JP2017082173A - 硬化膜形成用樹脂材料、硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子 - Google Patents

硬化膜形成用樹脂材料、硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子 Download PDF

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Abstract

【課題】電子ペーパー等のフレキシブルディスプレイの基板として用いる、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性などの一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂材料、並びに前記樹脂材料を用いた硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子の提供。【解決手段】酸性基を有する構造単位、並びに式(1−1)で表される基及び式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位を含む重合体を含有する硬化膜形成用樹脂材料。(R1はH、ハロゲン原子、ヒドロキシ又はC1〜6のアルコキシ;R2及びR3は夫々独立にH、ハロゲン、アルキル等である。A1及びA2は、ハロゲン、ヒドロキシ等)【選択図】なし

Description

本発明は、硬化膜形成用樹脂材料、硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子に関する。
近年、電子ペーパー等のフレキシブルディスプレイが注目され、フレキシブルディスプレイの基板として、ポリエチレンテレフタレート等を用いたプラスチック製の基板が検討されている。この基板は加熱時に伸張又は収縮を起こすため、製造プロセスの低温化が検討されている。中でも、製造プロセス上最も高温となる層間絶縁膜等の硬化膜の形成工程における焼成温度の低温化が求められている。
このような焼成温度の低温化が可能な硬化膜の材料として、パターン形成時の工程数が少なく、かつ高い表面硬度が得られる感放射線性樹脂組成物が用いられ、例えばカルボキシ基及びエポキシ基を含む共重合体を含有する感放射線性樹脂組成物が知られている(特開2001−354822号公報参照)。このような感放射線性樹脂組成物においては、カルボキシ基とエポキシ基とが反応することで硬化膜としての表面硬度が得られるように構成されている。しかしながら、上述の共重合体を含有する感放射線性樹脂組成物にあっては、感放射線性樹脂組成物の保存の際にもカルボキシ基とエポキシ基が反応してしまい増粘するという、保存安定性の低下を引き起こすおそれがある。
そこで、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性(光の透過率が高いこと)及び低誘電性(比誘電率が低いこと)等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂組成物が求められている。このような材料としては、フッ素化アルキルアルコール構造と架橋性基とを含む共重合体を含有する硬化膜形成用組成物が知られている(特開2014−152192号公報参照)。このような硬化膜形成用組成物においては、上記フッ素化アルキルアルコール構造とエポキシ基のような架橋性基とが反応することで硬化するように構成されている。しかしながら、この硬化膜形成用組成物にあっては、上記フッ素化アルキルアルコール構造とエポキシ基との反応性が、カルボキシ基とエポキシ基との反応性に比べてやや劣るため、得られる硬化膜の耐熱性や耐薬品性の低下を引き起こすおそれがある。
特開2001−354822号公報 特開2014−152192号公報
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂材料、並びにこれを用いた硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子を提供することである。
上記課題を解決するためになされた発明は、酸性基を有する構造単位(以下、「構造単位(I)ともいう。))、並びに下記式(1−1)で表される基及び下記式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位(以下、「構造単位(II)ともいう。)を含む重合体(以下、「[A]重合体」ともいう。)を含有する硬化膜形成用樹脂材料である。
Figure 2017082173
(上記式(1−1)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n1は、0〜4の整数である。*は、結合部位を示す。
上記式(1−2)中、R、R及びRは、上記式(1−1)と同義である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n2は、0〜6の整数である。*は結合位を示す。)
上記課題を解決するためになされた別の発明は、上記硬化膜形成用樹脂材料を用い、基板上に塗膜を形成する工程、及び上記塗膜を加熱する工程を備える硬化膜の形成方法である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記硬化膜形成用樹脂材料を用い、基板上に塗膜を形成する工程、上記塗膜の一部に放射線を照射する工程、上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び上記現像された塗膜を加熱する工程を備える硬化膜の形成方法である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記硬化膜形成用樹脂材料から形成された硬化膜である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記硬化膜を備える半導体素子である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記半導体素子を備える表示素子である。
本発明は、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂材料、並びにこれを用いた硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子を提供することができる。従って、本発明は、フレキシブルディスプレイなどの電子デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。
本発明の一実施形態に係る硬化膜形成用樹脂材料は、[A]重合体を含有する。[A]重合体は、後述するように、加熱による架橋により硬化する。このため、当該硬化膜形成用樹脂材料は、熱硬化性の硬化膜形成用樹脂材料(以下、「硬化膜形成用樹脂材料(1)ともいう」として用いることができる。この硬化膜形成用樹脂材料(1)は、通常、感放射線性を有さない。一方、当該硬化膜形成樹脂材料は、例えばエチレン性不飽和結合を有する重合性化合物(以下、「[B]重合性化合物」ともいう。)及び感放射線性重合開始剤(以下、「[C]感放射線性重合開始剤」ともいう。)をさらに含有する場合、感放射線性を有する硬化膜形成用樹脂材料(以下、「硬化膜形成用樹脂材料(2)」として用いることもできる。以下、硬化膜形成用樹脂材料(1)及び硬化膜形成用樹脂材料(2)のそれぞれについて説明する。
<硬化膜形成用樹脂材料(1)>
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、[A]重合体を含有する。また、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、[D]酸化防止剤を含有することが好ましく、さらに、本発明の効果を損なわない範囲でその他の成分を含有していてもよい。
<[A]重合体>
[A]重合体は、酸性基を有する構造単位(I)、並びに下記式(1−1)で表される基及び下記式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位(II)を含む。[A]重合体は、構造単位(I)及び構造単位(II)以外の構造単位をさらに含んでいてもよい。なお、[A]重合体としては、構造単位(I)と構造単位(II)とを有する共重合体であってもよいし、構造単位(I)を有する重合体と構造単位(II)を有する重合体の混合物であってもよい。[A]重合体において、構造単位(I)と構造単位(II)とは、加熱により、例えば以下の反応により架橋し、硬化すると考えられる。
Figure 2017082173
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)によれば、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成することができる。特に、構造単位(II)によりシロキサン構造が導入されることにより、得られる硬化膜の耐熱性や透明性等を優れたものとすることができる。また、上記反応が常温では進行し難くい結果、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、優れた保存安定性を有する。
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、酸性基を有する構造単位である。構造単位(I)は、複数種の構造単位から構成されていてもよい。
上記酸性基としては、カルボキシ基、スルホ基、フェノール性水酸基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、スルホンアミド基、炭素原子に結合した水素原子が電子求引基に置換されたヒドロキシアルキル基等を挙げることができる。上記電子求引基としては、フッ素、塩素等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。上記酸性基としては、カルボキシ基、スルホ基、フェノール性水酸基、フッ素含有アルコール性水酸基(ヒドロキシフッ素化アルキル基)、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基及びこれらの組み合わせが好ましく、フッ素含有アルコール性水酸基がより好ましい。このような酸性基により、本発明の効果をより効果的に発揮させることができる。
上記フッ素含有アルコール性水酸基としては、下記式(2)で表される基が好ましい。下記式(2)で表される基は、構造単位(II)の式(1−1)又は(1−2)で表される基とのより良好な架橋反応性等を発揮することなどができる。
Figure 2017082173
上記式(2)中、Rは、フッ素原子又は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基である。Rは、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基である。
上記Rで表される炭素数1〜4のフッ素化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、パーフルオロプロピル基、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロブチル基等を挙げることができる。
上記Rとしては、フッ素化アルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましく、トリフルオロメチル基(パーフルオロメチル基)がさらに好ましい。
上記Rで表される炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。上記Rで表される炭素数1〜4のフッ素化アルキル基としては、Rの説明において例示したものを挙げることができる。
上記Rとしては、水素原子、フッ素原子及びフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子及びフッ素化アルキル基がより好ましく、パーフルオロアルキル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
さらに、上記R及びRが共にフッ素化アルキル基であることが好ましく、共にパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、共にトリフルオロメチル基であることがさらに好ましい。上記R及びRがこのような基である場合、好適な酸性基となるため良好な架橋反応が生じ、耐薬品性等の得られる硬化膜の諸特性をさらに高めることができる。
構造単位(I)としては、下記式(3−1)で表される構造単位、下記式(3−2)で表される構造単位、下記式(4)で表される構造単位、(メタ)アクリル酸に由来する構造単位等を挙げることができる。
Figure 2017082173
上記式(3−1)及び(3−2)中、R及びRは、上記式(2)中のR及びRと同義である。R及びRは、それぞれ独立して、(n+1)価の有機基である。但し、Rにおいては、主鎖側末端がエステル構造(−COO−)であるものを除く。Rは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基又はトリフルオロメチル基である。nは、それぞれ独立して、1〜5の整数である。nが2以上の場合、複数のR及びRは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
上記R及びRで表される(n+1)価の有機基としては、例えば炭化水素基として、炭素数1〜20の(n+1)価の鎖状炭化水素基、炭素数3〜20の(n+1)価の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20の(n+1)価の芳香族炭化水素基、又はこれらの基のうちの2種以上を組み合わせた(n+1)価の基等が挙げられる。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。
上記炭素数1〜20の(n+1)価の鎖状炭化水素基としては、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基から水素原子をn個除いた基等が挙げられる。上記炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等が挙げられる。
上記炭素数3〜20の(n+1)価の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基から水素原子をn個除いた基等が挙げられる。上記炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
上記炭素数6〜20の(n+1)価の芳香族炭化水素基としては、炭素数6〜20の1価の芳香族炭化水素基から水素原子をn個除いた基等が挙げられる。上記炭素数6〜20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。
上記R及びRとしては、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基(1,3−プロピレン基、1,2−プロピレン基等)、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、インサレン基、1−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,2−プロピレン基、1−メチル−1,4−ブチレン基、2−メチル−1,4−ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2−プロピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基;
1,3−シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3−シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4−シクロヘキシレン基等のシクロヘキシレン基、1,5−シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基などのシクロアルキレン基などの単環式炭化水素環基;
ノルボルニレン基(1,4−ノルボルニレン基、2,5−ノルボルニレン基等)、アダマンチレン基(1,5−アダマンチレン基、2,6−アダマンチレン基等)、シクロヘキサントリイル基(1,3,5−シクロヘキサントリイル基等)等の多環式炭化水素基;
1,3−フェニレン基、1,4−フェニレン基等の芳香族炭化水素基;
及びこれらを組み合わせた基が好ましい。
上記Rとしては、メチレン基、エチレン基、1,2−プロピレン基、2,5−ノルボルニレン基、1,4−フェニレン基及び1,3,5−シクロヘキサントリイル基がより好ましい。上記Rとしては、(n+1)価の芳香族炭化水素基もより好ましい。上記Rが芳香族炭化水素基である場合、耐熱性等をより高めることができる。
また、上記Rとしては、1,3−フェニレン基、1,4−フェニレン基等の(n+1)価の芳香族炭化水素基がより好ましく、1,4−フェニレン基がさらに好ましい。上記Rが芳香族炭化水素基である場合、耐熱性等をより高めることができる。
上記Rとしては、水素原子及びメチル基が好ましい。
上記nとしては、1及び2が好ましい。
上記式(3−1)で表される構造単位としては、下記式(3−1−1)〜(3−1−6)でそれぞれ表される構造単位を挙げることができる。また、上記式(3−2)で表される構造単位としては、下記式(3−2−1)〜(3−2−2)でそれぞれ表される構造単位を挙げることができる。
Figure 2017082173
上記式中、Rは、上記式(3−1)及び(3−2)中のRと同義である。これらの中でも、式(3−1−3)、(3−2−1)及び(3−2−2)で表される芳香族炭化水素基を含む構造単位が好ましく、式(3−1−3)及び(3−2−1)で表される、芳香族炭化水素基に酸性基として−C(CFOHで表される基が置換された構造単位がより好ましい。
Figure 2017082173
上記式(4)中、R’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL1〜RL5は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜4のアルキル基である。Yは、単結合、−COO−又は−CONH−である。pは、0〜3の整数である。但し、RL1〜RL5のうちの少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。
上記RL1〜RL5で表される炭素数1〜4のアルキル基としては、上記Rで表される炭素数1〜4のアルキル基として例示した基を挙げることができる。
上記式(4)で表される構造単位としては、下記式(4−1)〜(4−8)で表される構造単位を挙げることができる。
Figure 2017082173
上記式中、R’及びpは、上記式(4)中のR’及びpとそれぞれ同義である。これらの中でも、式(4−1)及び(4−7)でそれぞれ表される構造単位が好ましい。
上記構造単位(I)としては、これらの中でも、上記式(3−1)で表される構造単位及び上記式(3−2)で表される構造単位が好ましい。さらに、上記構造単位(I)としては、上記式(3−1)で表される構造単位又は上記式(3−2)で表される構造単位と、(メタ)アクリル酸に由来する構造単位等のカルボキシ基を有する構造単位とを併用することが好ましい。構造単位(I)をこのような構成とすることにより、得られる硬化膜の耐薬品性等の諸特性をより高めることができる。
上記構造単位(I)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましく、40質量%が特に好ましい。一方、構造単位(I)の含有割合の上限としては、80質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、60質量%がさらに好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることにより、保存安定性や、得られる硬化膜の諸特性等をより高めることができる。なお、各重合体における各構造単位の含有割合は、[A]重合体の合成の際の各構造単位に対応する単量体の仕込比(配合比)と同様とみなすことができる。
上記構造単位(I)の中でも、上記式(3−1)及び式(3−2)で表される構造単位等の、フッ素含有アルコール性水酸基を有する構造単位の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましくい。一方、この上限としては、60質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、40質量%がさらに好ましい。
上記構造単位(I)の中でも、(メタ)アクリル酸に由来する構造単位等、カルボキシ基を有する構造単位の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、15質量%がさらに好ましく、20質量%が特に好ましい。一方、この上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましい。
[構造単位(II)]
構造単位(II)は、下記式(1−1)で表される基及び下記式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位である。構造単位(II)は、複数種の構造単位から構成されていてもよい。
Figure 2017082173
上記式(1−1)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n1は、0〜4の整数である。*は、結合部位を示す。
上記式(1−2)中、R、R及びRは、上記式(1−1)と同義である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n2は、0〜6の整数である。*は結合位を示す。
上記R〜Rで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることができる。
上記R〜Rで表される炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基等を挙げることができる。
上記R及びRで表される炭素数1〜6のアルキル基としては、上記Rの説明において例示した炭素数1〜4のアルキル基等を挙げることができる。
上記Rとしては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
上記R及びRとしては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
上記A及びAで表されるハロゲン原子、炭素数1〜6のアルコキシ基及び炭素数1〜6のアルキル基としては、上記R〜Rとして例示したものをそれぞれ挙げることができる。
上記n1としては、0が好ましい。また、上記n2としては、0が好ましい。
上記構造単位(II)としては、下記式(5−1)で表される構造単位及び下記式(5−2)で表される構造単位を挙げることができる。これらの中でも、耐熱性等の観点から、下記式(5−2)で表される構造単位が好ましい。
Figure 2017082173
上記式(5−1)及び(5−2)中、R〜Rは、上記式(1−1)及び(1−2)中のR〜Rと同義である。R及びRは、それぞれ独立して、Siと連結するベンゼン環又はナフタレン環を有する2価の有機基である。但し、Rにおいては、主鎖側末端がエステル構造(−COO−)であるものを除く。Rは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基又はトリフルオロメチル基である。
上記R及びRで表される2価の基としては、例えばフェニレン基、ナフチレン基の他、フェニレン基又はナフチレン基が、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及びその他の連結基と連結した基が挙げられる。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は置換基により置換されていてもよい。上記置換基としては、上記A及びAで表される基等を挙げることができる。上記鎖状炭化水素基及び脂環式炭化水素基としては、上記式(3−1)及び(3−2)中のR及びRで表される(n+1)価の有機基の例として挙げたもののうちの、2価の基を挙げることができる。
上記R及びRとしては、フェニレン基及びナフチレン基がより好ましく、p−フェニレン基がさらに好ましい。すなわち、式(5−1)中のSi(R)−R−及びSi(R)−R−は、上記式(1−1)又は(1−2)で表される基であることが好ましい。
上記Rとしては、水素原子及びメチル基が好ましい。
上記式(5−1)で表される構造単位としては、下記式(5−1−1)〜(5−1−2)で表される構造単位等を挙げることができる。上記式(5−2)で表される構造単位としては、下記式(5−2−1)〜(5−2−2)で表される構造単位等を挙げることができる。
Figure 2017082173
上記式中、Rは、上記式(5−1)及び(5−2)中のRと同義である。
上記構造単位(II)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましい。一方、この上限としては、70質量%が好ましく、50質量%がより好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、得られる硬化膜の諸特性や、保存安定性等をより高めることができる。
[構造単位(III)]
[A]重合体は、架橋性基を有する構造単位(以下、「構造単位(III)」ともいう。)をさらに有することが好ましい。[A]重合体が構造単位(III)を有することで、得られる硬化膜の表面硬度等をさらに高めることができる。
上記架橋性基とは、酸性基及び上記式(1−1)又は(1−2)で表される基以外の基であって、他の基等と共有結合することができる基をいう。上記架橋性基としては、例えばオキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)、環状カーボネート基、メチロール基(ヒドロキシメチル構造)、(メタ)アクリロイル基等が挙げられる。
オキシラニル基を含む構造単位(III)としては、例えば下記式(6−1)〜(6−5)で表される構造単位等が挙げられる。オキセタニル基を含む構造単位(III)としては、例えば下記式(6−6)〜(6−9)で表される構造単位等が挙げられる。環状カーボネート基を含む構造単位(III)としては、例えば下記式(6−10)〜(6−14)で表される構造単位等が挙げられる。メチロール基を含む構造単位(III)としては、例えば下記式(6−15)で表される構造単位等が挙げられる。
Figure 2017082173
上記式中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
(メタ)アクリロイル基を含む構造単位(III)としては、例えば
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレンジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等のジ(メタ)アクリレート化合物;
トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等のトリ(メタ)アクリレート化合物;
ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等のテトラ(メタ)アクリレート化合物;
ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等のペンタ(メタ)アクリレート化合物などの単量体化合物に由来の構造単位等が挙げられる。
上記架橋性基としては、オキシラニル基、オキセタニル基、メチロール基及びこれらの組み合わせが好ましく、オキシラニル基、メチロール基及びこれらの組み合わせがより好ましく、オキシラニル基がさらに好ましい。このような架橋性基を有することで、形成される硬化膜の耐熱性や耐薬品性をより高めることができる。
上記構造単位(III)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい。一方、この上限としては、70質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましく、25質量%が特に好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、高い保存安定性を維持したまま、得られる硬化膜の諸特性をより高めることなどができる。
[構造単位(IV)]
[A]重合体は、構造単位(I)〜(III)以外の構造単位であって、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステル由来の構造単位(以下、「構造単位(IV)」)を有することができる。
構造単位(IV)としては、例えば下記式(7−1)〜(7−3)でそれぞれ表される構造単位を挙げることができる。
Figure 2017082173
上記式中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
上記構造単位(IV)の含有割合としては、例えば[A]重合体を構成する全構造単位に対して1質量%以上50質量%以下とすることができる。
[構造単位(V)]
[A]重合体は、構造単位(I)〜(IV)以外のその他の構造単位(以下、「構造単位(V)」ともいう。)を有していてもよい。[A]重合体が構造単位(V)を有することで、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、樹脂のガラス転移温度を調整し、熱硬化時のメルトフロー性や得られる硬化膜の機械的強度、耐薬品性を向上させることができる。
上記構造単位(V)としては、例えば下記式(8−1)〜(8−10)で表される構造単位等が挙げられる。
Figure 2017082173
上記式中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rは、水素原子又はメチル基である。sは、1〜10の整数である。これらの中でも、構造単位(V)としては、式(8−1)、(8−6)〜(8−8)及び(8−10)で表される構造単位が好ましい。
構造単位(V)を与える単量体化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸環状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物及び共役ジエン化合物、並びにテトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格又は下記式(9)で表される骨格を有する不飽和化合物、その他の不飽和化合物等に由来の構造単位が挙げられる。
Figure 2017082173
上記式(9)中、R及びsは、上記式(8−9)中のR及びsと同義である。
上記(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えば
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等のアクリル酸鎖状アルキルエステル;
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル等のメタクリル酸鎖状アルキルエステル等が挙げられる。
上記(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えば
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、アクリル酸イソボロニル等のアクリル酸環状アルキルエステル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボロニル等のメタクリル酸環状アルキルエステル等が挙げられる。
上記(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば
アクリル酸フェニル。アクリル酸ベンジル等のアクリル酸アリールエステル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
上記不飽和ジカルボン酸ジエステルとしては、例えばマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等が挙げられる。
上記ビシクロ不飽和化合物としては、例えばビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジメトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジエトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−t−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(t−ブトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(シクロヘキシルオキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−(2’−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(ヒドロキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(2’−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシメチル−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。
上記マレイミド化合物としては、例えばN−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシベンジル)マレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等が挙げられる。
上記不飽和芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン等が挙げられる。
上記共役ジエン化合物としては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等が挙げられる。
上記テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物としては、例えば2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル等が挙げられる。
上記フラン骨格を有する不飽和化合物としては、例えば2−メチル−5−(3−フリル)−1−ペンテン−3−オン、(メタ)アクリル酸フルフリル、1−フラン−2−ブチル−3−エン−2−オン、1−フラン−2−ブチル−3−メトキシ−3−エン−2−オン、6−(2−フリル)−2−メチル−1−ヘキセン−3−オン、6−フラン−2−イル−ヘキシ−1−エン−3−オン、アクリル酸−2−フラン−2−イル−1−メチル−エチルエステル、6−(2−フリル)−6−メチル−1−ヘプテン−3−オン等が挙げられる。
上記テトラヒドロピラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば(テトラヒドロピラン−2−イル)メチルメタクリレート、2,6−ジメチル−8−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)−オクト−1−エン−3−オン、2−メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−イルエステル、1−(テトラヒドロピラン−2−オキシ)−ブチル−3−エン−2−オン等が挙げられる。
上記ピラン骨格を有する不飽和化合物としては、例えば4−(1,4−ジオキサ−5−オキソ−6−ヘプテニル)−6−メチル−2−ピラン、4−(1,5−ジオキサ−6−オキソ−7−オクテニル)−6−メチル−2−ピラン等が挙げられる。
上記その他の不飽和化合物としては、例えば(メタ)アクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、(メタ)アクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられる。
これらの中でも、上記構造単位(V)を与える単量体化合物としては、メタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、マレイミド化合物、テトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格、上記式(9)で表される骨格を有する不飽和化合物、不飽和芳香族化合物及びアクリル酸環状アルキルエステルが好ましく、共重合反応性等の点から、スチレン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、p−メトキシスチレン、アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、ポリエチレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート及び3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オンがより好ましい。
上記構造単位(V)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%が好ましく、3質量%がより好ましい。一方、この上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましい。構造単位(V)の含有割合を上記範囲とすることで、耐薬品性等を効果的に向上させることができる。
[A]重合体は、構造単位(I)〜(III)を有し、構造単位(I)が上記式(3−1)又は(3−2)で表される構造単位と、カルボキシ基を有する構造単位とを含み、構造単位(II)が上記式(5−2)で表される構造単位であり、構造単位(III)がオキシラニル基又はメチロール基を有する構造単位であることが好ましい。さらにこのとき、上記式(3−1)及び(3−2)中のR及びRがパーフルオロアルキル基であることが好ましい。また、このとき、[A]重合体におけるカルボキシ基を有する構造単位の含有割合が比較的高い(例えば15質量%以上50質量%以下)であることが好ましい。[A]重合体がこのような構造単位を有することで、得られる硬化膜の耐熱性、透明性、表面硬度、低誘電性等を特に高めることができる。
<[A]重合体の合成方法>
[A]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。なお、通常、重合の際の各単量体の配合比は、得られる[A]重合体において、対応する構造単位の含有割合と一致する。具体的な合成方法としては、(1)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(2)単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(3)各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。
これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30℃〜180℃とすることができる。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分〜8時間である。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分〜8時間である。
上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−シクロプロピルプロピオニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオニトリル)等が挙げられる。これらの開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒(重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等)以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。重合溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル・ラクトン系溶媒、ニトリル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することができる。すなわち、重合反応終了後、重合体溶液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。なお、重合溶媒が調製する硬化膜形成用樹脂材料(1)の溶媒と同じ場合、得られた重合体溶液をそのまま用いたり、得られた重合体溶液に溶媒を追加することで、硬化膜形成用樹脂材料(1)の調製に供してもよい。
[A]重合体を製造するための重合反応においては、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用できる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、特に限定されないが、1,000以上30,000以下が好ましい。また、[A]重合体のMwとGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)としては、1以上3以下が好ましい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)における[A]重合体の含有量としては特に限定されないが、全固形分に占める[A]重合体の含有量の下限としては、50質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、90質量%がさらに好ましい。一方、この上限は、100質量%であってよい。当該硬化膜形成用樹脂材料(1)における[A]重合体の含有量を上記範囲とすることにより、得られる硬化膜の諸特性をより効果的に高めることなどができる。
<[D]酸化防止剤>
[D]酸化防止剤は、露光や加熱により発生したラジカル、又は酸化によって生成した過酸化物を分解し、重合体分子の結合の解裂を防止することができる成分である。その結果、得られる硬化膜は経時的な酸化劣化が防止され、例えば硬化膜の膜厚変化を抑制することができる。
[D]酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。これらの中で、[D]酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましい。
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリル)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール等が挙げられる。
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えばアデカスタブAO−20、同AO−30、同AO−40、同AO−50、同AO−60、同AO−70、同AO−80、同AO−330(以上、ADEKA社)、sumilizerGM、同GS、同MDP−S、同BBM−S、同WX−R、同GA−80(以上、住友化学社)、IRGANOX1010、同1035、同1076、同1098、同1135、同1330、同1726、同1425WL、同1520L、同245、同259、同3114、同565、IRGAMOD295(以上、BASF社)、ヨシノックスBHT、同BB、同2246G、同425、同250、同930、同SS、同TT、同917、同314(以上、エーピーアイコーポレーション社)等が挙げられる。
ヒンダードフェノール構造を有する化合物の中でも、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン及び2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾールがより好ましい。
[D]酸化防止剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.001質量部以上5質量部以下が好ましい。[D]酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることで、得られる硬化膜の経時的な酸化劣化を効果的に抑制することなどができる。
<その他の成分>
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)が含有してもよいその他の成分としては、例えば後述の溶媒の他、[E]界面活性剤、[F]接着助剤等が挙げられる。なお、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、上記各成分を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<[E]界面活性剤>
[E]界面活性剤は、膜形成性を向上させる成分である。[E]界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、及びその他の界面活性剤が挙げられる。
上記フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフロロ−n−オクチル(1,1,2,2−テトラフロロ−n−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロ−n−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロ−n−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロ−n−ブチル)エーテル、パーフロロ−n−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−n−デカン、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロ−n−ドデカンや、フロロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フロロアルキルリン酸ナトリウム、フロロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フロロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フロロアルキルアンモニウムヨージド、フロロアルキルベタイン、他のフロロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフロロアルキルポリオキシエタノール、パーフロロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フロロアルキルエステル等が挙げられる。
上記フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE社)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業社)、フロラードFC−170C、同−171、同−430、同−431(以上、住友スリーエム社)、サーフロンS−112、同−113、同−131、同−141、同−145、同−382、サーフロンSC−101、同−102、同−103、同−104、同−105、同−106(以上、旭硝子社)、エフトップEF301、同303、同352(以上、新秋田化成社)、フタージェントFT−100、同−110、同−140A、同−150、同−250、同−251、同−300、同−310、同−400S、FTX−218、同−251(以上、ネオス社)等が挙げられる。
上記シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190(以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン社)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン社)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業社)等が挙げられる。
上記その他の界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル;ポリオキシエチレン−n−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン−n−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステルなどのノニオン系界面活性剤等が挙げられる。
上記その他の界面活性剤の市販品としては、例えば(メタ)アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57、同No.95(以上、共栄社化学社)等が挙げられる。
[E]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.01質量部以上3質量部以下が好ましい。[E]界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで、効果的に膜形成性を向上させることができる。
<[F]接着助剤>
[F]接着助剤は、得られる硬化膜と基板との接着性を向上させる成分である。[F]接着助剤としては、カルボキシ基、メタクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、オキシラニル基等の反応性官能基を有する官能性シランカップリング剤が好ましい。
上記官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
[F]接着助剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.01質量部以上20質量部以下が好ましい。
<硬化膜形成用樹脂材料(1)の調製方法>
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は、[A]重合体及び必要に応じてその他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは適当な溶媒に溶解して調製できる。調製した硬化膜形成用樹脂材料(1)は、例えば孔径0.2μm程度のフィルタでろ過することが好ましい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)の調製に用いられる溶媒としては、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)が含有する各成分を均一に溶解又は分散し、上記各成分と反応しないものが用いられる。このような溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
上記アルコール系溶媒としては、例えば
モノアルコール系溶媒として、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、tert−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;
多価アルコール系溶媒として、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等;
多価アルコール部分エーテル系溶媒として、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等が挙げられる。
上記エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
上記ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
上記アミド系溶媒としては、例えばN,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられる。
上記エステル系溶媒としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸3−メチル−3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。
上記炭化水素系溶媒としては、例えば
脂肪族炭化水素系溶媒として、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等;
芳香族炭化水素系溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、i−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等が挙げられる。
また、上記溶媒は、カプロン酸、カプリル酸、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の高沸点溶媒をさらに含有してもよい。
<硬化膜の形成方法(1)>
本発明の一実施形態に係る硬化膜の形成方法(1)は、
(1)当該硬化膜形成用樹脂材料(1)を用い、基板上に塗膜を形成する工程(以下、「工程(A1)」ともいう)、及び
(2)上記塗膜を加熱する工程(以下、「工程(A2)」ともいう)
を備える。
当該硬化膜形成用樹脂材料(1)は上述の性質を有しているため、当該硬化膜の形成方法(1)によれば、耐熱性、耐薬品性、透過率、比誘電率等の一般的特性を十分満足し、かつ優れた表面硬度を有する硬化膜を形成することができる。以下、各工程について詳述する。
[工程(A1)]
本工程では、当該硬化膜形成用樹脂材料(1)を用い、基板上に塗膜を形成する。具体的には、溶液状の当該硬化膜形成用樹脂材料(1)を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶媒を除去して塗膜を形成する。上記基板としては、例えばガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、及びこれらの表面に各種金属薄膜が形成された基板等が挙げられる。上記プラスチック基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド等のプラスチックからなる樹脂基板が挙げられる。
塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法等の適宜の方法を採用することができる。これらの中で、塗布方法としては、スピンコート法、バー塗布法及びスリットダイ塗布法が好ましい。上記プレベークの条件としては、各成分の種類、使用割合等によっても異なるが、例えば60℃〜130℃で30秒間〜10分間程度とすることができる。形成される塗膜の膜厚は、プレベーク後の値として、0.1μm以上8μm以下が好ましい。
[工程(A2)]
本工程では、上記塗膜を加熱により硬化させる。加熱方法としては特に限定されないが、例えばオーブンやホットプレート等の加熱装置を用いて加熱することができる。本工程における加熱温度としては、200℃以下が好ましい。このように低い温度での加熱が可能であることにより、当該硬化膜の形成方法(1)は、フレキシブルディスプレイのプラスチック基板上における層間絶縁膜等の硬化膜形成に好適に使用することができる。加熱温度としては、120℃以上180℃以下がより好ましい。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレート上で加熱処理を行う場合には5分以上40分以下、オーブン中で加熱処理を行う場合には30分以上80分以下とすることができる。このようにして、目的とする層間絶縁膜等の硬化膜を基板上に形成することができる。
<硬化膜形成用樹脂材料(2)>
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、[A]重合体、[B]重合性化合物及び[C]感放射線性重合開始剤を含有する。また、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、好適成分として[D]酸化防止剤を含有してもよい。さらに、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、本発明の効果を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、[A]重合体、[B]重合性化合物及び[C]感放射線性重合開始剤を含有しているため、放射線が照射された部位(露光部)が重合により硬化し、アルカリ現像液による現像により上記露光部以外の部位(未露光部)が溶解除去されてパターンを形成できる、いわゆるネガ型の特性を有するネガ型感放射線性樹脂組成物である。そのため、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、パターン状の硬化膜を形成することができる。以下、各成分について詳述する。
<[A]重合体>
[A]重合体は、構造単位(I)及び構造単位(II)を含む重合体である。また、[A]重合体は、構造単位(III)を含むことが好ましく、構造単位(IV)及び構造単位(V)を含んでいてもよい。当該硬化膜形成用樹脂材料(2)における[A]重合体は、上述した硬化膜形成用樹脂材料(1)における[A]重合体と同様のものとすることができる。
[A]重合体が構造単位(I)及び構造単位(II)を有することで、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)と同様に、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性、低誘電性等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる。加えて、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、構造単位(I)の酸性基の存在により、未露光部においてアルカリ現像液に対する良好な溶解性を発揮できる。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上有していてもよい。
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、酸性基を有する構造単位である。この構造単位(I)は、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の[A]重合体おける構造単位(I)と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における構造単位(I)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましく、40質量%が特に好ましい。一方、構造単位(I)の含有割合の上限としては、80質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、60質量%がさらに好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることにより、保存安定性や、得られる硬化膜の諸特性等をより高めることができる。また、構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることにより、良好な現像性等を発揮することもできる。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における上記式(3−1)及び式(3−2)で表される構造単位等の、フッ素含有アルコール性水酸基を有する構造単位の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましくい。一方、この上限としては、60質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、40質量%がさらに好ましい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における(メタ)アクリル酸に由来する構造単位等、カルボキシ基を有する構造単位の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、15質量%がさらに好ましく、20質量%が特に好ましい。一方、この上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましい。
[構造単位(II)]
構造単位(II)は、上記式(1−1)で表される基及び上記式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位である。この構造単位(II)は、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の[A]重合体おける構造単位(II)と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における構造単位(II)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10質量%が好ましく、20質量%がより好ましい。一方、この上限としては、70質量%が好ましく、50質量%がより好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、得られる硬化膜の諸特性や保存安定性等をより高めることができる。また、構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、[A]重合体において構造単位(I)と構造単位(II)との間で十分な架橋反応が生じることなどにより、現像密着性を高めることなどができる。
[構造単位(III)]
構造単位(III)は、架橋性基を有する構造単位である。[A]重合体が構造単位(III)を有することで、得られる硬化膜の表面硬度や、現像密着性等を高めることができる。この構造単位(III)は、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の[A]重合体おける構造単位(III)と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における構造単位(III)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい。一方、この上限としては、70質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましく、25質量%が特に好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、高い保存安定性を維持したまま、得られる硬化膜の硬度や現像密着性等の諸特性をより高めることなどができる。
[構造単位(IV)]
構造単位(IV)は、構造単位(I)〜(III)以外の構造単位であって、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステル由来の構造単位である。[A]重合体が構造単位(IV)を有することで、アルカリ現像性の制御及び残渣抑制を図ることができる。この構造単位(IV)は、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の[A]重合体おける構造単位(IV)と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における構造単位(IV)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましい。一方、この上限としては、50質量%が好ましく、20質量%がより好ましい。構造単位(IV)の含有割合を上記範囲とすることで、高い保存安定性を維持したまま、アルカリ現像性等をより良好なものとすることができる。
[構造単位(V)]
構造単位(V)は、上記構造単位(I)〜(IV)以外の構造単位である。[A]重合体が構造単位(V)を有することで、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、樹脂のガラス転移温度を調整し、アルカリ現像性、熱硬化時のメルトフロー性や硬化膜の機械的強度、耐薬品性を向上することができる。この構造単位(V)は、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の[A]重合体おける構造単位(V)と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体における構造単位(V)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%が好ましく、3質量%がより好ましい。一方、この上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましい。構造単位(V)の含有割合を上記範囲とすることで、耐薬品性等を効果的に向上させることができる。
<[A]重合体の合成方法>
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の[A]重合体は、上述した硬化膜形成用樹脂材料(1)における[A]重合体の合成方法と同様の方法等を適用することができる。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)における[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、特に限定されないが、1,000以上30,000以下が好ましい。また、[A]重合体のMwとGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)としては、1以上3以下が好ましい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)における[A]重合体の含有量としては特に限定されないが、全固形分に占める[A]重合体の含有量の下限としては、40質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、60質量%がさらに好ましい。一方、この上限は、90質量%が好ましく、80質量%がより好ましい。当該硬化膜形成用樹脂材料(2)における[A]重合体の含有量を上記範囲とすることにより、良好な感度等を有しつつ、得られる硬化膜の諸特性をより効果的に高めることなどができる。
<[B]重合性化合物>
[B]重合性化合物は、エチレン性不飽和結合を有する化合物である。なお、[B]重合性化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[B]重合性化合物としては、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物であれば特に限定されないが、例えばω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、2−(2’−ビニロキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート等の単官能(メタ)アクリレート化合物;エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)フォスフェート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、直鎖アルキレン基及び脂環式構造を有し、かつ2個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に1個以上の水酸基を有し、かつ3個〜5個の(メタ)アクリロイロキシ基を有する化合物とを反応させて得られるウレタン(メタ)アクリレート化合物等の多官能(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。
[B]重合性化合物の市販品としては、例えば
アロニックスM−400、同M−402、同M−405、同M−450、同M−1310、同M−1600、同M−1960、同M−7100、同M−8030、同M−8060、同M−8100、同M−8530、同M−8560、同M−9050、アロニックスTO−1450、同TO−1382(以上、東亞合成社);
KAYARAD DPHA、同DPCA−20、同DPCA−30、同DPCA−60、同DPCA−120、同MAX−3510(以上、日本化薬社);
ビスコート295、同300、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業社);
ウレタンアクリレート系化合物として、ニューフロンティア R−1150(第一工業製薬社);
KAYARAD DPHA−40H、UX−5000(以上、日本化薬社);
UN−9000H(根上工業社);
アロニックスM−5300、同M−5600、同M−5700、M−210、同M−220、同M−240、同M−270、同M−6200、同M−305、同M−309、同M−310、同M−315(以上、東亞合成社);
KAYARAD HDDA、KAYARAD HX−220、同HX−620、同R−526、同R−167、同R−604、同R−684、同R−551、同R−712、UX−2201、UX−2301、UX−3204、UX−3301、UX−4101、UX−6101、UX−7101、UX−8101、UX−0937、MU−2100、MU−4001(以上、日本化薬社);
アートレジンUN−9000PEP、同UN−9200A、同UN−7600、同UN−333、同UN−1003、同UN−1255、同UN−6060PTM、同UN−6060P(以上、根上工業社);
SH−500Bビスコート260、同312、同335HP(以上、大阪有機化学工業社)等が挙げられる。
[B]重合性化合物は、同一分子内にカルボキシ基を少なくとも1つ有することが好ましい。これにより、架橋性の向上及び未露光部における現像残渣の低減を図ることができる。同一分子内にカルボキシ基を少なくとも1つ有する[B]重合性化合物としては、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート等を挙げることができる。
[B]重合性化合物の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部が好ましく、30質量部がより好ましい。一方、この上限としては、200質量部が好ましく、100質量部がより好ましい。[B]重合性化合物の含有量を上記範囲とすることで、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、密着性に優れ、かつ低露光量においても十分な表面硬度を有する硬化膜を形成することができる。
<[C]感放射線性重合開始剤>
[C]感放射線性重合開始剤は、放射線に感応して[B]重合性化合物の重合を開始しうる活性種を生じる成分である。[C]感放射線性重合開始剤としては、例えばオキシムエステル化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等が挙げられる。なお、[C]感放射線性重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記オキシムエステル化合物としては、例えばエタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、1−〔9−エチル−6−ベンゾイル−9H−カルバゾール−3−イル〕−オクタン−1−オンオキシム−O−アセテート、1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、1−〔9−n−ブチル−6−(2−エチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、エタノン−1−[9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロピラニルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−5−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、エタノン−1−〔9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)などのO−アシルオキシム化合物等が挙げられる。これらの中で、オキシムエステル化合物としては、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)、及びエタノン−1−〔9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)が好ましい。
上記アセトフェノン化合物としては、例えばα−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物等が挙げられる。
上記α−アミノケトン化合物としては、例えば2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン等が挙げられる。
上記α−ヒドロキシケトン化合物としては、例えば1−フェニル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−i−プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる
上記アセトフェノン化合物としては、α−アミノケトン化合物が好ましく、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、及び2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オンがより好ましい。
上記ビイミダゾール化合物としては、例えば2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラキス(4−エトキシカルボニルフェニル)−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール等が挙げられる。これらの中で、2,2’−ビス(2−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、及び2,2’−ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールが好ましく、2,2’−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾールがより好ましい。
[C]感放射線性重合開始剤の市販品としては、例えば2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン(イルガキュア907)、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(イルガキュア379)、1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)](イルガキュアOXE01)、エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)(イルガキュアOXE02)(以上、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社)等が挙げられる。
[C]感放射線性重合開始剤の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部が好ましく、0.5質量部がより好ましく、2質量部がさらに好ましい。一方、この上限としては、40質量部が好ましく、20質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。[C]感放射線性重合開始剤の含有量を上記範囲とすることで、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、低露光量の場合でも十分な表面硬度及び密着性を有する硬化膜を形成することなどができる。
さらに、[C]感放射線性重合開始剤がオキシムエステル化合物であり、このオキシムエステル化合物の含有量の下限が[A]重合体100質量部に対して0.1質量部であることが好ましく、0.5質量部であることがより好ましく、2質量部であることがさらに好ましい。また、オキシムエステル化合物の含有量の上限は[A]重合体100質量部に対して20質量部であることが好ましく、10質量部であることがより好ましく、5質量部であることがさらに好ましい。これにより、低露光量の場合でも十分な表面硬度及び密着性を有する硬化膜を効率良く形成することなどができる。
<[D]酸化防止剤>
[D]酸化防止剤は、露光や加熱により発生したラジカル、又は酸化によって生成した過酸化物を分解し、重合体分子の結合の解裂を防止することができる成分である。硬化膜形成用樹脂材料(2)における[D]酸化防止剤は、上述した硬化膜形成用樹脂材料(1)における[D]酸化防止剤を適用することができる。当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、[D]酸化防止剤を含有することで、得られる硬化膜は経時的な酸化劣化が防止され、例えば硬化膜の膜厚変化を抑制することができる。なお、[D]酸化防止剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)における[D]酸化防止剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.001質量部以上5質量部以下が好ましい。[D]酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることで、得られる硬化膜の経時的な酸化劣化を効果的に抑制することなどができる。
<その他の成分>
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)が含有してもよいその他の成分としては、例えば溶媒の他、[E]界面活性剤、[F]接着助剤等が挙げられる。なお、各その他の成分については、上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)に含まれる成分として説明したものを適用することができる。
<硬化膜形成用樹脂材料(2)の調製方法>
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、[A]重合体、[B]重合性化合物及び[C]感放射線性重合開始剤、並びに必要に応じてその他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは適当な溶媒に溶解して調製できる。硬化膜形成用樹脂材料(2)の調製に用いられる溶媒としては、例えば上述の硬化膜形成用樹脂材料(1)の調製方法の説明において例示した溶媒と同様の溶媒等を適用することができる。調製した硬化膜形成用樹脂材料(2)は、例えば孔径0.2μm程度のフィルタでろ過することが好ましい。
<硬化膜の形成方法(2)>
本発明の一実施形態に係る硬化膜の形成方法(2)は、
(1)当該硬化膜形成用樹脂材料(2)を用い、基板上に塗膜を形成する工程(以下、「工程(B1)」ともいう)、
(2)上記塗膜の一部に放射線を照射する工程(以下、「工程(B2)」ともいう)、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程(以下、「工程(B3)」ともいう)、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程(以下、「工程(B4)」ともいう)
を備える。
当該硬化膜形成用樹脂材料(2)は、上述の性質を有しているため、当該硬化膜の形成方法(2)によれば、耐熱性、耐薬品性、透過率、比誘電率等の一般的特性を十分満足し、かつ優れた表面硬度を有する硬化膜を形成することができる。また、当該硬化膜の形成方法(2)によれば、良好な感度で現像することができ、現像密着性に優れる硬化膜を得ることもできる。以下、各工程について詳述する。
[工程(B1)]
本工程では、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)を用い、基板上に塗膜を形成する。具体的には、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の溶液を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶媒を除去して塗膜を形成する。上記基板や塗布方法は、硬化膜の形成方法(1)の工程(A1)において説明したものと同様とすることができる。
[工程(B2)]
本工程では、上記塗膜の一部に放射線を照射する。具体的には、工程(B1)で形成した塗膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射する。このとき用いられる放射線としては、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。
上記紫外線としては、例えばg線(波長436nm)、i線(波長365nm)等が挙げられる。遠紫外線としては、例えばKrFエキシマレーザー光等が挙げられる。X線としては、例えばシンクロトロン放射線等が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば電子線等が挙げられる。これらの放射線のうち、紫外線が好ましく、紫外線の中でもg線、h線及び/又はi線を含む放射線がより好ましい。放射線の露光量としては、0.1J/m以上10,000J/m以下が好ましい。
[工程(B3)]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。具体的には、工程(B2)で放射線が照射された塗膜に対し、現像液により現像を行って放射線の照射部分を除去する。上記現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,0〕−5−ノナンなどのアルカリ(塩基性化合物)の水溶液等が挙げられる。また、上記アルカリの水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液、又は当該硬化膜形成用樹脂材料(2)を溶解可能な各種有機溶媒を少量含むアルカリ水溶液を現像液として用いてもよい。
現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を採用することができる。現像時間としては、当該硬化膜形成用樹脂材料(2)の組成によって異なるが、例えば30秒以上120秒以下とすることができる。なお、現像工程の後、パターニングされた塗膜に対して流水洗浄によるリンス処理を行い、次いで、高圧水銀灯等による放射線を全面に照射(後露光)することにより、塗膜中に残存する[C]感放射線性重合開始剤の分解処理を行うことが好ましい。この後露光における露光量としては、2,000J/m以上5,000J/m以下が好ましい。
[工程(B4)]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。具体的には、工程(B3)で現像された塗膜を加熱するホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、この塗膜を加熱処理(ポストベーク)することによって塗膜の硬化を行う。本工程における加熱温度や加熱時間は、硬化膜の形成方法(1)の工程(A2)において説明したものと同様とすることができる。このようにして、目的とする層間絶縁膜等の硬化膜に対応するパターン状塗膜を基板上に形成することができる。
<硬化膜>
本発明の一実施形態に係る硬化膜は、当該硬化膜形成用樹脂材料(硬化膜形成用樹脂材料(1)又は硬化膜形成用樹脂材料(2))から形成される。当該硬化膜の形成方法としては、特に限定されないが、好ましくは上述の当該硬化膜の形成方法(1)又は当該硬化膜の形成方法(2)を用いて形成することができる。当該硬化膜は、当該硬化膜形成用樹脂材料から形成されているため、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透過率及び比誘電率等の一般的特性を十分満足できる。当該硬化膜は上記特性を有しているため、例えば表示素子の層間絶縁膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等として好適である。
<半導体素子>
本発明の一実施形態に係る半導体素子は、当該硬化膜を備えている。この硬化膜は、例えば当該半導体素子中の配線間を絶縁する層間絶縁膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等として用いられる。当該半導体素子は、公知の方法を用いて形成することができる。当該半導体素子は、当該硬化膜を備えているため、表示素子、LED、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。
<表示素子>
本発明の一実施形態に係る表示素子は、当該半導体素子を備えている。当該表示素子は、当該硬化膜を有する半導体素子を備えているため、表示素子として実用面で要求される一般的特性を満足する。当該表示素子としては、例えば液晶表示素子等が挙げられる。上記液晶表示素子においては、例えば液晶配向膜が表面に形成された2枚のTFTアレイ基板が、TFTアレイ基板の周辺部に設けられたシール剤を介して液晶配向膜側で対向して配置されており、これら2枚のTFTアレイ基板間に液晶が充填されている。上記TFTアレイ基板は、層状に配置される配線を有し、この配線間を層間絶縁膜としての当該硬化膜により絶縁しているものである。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。
[重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)]
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりMw及びMnを測定した。また、分子量分布(Mw/Mn)は得られたMw及びMnより算出した。
装置:昭和電工社のGPC−101
GPCカラム:島津ジーエルシー社のGPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
<[A]重合体の合成>
各実施例及び比較例の重合体の合成で用いた単量体化合物を以下に示す。
[構造単位(I)を与える単量体化合物]
下記式(I−1)〜(I−8)でそれぞれ表される単量体化合物(I〜1)〜(I−8)、並びに単量体化合物(I−9)〜(I−11)
Figure 2017082173
(I−9):メタクリル酸p−ヒドロキシフェニル(4−ヒドロキシフェニルメタクリレート)
(I−10):α−メチル−p−ヒドロキシスチレン
(I−11):メタクリル酸
[構造単位(II)を与える単量体化合物]
下記式(II−1)〜(II−4)でそれぞれ表される単量体化合物(II〜1)〜(II−4)。
Figure 2017082173
また、比較合成例において、構造単位(II)を与える単量体化合物に対応する単量体化合物として、下記(ii−1)で表される単量体化合物(ii−1)を用いた。
Figure 2017082173
[構造単位(III)を与える単量体化合物]
下記式(III−1)〜(III−15)で表される単量体化合物(III−1)〜(III−15)
Figure 2017082173
[構造単位(IV)を与える単量体化合物]
(IV−1):メタクリル酸ヒドロキシエチル(2−ヒドロキシエチルメタクリレート)
[構造単位(V)を与える単量体化合物]
(V−1):スチレン
(V−2):メタクリル酸メチル
(V−3):N−シクロヘキシルマレイミド
(V−4):メタクリル酸テトラヒドロフルフリル
(V−5):メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル
[合成例1](重合体(A−1)の合成)
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル220質量部を仕込んだ。次いで、構造単位(I)を与える単量体化合物(I−1)30質量部、及び(I−11)22質量部、構造単位(II)を与える単量体化合物(II−1)30質量部、並びに構造単位(III)を与える単量体化合物(III−1)18質量部を仕込んだ。その後、窒素置換し、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより重合体(A−1)を含有する重合体溶液を得た。この重合体溶液の固形分濃度は30.4質量%であり、重合体(A−1)のMwは8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。
[合成例2〜47及び比較合成例1〜4](重合体(A−2)〜(A−47)及び(a−1)〜(a−4)の合成)
下記表1に示す種類及び配合量の単量体化合物を用いた以外は、合成例1と同様に操作し、重合体(A−2)〜(A−47)及び(a−1)〜(a−4)を合成した。得られた各重合体溶液の固形分濃度、並びに各重合体のMw及びMw/Mnは、上記重合体(A−1)の値と同等であった。なお、表1中の空欄は、該当する単量体化合物を配合しなかったことを示す。
Figure 2017082173
<硬化膜形成用樹脂材料(1)の調製>
[実施例1]
[A]重合体としての(A−6)100質量部(固形分)を含有する重合体溶液に、固形分濃度が30質量%となるように溶媒としてのジエチレングリコールメチルエチルエーテルを添加した後、孔径0.2μmのメンブランフィルタでろ過することにより、実施例1の硬化膜形成用樹脂材料(1)を調製した。
[実施例2〜3及び比較例1〜4]
[A]成分を表2に示す種類及び配合量とした以外は、実施例1と同様に操作し、実施例2〜3及び比較例1〜4の各硬化膜形成用樹脂材料(1)を調製した。なお、表2中の「−」は、後述の評価を行わなかったことを示す。
<硬化膜形成用樹脂材料(2)の調製>
各硬化膜形成用樹脂材料(2)の調製に用いた[B]重合性化合物、[C]感放射線性重合開始剤及び[D]酸化防止剤を以下に示す。
[[B]重合性化合物]
(B−1):ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
[[C]感放射線性重合開始剤]
(C−1):エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)(イルガキュアOXE02、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社)
[[D]酸化防止剤]
(D−1):ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオナート], (ADEKA社の「アデカスタブAO−60」)
[実施例4]
[A]重合体としての(A−1)100質量部(固形分)を含有する重合体溶液、[B]重合性化合物としての(B−1)50質量部、[C]感放射線性重合開始剤としての(C−1)5質量部、及び[D]酸化防止剤としての(D−1)0.5質量部を加えて混合し、さらに固形分濃度が30質量%となるように溶媒としてのジエチレングリコールメチルエチルエーテルを添加した後、孔径0.2μmのメンブランフィルタでろ過することにより、実施例4の硬化膜形成用樹脂材料(2)を調製した。
[実施例5〜50及び比較例5〜8]
[A]成分を表3に示す種類及び配合量とした以外は、実施例4と同様に操作し、実施例5〜50及び比較例5〜8の各硬化膜形成用樹脂材料(2)を調製した。
<評価>
調製した各硬化膜形成用樹脂材料(1)及び(2)を用い、下記評価方法に従い評価した。その評価結果を表2及び表3に合わせて示す。
[保存安定性]
各硬化膜形成用樹脂材料の粘度(V)を測定し、各硬化膜形成用樹脂材料を40℃のオーブン中で1週間放置した。加温後の粘度(V)を測定し、粘度変化率(%)を下記式から算出し、保存安定性の指標とした。
粘度変化率(%)={(V−V)/V}×100(%)
粘度変化率を、A:粘度変化率5%未満、B:粘度変化率5%以上10%未満、C:粘度変化率10%以上15%未満、D:粘度変化率15%以上で区分し、A又はBの場合、保存安定性は良好と、C又はDの場合、不良と評価した。粘度は、E型粘度計(東機産業の「VISCONIC ELD.R」)を用いて25℃で測定した。
[感度]
スピンナーを用い、シリコン基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって所定量の紫外線を照射した。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液よりなる現像液を用い、25℃で60秒現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。このとき、幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを形成可能な最小紫外線照射量を測定した。この測定値が700J/m未満の場合、感度は良好と、700J/m以上の場合、不良と評価できる。
[現像密着性]
スピンナーを用い、シリコン基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって1,000J/mの紫外線を照射した。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液よりなる現像液を用い、25℃で60秒現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。そして幅10μmのライン・アンド・スペースパターンの剥離の有無を顕微鏡で観察して現像密着性とした。このとき、剥離の度合いにより、A:剥離無し、B:わずかに剥離有り、C:一部剥離有り、D:全面剥離有りと区分し、A又はBの場合、現像密着性は良好と、C又はDの場合、不良と評価した。
[耐薬品性]
スピンナーを用い、シリコン基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が1,000J/mとなるように紫外線を照射した。次いで、このシリコン基板をホットプレート上で、200℃で30分加熱し、得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。そして、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、上記浸漬後の硬化膜の膜厚(t1)を測定し、膜厚変化率を下記式から算出し、これを耐薬品性の指標とした。
膜厚変化率={(t1−T1)/T1}×100(%)
この値の絶対値が5%未満の場合、耐薬品性は良好と、5%以上の場合、不良と評価できる。さらに、絶対値が2%未満の場合、耐薬品性は特に良好と評価できる。
[耐熱性]
スピンナーを用い、シリコン基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が1,000J/mとなるように紫外線を照射した。次いで、このシリコン基板をホットプレート上にて200℃で30分間加熱して硬化膜を得た。得られた硬化膜の5%重量減少温度を測定器(エスアイアイ・ナノテクノロジー社の「TG/DTA220U」)を用いて空気下で測定し、耐熱性の指標とした。このとき、5%重量減少温度が300℃以上の場合、耐熱性は良好と、300℃未満の場合、耐熱性は不良と評価できる。さらに、5%重量減少温度が320℃以上の場合、耐熱性はより良好と、340℃以上の場合、耐熱性は特に良好と評価できる。
[透過率(透明性)]
スピンナーを用い、ガラス基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が1,000J/mとなるように紫外線を照射した。次いで、このガラス基板をホットプレート上にて200℃で30分間加熱して硬化膜を得た。得られた硬化膜の透過率を紫外可視分光光度計(日本分光社の「V−630」)を用いて測定した。このとき、波長400nmの光の透過率が95%以上の場合を良好(透明性が良い)と、95%未満の場合を不良(透明性が悪い)と評価できる。さらに、透過率が97%以上の場合、透明性がより良好と、98%以上の場合、透明性は特に良好と評価できる。
[鉛筆硬度(表面硬度)]
スピンナーを用い、シリコン基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が1,000J/mとなるように紫外線を照射した。次いで、このシリコン基板をホットプレート上で、200℃で30分加熱して硬化膜を得た。そして、硬化膜が形成された基板について、JIS−K−5400(1990)の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度を測定し、これを表面硬度の指標とした。鉛筆硬度が3H以上の場合、硬化膜の表面硬度は良好(硬化膜形成用樹脂材料は十分な硬化性を有する)と、2H以下の場合、不良と評価できる。
[比誘電率(低誘電性)]
スピンナーを用い、SUS基板上に各硬化膜形成用樹脂材料を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」)を用い、積算照射量が1,000J/mとなるように上記塗膜を露光した。その後、露光した基板をクリーンオーブン内にて200℃で30分加熱することにより、SUS基板上に硬化膜を形成した。次いで、蒸着法により、上記硬化膜上にPt/Pd電極パターンを形成して誘電率測定用サンプルを作製した。この電極パターンを有する基板について、電極(横河・ヒューレットパッカード社の「HP16451B」)及びプレシジョンLCRメーター(横河・ヒューレットパッカード社の「HP4284A」)を用い、周波数10kHzでCV法により比誘電率の測定を行った。このとき、比誘電率が3.9以下の場合を良好と、3.9を超える場合を不良と評価できる。さらに、比誘電率が3.4以下の場合をより良好と、3.3以下の場合を特に良好と評価できる。
Figure 2017082173
Figure 2017082173
表2及び表3の評価結果から分かるように、実施例ではいずれの特性も良好であった。特に、表2に示されるように、実施例1〜3の硬化膜形成用樹脂材料(1)は、比較例1〜4の硬化膜形成用樹脂材料(1)と比べて、耐熱性、透過率(透明性)及び鉛筆硬度(表面硬度)がいずれも優れていることがわかる。また、表3に示されるように、実施例4〜50の硬化膜形成用樹脂材料(2)は、比較例5〜8の硬化膜形成用樹脂材料(2)と比べ、耐薬品性、耐熱性、透過率(透明性)及び比誘電率(低誘電性)がいずれも優れていることがわかる。
特に、表3に示されるように、実施例11、12、20〜25及び35は、耐熱性、透明性、表面硬度及び低誘電性について、いずれも優れている。これらは、[A]重合体が、構造単位(I)が上記式(3−1)又は(3−2)で表される構造単位と、カルボキシ基を有する構造単位とを含み、構造単位(II)が上記式(5−2)で表される構造単位であり、構造単位(III)がオキシラニル基又はメチロール基を有する構造単位であり、上記式(3−1)及び(3−2)中のR及びRがパーフルオロアルキル基であり、カルボキシ基を有する構造単位の含有割合が比較的高いことによると推察される。
本発明は、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性等の一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂材料を提供することができる。従って、当該硬化膜形成用樹脂材料、この硬化膜形成用樹脂材料から形成される硬化膜、半導体素子及び表示素子、並びに当該硬化膜の形成方法は、フレキシブルディスプレイなどの電子デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。

Claims (13)

  1. 酸性基を有する構造単位、並びに下記式(1−1)で表される基及び下記式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位を含む重合体
    を含有する硬化膜形成用樹脂材料。
    Figure 2017082173
    (上記式(1−1)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n1は、0〜4の整数である。*は、結合部位を示す。
    上記式(1−2)中、R、R及びRは、上記式(1−1)と同義である。Aは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基である。Aが複数の場合、複数のAはそれぞれ独立して上記定義を満たす。n2は、0〜6の整数である。*は結合位を示す。)
  2. 上記重合体が、架橋性基を有する構造単位をさらに含む請求項1に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  3. 上記架橋性基が、オキシラニル基、オキセタニル基、メチロール基又はこれらの組み合わせである請求項2に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  4. 上記酸性基が、カルボキシ基、スルホ基、フェノール性水酸基、フッ素含有アルコール性水酸基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基又はこれらの組み合わせである請求項1、請求項2又は請求項3に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  5. 上記酸性基が、下記式(2)で表される基である請求項4に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
    Figure 2017082173
    (上記式(2)中、Rは、フッ素原子又は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基である。Rは、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基である。)
  6. 酸化防止剤をさらに含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  7. エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物、及び
    感放射線性重合開始剤
    をさらに含有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  8. 上記感放射線性重合開始剤がオキシムエステル化合物であり、
    このオキシムエステル化合物の含有量が、上記重合体100質量部に対して0.1質量部以上20質量部以下である請求項7に記載の硬化膜形成用樹脂材料。
  9. 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の硬化膜形成用樹脂材料を用い、基板上に塗膜を形成する工程、及び
    上記塗膜を加熱する工程
    を備える硬化膜の形成方法。
  10. 請求項7又は請求項8に記載の硬化膜形成用樹脂材料を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
    上記塗膜の一部に放射線を照射する工程、
    上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
    上記現像された塗膜を加熱する工程
    を備える硬化膜の形成方法。
  11. 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の硬化膜形成用樹脂材料から形成された硬化膜。
  12. 請求項11に記載の硬化膜を備える半導体素子。
  13. 請求項12に記載の半導体素子を備える表示素子。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170154766A1 (en) * 2015-11-27 2017-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing condensate, composition for forming a silicon-containing resist under layer film, and patterning process
WO2019031114A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 Jsr株式会社 重合体、樹脂組成物、樹脂膜、パターン化樹脂膜の製造方法、および電子部品
WO2019134525A1 (zh) * 2018-01-05 2019-07-11 湖北固润科技股份有限公司 包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物
WO2023100736A1 (ja) * 2021-12-02 2023-06-08 株式会社カネカ 感光性組成物及びパターン膜付き基板、並びに基板積層体及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012113227A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Jnc Corp 感光性樹脂組成物、パターン状透明膜、及び表示素子
JP2013020103A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Mitsubishi Paper Mills Ltd ネガ型感光性平版印刷版
JP2014062978A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Jnc Corp ポジ型感光性組成物
JP2014214274A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 大日本印刷株式会社 色材分散液、カラーフィルタ用着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置、及び有機発光表示装置
JP2014232206A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 東洋インキScホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物および硬化膜
WO2015033901A1 (ja) * 2013-09-06 2015-03-12 日本ゼオン株式会社 感放射線樹脂組成物および電子部品
WO2015037695A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3965868B2 (ja) 2000-06-12 2007-08-29 Jsr株式会社 層間絶縁膜およびマイクロレンズ
KR102115817B1 (ko) * 2013-01-16 2020-05-27 제이에스알 가부시끼가이샤 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법, 반도체 소자 및 표시 소자
JP6089743B2 (ja) 2013-02-05 2017-03-08 Jsr株式会社 硬化膜形成用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、半導体素子及び表示素子
JP2015145927A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 Jsr株式会社 表示素子の硬化膜の製造方法、感放射線性樹脂組成物、表示素子の硬化膜、表示素子及び加熱装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012113227A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Jnc Corp 感光性樹脂組成物、パターン状透明膜、及び表示素子
JP2013020103A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Mitsubishi Paper Mills Ltd ネガ型感光性平版印刷版
JP2014062978A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Jnc Corp ポジ型感光性組成物
JP2014214274A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 大日本印刷株式会社 色材分散液、カラーフィルタ用着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置、及び有機発光表示装置
JP2014232206A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 東洋インキScホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物および硬化膜
WO2015033901A1 (ja) * 2013-09-06 2015-03-12 日本ゼオン株式会社 感放射線樹脂組成物および電子部品
WO2015037695A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170154766A1 (en) * 2015-11-27 2017-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing condensate, composition for forming a silicon-containing resist under layer film, and patterning process
US10109485B2 (en) * 2015-11-27 2018-10-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing condensate, composition for forming a silicon-containing resist under layer film, and patterning process
WO2019031114A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 Jsr株式会社 重合体、樹脂組成物、樹脂膜、パターン化樹脂膜の製造方法、および電子部品
JPWO2019031114A1 (ja) * 2017-08-10 2020-07-02 Jsr株式会社 重合体、樹脂組成物、樹脂膜、パターン化樹脂膜の製造方法、および電子部品
JP7056662B2 (ja) 2017-08-10 2022-04-19 Jsr株式会社 重合体、樹脂組成物、樹脂膜、パターン化樹脂膜の製造方法、および電子部品
WO2019134525A1 (zh) * 2018-01-05 2019-07-11 湖北固润科技股份有限公司 包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物
WO2023100736A1 (ja) * 2021-12-02 2023-06-08 株式会社カネカ 感光性組成物及びパターン膜付き基板、並びに基板積層体及びその製造方法

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