JP2017103389A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一観点によれば、基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極とを含む載置台を有し、前記基板本体は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスからなり、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上である。
また、その開示の他の観点によれば、チャンバと、前記チャンバの内部に配置された静電チャックとを備え、前記静電チャックは、前記チャンバ内で処理される基板が載置される載置台を有し、前記載置台は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスから形成された基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極と、を含み、前記基板本体は、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上である。
Claims (4)
- 基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極とを含む載置台を有し、
前記基板本体は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスからなり、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上であること、を特徴とする静電チャック。 - 前記基板本体は、相対密度が９２％〜９６％であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
- 前記基板本体は、前記酸化イットリウムの含有率が０．３ｗｔ％〜０．９ｗｔ％であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
- チャンバと、
前記チャンバの内部に配置された静電チャックと
を備え、
前記静電チャックは、前記チャンバ内で処理される基板が載置される載置台を有し、
前記載置台は、
酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスから形成された基板本体と、
前記基板本体に内設された静電電極と、
を含み、
前記基板本体は、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上であることを特徴とする半導体製造装置。
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