ground pattern may be provided in the wiring layer adjacent to the wiring layer provided with the power supply pattern. If the wiring layer provided with the power supply pattern is close to the wiring layer provided with the ground pattern, a corresponding effect can be expected. Further, in order to shield electromagnetic waves and the like, it is desirable that each wiring layer is thicker.

図12は、フレキシブル基板600が装着された実装基板120を模式的に示す下面図である。なお、図12では、図6と同様に、実装基板120が有する構成要素のうち、コネクタ181及びキャパシタ182以外の電子部品及び配線層212等の図示は省略されている。図13は、フレキシブル基板600が装着された状態の撮像ユニット40を模式的に表す断面図である。図13は、図12のC−C断面で切断した場合の撮像ユニット40及びフレキシブル基板600の断面図である。   FIG. 12 is a bottom view schematically showing the mounting board 120 on which the flexible board 600 is mounted. In FIG. 12, as in FIG. 6, among the components included in the mounting substrate 120, illustration of electronic components other than the connector 181 and the capacitor 182, the wiring layer 212, and the like is omitted. FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the imaging unit 40 with the flexible substrate 600 attached. 13 is a cross-sectional view of the imaging unit 40 and the flexible substrate 600 when cut along the CC cross section of FIG.

フレキシブル基板600は、例えばフレキシブルプリント基板である。本実施形態のフレキシブル基板600は、片面フレキシブルプリント基板である。フレキシブル基板600は、コネクタ181に装着される。フレキシブル基板600は、撮像チップ100に供給される電流を供給する。フレキシブル基板600は、電源配線610と、グランド配線620と、複数の信号線を含む信号線群650とを有する。   The flexible substrate 600 is a flexible printed substrate, for example. The flexible board 600 of this embodiment is a single-sided flexible printed board. The flexible substrate 600 is attached to the connector 181. The flexible substrate 600 supplies a current supplied to the imaging chip 100. The flexible substrate 600 includes a power supply wiring 610, a ground wiring 620, and a signal line group 650 including a plurality of signal lines.

信号線群650は、コネクタ181に伝送された撮像チップ100からの画素信号を、ASIC52に伝送する信号線を含んでよい。また、信号線群650は、撮像チップ100を制御する制御信号を伝送する信号線を含んでよい。   The signal line group 650 may include a signal line that transmits the pixel signal from the imaging chip 100 transmitted to the connector 181 to the ASIC 52. Further, the signal line group 650 may include a signal line that transmits a control signal for controlling the imaging chip 100.

電源配線610は、撮像ユニット40の外部の電源から撮像チップ100に供給される電流を流す。フレキシブル基板600がコネクタ181に装着されている場合、電源配線610は、電源から撮像チップ100に供給される電流を、x軸マイナス方向に流す。撮像ユニット40の外部の電源は、例えば電池ユニットが有する電源回路である。電源配線610は、電源から撮像チップ100に供給される電流を第3の向きに流す配線の一例である。   The power supply wiring 610 flows a current supplied to the imaging chip 100 from a power supply external to the imaging unit 40. When the flexible substrate 600 is attached to the connector 181, the power supply wiring 610 causes a current supplied from the power supply to the imaging chip 100 to flow in the negative direction of the x axis. The power supply outside the imaging unit 40 is, for example, a power supply circuit included in the battery unit. The power supply wiring 610 is an example of a wiring that allows a current supplied from the power supply to the imaging chip 100 to flow in the third direction.

電源配線610を流れる電流は、コネクタ181の第1端子281を通じて実装基板120に供給される。具体的には、上述したように、電源配線610を流れる電流は、第1端子281及びビア等を通じて、電源パターン300が有する電源接続部302に流入する。   A current flowing through the power supply wiring 610 is supplied to the mounting substrate 120 through the first terminal 281 of the connector 181. Specifically, as described above, the current flowing through the power supply wiring 610 flows into the power supply connection portion 302 included in the power supply pattern 300 through the first terminal 281 and vias.

グランド配線620は、電源配線610を通じて撮像チップ100に供給されて撮像チップ100から電源に戻る電流を流す。具体的には、撮像チップ100から外部の電源に戻る電流は、グランド配線620に供給される。具体的には、上述したように、撮像チップ100から外部の電源に戻る電流は、コネクタ181の第2端子282を通じてグランド配線620に供給され、グランド配線620を流れて外部の電源へ戻る。   The ground wiring 620 flows a current that is supplied to the imaging chip 100 through the power wiring 610 and returns from the imaging chip 100 to the power source. Specifically, the current returning from the imaging chip 100 to the external power supply is supplied to the ground wiring 620. Specifically, as described above, the current returning from the imaging chip 100 to the external power supply is supplied to the ground wiring 620 through the second terminal 282 of the connector 181, flows through the ground wiring 620, and returns to the external power supply.

グランド配線620は、電源配線610に隣接して電源配線610に沿って設けられている。したがって、フレキシブル基板600がコネクタ181に装着されている場合、グランド配線620は、電源配線610を通じて撮像チップ100に供給されて撮像チップ100から電源に戻る電流を、x軸プラス方向に流す。グランド配線620は、電源配線610を通じて撮像チップ100に供給されて撮像チップ100から電源に戻る電流を、第3の向きとは略反対の第4の向きに流す配線の一例である。   The ground wiring 620 is provided along the power supply wiring 610 adjacent to the power supply wiring 610. Therefore, when the flexible substrate 600 is attached to the connector 181, the ground wiring 620 causes a current that is supplied to the imaging chip 100 through the power supply wiring 610 and returns from the imaging chip 100 to the power source to flow in the x-axis plus direction. The ground wiring 620 is an example of a wiring that supplies a current that is supplied to the imaging chip 100 through the power supply wiring 610 and returns from the imaging chip 100 to the power source in a fourth direction that is substantially opposite to the third direction.

図13に示されるように、フレキシブル基板600は、1つの配線層670を有する。配線層670には、電源配線610、グランド配線620及び信号線群650が設けられる。このように、電源配線610及びグランド配線620は、フレキシブル基板600が有する同一の配線層670に並んで設けられる。   As shown in FIG. 13, the flexible substrate 600 has one wiring layer 670. In the wiring layer 670, a power supply wiring 610, a ground wiring 620, and a signal line group 650 are provided. As described above, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 are provided side by side in the same wiring layer 670 included in the flexible substrate 600.

電源配線610及びグランド配線620は並んで延伸し、電源配線610を電流が流れる向きが、グランド配線620を電流が流れる向きと逆向きであり、電源配線610を流れる電流の大きさは、グランド配線620を流れる電流の大きさと実質的に等しい。したがって、電源配線610及びグランド配線620は、一対の平衡な差動線路を提供するパターン構成を有する。また、電源配線610及びグランド配線620は、隣接しているので、電源配線610及びグランド配線620は、密結合する一対の平衡な差動線路を提供する。そのため、グランド配線620を流れて電源に戻る電流による電磁界は、電源配線610を流れて撮像チップ100に供給される電流による電磁界を打ち消す方向に作用する。すなわち、電源配線610を流れて撮像チップ100に供給される電流による電磁界と、グランド配線620を流れて電源に戻る電流による電磁界とは、互いに打ち消し合う方向に作用する。したがって、電源配線610を流れる電流及びグランド配線620を流れる電流によって生じる電磁界が撮像チップ100に与える影響を抑制できる。   The power supply wiring 610 and the ground wiring 620 are extended side by side, and the direction in which the current flows through the power supply wiring 610 is opposite to the direction in which the current flows through the ground wiring 620. Substantially equal to the magnitude of the current flowing through 620. Therefore, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 have a pattern configuration that provides a pair of balanced differential lines. Further, since the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 are adjacent to each other, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 provide a pair of balanced differential lines that are tightly coupled. Therefore, the electromagnetic field due to the current flowing through the ground wiring 620 and returning to the power supply acts in a direction to cancel the electromagnetic field due to the current flowing through the power wiring 610 and supplied to the imaging chip 100. That is, the electromagnetic field due to the current flowing through the power supply wiring 610 and supplied to the imaging chip 100 and the electromagnetic field due to the current flowing through the ground wiring 620 and returning to the power supply act in a mutually canceling direction. Therefore, it is possible to suppress the influence of the electromagnetic field generated by the current flowing through the power supply wiring 610 and the current flowing through the ground wiring 620 on the imaging chip 100.

これにより、フレキシブル基板600を撮像チップ100の下方の位置に設けても、撮像チップ100に与えるノイズの影響を抑制できる。そのため、実装基板120を小型化しつつ、撮像性能の劣化を抑制できる。また、撮像ユニットを軽量化することが容易になる。また、基板設計の自由度を高めることができる。また、外部に放射される電磁波を抑制できるので、電磁適合性(EMC)における電磁放射(EMI)への対策になり得る。このように、フレキシブル基板600によれば、グランド配線620が、グランド配線620を流れて電源に戻る電流による電磁界が、電源配線610を流れて撮像チップ100に供給される電流による電磁界の少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、電源配線610に沿って設けられている。そのため、電源配線610及びグランド配線620を流れる電流が、撮像チップ100や撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   Thereby, even if the flexible substrate 600 is provided at a position below the imaging chip 100, the influence of noise on the imaging chip 100 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the imaging performance while downsizing the mounting board 120. Moreover, it becomes easy to reduce the weight of the imaging unit. Moreover, the freedom degree of a board | substrate design can be raised. Moreover, since the electromagnetic wave radiated | emitted outside can be suppressed, it can become a countermeasure to the electromagnetic radiation (EMI) in electromagnetic compatibility (EMC). As described above, according to the flexible substrate 600, the electromagnetic field caused by the current flowing through the ground wiring 620 through the ground wiring 620 and returning to the power supply is at least the electromagnetic field caused by the current flowing through the power supply wiring 610 and supplied to the imaging chip 100. It is provided along the power supply wiring 610 so that one of the directions is canceled out. Therefore, the influence of the current flowing through the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 on the outside of the imaging chip 100 and the imaging unit 40 can be suppressed.

なお、電源配線610を流れる電流の向きとグランド配線620を流れる電流の向きとは、完全に反対でなくてよい。電源配線610を流れる電流の向きとグランド配線620を流れる電流の向きとは、電磁波を互いに打ち消す方向に実質的に作用する程度に略反対であればよい。これにより、上述した電流通流部301と電流通流部401とを密結合の差動パターンを構成することにより得られる効果と同様の効果が得られる。なお、ここでは電磁波が撮像チップ100等に与える影響を主として説明したが、同様のことは磁界及び電界の少なくとも一方にも当てはまる。すなわち、グランド配線620は、グランド配線620を流れて電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、電源配線610を流れて撮像チップ100に供給される電流による磁界及び電界の少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、電源配線610に沿って設けられてよい。   The direction of the current flowing through the power supply wiring 610 and the direction of the current flowing through the ground wiring 620 need not be completely opposite. The direction of the current flowing through the power supply wiring 610 and the direction of the current flowing through the ground wiring 620 may be approximately opposite to the extent that they substantially act in the direction of canceling out electromagnetic waves. Thereby, the effect similar to the effect acquired by comprising the current carrying part 301 mentioned above and the current carrying part 401 by comprising a closely-coupled differential pattern is acquired. Here, the influence of electromagnetic waves on the imaging chip 100 and the like has been mainly described, but the same applies to at least one of a magnetic field and an electric field. That is, the ground wiring 620 has a direction in which at least one of a magnetic field and an electric field due to a current flowing through the ground wiring 620 and returning to the power supply cancels at least one of a magnetic field and an electric field due to the current flowing through the power wiring 610 and supplied to the imaging chip 100. May be provided along the power supply wiring 610.

なお、図12に示されるように、実装基板120のx軸方向の幅はWsである。すなわち、電源配線610の延伸方向に沿う方向の実装基板120の幅はWsである。フレキシブル基板600がコネクタ181に装着されている場合、フレキシブル基板600は、実装基板120と対向する位置に設けられる。実装基板120がフレキシブル基板600と対向して設けられた領域における、電源配線610の延伸方向に沿う方向の実装基板120の幅は、幅Wlで表される。ここで、Wlは、Wsの半分以下である。例えば、コネクタ181の位置は、WlがWsの半分以下になるように実装基板120に設けられる。このように、xy面内に投影した場合に実装基板120とフレキシブル基板600とが重なる部分の長さがWsの半分以下である。そのため、フレキシブル基板600から多少の電磁波が漏洩したとしても、当該電磁波が撮像チップ100に与える影響を抑制できる。   As shown in FIG. 12, the width of the mounting substrate 120 in the x-axis direction is Ws. That is, the width of the mounting substrate 120 in the direction along the extending direction of the power supply wiring 610 is Ws. When the flexible substrate 600 is attached to the connector 181, the flexible substrate 600 is provided at a position facing the mounting substrate 120. The width of the mounting substrate 120 in the direction along the extending direction of the power supply wiring 610 in the region where the mounting substrate 120 is provided facing the flexible substrate 600 is represented by a width Wl. Here, Wl is less than half of Ws. For example, the position of the connector 181 is provided on the mounting substrate 120 such that Wl is equal to or less than half of Ws. Thus, the length of the portion where the mounting substrate 120 and the flexible substrate 600 overlap when projected onto the xy plane is less than or equal to half of Ws. Therefore, even if some electromagnetic waves leak from the flexible substrate 600, the influence of the electromagnetic waves on the imaging chip 100 can be suppressed.

また、フレキシブル基板600がコネクタ181に装着されている場合、電源配線610及びグランド配線620は、垂直信号線530と略直交する。これにより、電源配線610及びグランド配線620から多少の電磁波が漏洩しても、垂直信号線530を通じて画素信号にノイズが重畳することを抑制できる。   When the flexible substrate 600 is attached to the connector 181, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 are substantially orthogonal to the vertical signal line 530. Accordingly, even if some electromagnetic waves leak from the power supply wiring 610 and the ground wiring 620, it is possible to suppress noise from being superimposed on the pixel signal through the vertical signal line 530.

なお、電源配線610及びグランド配線620の延伸方向と垂直信号線530の延伸方向とがなす角度が90°に近いほど、垂直信号線530を通じて画素信号にノイズが重畳することを抑制できる。そのため、電源配線610及びグランド配線620の延伸方向と垂直信号線530の延伸方向とがなす角度は、90°に近いことが好ましい。しかし、電源配線610及びグランド配線620が垂直信号線530と45°をなす場合でも、垂直信号線530を通じて画素信号に大きなノイズが重畳することを抑制できる。したがって、電源配線610及びグランド配線620は、フレキシブル基板600が実装基板120と対向して設けられる部分において少なくとも、垂直信号線530と45°以上90°以下の範囲内の角度をなす向きに設けられてよい。   Note that as the angle formed between the extending direction of the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 and the extending direction of the vertical signal line 530 is closer to 90 °, noise can be suppressed from being superimposed on the pixel signal through the vertical signal line 530. Therefore, the angle formed by the extending direction of the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 and the extending direction of the vertical signal line 530 is preferably close to 90 °. However, even when the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 form a 45 ° angle with the vertical signal line 530, it is possible to suppress large noise from being superimposed on the pixel signal through the vertical signal line 530. Therefore, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 are provided in an orientation that forms an angle with the vertical signal line 530 in the range of 45 ° to 90 ° at least in a portion where the flexible substrate 600 is provided facing the mounting substrate 120. It's okay.

また、フレキシブル基板600が実装基板120と対向して設けられる部分以外の部分である非対向領域では、電源配線610及びグランド配線620が垂直信号線530と直交しなくてよい。非対向領域では、電源配線610及びグランド配線620の延伸方向と垂直信号線530の延伸方向とがなす角度が45°未満であってもよい。   Further, the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 do not need to be orthogonal to the vertical signal line 530 in the non-facing region that is a portion other than the portion where the flexible substrate 600 is provided facing the mounting substrate 120. In the non-facing region, the angle formed between the extending direction of the power supply wiring 610 and the ground wiring 620 and the extending direction of the vertical signal line 530 may be less than 45 °.

図14は、フレキシブル基板700及び撮像ユニット40を模式的に表す断面図である。図14は、図13に対応する断面図である。フレキシブル基板700は、フレキシブル基板600の変形例である。フレキシブル基板700は、両面フレキシブルプリント基板の一例である。   FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing the flexible substrate 700 and the imaging unit 40. FIG. 14 is a cross-sectional view corresponding to FIG. The flexible substrate 700 is a modification of the flexible substrate 600. The flexible board 700 is an example of a double-sided flexible printed board.

フレキシブル基板700は、配線層770と、接地層780とを有する。配線層770と接地層780との間は絶縁層で絶縁されている。配線層770には、電源配線710と、グランド配線720と、複数の信号線を含む信号線群750とが設けられる。   The flexible substrate 700 has a wiring layer 770 and a ground layer 780. The wiring layer 770 and the ground layer 780 are insulated by an insulating layer. In the wiring layer 770, a power supply wiring 710, a ground wiring 720, and a signal line group 750 including a plurality of signal lines are provided.

配線層770は、配線層670に対応する。また、電源配線710は電源配線610に対応し、グランド配線720はグランド配線620に対応する。フレキシブル基板700が有する構成要素のうち、フレキシブル基板600に関連して説明した構成要素に対応する構成要素については、フレキシブル基板600が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、説明を省略する場合がある。   The wiring layer 770 corresponds to the wiring layer 670. The power supply wiring 710 corresponds to the power supply wiring 610, and the ground wiring 720 corresponds to the ground wiring 620. Among the components included in the flexible substrate 700, the components corresponding to the components described in relation to the flexible substrate 600 have the same configuration as the corresponding components included in the flexible substrate 600, and thus description thereof is omitted. There is a case.

接地層780は、少なくとも電源配線610及びグランド配線620を覆う実質的にベタ状のパターンである。接地層780は、グランド電位の平板状導電体の一例である。接地層780は、電源配線710、グランド配線720及び信号線群750を覆っている。フレキシブル基板700がコネクタ181に装着されている場合、接地層780は、配線層770と実装基板120との間に位置する。   The ground layer 780 is a substantially solid pattern that covers at least the power supply wiring 610 and the ground wiring 620. The ground layer 780 is an example of a flat conductor having a ground potential. The ground layer 780 covers the power supply wiring 710, the ground wiring 720, and the signal line group 750. When the flexible substrate 700 is attached to the connector 181, the ground layer 780 is located between the wiring layer 770 and the mounting substrate 120.

フレキシブル基板700によれば、接地層780が配線層770と実装基板120との間に位置するので、例えば電源配線710及びグランド配線720を流れる電流による浮遊フリンジ電界が撮像チップ100に到達することを接地層780で抑制できる。このように、フレキシブル基板700によれば、電源配線710及びグランド配線720で生じた電磁波を、接地層780によって遮蔽できる。したがって、電源配線710及びグランド配線720を流れる電流が撮像チップ100や、撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   According to the flexible substrate 700, since the ground layer 780 is located between the wiring layer 770 and the mounting substrate 120, for example, a floating fringe electric field caused by a current flowing through the power supply wiring 710 and the ground wiring 720 reaches the imaging chip 100. It can be suppressed by the ground layer 780. As described above, according to the flexible substrate 700, the electromagnetic wave generated in the power supply wiring 710 and the ground wiring 720 can be shielded by the ground layer 780. Therefore, the influence of the current flowing through the power supply wiring 710 and the ground wiring 720 on the outside of the imaging chip 100 and the imaging unit 40 can be suppressed.

図15は、フレキシブル基板800及び撮像ユニット40を模式的に表す断面図である。図15は、図13に対応する断面図である。フレキシブル基板800は、フレキシブル基板600の更なる変形例である。フレキシブル基板800は、両面フレキシブルプリント基板の一例である。   FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing the flexible substrate 800 and the imaging unit 40. FIG. 15 is a cross-sectional view corresponding to FIG. The flexible substrate 800 is a further modification of the flexible substrate 600. The flexible substrate 800 is an example of a double-sided flexible printed substrate.

フレキシブル基板800は、配線層870と、配線層880とを有する。配線層870と配線層880との間は絶縁層で絶縁されている。配線層870は、電源配線810を含む。配線層880は、グランド配線820を含む。配線層870及び配線層880は、複数の信号線を含む信号線群850を更に含む。   The flexible substrate 800 includes a wiring layer 870 and a wiring layer 880. The wiring layer 870 and the wiring layer 880 are insulated by an insulating layer. The wiring layer 870 includes power supply wiring 810. The wiring layer 880 includes a ground wiring 820. The wiring layer 870 and the wiring layer 880 further include a signal line group 850 including a plurality of signal lines.

配線層870は、配線層770に対応する。また、電源配線810は電源配線610に対応し、グランド配線820はグランド配線620に対応する。フレキシブル基板800が有する構成要素のうち、フレキシブル基板600に関連して説明した構成要素に対応する構成要素については、フレキシブル基板600が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、相違点を除いて説明を省略する場合がある。   The wiring layer 870 corresponds to the wiring layer 770. The power supply wiring 810 corresponds to the power supply wiring 610, and the ground wiring 820 corresponds to the ground wiring 620. Among the constituent elements of the flexible substrate 800, the constituent elements corresponding to the constituent elements described in relation to the flexible substrate 600 have the same configuration as the corresponding constituent elements of the flexible substrate 600. Explanation may be omitted.

配線層880は、配線層870に隣接する配線層である。電源配線810は、電源配線810の少なくとも一部の面と、グランド配線820の少なくとも一部の面とが向かい合うように設けられる。具体的には、電源配線810及びグランド配線820をxy平面に投影した場合、電源配線810がxy平面において占める領域とグランド配線820がxy平面において占める領域とは、少なくとも一部が重なる。xy平面に投影した場合に電源配線810及びグランド配線820が重なる領域はx軸に沿って延伸する。このように、電源配線810及びグランド配線820は、互いに略平行に延伸する。したがって、フレキシブル基板800によっても、電源配線810及びグランド配線820を流れる電流が撮像チップ100や、撮像ユニット40の外部に及ぼす影響を抑制できる。   The wiring layer 880 is a wiring layer adjacent to the wiring layer 870. The power supply wiring 810 is provided so that at least a part of the surface of the power supply wiring 810 faces at least a part of the surface of the ground wiring 820. Specifically, when the power supply wiring 810 and the ground wiring 820 are projected onto the xy plane, at least a part of the region occupied by the power supply wiring 810 in the xy plane and the region occupied by the ground wiring 820 in the xy plane overlap. A region where the power supply wiring 810 and the ground wiring 820 overlap when projected onto the xy plane extends along the x-axis. Thus, the power supply wiring 810 and the ground wiring 820 extend substantially parallel to each other. Therefore, the flexible substrate 800 can also suppress the influence of the current flowing through the power supply wiring 810 and the ground wiring 820 on the imaging chip 100 and the outside of the imaging unit 40.

図16は、フレキシブル基板900が装着された実装基板6120を模式的に示す下面図である。なお、図15は、図12に対応する下面図である。   FIG. 16 is a bottom view schematically showing the mounting substrate 6120 on which the flexible substrate 900 is mounted. FIG. 15 is a bottom view corresponding to FIG.

フレキシブル基板900は、フレキシブル基板600の更なる変形例である。フレキシブル基板800は、片面フレキシブルプリント基板の一例である。実装基板6120には、撮像チップ6100が実装されている。撮像チップ6100は、撮像チップ100の変形例である。撮像チップ6100は、撮像領域6101と、周辺領域に設けられた変換回路6550a及び変換回路6550bを有する。撮像領域6101は、撮像領域101に対応する。変換回路6550aは、変換回路550と同様に、撮像チップ6100におけるy軸マイナス側の周辺領域に設けられている。撮像チップ6100においては、y軸プラス側の周辺領域に変換回路6550bが設けられる。   The flexible substrate 900 is a further modification of the flexible substrate 600. The flexible substrate 800 is an example of a single-sided flexible printed substrate. An imaging chip 6100 is mounted on the mounting substrate 6120. The imaging chip 6100 is a modification of the imaging chip 100. The imaging chip 6100 includes an imaging region 6101 and a conversion circuit 6550a and a conversion circuit 6550b provided in the peripheral region. The imaging area 6101 corresponds to the imaging area 101. Similarly to the conversion circuit 550, the conversion circuit 6550a is provided in the peripheral region on the negative side of the y-axis in the imaging chip 6100. In the imaging chip 6100, a conversion circuit 6550b is provided in the peripheral region on the y-axis plus side.

フレキシブル基板900が有する構成要素のうち、フレキシブル基板600に関連して説明した構成要素に対応する構成要素については、フレキシブル基板600が有する対応する構成要素と同様の構成を有するので、相違点を除いて説明を省略する場合がある。また、実装基板120は、撮像チップ6100用の実装基板であり、撮像チップ6100を駆動するための構成を有している点を除いて、実装基板120と同様の構成を有する。   Among the components of the flexible substrate 900, the components corresponding to the components described in relation to the flexible substrate 600 have the same configuration as the corresponding components of the flexible substrate 600. Explanation may be omitted. The mounting substrate 120 is a mounting substrate for the imaging chip 6100 and has the same configuration as the mounting substrate 120 except that the mounting substrate 120 has a configuration for driving the imaging chip 6100.

フレキシブル基板900は、撮像チップ6100に供給される電流を供給する。フレキシブル基板900は、電源配線910と、グランド配線920と、複数の信号線を含む信号線群950と、電源配線930と、グランド配線940とを含む。   The flexible substrate 900 supplies a current supplied to the imaging chip 6100. The flexible substrate 900 includes a power supply wiring 910, a ground wiring 920, a signal line group 950 including a plurality of signal lines, a power supply wiring 930, and a ground wiring 940.

電源配線910及びグランド配線920の配線対は、フレキシブル基板900が有する配線対のうち、y軸方向の最もプラス側に位置する配線対である。電源配線930及びグランド配線940の配線対は、フレキシブル基板900が有する配線対のうち、y軸方向の最もマイナス側に位置する配線対である。   The wiring pair of the power supply wiring 910 and the ground wiring 920 is a wiring pair located on the most positive side in the y-axis direction among the wiring pairs of the flexible substrate 900. The wiring pair of the power supply wiring 930 and the ground wiring 940 is a wiring pair located on the most negative side in the y-axis direction among the wiring pairs of the flexible substrate 900.

電源配線910は、電源配線610に対応する。グランド配線920は、グランド配線620に対応する。電源配線910は、外部の電源から撮像チップ6100に供給される電流を流す。グランド配線920は、電源配線910を通じて撮像チップ6100に供給されて撮像チップ6100から電源に戻る電流を流す。   The power supply wiring 910 corresponds to the power supply wiring 610. The ground wiring 920 corresponds to the ground wiring 620. The power supply wiring 910 flows current supplied to the imaging chip 6100 from an external power supply. The ground wiring 920 supplies a current that is supplied to the imaging chip 6100 through the power supply wiring 910 and returns from the imaging chip 6100 to the power source.

特に、電源配線910は、外部の電源から撮像チップ6100の変換回路6550bに供給される電流を流す。具体的には、電源配線910を流れる電流は、コネクタ181の第1端子281を通じて実装基板6120に供給され、実装基板6120を通じて変換回路6550bに供給される。変換回路6550bから外部の電源に戻る電流は、コネクタ181の第2端子282を通じてグランド配線920に供給され、グランド配線920を流れて外部の電源へ戻る。   In particular, the power supply wiring 910 flows a current supplied from an external power supply to the conversion circuit 6550b of the imaging chip 6100. Specifically, the current flowing through the power supply wiring 910 is supplied to the mounting board 6120 through the first terminal 281 of the connector 181 and is supplied to the conversion circuit 6550b through the mounting board 6120. The current returning from the conversion circuit 6550b to the external power supply is supplied to the ground wiring 920 through the second terminal 282 of the connector 181 and flows through the ground wiring 920 to return to the external power supply.

電源配線930は、y軸マイナス側に設けられ、変換回路6550aに供給される電流を流す点で、電源配線910と相違する。グランド配線940は、y軸マイナス側に設けられ、変換回路6550aから電源に戻る電流を流す点で、グランド配線920と相違する。具体的には、電源配線930は、外部の電源から変換回路6550aに供給される電流を流す。具体的には、電源配線930を流れる電流は、コネクタ181の第n−1端子283を通じて実装基板6120に供給され、実装基板6120を通じて変換回路6550aに供給される。変換回路6550aから外部の電源に戻る電流は、コネクタ181の第n端子284を通じてグランド配線940に供給され、グランド配線940を流れて外部の電源へ戻る。   The power supply wiring 930 is provided on the negative side of the y-axis and is different from the power supply wiring 910 in that a current supplied to the conversion circuit 6550a flows. The ground wiring 940 is provided on the negative side of the y-axis and is different from the ground wiring 920 in that a current returning from the conversion circuit 6550a to the power supply is passed. Specifically, the power supply wiring 930 flows current supplied from the external power supply to the conversion circuit 6550a. Specifically, the current flowing through the power supply wiring 930 is supplied to the mounting board 6120 through the (n-1) th terminal 283 of the connector 181 and is supplied to the conversion circuit 6550a through the mounting board 6120. The current returning from the conversion circuit 6550a to the external power supply is supplied to the ground wiring 940 through the n-th terminal 284 of the connector 181 and flows through the ground wiring 940 to return to the external power supply.

電源配線610及びグランド配線620と同様に、電源配線910を流れる電流及びグランド配線920を流れる電流は、互いに電磁波を打ち消し合う方向に作用する。また、電源配線930を流れる電流及びグランド配線940を流れる電流も、互いに電磁波を打ち消し合う方向に作用する。そのため、フレキシブル基板600と同様、電源配線910、グランド配線920、電源配線930及びグランド配線940を流れる電流が、撮像チップ6100や外部に及ぼす影響を抑制できる。   Similar to the power supply wiring 610 and the ground wiring 620, the current flowing through the power supply wiring 910 and the current flowing through the ground wiring 920 act in a direction in which electromagnetic waves cancel each other. Further, the current flowing through the power supply wiring 930 and the current flowing through the ground wiring 940 also act in a direction in which electromagnetic waves cancel each other. Therefore, similarly to the flexible substrate 600, the influence of the current flowing through the power supply wiring 910, the ground wiring 920, the power supply wiring 930, and the ground wiring 940 on the imaging chip 6100 and the outside can be suppressed.

更に、フレキシブル基板900によれば、電源配線910及びグランド配線920は、フレキシブル基板900が有する他の配線より変換回路6550bに近い側に位置する。また、電源配線930及びグランド配線940は、フレキシブル基板900が有する他の配線より変換回路6550aに近い側に位置する。そのため、実装基板6120内において大電流が流れる経路を短くすることができる。これにより、実装基板6120内を流れる電流が、撮像チップ6100や外部に及ぼす影響をより抑制できる。   Furthermore, according to the flexible substrate 900, the power supply wiring 910 and the ground wiring 920 are located closer to the conversion circuit 6550b than the other wirings included in the flexible substrate 900. The power supply wiring 930 and the ground wiring 940 are located closer to the conversion circuit 6550a than the other wirings included in the flexible substrate 900. Therefore, a path through which a large current flows in the mounting substrate 6120 can be shortened. Thereby, the influence which the electric current which flows through the mounting substrate 6120 exerts on the imaging chip 6100 and the outside can be further suppressed.

なお、フレキシブル基板900の変形例として、フレキシブル基板700及びフレキシブル基板800の少なくとも一方が有する両面フレキシブルプリント基板の構成を適用できる。また、上述したフレキシブル基板600、フレキシブル基板700、フレキシブル基板800及びフレキシブル基板900の任意の一つを、撮像ユニット2040、撮像ユニット3040、撮像ユニット4040及び撮像ユニット5040のいずれにも適用できる。   Note that, as a modification of the flexible substrate 900, a double-sided flexible printed circuit board which at least one of the flexible circuit board 700 and the flexible circuit board 800 has can be applied. Further, any one of the flexible substrate 600, the flexible substrate 700, the flexible substrate 800, and the flexible substrate 900 described above can be applied to any of the imaging unit 2040, the imaging unit 3040, the imaging unit 4040, and the imaging unit 5040.

以上の説明では主として、カウンタ552に電流を供給するための電源パターン及びグランドパターンを取り上げて説明した。しかし、カウンタ552は、電源電流が供給される電子部品の一例である。例えば、撮像チップ100が、アナログの画素信号に対してCDS処理を行うアナログCDS回路を有する場合、当該アナログCDS回路に対して、上述した電源パターン及びグランドパターンの構成を適用してよい。また、カウンタ552やアナログCDS回路に限らず、他の電子部品に対して、上述した電源パターン及びグランドパターンの構成を適用できることは言うまでもない。   In the above description, the power supply pattern and ground pattern for supplying current to the counter 552 have been mainly described. However, the counter 552 is an example of an electronic component to which a power supply current is supplied. For example, when the imaging chip 100 includes an analog CDS circuit that performs CDS processing on an analog pixel signal, the configuration of the power supply pattern and the ground pattern described above may be applied to the analog CDS circuit. Needless to say, the configurations of the power supply pattern and the ground pattern described above can be applied not only to the counter 552 and the analog CDS circuit but also to other electronic components.

なお、撮像チップ100を実装する方法としては、フリップチップ実装を適用してもよい。また、撮像チップ100の実装基板は、コア基板に限られず、様々な基板を実装基板として適用できる。また、撮像チップ100を実装する第1基板を、コネクタ等の電子部品を実装する第2基板に実装した構成の撮像ユニットにも、上述した電源パターン及びグランドパターンの構成を適用できる。   Note that flip-chip mounting may be applied as a method of mounting the imaging chip 100. Further, the mounting substrate of the imaging chip 100 is not limited to the core substrate, and various substrates can be applied as the mounting substrate. Further, the configuration of the power supply pattern and the ground pattern described above can also be applied to an imaging unit having a configuration in which the first substrate on which the imaging chip 100 is mounted is mounted on the second substrate on which an electronic component such as a connector is mounted.

以上においては、レンズユニット20及びカメラボディ30を含むカメラ10を、撮像装置の一例として取り上げて説明した。しかし、撮像装置とは、レンズユニット20を含まなくてよい。例えば、カメラボディ30は撮像装置の一例である。また、撮像装置とは、一眼レフレックスカメラ等のレンズ交換式の撮像装置の他に、レンズ非交換式の撮像装置を含む概念である。   In the above, the camera 10 including the lens unit 20 and the camera body 30 has been described as an example of an imaging apparatus. However, the imaging device may not include the lens unit 20. For example, the camera body 30 is an example of an imaging device. The imaging device is a concept that includes a lens non-exchangeable imaging device in addition to a lens-exchangeable imaging device such as a single-lens reflex camera.

また、撮像ユニットは、電子ユニットの一例である。上述した電源パターン及びグランドパターンを有する構成を、撮像ユニット以外の様々な電子ユニットに適用できる。また、撮像装置は、電子機器の一例である。電子機器は、上述した電源パターン及びグランドパターンの構成を有する電子ユニットを備えてよい。   The imaging unit is an example of an electronic unit. The configuration having the power supply pattern and the ground pattern described above can be applied to various electronic units other than the imaging unit. The imaging device is an example of an electronic device. The electronic device may include an electronic unit having the configuration of the power supply pattern and the ground pattern described above.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The execution order of each process such as operation, procedure, step, and stage in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the specification, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for the sake of convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 カメラ、20 レンズユニット、22 光軸、24 レンズ側マウント、26 ボディ側マウント、30 カメラボディ、31 ミラーユニット、32 メインミラー、33 サブミラー、38 シャッタユニット、40 撮像ユニット、51 MPU、52 ASIC、60 ミラーボックス、62 基板、70 結像光学系、72 焦点検出センサ、80 ピント板、82 ペンタプリズム、84 ファインダ光学系、86 ファインダ窓、88 表示部
100 撮像チップ、101 撮像領域、102 周辺領域、110 ワイヤ
111 第1主面、112 第2主面
120 実装基板
121 第1層、122 第2層
131 ビア
138 開口部
140 フレーム
141 第1面、142 第2面、143 第3面、144 第4面、145 第5面、146 第6面
147 位置決め穴、148 取付穴、150 ブラケット、160 カバーガラス
201、211 ソルダレジスト層
202、204、206、212、214、216 配線層
203、205、213、215 絶縁層
209 芯層
240 ボンディングリード
181 コネクタ、182 キャパシタ、183 抵抗、184 トランジスタ
281 第1端子、282 第2端子、283 第n−1端子、284 第n端子
300、310、320、330、340、350、360 電源パターン
301 電流通流部、302 電源接続部、303 チップ接続部
400、480、490 グランドパターン
401 電流通流部、402 電源接続部、403 チップ接続部
500 画素部、501 単位セル、510 行リセット線、520 行選択線、530 垂直信号線、540 処理回路部、550 変換回路、551 比較器、552 カウンタ、560 駆動信号生成部、570 周辺回路部、580 走査回路部、590 出力回路部
2040、3040、4040、5040 撮像ユニット
2207、2217 絶縁層、2209 芯層
3300、3310、3320、3330、3340、3350 電源パターン
3400、3480 グランドパターン
4131 ビア、4500 ガードパターン
5300、5310、5320、5330、5340、5350 電源パターン
5400 グランドパターン
5207、5217 絶縁層、5209 芯層
電源パターン
10 Camera, 20 Lens unit, 22 Optical axis, 24 Lens side mount, 26 Body side mount, 30 Camera body, 31 Mirror unit, 32 Main mirror, 33 Sub mirror, 38 Shutter unit, 40 Imaging unit, 51 MPU, 52 ASIC, 60 mirror box, 62 substrate, 70 imaging optical system, 72 focus detection sensor, 80 focus plate, 82 penta prism, 84 finder optical system, 86 finder window, 88 display unit 100 imaging chip, 101 imaging area, 102 peripheral area, 110 Wire 111 First main surface, 112 Second main surface 120 Mounting substrate 121 First layer, 122 Second layer 131 Via 138 Opening 140 Frame 141 First surface, 142 Second surface, 143 Third surface, 144 Fourth Surface, 145 5th surface, 146 6th surface 147 Positioning 148 Mounting hole, 150 Bracket, 160 Cover glass 201, 211 Solder resist layer 202, 204, 206, 212, 214, 216 Wiring layer 203, 205, 213, 215 Insulating layer 209 Core layer 240 Bonding lead 181 Connector, 182 Capacitor , 183 Resistor, 184 Transistor 281 1st terminal, 282 2nd terminal, 283 n-1 terminal, 284 nth terminal 300, 310, 320, 330, 340, 350, 360 Power supply pattern 301 Current carrying part, 302 Power supply Connection part, 303 Chip connection part 400, 480, 490 Ground pattern 401 Current conduction part, 402 Power supply connection part, 403 Chip connection part 500 Pixel part, 501 Unit cell, 510 row reset line, 520 row selection line, 530 Vertical signal Line, 540 Processing circuit section 550 conversion circuit, 551 comparator, 552 counter, 560 drive signal generation unit, 570 peripheral circuit unit, 580 scanning circuit unit, 590 output circuit unit 2040, 3040, 4040, 5040 imaging unit 2207, 2217 insulating layer, 2209 core layer 3300, 3310, 3320, 3330, 3340, 3350 Power supply pattern 3400, 3480 Ground pattern 4131 Via, 4500 Guard pattern 5300, 5310, 5320, 5330, 5340, 5350 Power supply pattern 5400 Ground pattern 5207, 5217 Insulating layer, 5209 Core layer Power supply pattern

Claims (30)

基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
前記基板に設けられ、第1電源から前記電子部品に供給される電流を第1の向きに流す第1配線と、
前記第1配線に沿って前記基板に設けられ、前記第1配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を、前記第1配線の近傍で前記第1の向きとは略反対の第2の向きに流す第2配線と
を備える電子ユニット。
A substrate,
Electronic components provided on the substrate;
A first wiring provided on the substrate and configured to flow a current supplied from a first power source to the electronic component in a first direction;
A current that is provided on the substrate along the first wiring, is supplied to the electronic component through the first wiring, and returns from the electronic component to the first power source in the first direction in the vicinity of the first wiring. And a second wiring that flows in a second direction substantially opposite to the electronic unit.
基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
前記基板に設けられ、第1電源から前記電子部品に供給される電流を流す第1配線と、
前記基板に設けられ、前記第1配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を流す第2配線と
を備え、
前記第2配線は、前記第2配線を流れて前記第1電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、前記第1配線を流れて前記電子部品に供給される電流による磁界及び電界の前記少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、前記第1配線に沿って設けられる
電子ユニット。
A substrate,
Electronic components provided on the substrate;
A first wiring that is provided on the substrate and allows a current supplied from a first power source to the electronic component;
A second wiring that is provided on the substrate and is supplied to the electronic component through the first wiring and flows a current returning from the electronic component to the first power source;
In the second wiring, at least one of a magnetic field and an electric field due to a current flowing through the second wiring and returning to the first power source is a magnetic field and an electric field due to a current flowing through the first wiring and supplied to the electronic component. An electronic unit provided along the first wiring so as to be in a direction to cancel at least one.
前記第1配線は、前記基板が有する第1の配線層に形成された電源パターンであり、
前記第2配線は、前記第1の配線層に隣接する第2の配線層に形成されたグランドパターンである
請求項1または2に記載の電子ユニット。
The first wiring is a power supply pattern formed in a first wiring layer of the substrate,
The electronic unit according to claim 1, wherein the second wiring is a ground pattern formed in a second wiring layer adjacent to the first wiring layer.
前記グランドパターンは、前記グランドパターンの少なくとも一部の面と、前記電源パターンの少なくとも一部の面とが向かい合うように設けられる
請求項3に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to claim 3, wherein the ground pattern is provided such that at least a part of the ground pattern faces at least a part of the power pattern.
前記第1配線は、前記基板が有する1つの配線層に形成された電源パターンであり、
前記第2配線は、前記1つの配線層に形成され、前記電源パターンの近傍に位置するグランドパターンである
請求項1又は2に記載の電子ユニット。
The first wiring is a power supply pattern formed in one wiring layer of the substrate,
3. The electronic unit according to claim 1, wherein the second wiring is a ground pattern formed in the one wiring layer and positioned in the vicinity of the power supply pattern.
前記グランドパターンは、前記電源パターンが延伸する方向に略平行な方向に延伸する
請求項3から5のいずれか一項に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to any one of claims 3 to 5, wherein the ground pattern extends in a direction substantially parallel to a direction in which the power supply pattern extends.
第2電源から前記電子部品に供給された電流が前記電子部品から戻ってくる第3配線
をさらに備え、
前記第1配線から前記電子部品に供給される電流の瞬時値は、前記第2電源から前記電子部品に供給される電流の瞬時値より大きく、
前記第3配線は、ベタ状のグランドパターンで形成される
請求項3から6のいずれか一項に記載の電子ユニット。
A third wiring from which a current supplied from the second power source to the electronic component returns from the electronic component;
The instantaneous value of the current supplied from the first wiring to the electronic component is larger than the instantaneous value of the current supplied from the second power source to the electronic component,
The electronic unit according to claim 3, wherein the third wiring is formed with a solid ground pattern.
前記1つの配線層に、前記電源パターン及び前記グランドパターンに沿って形成されたグランド電位の第3配線と、
前記1つの配線層に、前記電源パターン及び前記グランドパターンに沿って形成されたグランド電位の第4配線と
を更に有し、
前記電源パターンは、前記第3配線と前記グランドパターンとの間に位置し、
前記グランドパターンは、前記第4配線と前記電源パターンとの間に位置する
請求項5に記載の電子ユニット。
A third wiring having a ground potential formed along the power supply pattern and the ground pattern on the one wiring layer;
The one wiring layer further includes a fourth wiring having a ground potential formed along the power supply pattern and the ground pattern,
The power supply pattern is located between the third wiring and the ground pattern,
The electronic unit according to claim 5, wherein the ground pattern is located between the fourth wiring and the power supply pattern.
前記第3配線と前記電源パターンとの間の距離は、前記電源パターンと前記グランドパターンとの間の距離の2倍より大きく、
前記第4配線と前記グランドパターンとの間の距離は、前記電源パターンと前記グランドパターンとの間の距離の2倍より大きい
請求項8に記載の電子ユニット。
The distance between the third wiring and the power supply pattern is greater than twice the distance between the power supply pattern and the ground pattern,
The electronic unit according to claim 8, wherein a distance between the fourth wiring and the ground pattern is greater than twice a distance between the power supply pattern and the ground pattern.
前記基板に設けられ、前記第1配線及び前記第2配線と前記電子部品との間に位置して前記第1配線及び前記第2配線を覆う、グランド電位の第1の平板状導電体
を更に備える請求項1から9のいずれか一項に記載の電子ユニット。
A first flat conductor having a ground potential, which is provided on the substrate and is located between the first wiring and the second wiring and the electronic component and covers the first wiring and the second wiring; The electronic unit according to claim 1, further comprising an electronic unit.
前記基板に設けられ、前記第1配線及び前記第2配線を覆う、グランド電位の第2の平板状導電体
を更に備え、
前記第1配線及び前記第2配線は、前記第1の平板状導電体と前記第2の平板状導電体との間に位置する
請求項10に記載の電子ユニット。
A second plate-like conductor having a ground potential provided on the substrate and covering the first wiring and the second wiring;
The electronic unit according to claim 10, wherein the first wiring and the second wiring are located between the first flat conductor and the second flat conductor.
前記第2の平板状導電体は、前記基板が有するベタ状の配線層である
請求項11に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to claim 11, wherein the second flat conductor is a solid wiring layer included in the substrate.
前記基板は、金属コア層を含むコア基板であり、
前記第1の平板状導電体は、前記金属コア層である
請求項10から12のいずれか1項に記載の電子ユニット。
The substrate is a core substrate including a metal core layer;
The electronic unit according to claim 10, wherein the first flat conductor is the metal core layer.
前記電子部品は、
第1の電子回路と、
前記第1の電子回路とは異なる位置に設けられた第2の電子回路と
を有し、
前記第1配線は、前記第1の電子回路に電流を供給し、
前記電子ユニットは、
前記基板に設けられ、前記第1の電子回路に供給される電流を流す第1の端子対と、前記第2の電子回路に供給される電流を流す第2の端子対と有するコネクタ
をさらに備え、
前記第1の端子対は、前記第2の端子対より、前記第1の電子回路に近い側に位置し、
前記第2の端子対は、前記第1の端子対より、前記第2の電子回路に近い側に位置する
請求項1から13のいずれか一項に記載の電子ユニット。
The electronic component is
A first electronic circuit;
A second electronic circuit provided at a position different from the first electronic circuit,
The first wiring supplies current to the first electronic circuit;
The electronic unit is
The connector further includes a first terminal pair that is provided on the substrate and flows a current supplied to the first electronic circuit, and a second terminal pair that flows a current supplied to the second electronic circuit. ,
The first terminal pair is located closer to the first electronic circuit than the second terminal pair,
The electronic unit according to any one of claims 1 to 13, wherein the second terminal pair is located closer to the second electronic circuit than the first terminal pair.
前記電子部品は、撮像素子である
請求項1から14のいずれか一項に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to claim 1, wherein the electronic component is an image sensor.
前記第1配線及び前記第2配線は、前記撮像素子が有する画素部の下方に位置する
請求項15に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to claim 15, wherein the first wiring and the second wiring are located below a pixel portion included in the imaging element.
前記撮像素子は、生成した画素信号を処理する処理回路を有し、
前記第1配線は、前記処理回路に前記第1電源から供給される電流を流す
請求項15又は16に記載の電子ユニット。
The image sensor has a processing circuit for processing the generated pixel signal,
The electronic unit according to claim 15, wherein the first wiring passes a current supplied from the first power supply to the processing circuit.
前記撮像素子は、画素信号を出力する画素素子及び前記画素信号を伝送する垂直信号線を有し、
前記電子ユニットは、
前記基板において前記撮像素子が設けられた面と略平行に設けられ、前記第1配線に接続された第1接続配線と、
前記基板において前記撮像素子が設けられた面と略平行に設けられ、前記第2配線に接続された第2接続配線と、
前記第1接続配線と前記第1配線との接続部分の近傍と、前記第2接続配線と前記第2配線と接続部分の近傍との間に接続されたキャパシタと
をさらに備え、
前記第1接続配線は、前記第1配線と前記撮像素子との間の電流経路において、前記第1配線と前記撮像素子との間に位置し、
前記第2接続配線は、前記第2配線と前記撮像素子との間の電流経路において、前記第2配線と前記撮像素子との間に位置し、
前記第1接続配線は、前記キャパシタから前記撮像素子に供給される電流を、前記垂直信号線が前記画素信号を伝送する伝送方向に略直交する方向に流し、
前記第2接続配線は、前記キャパシタから前記撮像素子に供給され前記撮像素子から戻る電流を、前記伝送方向に略直交する方向に流す
請求項15から17のいずれか一項に記載の電子ユニット。
The imaging element has a pixel element that outputs a pixel signal and a vertical signal line that transmits the pixel signal,
The electronic unit is
A first connection wiring provided substantially parallel to a surface of the substrate on which the imaging element is provided and connected to the first wiring;
A second connection wiring provided substantially parallel to a surface of the substrate on which the imaging element is provided and connected to the second wiring;
A capacitor connected between the vicinity of the connection portion between the first connection wiring and the first wiring; and the capacitor connected between the second connection wiring and the second wiring and the vicinity of the connection portion;
The first connection wiring is located between the first wiring and the image sensor in a current path between the first wiring and the image sensor,
The second connection wiring is located between the second wiring and the image sensor in a current path between the second wiring and the image sensor,
The first connection wiring flows a current supplied from the capacitor to the imaging element in a direction substantially orthogonal to a transmission direction in which the vertical signal line transmits the pixel signal,
The electronic unit according to any one of claims 15 to 17, wherein the second connection wiring causes a current supplied from the capacitor to the imaging device and returning from the imaging device to flow in a direction substantially orthogonal to the transmission direction.
前記基板に装着され、電子部品に供給される電流を供給するフレキシブル基板
を更に備え、
前記フレキシブル基板は、
前記第1電源から前記電子部品に供給される電流を第3の向きに流す第3配線と、
前記第3配線に隣接して前記第3配線に沿って設けられ、前記第3配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を、前記第3の向きとは略反対の第4の向きに流す第4配線と
を有する請求項1から18のいずれか1項に記載の電子ユニット。
A flexible substrate that is mounted on the substrate and supplies a current supplied to the electronic component;
The flexible substrate is
A third wiring for flowing a current supplied from the first power source to the electronic component in a third direction;
The third direction is a current provided along the third wiring adjacent to the third wiring and supplied to the electronic component through the third wiring and returning from the electronic component to the first power source. The electronic unit according to any one of claims 1 to 18, further comprising a fourth wiring that flows in a substantially opposite fourth direction.
前記基板に装着され、前記基板を通じて前記電子部品に供給される電流を供給するフレキシブル基板
を更に備え、
前記フレキシブル基板は、
前記第1電源から前記電子部品に供給される電流を流す第3配線と、
前記第3配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を流す第4配線と
を有し、
前記第4配線は、前記第4配線を流れて前記第1電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、前記第3配線を流れて前記電子部品に供給される電流による磁界及び電界の前記少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、前記第3配線に沿って設けられる
請求項1から18のいずれか1項に記載の電子ユニット。
A flexible board that is mounted on the board and supplies a current supplied to the electronic component through the board;
The flexible substrate is
A third wiring for flowing a current supplied from the first power source to the electronic component;
A fourth wiring for supplying a current that is supplied to the electronic component through the third wiring and returns from the electronic component to the first power source;
The fourth wiring is configured such that at least one of a magnetic field and an electric field caused by a current flowing through the fourth wiring and returning to the first power source has a magnetic field and an electric field caused by a current flowing through the third wiring and supplied to the electronic component. 19. The electronic unit according to claim 1, wherein the electronic unit is provided along the third wiring so that at least one of the directions is canceled.
前記第3配線及び前記第4配線は、前記フレキシブル基板が有する同一の配線層に並んで設けられる
請求項19または20に記載の電子ユニット。
The electronic unit according to claim 19 or 20, wherein the third wiring and the fourth wiring are provided side by side in the same wiring layer of the flexible substrate.
前記フレキシブル基板は、接地層を有し、
前記接地層は、前記配線層と前記基板との間に位置する
請求項21に記載の電子ユニット。
The flexible substrate has a ground layer,
The electronic unit according to claim 21, wherein the ground layer is located between the wiring layer and the substrate.
前記フレキシブル基板は、
前記第3配線が設けられた第1配線層と、
前記第1配線層に隣接し、前記第4配線が設けられた第2配線層と
を有し、
前記第3配線は、前記第3配線の少なくとも一部の面と、前記第4配線の少なくとも一部の面とが向かい合うように設けられる
請求項19または20に記載の電子ユニット。
The flexible substrate is
A first wiring layer provided with the third wiring;
A second wiring layer adjacent to the first wiring layer and provided with the fourth wiring;
21. The electronic unit according to claim 19, wherein the third wiring is provided so that at least a part of the third wiring faces at least a part of the fourth wiring.
前記フレキシブル基板は、前記基板に対向して設けられ、
前記基板が前記フレキシブル基板と対向する領域における、前記第3配線の延伸方向に沿う方向の前記基板の幅は、前記第3配線の延伸方向に沿う方向の幅の半分以下である
請求項19から23のいずれか1項に記載の電子ユニット。
The flexible substrate is provided facing the substrate,
The width of the substrate in the direction along the extending direction of the third wiring in a region where the substrate faces the flexible substrate is less than or equal to half of the width in the direction along the extending direction of the third wiring. 24. The electronic unit according to any one of 23.
前記電子部品は、画素信号を出力する画素素子及び前記画素信号を伝送する垂直信号線を有する撮像素子であり、
前記第3配線及び前記第4配線は、前記フレキシブル基板が前記基板と対向して設けられる部分において少なくとも、前記垂直信号線と45°以上90°以下の範囲内の角度をなす向きに設けられる
請求項19から24いずれか1項に記載の電子ユニット。
The electronic component is an image sensor having a pixel element that outputs a pixel signal and a vertical signal line that transmits the pixel signal,
The third wiring and the fourth wiring are provided in a direction at least at an angle within a range of 45 ° to 90 ° with the vertical signal line in a portion where the flexible substrate is provided to face the substrate. Item 25. The electronic unit according to any one of Items 19 to 24.
前記電子部品は、生成した画素信号を処理する処理回路を有する撮像素子であり、
前記第3配線及び前記第4配線は、前記フレキシブル基板が有する他の配線より前記処理回路に近い側に位置する
請求項19から25のいずれか1項に記載の電子ユニット。
The electronic component is an image sensor having a processing circuit that processes the generated pixel signal,
The electronic unit according to any one of claims 19 to 25, wherein the third wiring and the fourth wiring are located closer to the processing circuit than other wirings of the flexible substrate.
基板と、
前記基板に設けられ、画素信号を出力する画素素子及び前記画素信号を伝送する垂直信号線を有する撮像素子と、
前記基板において前記撮像素子が設けられた面と略平行に設けられ、前記撮像素子及び前記基板に設けられた他の電子部品の少なくとも一方に、少なくともキャパシタから供給される電流を、前記垂直信号線が前記画素信号を伝送する方向に略直交する方向に流す配線と
を備える電子ユニット。
A substrate,
An image sensor provided on the substrate and having a pixel element for outputting a pixel signal and a vertical signal line for transmitting the pixel signal;
A current supplied from at least a capacitor to at least one of the imaging device and another electronic component provided on the substrate is provided substantially parallel to a surface of the substrate on which the imaging device is provided. An electronic unit comprising a wiring that flows in a direction substantially orthogonal to a direction in which the pixel signal is transmitted.
請求項15から18及び25から27のいずれか一項に記載の電子ユニットを備える撮像装置。   An imaging device comprising the electronic unit according to any one of claims 15 to 18 and 25 to 27. 第1電源から電子部品に供給される電流を第1の向きに流す第1配線と、
前記第1配線に隣接して前記第1配線に沿って設けられ、前記第1配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を、前記第1の向きとは略反対の第2の向きに流す第2配線と
を有するフレキシブル基板。
A first wiring for flowing a current supplied from the first power source to the electronic component in a first direction;
The first direction is a current provided along the first wiring adjacent to the first wiring and supplied to the electronic component through the first wiring and returning from the electronic component to the first power source. A flexible substrate having a second wiring that flows in a substantially opposite second direction.
第1電源から電子部品に供給される電流を流す第1配線と、
前記第1配線を通じて前記電子部品に供給されて前記電子部品から前記第1電源に戻る電流を流す第2配線と
を有し、
前記第2配線は、前記第2配線を流れて前記第1電源に戻る電流による磁界及び電界の少なくとも一方が、前記第1配線を流れて前記電子部品に供給される電流による磁界及び電界の前記少なくとも一方を打ち消す向きになるよう、前記第1配線に沿って設けられる
フレキシブル基板。
A first wiring for flowing a current supplied from the first power source to the electronic component;
A second wiring for supplying a current that is supplied to the electronic component through the first wiring and returns from the electronic component to the first power source;
In the second wiring, at least one of a magnetic field and an electric field due to a current flowing through the second wiring and returning to the first power source is a magnetic field and an electric field due to a current flowing through the first wiring and supplied to the electronic component. A flexible substrate provided along the first wiring so as to be in a direction to cancel at least one.
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