JP2017069354A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1の実施形態について図1から図5を参照して説明する。
第2の実施形態について図6を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(処理室、搬送室及び加熱室)について説明し、その他の説明は省略する。
第3の実施形態について図7を参照して説明する。なお、第3の実施形態では、第1の実施形態との相違点(液膜加熱部)について説明し、その他の説明は省略する。
第4の実施形態について図8を参照して説明する。なお、第4の実施形態では、第1の実施形態との相違点(気体吹付部)について説明し、その他の説明は省略する。
また、前述の各実施形態においては、基板加熱部19の一例としてランプ19aを用いているが、これに限るものではなく、例えば、IH(誘導加熱)ヒータなどの加熱器を用いることが可能である。さらに、ランプ19aの形状も直管形に限るものではなく、例えば、丸形や球形など各種の形状を採用することが可能である。なお、ランプ19aやIHヒータは、どちらも電磁波(光も電磁波に含まれる)により基板Wを加熱する加熱器である。
13 支持部
14 回転機構
15 ノズル
17 液膜厚測定部
19 基板加熱部
20 制御部
41 液膜加熱部
51 気体吹付部
W 基板
Claims (16)
- 基板の被処理面に液体を供給するノズルと、
前記液体が供給された前記基板の被処理面上の液膜の厚さを測定する液膜厚測定部と、
前記液体が供給された前記基板の被処理面上に気層を生じさせて前記基板の被処理面上の液体を液玉化させるように前記基板を加熱する基板加熱部と、
前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さに応じて前記基板加熱部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さと第1の所定値とを比較し、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さが前記第1の所定値以下であると判断した場合、前記基板加熱部に前記基板を加熱させることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、液体の種類ごとに閾値を有し、液体の種類ごとの閾値から前記液体の種類に応じた閾値を選択し、前記第1の所定値として用いることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さに応じて前記ノズルに前記液体を供給させることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板加熱部による前記基板の加熱を制限し、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さと、前記第1の所定値よりも小さい第2の所定値とを比較し、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さが前記第2の所定値以下であると判断した場合、前記ノズルに前記液体を供給させることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記基板の被処理面上の液膜を加熱する液膜加熱部を備え、
前記制御部は、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さに応じて前記液膜加熱部を制御することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板の被処理面上の液膜に気体を吹き付ける気体吹付部を備え、
前記制御部は、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さに応じて前記気体吹付部を制御することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板を支持する支持部と、
前記基板の被処理面に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
を備え、
前記制御部は、前記液膜厚測定部により測定された前記液膜の厚さに応じて前記回転機構を制御することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板の被処理面に液体を供給する工程と、
前記液体が供給された前記基板の被処理面上の液膜の厚さを測定する工程と、
測定された前記液膜の厚さに応じ、前記液体が供給された前記基板の被処理面上に気層を生じさせて前記基板の被処理面上の液体を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を加熱する工程では、測定された前記液膜の厚さと第1の所定値とを比較し、測定された前記液膜の厚さが前記第1の所定値以下であると判断した場合、前記基板を加熱することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程では、液体の種類ごとに閾値を有し、液体の種類ごとの閾値から前記液体の種類に応じた閾値を選択し、前記第1の所定値として用いることを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程前に、測定された前記液膜の厚さに応じて前記基板の被処理面に前記液体を供給し、前記基板の被処理面上の液膜の厚さを調整する工程を有することを特徴とする請求項9から11のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 測定された前記液膜の厚さと、前記第1の所定値よりも小さい第2の所定値とを比較し、測定された前記液膜の厚さが前記第2の所定値以下であると判断した場合、前記液体を供給することを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程前に、測定された前記液膜の厚さに応じて前記基板の被処理面上の液膜を加熱し、前記基板の被処理面上の液膜の厚さを調整する工程を有することを特徴とする請求項9から13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程前に、測定された前記液膜の厚さに応じて前記基板の被処理面上の液膜に気体を吹き付け、前記基板の被処理面上の液膜の厚さを調整する工程を有することを特徴とする請求項9から14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程前に、測定された前記液膜の厚さに応じ、前記基板の被処理面に交わる軸を回転軸として前記基板を回転させ、前記基板の被処理面上の液膜の厚さを調整する工程を有することを特徴とする請求項9から15のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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