JP2017078646A - ブリッジ型センサ素子を使用するセンサおよびセンサ素子のボトム側電圧調整回路 - Google Patents

Abstract

【課題】温度などの外部条件により変動するブリッジ型センサ素子の出力差信号を増幅する差動増幅器の動作特性を改善する。【解決手段】ブリッジ型センサ素子１１と類似の特性を有する付加ブリッジ形センサ素子１５１を含む可変基準電圧回路１５の出力電圧と、ブリッジ型センサ素子１１の出力信号を増幅する差動増幅器１３のコモン電圧とを対比して、両者が一致するようにブリッジ型センサ素子１１のボトム側電圧を自動的に調整して、差動増幅器１３の特性を最適化する。【選択図】図３

Description

本発明は、ＨＡＬＬ素子やピエゾ（圧電）素子のようなブリッジ状に構成されるブリッジ型センサ素子を使用するセンサおよびそのセンサ素子のボトム側電圧調整回路に関する。

ブリッジ型センサ素子は、ＨＡＬＬ素子やピエゾ素子をブリッジ状に構成して、磁界、電流、圧力、歪などの被検出物理量の検出に広く利用される代表的なセンサ素子である。これらのブリッジ型センサ素子は、それに付属する電子回路とともに半導体（ＩＣ）技術により、小型かつ一体的に形成され、特定用途のセンサとして電子機器や電子応用機器などに活用されている。

従来のセンサは、典型的には、ブリッジ型センサ素子の一方の入力端子（ここでは、トップ側という）から、一般に接地（ＧＮＤ）された他方の入力端子（ここでは、ボトム側という）へ向けて定電流を流す定電流源と、ブリッジ型センサ素子の１対の出力端子からの検出出力の差信号を増幅する差動増幅器（ＤＤＡ）とにより構成される。さらに、ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整して、ブリッジ型センサ素子の温度などによる差動増幅器の設計を容易にする出力コモン電圧調整回路を備え、特性を改善するセンサも提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。

次に、上述した従来のセンサの構成および動作を、図１を参照して簡単に説明する。従来のセンサは、図１に示すように、ブリッジ型センサ素子１００、定電流回路１０１、出力コモン電圧調整回路１０２、基準電圧回路１０３および差動増幅回路１０４により構成されている。

図１に示すセンサにおいて、定電流回路１０１は、抵抗ブリッジ型センサ素子１００のトップ側からボトム側へ予め決めた電流を流す。出力コモン電圧調整回路１０２は、ブリッジ型センサ素子１００のボトム側に接続され、このブリッジ型センサ素子１００のボトム側電圧を調整する。差動増幅回路１０４は、ブリッジ型センサ素子１００の対向する１対の出力端子に接続され、これら両出力端子に検出される電圧差に対応する出力信号を出力する。基準電圧回路１０３は、出力コモン電圧調整回路１０２に接続されている。また、出力コモン電圧調整回路１０２は、ブリッジ型センサ素子１００の１対の出力端子にも接続されている。

図１に示す従来のセンサにおいて、基準電圧回路１０３の基準電圧は、半導体製造プロセス終了後に、ヒューズトリミング工程などにより、最適な電圧に調整される。そこで、出力コモン電圧調整回路１０２は、ブリッジ型センサ素子１００の両出力端子のうち何れか低い方の電圧が、基準電圧回路１０３で予め設定した基準電圧と等しくなるように、ブリッジ型センサ素子１００のボトム側電圧を調整する。その結果、温度変化などによりブリッジ型センサ素子の抵抗値が変化しても差動増幅回路１０４の同相入力電圧を基準電圧回路１０３の基準電圧で決まる略一定電圧に維持して、差動増幅回路１０４の設計を容易にしている。

特開２０１４−１４５６７６号公報

上述の説明から理解されるように、従来のセンサの出力コモン電圧調整回路は、ブリッジ型センサ素子の１対の出力のうち低い方の電圧を、半導体の製造プロセス終了後に、ヒューズトリミング工程などにより最適な電圧に調整された基準電圧回路の電圧と等しくなるように構成するものである。そのために、余分な工程（プロセス）により出力電圧が設定される基準電圧回路を必須要件とする。そのため、製造されるセンサまたはブリッジ型センサ素子毎に最適な基準電圧を決定することが容易でなく、複雑な工程および作業時間を必要とし、特にセンサの量産に不向きであるという課題がある。

本発明のブリッジ型センサ素子を使用するセンサは、ブリッジ型センサ素子のトップ側から定電流を流し、１対の出力端子に得られる検出出力を差動増幅器に入力して検出信号を得るセンサであって、差動増幅器のコモン電圧をフィードバックして、このブリッジ型センサ素子と類似する特性を有する可変基準電圧と比較して、可変基準電圧が差動増幅器のコモン電圧と一致するようにブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整することを特徴とする。
ここで、可変基準電圧は、ブリッジ型センサ素子と同様かつ１対の出力端子が短絡された付加ブリッジ型センサ素子を使用するのが好ましい。また、これらブリッジ型センサ素子および付加ブリッジ型センサ素子は、同じ条件で製造され、同じ大きさの定電流を流すのが好ましい。さらに、ブリッジ型センサ素子として同じ定電流を流す複数のブリッジ型センサ素子を使用し、その１つのブリッジ型センサ素子を可変基準電圧の生成に使用し、残りのブリッジ型センサ素子の出力を差動増幅器で加算して出力するのが好ましい。

また、本発明のセンサは、ブリッジ型センサ素子と、このブリッジ型センサ素子のトップ側から定電流を流す電流源と、ブリッジ型センサ素子の１対の出力端子に得られる検出出力を増幅する差動増幅器と、このブリッジ型センサ素子と類似する特性を有する可変基準電圧を得る可変基準電圧回路と、差動増幅器からフィードバックしたコモン電圧を可変基準電圧と比較して両者が一致するようにブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整するコモン電圧調整回路とを備えている。
ここで、可変基準電圧は、ブリッジ型センサ素子と同じ定電流を流し、１対の出力端子を短絡した付加ブリッジ型センサ素子から得るのが好ましい。また、複数のブリッジ型センサ素子を形成し、その１つを付加ブリッジ型センサ素子とし、残りのセンサ素子の出力を差動増幅器で加算して検出出力とするのが好ましい。

また、本発明のブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路は、電流源と、この電流源の定電流がトップ側から供給されるブリッジ型センサ素子と、このブリッジ型センサ素子の出力端子電圧が一方の入力端子に入力されるオペアンプとを備え、このブリッジ型センサ素子と同様のブリッジ型センサ素子の１対の出力端子に得られる検出出力を増幅する差動増幅器を含むセンサの差動増幅器のコモン電圧を上述したオペアンプの他方の入力端子に入力し、オペアンプの出力でブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整することを特徴とする。
ここで、ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路の付加ブリッジ型センサ素子およびセンサのブリッジ型センサ素子には、同様の電流源から同じ大きさの定電流を流すのが好ましい。また、ボトム側電圧調整回路に使用される付加ブリッジ型センサ素子の１対の出力端子は、短絡接続するのが好ましい。

上述した特徴的な構成を備える本発明のセンサによると、センサを構成する差動増幅器のコモン電圧をフィードバックしてブリッジ型センサ素子の特性と同等またはそれと類似する可変基準電圧と対比してブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を決定している。すなわち、このセンサによると、センサの製造工程中にトリミングなどにより適切な基準電圧を設定する必要がなく、差動増幅器の動作特性、特に直線性特性やオフセット誤差などを最適化するとともに量産に適したセンサを得ることが可能である。特に、本発明のセンサによると、一般にＩＣとして一体形成される複数のブリッジ型センサ素子のうちの１つのブリッジ型センサ素子を可変基準電圧の生成に使用し、残りのブリッジ型センサ素子の検出出力を加算することにより、大きな検出信号を得るのみならず、ブリッジ型センサ素子のばらつきによる影響を軽減して一層均質化し、さらに温度などによるブリッジ型センサ素子の特性変化を確実かつ効果的に補正することが可能である。また、可変基準電圧回路の付加ブリッジ型センサ素子の両出力端を短絡することにより、１対の出力電圧の平均電圧を得ることができるので、ブリッジ型センサ素子は物理量に応じた電圧を出力中でもセンサ出力状態に依存することなく同相電圧を得ることが可能である。

また、本発明のブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路によると、ブリッジ型センサ素子を使用するセンサに適用して、それに使用されるブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を自動的に最適値に調整するので、センサの差動増幅器を特別に複雑かつ高価な構成とすることなく、その直線性やオフセット誤差特性などを改善することが可能である。

従来のセンサの１例を示すブロック図である。 本発明によるセンサの基本構成を示すブロック図である。 図２に示すセンサの好適な実施例を示す回路図である。 複数のブリッジ型センサ素子を使用する本発明のセンサの実施例の構成を示す図である。 図４に示すセンサを構成する差動増幅器の１例を示す詳細ブロック図である。 図５に示す差動増幅器の出力段の詳細構成図である。

以下、添付図（図２〜図５）を参照して、本発明によるブリッジ型センサ素子を使用するセンサおよびそのブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路の構成および動作を詳述する。

先ず、図２を参照して本発明によるセンサの基本構成を説明する。このセンサ１０は、ＨＡＬＬ素子などのブリッジ型センサ素子１１、電流源１２、差動増幅器１３、フィードバック回路１４および可変基準電圧回路１５により構成されている。このセンサ１０は、ブリッジ型センサ素子およびそれに付属する全ての回路を半導体集積（ＩＣ）技術により、小型かつ一体的に形成するのが好ましい。

ここで、ブリッジ型センサ素子１１は、例えばブリッジ状に接続された抵抗型のＨＡＬＬ素子である。電流源１２は、ブリッジ型センサ素子１１の入力端であるトップ側に接続され、ブリッジ型センサ素子１１に予め設定された一定電流を流す。差動増幅器１３は、ブリッジ型センサ素子１１の１対の出力端子に接続される１対の入力端子を有し、１対の出力端子から検出出力される検出信号の差信号を出力する。フィードバック回路１４は、差動増幅器１３のコモン電圧出力と可変基準電圧回路１５からの可変基準電圧を対比して、ブリッジ型センサ素子１１のボトム側電圧を決定する。

可変基準電圧回路１５は、ブリッジ型センサ素子１１と同様または類似する特性（例えば、温度特性）を有する可変基準電圧をフィードバック回路１４に入力する。この特徴的な構成により、フィードバック回路１４は、差動増幅器１３からフィードバック（帰還）されるコモン電圧を、可変基準電圧回路１５からの可変基準電圧と対比して、差動増幅器１３のコモン電圧が常に可変基準電圧と対応または一致するように、ブリッジ型センサ素子１１のボトム側電圧を自動的に調整する。

次に、本発明によるセンサの好適実施形態を示す図３を参照して、本発明のセンサ１０Ａを更に詳細に説明する。なお、このセンサ１０Ａの好適実施形態は、本発明によるセンサの単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。

このセンサ１０Ａは、例えばブリッジ状に接続された磁気検出素子であるブリッジ型センサ素子１１、このブリッジ型センサ素子１１に一定の電流（ＩＲＥＦ１）を流す電流源１２、ブリッジ型センサ素子１１の１対の検出端子（出力端子）に得られる検出出力信号が入力される差動増幅器１３、フィードバック回路１４および可変基準電圧回路１５により構成されている。なお、フィードバック回路１４および可変基準電圧回路１５は、コモン電圧調整回路またはブリッジ型センサ素子１１のボトム側電圧調整回路を構成している。

可変基準電圧回路１５は、ブリッジ型センサ素子１１と同様の付加ブリッジ型センサ素子１５１およびこの付加ブリッジ型センサ素子１５１のトップ側から一定電流（ＩＲＥＦ２）を供給する電流源１５２により構成されている。一方、フィードバック回路１４は、反転入力端子、非反転入力端子および出力端子を有する演算増幅器のオペアンプ１４１により構成されている。このオペアンプ１４１の反転入力端子は、付加ブリッジ型センサ素子１５１の短絡された両出力端子に接続されている。オペアンプ１４１の非反転入力端子には、差動増幅器１３のコモン出力（ＣＯＭ）が入力されている。そして、オペアンプ１４１の出力端子を、ブリッジ型センサ素子１１のボトム側と付加ブリッジ型センサ素子１５１のボトム側に接続している。上述したように、付加ブリッジ型センサ素子１５１の１対の出力を短絡することにより、付加ブリッジ型センサ素子１５１の１対の出力の平均電圧を得て、オペアンプ１４１の反転入力に入力することに注目されたい。

ここで、付加ブリッジ型センサ素子１５１および電流源１５２は、同じ半導体基板上に一体形成（すなわち、ＩＣ化）されているのが好ましい。また、付加ブリッジ型センサ素子１５１は、ブリッジ型センサ素子１１と同一または類似構成の素子であるのが好ましい。さらに、電流源１５２は、電流源１２と同じであって、それぞれ対応するブリッジ型センサ素子１１および付加ブリッジ型センサ素子１５１に同じ大きさの電流を流すのが好ましい。

また、上述したように、一般的なセンサのセンサ素子のボトム側は、接地（ＧＮＤ）されている。しかし、本発明のセンサ１０では可変基準電圧回路１５からの可変基準電圧に設定されている。オペアンプ１４１は、接地（ＧＮＤ）レベルまでの電圧を出力可能に設計するのが好ましい。

図３のセンサ１０Ａでは、フィードバック回路１４のオペアンプ１４１は、差動増幅器１３のコモン電圧（ＣＯＭ）が、可変基準電圧回路１５の付加ブリッジ型センサ素子１５１の出力電圧と常時等しくなるように、ブリッジ型センサ素子１１および付加ブリッジ型センサ素子１５１のボトム側電圧を自動的に調整する。その結果、温度変化などによりブリッジ型センサ素子１１の特性変化が生じても、ブリッジ型センサ素子１１からの１対の出力信号は、それを増幅する差動増幅器１３のコモン電圧に追従するので、差動増幅器１３の直線性特性を最適化するとともに安価に形成することが可能である。

なお、可変基準電圧回路１５に付加ブリッジ型センサ素子１５１を含む構成にすることより、これを形成する半導体基板上に一定の面積を占有することとなる。しかし、付加ブリッジ型センサ素子１５１の占有面積は、例えば１辺が１００μｍ以下に形成可能であるので、実用上の不都合を生じることはない。なお、一般にＨＡＬＬ素子などの１個のブリッジ型センサ素子から得られる出力は微小であるので、複数のブリッジ型センサ素子を同時かつ並列に使用するのが好ましい。その具体例を、図４を参照して以下に説明する。

図４に示すセンサの具体例では、４個のブリッジ型センサ素子１１Ａ〜１１Ｄを並列使用して、多入力型の差動増幅器１３Ａに入力し、これら複数のブリッジ型センサ素子１１Ａ〜１１Ｄの出力を差動増幅器１３Ａ内で加算して出力している。複数のブリッジ型センサ素子を使用し、それらの検出出力を加算することにより、比較的検出出力の小さいＨＡＬＬ素子などの検出出力を１個のブリッジ型センサ素子の場合に比較して大きくすることが可能である。この場合にあっても、コモン電圧調整回路には、可変基準電圧を得るために１個の付加ブリッジ型センサ素子１５１および電流源１５２を使用する。すなわち、図４に示すセンサでは、同時に形成された合計５個のブリッジ型センサ素子のうち１個のブリッジ型センサ素子を可変基準電圧の生成に使用し、残り（４個）のブリッジ型センサ素子の出力を同時かつ並列に使用して差動増幅器１３Ａに入力する。

図４に示すセンサにあっても、温度やプロセスのばらつきなどによりコモン（同相）電圧が変動してもコモン電圧調整回路によりブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整して、変動の影響を最小化している。そして、コモン電圧調整回路に使用される付加ブリッジ型センサ素子のセンサ全体に占める割合（面積）は図３のセンサ１０Ａの場合よりも一層少なくすることが可能である。

図４に示すセンサの差動増幅器１３Ａの増幅率Ａは、入力力抵抗Ｒ１と帰還抵抗Ｒ２で決定され、Ａ＝１＋Ｒ２／Ｒ１である。この増幅率Ａは、アプリケーションに応じて最適値に選定可能である。

上述のように、図４に示すセンサによると、複数個のブリッジ型センサ素子１１Ａ〜１１Ｄを使用することにより、１個のブリッジ型センサ素子を使用する場合に比較して、大きい検出出力が得られる（すなわち、検出感度の改善が可能である）。また、１個のブリッジ型センサ素子を使用する場合に生じ得るプロセスその他のばらつきの影響を低減して、量産されるセンサの検出出力の安定化が期待できる。

次に、図５は、図４に示すセンサを構成する多入力型の差動増幅器１３Ａの具体例を示すブロック図である。この差動増幅器１３Ａの具体例は、高入力インピーダンスのバッファである４個の入力段差動増幅器１３１Ａ〜１３１Ｄ、２個の加算器１３２Ａと１３２Ｂおよび１個の出力段差動増幅器１３３により構成されている。

各入力段差動増幅器１３１Ａ〜１３１Ｄは、それぞれ図４のブリッジ型センサ素子１１Ａ〜１１Ｄからの対応する検出出力が入力される反転入力端子と非反転入力端子を有する。また、各入力段差動増幅器１３１Ａ〜１３１Ｄは、それぞれ加算器１３２Ａおよび１３２Ｂに入力される非反転出力端子および反転入力端子を有する。そして、加算器１３２Ａおよび１３２Ｂの加算出力は、それぞれ出力段差動増幅器１３３の反転入力端子および非反転入力端子に入力される。出力段差動増幅器１３３は、それぞれ非反転出力端子および反転出力端子に非反転および反転出力信号を出力する。

次に、図６を参照して、図５に示す差動増幅器１３Ａの出力段差動増幅器１３３の詳細構成を説明する。この出力段差動増幅器１３３は、差動増幅器１３４と３個のオペアンプ１３５、１３６および１３７とにより構成されている。差動増幅器１３４の非反転出力および反転出力が、それぞれオペアンプ１３５および１３６の反転入力端に入力される。オペアンプ１３５および１３６は、それぞれ出力端子１３３Ａおよび１３３Ｂに差動出力信号（ＯＵＴＭおよびＯＵＴＰ）を出力する。また、これら出力端子１３３Ａおよび１３３Ｂ間に直列接続された等しい抵抗Ｒの中点電圧をオペアンプ１３７の反転入力に入力する。オペアンプ１３７の非反転入力には、電圧源からＣＯＭ端子１３３Ｃを経て差動増幅器１３Ａを動作させる同相電圧（ＣＯＭ）が入力され、その出力をオペアンプ１３５および１３６の非反転入力に入力される。

図６に示す構成により、オペアンプ１３７は、差動増幅器１３Ａの出力段差動増幅器１３３の出力端子１３３Ａおよび１３３Ｂ間に直列接続された抵抗Ｒの中点電圧が、ＣＯＭ端子１３３Ｃから供給されるＣＯＭ電圧と等しくなるように動作する。その結果、差動増幅器１３Ａを常に最適条件または特性で動作させることが可能である。

ここで、本発明のセンサおよびブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路の具体例について説明する。図３に示すセンサ１０Ａにおいて、電流源１２および１５２に供給される電源電圧は３．０Ｖであり、その電流は５００μＡである。一般に、電流源の電流が大きいほどブリッジ型センサ素子１１の検出出力は大きくなる。ブリッジ型センサ素子１１および付加ブリッジ型センサ素子１５１の各抵抗は４ＫΩであり、そのトップ側およびボトム側間電圧は２．０Ｖである。差動増幅器１３のコモン電圧を１．２Ｖとすると、ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧は０．２Ｖであり、トップ電圧は２．２Ｖである。

上述した条件のもとで、何らかの原因で電流源１２および１５２の電流が＋１０％変化した場合には、ブリッジ型センサ素子のトップ側およびボトム側間の電圧は、２．０Ｖから２．２Ｖへ増加する。しかし、センサの出力電圧を１．２Ｖになるように、ブリッジ型センサ素子１１のボトム側電圧をボトム側電圧調整回路により調整するので、ブリッジ型センサ素子１１のトップ電圧は２．３Ｖ、ボトム側電圧は０．１Ｖとなり、出力電圧を１．２Ｖに維持する。

以上、本発明によるブリッジ型センサ素子を使用するセンサおよびブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路の構成および動作を実施例および具体例を示して詳述した。しかし、これらの例は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが当業者には容易に理解できよう。

１０、１０Ａ センサ
１１、１１Ａ〜１１Ｄ、１５１ ブリッジ型センサ素子
１２、１２Ａ〜１２Ｄ、１５２ 電流源
１３、１３Ａ 差動増幅器
１４ フィードバック回路
１５ 可変基準電圧回路
１３１Ａ〜１３１Ｄ 入力段差動増幅器
１３２Ａ、１３２Ｂ 加算器
１３３ 出力段差動増幅器
１３３Ａ、１３３Ｂ 出力端子
１３３Ｃ ＣＯＭ端子
１３４ 差動増幅器
１３５〜１３７，１４１ オペアンプ

Claims (10)

1. ブリッジ型センサ素子のトップ側から定電流を流し、１対の出力端子に得られる検出出力を差動増幅器に入力して検出信号を得るセンサにおいて、
   前記差動増幅器のコモン電圧をフィードバックして、前記ブリッジ型センサ素子に類似する特性を有する可変基準電圧と比較して、前記フィードバックされたコモン電圧を前記可変基準電圧と一致させて前記ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整することを特徴とするブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
2. 前記可変基準電圧は、前記ブリッジ型センサ素子と同様かつ１対の出力端子が短絡された付加ブリッジ型センサ素子を使用して得ることを特徴とする請求項１に記載のブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
3. 前記ブリッジ型センサ素子および前記付加ブリッジ型センサ素子には同じ大きさの定電流を流すことを特徴とする請求項１または２に記載のブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
4. 前記ブリッジ型センサ素子として同じ定電流を流す複数のブリッジ型センサ素子を使用し、前記複数のブリッジ型センサ素子の出力を前記差動増幅器で加算して出力することを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載のブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
5. ブリッジ型センサ素子と、該ブリッジ型センサ素子のトップ側から定電流を流す電流源と、前記ブリッジ型センサ素子の１対の出力端子に得られる検出出力を増幅する差動増幅器と、前記ブリッジ型センサ素子と類似する特性を有する可変基準電圧を得る可変基準電圧回路と、前記差動増幅器からフィードバックしたコモン電圧を前記可変基準電圧と比較して両者が一致するように前記ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整するコモン電圧調整回路と、を備えることを特徴とするブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
6. 前記可変基準電圧は、前記ブリッジ型センサ素子と同じ定電流を流し、１対の出力端子を短絡した付加ブリッジ型センサ素子から得ることを特徴とする請求項５に記載のブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
7. 前記ブリッジ型センサ素子として複数のブリッジ型センサ素子を使用し、該複数のブリッジ型センサ素子の１つを前記付加ブリッジ型センサ素子とし、残りのブリッジ型センサ素子の出力を前記差動増幅器に入力して加算して検出出力とすることを特徴とする請求項６に記載のブリッジ型センサ素子を使用するセンサ。
8. 電流源と、該電流源の定電流がトップ側から供給されるブリッジ型センサ素子と、該ブリッジ型センサ素子の出力端子電圧が一方の入力端子に入力されるオペアンプとを備え、前記ブリッジ型センサ素子と同様のブリッジ型センサ素子の１対の出力端子に得られる検出出力を増幅する差動増幅器を含むセンサの前記差動増幅器のコモン電圧を前記オペアンプの他方の入力端子に入力し、前記オペアンプの出力で前記ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧を調整することを特徴とするブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路。
9. 前記ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路の前記ブリッジ型センサ素子および前記センサのブリッジ型センサ素子には、同様の電流源から同じ大きさの電流が供給されることを特徴とする請求項８に記載のブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路。
10. 前記ブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路に使用されるブリッジ型センサ素子の１対の出力端子は、短絡接続されることを特徴とする請求項８または９に記載のブリッジ型センサ素子のボトム側電圧調整回路。
    
    

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