JP2017083797A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１の導電層と、
   第２の導電層と、
   第３の導電層と、
   前記第２の導電層に接続された第４の導電層と、前記第３の導電層に接続された第５の導電層と、第４の導電層と第５の導電層との間の誘電体膜とを有する第１容量と、
   前記第２の導電層をシールドする第６の導電層と、
   前記第２の導電層と前記第６の導電層との間に形成される第２容量と、
   前記第３の導電層と前記第１の導電層とに対応して設けられた画素回路と、を有し、
   前記画素回路は、
   駆動トランジスターを含む複数のトランジスターと、
   発光素子と、を備え、
   前記第２の導電層と前記第６の導電層とは同層に形成され、
   前記第１容量の前記第４の導電層は、前記第２の導電層と異なる層に形成され、
   前記第１容量の前記第５の導電層は、前記第４の導電層と異なる層に形成される、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１容量と前記第２容量は、前記画素回路の表示領域内に位置している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２の導電層には、二以上の前記第３の導電層が、それぞれ前記第１容量を介して接続され、前記第３の導電層を介して同一の前記第２の導電層に接続された前記画素回路の集合を画素列とし、前記画素列に含まれる前記画素回路の個数よりも少ない個数の前記画素回路を一つのブロックとすると、前記第３の導電層は、各ブロックに対して設けられてなる
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１容量は、前記第３の導電層ごとに設けられている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記第１容量は、前記トランジスターのソース電極が形成された層よりも上層に形成される、
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 走査線と、
   第１データ転送線と、
   第２データ転送線と、
   前記第１データ転送線に接続された第１電極と、前記第２データ転送線に接続された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体膜とを有する第１容量と、
   前記第１データ転送線をシールドするシールド線と、
   前記第１データ転送線と前記シールド線との間に形成される第２容量と、
   前記走査線と前記第２データ転送線とに対応して設けられた画素回路と、を有し、
   前記画素回路は、
   駆動トランジスターを含む複数のトランジスターと、
   発光素子と、を備え、
   前記第１データ転送線と前記シールド線とは同層に形成され、
   前記第１容量の前記第１電極は、前記第１データ転送線と異なる層に形成され、
   前記第１容量の前記第２電極は、前記第１電極と異なる層に形成される、
   ことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電気光学装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。