JP2017066451A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 197
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 102
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 89
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 564
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims description 73
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 41
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 16
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 163
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 114
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 12
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- -1 salt chloride Chemical class 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylhydrazine Chemical compound CNN(C)C NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 5-ethylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+) Chemical compound [Ru+2].CC[C-]1C=CC=C1.CC[C-]1C=CC=C1 OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- SJPFZRACRCONRE-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)N[W](NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)=NC(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)N[W](NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)=NC(C)(C)C SJPFZRACRCONRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IKMXSKDHYPICEK-UHFFFAOYSA-N N[Hf] Chemical compound N[Hf] IKMXSKDHYPICEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 1
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYZGGGMGTVKVLI-UHFFFAOYSA-N [Mo].[CH]1C=CC=C1 Chemical compound [Mo].[CH]1C=CC=C1 RYZGGGMGTVKVLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- VPFJVCJZOKOCHT-UHFFFAOYSA-N butylcyclopentane;yttrium Chemical compound [Y].CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CCCC[C]1[CH][CH][CH][CH]1 VPFJVCJZOKOCHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- CIXQIEOCFNVARN-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);5-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Co+2].CC[C-]1C=CC=C1.CC[C-]1C=CC=C1 CIXQIEOCFNVARN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OWKFQWAGPHVFRF-UHFFFAOYSA-N n-(diethylaminosilyl)-n-ethylethanamine Chemical compound CCN(CC)[SiH2]N(CC)CC OWKFQWAGPHVFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N n-(tert-butylamino)silyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N[SiH2]NC(C)(C)C VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)silyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
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- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
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Abstract
【解決手段】
(a)基板に対して原料ガスを供給して、原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を基板に吸着させる工程と、(b)原料分子が吸着した基板に対して電子吸引基を含む化合物を供給し、原料分子に含まれる配位子に電子吸引基を含む化合物を吸着させる工程と、(c)原料分子および電子吸引基を含む化合物が吸着した基板に対して反応ガスを供給し、基板上から配位子と電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、原料分子に含まれる主元素と反応ガスとを反応させる工程と、を時分割して順に行い、基板上に膜を形成する工程を有する。
【選択図】図4
Description
(a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる工程と、(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる工程と、(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる工程と、を時分割して順に行い、前記基板上に膜を形成する工程を有する技術が提供される。
以下、本発明の第1の実施形態について図1および図2を用いて説明する。基板処理装置10は、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程である基板処理工程において使用される装置の一例として構成されている。
処理炉202には加熱手段(加熱機構、加熱系)としてのヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状に形成されている。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に、例えばゲート電極を構成する金属膜を形成する工程の第1実施形態について図4を用いて説明する。金属膜を形成する工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(a)ウエハ200に対して原料ガス(例えばTDEATガス)を供給して、ウエハ200原料ガスに含まれ主元素(例えばTi)と配位子を含む原料分子(TDEAT分子)をウエハ200に吸着させる工程と、(b)原料分子が吸着したウエハ200に対して電子吸引基を含む化合物(例えばBCl3ガス)を供給し、原料分子に含まれる配位子に電子吸引基を含む化合物を吸着させる工程と、(c)原料分子および電子吸引基を含む化合物が吸着したウエハ200に対して反応ガス(例えばNH3ガス)を供給し、ウエハ200上から配位子と電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、原料分子に含まれる主元素と反応ガスとを反応させる工程と、を時分割して順に行い、ウエハ200上に膜(例えばTiN膜)を形成する工程を有する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構によりシャッタが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ243がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくとも後述する成膜処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の成膜温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくとも後述する成膜処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも後述する成膜処理が終了するまでの間は継続して行われる。
続いて、図4に示す金属含有膜であるTiN膜を形成する第1実施形態を説明する。TiN膜形成ステップは、以下に説明するTDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。
バルブ314を開き、ガス供給管310内に原料ガスとして、TDEATガスを流す。ガス供給管310内を流れたTDEATガスはMFC312により流量調整されてノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
ウエハ200(表面の下地膜)の最表面上に、TDEAT含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、TDEATガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTDEAT含有層の形成に寄与した後のTDEATガスを処理室201内から排除する。すなわち、TDEATが吸着されたウエハ200が存在する空間に残留するTDEATガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはTDEAT含有層の形成に寄与した後のTDEATガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ334を開き、ガス供給管330内にBCl3ガスを流す。ガス供給管330内を流れたBCl3ガスはMFC332により流量調整されてノズル430のガス供給孔430aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
BCl3ガスがTDEAT含有層に吸着した後、バルブ334を閉じ、BCl3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTDEAT含有層に吸着した後のBCl3ガスを処理室201内から排除する。すなわち、BCl3ガスが吸着したTDEAT含有層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTDEAT含有層に吸着した後のBCl3ガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはTDEAT含有層に吸着した後のBCl3ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324を開き、ガス供給管320内にNH3ガスを流す。ガス供給管320内を流れたNH3ガスは、MFC322により流量調整されてノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、キャリアガス供給管520内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整されてNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410,430内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514,534を開き、キャリアガス供給管510,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,330、ノズル410,430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiN層が形成された後、バルブ324を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後の、NH3ガスや副生成物を処理室201内から排除する。すなわち、TiN層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスや副生成物を除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスや副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上述したTDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に時分割して(非同時に、すなわち同期させることなく)行うサイクルを1サイクルとして、これらの処理をnサイクル(nは1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さ(例えば0.1〜10nm)のTiN膜を形成する。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
所定膜厚のTiN膜を形成した後、ガス供給管510,520,530のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ(図示せず)が移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ(図示せず)によりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
(B)原料ガスと触媒としての電子吸引基を有する化合物とを時分割して供給することにより(すなわち原料ガス供給ステップと触媒供給ステップとの間に残留ガス除去ステップを行うことにより)、原料ガスに対して電子吸引基を有する化合物が直接、触媒作用を与えることを抑制できるため、原料ガスが電子吸引基を有する化合物により分解されて配位子が外れた状態で原料ガスの主元素が基板上に吸着してしまうことを抑制することができる。さらに、外れた配位子が不純物として膜中に取り込まれてしまうことを抑制することができる。
(C)原料ガスと触媒としての電子吸引基を有する化合物とを時分割して供給することにより(すなわち原料ガス供給ステップと触媒供給ステップとの間に残留ガス除去ステップを行うことにより)、原料ガスに対して電子吸引基を有する化合物が直接、触媒作用を与えることを抑制できるため、原料ガスから外れた配位子と電子吸引基を有する化合物とが結合して反応副生成物となり基板上に再付着してしまうことを抑制することができる(すなわち基板表面の吸着阻害要因を低減することができる)。
(D)原料分子および触媒として供給された電子吸引基を含む化合物が吸着した基板に対して反応ガスを供給することにより、基板上から配位子と電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、原料分子に含まれる主元素と反応ガスとを反応させることができ、より不純物および反応副生成物が少ない高品質の膜を形成することができる。また、反応ガスと触媒としての電子吸引基を有する化合物とを時分割して供給することにより、反応副生成物と反応ガスとが反応してしまうことを抑制し、供給した反応ガスを効率よく成膜プロセスに使用することができる。
(E)触媒として、電子吸引基を有する化合物を用いることにより配位子を構成する原子の電子密度を低下させて解離定数を大きくし、主元素と配位子との結合を弱くすることができるため、反応ガスを供給した際に配位子がより外れやすくなり、配位子が不純物として膜中に取り込まれてしまうことを抑制することができる。さらに、電子吸引基を有する化合物として酸系ガスであってルイス酸(ルイス酸性ガス)を用いることにより、配位子を構成する原子が有する不対電子を受け取り(もしくは取り去り)、主元素と配位子との結合をより弱くすることができる。
第2の実施形態について、第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について以下に説明する。第1の実施形態では、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)TiN膜を形成する例について説明した。本実施形態では、図5および以下に示すように、TiN膜形成ステップにおいて、TDEATガス供給ステップの前に、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを行う点で第1の実施形態と異なる。すなわち、第2の実施形態では、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。
上述の第2の実施形態では、触媒として電子吸引基を有する化合物であるBCl3ガスを1種類用いて、TiN膜形成ステップにおいて、触媒(BCl3ガス)供給ステップ、残留ガス除去ステップ、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、触媒(BCl3ガス)供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う例について説明した。本変形例1では、上述のサイクルを2回以上行う際、用いるタイミングや目的に応じて、2種類の触媒を使い分ける例について説明する。すなわち、TiN膜形成ステップにおいて、第1の触媒供給ステップ、残留ガス除去ステップ、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、第2の触媒供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割して2回以上行う。
第3の実施形態について、第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について以下に説明する。第1の実施形態では、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)TiN膜を形成する例について説明した。本実施形態では、図6および以下に示すように、TiN膜形成ステップにおいて、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う点で第1の実施形態と異なるが、各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。
上述の第3の実施形態では、触媒として電子吸引基を有する化合物であるBCl3ガスを用いる例について説明したが、上述のサイクルを2回以上行う際には、触媒として電子供与基を有する化合物であって、好ましくは塩系ガスであり、より好ましくはルイス塩基であり、例えば以下のようにピリジンを用いてもよい。電子供与基を有する化合物を用いることにより、特に、2サイクル目において、1サイクル目のNH3ガス供給ステップで形成されてウエハ200上のTiN層に残留した副生成物と電子供与基を有する化合物が反応(結合)し、ウエハ200上に形成されたTiN層から副生成物を脱離させることができる。本変形例によれば、第3の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本変形例によれば、上述のサイクルを2回以上行う際には、触媒として電子供与基を有する化合物を用いることにより、特に、2サイクル目において、1サイクル目のNH3ガス供給ステップで形成されてウエハ200上のTiN層に残留した副生成物と電子供与基を有する化合物が反応(結合)し、ウエハ200上に形成されたTiN層から副生成物を脱離させることができるという効果が得られる。
第4の実施形態について、第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について以下に説明する。第1の実施形態では、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)TiN膜を形成する例について説明した。本実施形態では、図7および以下に示すように、TiN膜形成ステップにおいて、TDEATガス供給ステップ後の残留ガス除去ステップとNH3ガス供給ステップとの間に、BCl3ガス供給ステップおよび残留ガス除去ステップを時分割してm回(mは2以上の整数)行う点で第1の実施形態と異なる。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。
第4の実施形態において、BCl3ガス供給ステップにおける処理条件(例えばBCl3ガスの供給量、供給時間)は、m回の中でそれぞれ変えてもよい。例えば、BCl3ガス供給ステップおよび残留ガス除去ステップをm回行う際、徐々にBCl3ガスの供給量を少なくしてもよい。本発明の第4の実施形態における変形例1によっても、図7に示すシーケンスと同様の効果が得られる。さらに、本変形例によれば、徐々にBCl3ガスの供給量を少なくすることにより、最初にBCl3ガスをTDEAT分子の配位子の大部分と吸着させた後に、効率よく残りの未吸着の配位子とBCl3ガスとを吸着させることが可能となる。また、本変形例によれば、徐々にBCl3ガスの供給時間を少なくすることにより、最初にBCl3ガスをTDEAT分子の配位子の大部分と吸着させた後に、効率よく残りの未吸着の配位子とBCl3ガスとを吸着させることができるという効果が得られる。
変形例2では、図8および以下に示すように、第2の実施形態と第4の実施形態を組み合わせたシーケンスとする。具体的には、TiN膜形成ステップにおいて、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してm1回(m1は2以上の整数)行い、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを行い、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してm2回(m2は2以上の整数)行い、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。変形例3によって、図5および図7の両方に示すシーケンスと同様の効果が得られる。
変形例3では、以下のように、第2の実施形態の変形例1と第4の実施形態を組み合わせたシーケンスとする。変形例3によって、図5および図7の両方に示すシーケンスと同様の効果が得られる。
変形例4では、図9に示すように、第3の実施形態と第4の実施形態を組み合わせたシーケンスとする。具体的には、TiN膜形成ステップにおいて、BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してm回(mは2以上の整数)行い、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。変形例4によって、図6および図7の両方に示すシーケンスと同様の効果が得られる。
変形例5では、以下のように、第3の実施形態の変形例1と第4の実施形態を組み合わせたシーケンスとする。変形例5によって、図6および図7の両方に示すシーケンスと同様の効果が得られる。
<本発明の第5の実施形態>
第5の実施形態について、第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について以下に説明する。本実施形態では、図10および以下に示すように、TiN膜形成ステップにおいて、TDEATガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガスとBCl3ガスを同時に供給するNH3ガス/BCl3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを順に時分割してn回(nは1以上の整数)行う点で第1の実施形態と異なる。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様である。以下で、NH3/BCl3は、NH3ガスとBCl3ガスとを同時に供給することを示す。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(a)(TDEAT→P/V→BCl3→NH3→P/V)×n⇒TiN
(b)(TDEAT→P/V→(BCl3/NH3)→P/V)×n⇒TiN
(c)(TDEAT→P/V→BCl3→(BCl3/NH3)→P/V)×n⇒TiN
(d)(TDEAT→P/V→BCl3→(BCl3/NH3)→BCl3→P/V)×n⇒TiN
(e)(TDEAT→P/V→(BCl3/NH3)→P/V)×n⇒TiN
(f)((TDEAT/BCl3)→P/V→NH3→P/V)×n⇒TiN
(g)((TDEAT/BCl3)→P/V→(BCl3/NH3)→P/V)×n⇒TiN
((a)〜(g)において、P/VはPurge/Vacuumの略でガス除去工程を示す。)
(h)常に触媒を流している状態で原料ガス、反応ガスをサイクリックに(パルス的に)流す
〔付記1〕
本発明の一態様によれば、
(a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる工程と、
(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を(触媒として)供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる工程と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる工程と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)順に行い、前記基板上に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法または基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、前記電子吸引基を有する化合物は酸系ガスであり、好ましくはルイス酸性ガスであり、より好ましくはボロン含有ハロゲン化物(BX3(X=F,I,Br)),水素含有ハロゲン化物(HX(X=F,Cl,Br,I)), シリコン含有ハロゲン化物(SiX4(X=F,Cl,Br、I))や、金属含有ハロゲン化物であるアルミニウム含有ハロゲン化物(AlX3(X=F,Cl,I,Br)), チタン含有ハロゲン化物(TiX4(X=F,Cl,Br、I)), その他のハロゲン化物であるCX4(X=F,Cl、Br,I)や、ジボラン(B2H6)、ニトロ基(−NO2)を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1つを含むガスであり、好適には、BCl3、B2H6、AlCl3からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
付記1もしくは2に記載の方法であって、前記原料ガスは有機系原料ガスであって、好ましくはアミン系原料ガスである。
付記3に記載の方法であって、前記有機系原料ガスは金属元素を含み、前記膜は金属含有膜である。
付記1〜4のいずれかに記載の方法であって、工程(a)(b)(c)を、この順番で行い、好ましくは複数回ずつ繰り返し行う。
付記1〜4のいずれかに記載の方法であって、
さらに、(a)を行う前に、(d)前記基板に対して、電子供与基を有する化合物を供給する工程を有する。
付記6に記載の方法であって、前記電子供与基を有する化合物は塩系ガスであり、好ましくはルイス塩基であり、より好ましくはピリジン、ピリミジン、ピコリンのいずれかである。
付記6もしくは7に記載の方法であって、工程(d)(a)(b)(c)をこの順番で行い、好ましくは複数回ずつ繰り返し行う。
付記6もしくは7に記載の方法であって、工程(d)(a)(c)をこの順番に行い、好ましくは複数回ずつ繰り返し行う。
付記1〜9のいずれかに記載の方法であって、工程(a)後であって次の工程を行う前に、前記原料ガスを排気する工程を行う。
付記1〜10いずれかに記載の方法であって、工程(b)もしくは工程(d)の後であって次の工程を行う前に、前記電子吸引基を有する化合物もしくは前記電子供与基を有する化合物を排気する工程を行う。
本発明の他の態様によれば、
(a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる工程と、
(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を(触媒として)供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させつつ、前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる工程と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)順に行い、前記基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法または基板処理方法が提供される。
付記1から12いずれかに記載の半導体装置の製造方法、または基板処理方法であって、各工程をノンプラズマで行う。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、原料ガス、電子吸引基を有する化合物および反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、(a)前記処理室に収容された基板に対して前記原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる処理と、(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して前記電子吸引基を含む化合物を(触媒として)供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる処理と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して前記反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる処理と、を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)順に行い、前記基板上に膜を形成する処理を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して原料ガスを供給する第1供給部と、
基板に対して電子吸引基を有する化合物を供給する第2供給部と
基板に対して反応ガスを供給する第3供給部と、を有し、
(a)基板に対して前記第1供給部より前記原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる処理と、(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して前記第2供給部より前記電子吸引基を含む化合物を供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる処理と、(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して前記第3供給部より前記反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる処理と、を時分割して順に行い、前記基板上に膜を形成するよう制御されるガス供給システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、
(a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる手順と、
(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を(触媒として)供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる手順と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる手順と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)順に行い、前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200・・・ウエハ
201・・・処理室
202・・・処理炉
Claims (5)
- (a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる工程と、
(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる工程と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる工程と、
を時分割して順に行い、前記基板上に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記電子吸引基を有する化合物は、ルイス酸性ガスである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ルイス酸性ガスは、BCl3、B2H6、AlCl3からなる群より選択される少なくとも1つを含む請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、原料ガス、電子吸引基を有する化合物および反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、(a)前記処理室に収容された基板に対して前記原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる処理と、(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して前記電子吸引基を含む化合物を供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる処理と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して前記反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる処理と、を時分割して順に行い、前記基板上に膜を形成する処理を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)基板に対して原料ガスを供給して、前記原料ガスに含まれ主元素と配位子を含む原料分子を前記基板に吸着させる手順と、
(b)前記原料分子が吸着した前記基板に対して電子吸引基を含む化合物を供給し、前記原料分子に含まれる前記配位子に前記電子吸引基を含む化合物を吸着させる手順と、
(c)前記原料分子および前記電子吸引基を含む化合物が吸着した前記基板に対して反応ガスを供給し、前記基板上から前記配位子と前記電子吸引基を含む化合物とを脱離させるとともに、前記原料分子に含まれる前記主元素と前記反応ガスとを反応させる手順と、
を時分割して順に行い、前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015191266A JP6604801B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US15/273,780 US9984887B2 (en) | 2015-09-29 | 2016-09-23 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015191266A JP6604801B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017066451A true JP2017066451A (ja) | 2017-04-06 |
JP6604801B2 JP6604801B2 (ja) | 2019-11-13 |
Family
ID=58409900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015191266A Active JP6604801B2 (ja) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9984887B2 (ja) |
JP (1) | JP6604801B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109950130A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 |
JP2021015991A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6857503B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-04-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10649471B2 (en) * | 2018-02-02 | 2020-05-12 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for pulse gas delivery with isolation valves |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010508661A (ja) * | 2006-11-01 | 2010-03-18 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 金属炭化物膜の気相成長 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911391B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
JP5774822B2 (ja) | 2009-05-25 | 2015-09-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
JP6022228B2 (ja) | 2011-09-14 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2016058676A (ja) | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2015
- 2015-09-29 JP JP2015191266A patent/JP6604801B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-23 US US15/273,780 patent/US9984887B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010508661A (ja) * | 2006-11-01 | 2010-03-18 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 金属炭化物膜の気相成長 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109950130A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 |
KR20190074980A (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
JP2021015991A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR102301992B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2021-09-14 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
KR20210116381A (ko) * | 2017-12-20 | 2021-09-27 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
TWI742327B (zh) * | 2017-12-20 | 2021-10-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 |
KR102419555B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2022-07-12 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
TWI784698B (zh) * | 2017-12-20 | 2022-11-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 |
CN109950130B (zh) * | 2017-12-20 | 2023-08-25 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质 |
US11746416B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-09-05 | Kokusai Electric Corporation | Method of processing substrate and manufacturing semiconductor device by forming film containing silicon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9984887B2 (en) | 2018-05-29 |
US20170092503A1 (en) | 2017-03-30 |
JP6604801B2 (ja) | 2019-11-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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