JP2017066416A - 共重合体、有機電子素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】電荷輸送特性と溶解性を有し、塗布法により膜を形成するに適した共重合体、それからなる有機電子素子用材料並びに有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及び有機エレクトロルミネッセンス素子、それを含む溶液を提供する。【解決手段】特定構造の複数の繰り返し単位を含む共重合体であって、重量平均分子量が10万〜300万の範囲である共重合体、該共重合体を含んでなる有機電子素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該共重合体及び溶媒を含む溶液、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子である。【選択図】なし
Description
本発明は、共重合体、それからなる電子素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略記する場合がある。)用材料、及び有機EL素子、塗布液、有機EL素子の製造方法に関する。
有機EL素子をはじめとする電子素子において、従来、一般的には、蒸着法によりそれらの素子を機能させるための材料を含む膜を形成していた。一方、塗布法により、膜を形成することも検討されているが、十分塗布液に適した材料が得られていないのが実情であり、電荷輸送特性と溶解性を有する高分子材料の開発が進められている。
有機EL素子用材料としてポリビニルカルバゾール(以下、PVKと略記する場合がある。)は、古くから知られており(特許文献1第2頁右上欄参照)、有機EL素子の改良と相まって、PVKの改良も進められている。特許文献2には、ビニルアントラセン誘導体とビニルカルバゾール誘導体を共重合してなる高分子を用いた有機EL素子が記載されているが、高分子量体は得られていない。
特許文献3には、カルバゾール誘導体を有するユニットとアミノ基を有するユニットとの共重合体が開示されているが、高分子量体は得られていない。
有機EL素子用材料としてポリビニルカルバゾール(以下、PVKと略記する場合がある。)は、古くから知られており(特許文献1第2頁右上欄参照)、有機EL素子の改良と相まって、PVKの改良も進められている。特許文献2には、ビニルアントラセン誘導体とビニルカルバゾール誘導体を共重合してなる高分子を用いた有機EL素子が記載されているが、高分子量体は得られていない。
特許文献3には、カルバゾール誘導体を有するユニットとアミノ基を有するユニットとの共重合体が開示されているが、高分子量体は得られていない。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、電荷輸送特性と溶解性を有し、塗布法により膜を形成するに適した共重合体、それからなる有機電子素子用材料並びに有機EL素子用材料、及び有機EL素子、それを含む溶液を提供することを目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記式(1)や、式(2)及び(3)の繰り返し単位を含む共重合体が、前記の目的を達成することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、下記(1)〜(10)の一実施態様を提供するものである。
(1)下記式(1)の繰り返し単位を含む共重合体であって、a=1〜5の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含み、重量平均分子量が10万〜300万の範囲である共重合体。
(1)下記式(1)の繰り返し単位を含む共重合体であって、a=1〜5の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含み、重量平均分子量が10万〜300万の範囲である共重合体。
(式中、Aは、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基である。
X1は、それぞれ独立に、単結合、O(酸素原子)、S(イオウ原子)、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基であり、
X2、Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、CR2 2、CR2、NR2、N、O、S、又はSiR2 2であり、
R2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。ただし、窒素原子と結合するR2の場合は、水素原子ではない。
Z1〜Z5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜30の脂肪族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の脂肪族複素環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基。
a,b,d,e,f,g,p,q,m,nは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。
R1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基である。
L1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
ただし、L1とR1が結合する場合は、a=0かつb=0の繰り返し単位を含む。)
X1は、それぞれ独立に、単結合、O(酸素原子)、S(イオウ原子)、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基であり、
X2、Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、CR2 2、CR2、NR2、N、O、S、又はSiR2 2であり、
R2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。ただし、窒素原子と結合するR2の場合は、水素原子ではない。
Z1〜Z5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜30の脂肪族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の脂肪族複素環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基。
a,b,d,e,f,g,p,q,m,nは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。
R1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基である。
L1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
ただし、L1とR1が結合する場合は、a=0かつb=0の繰り返し単位を含む。)
(式(2)におけるAは、式(1)におけるAと同じである。cは0〜5の整数である。
L2は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
L2が3環以上の窒素含有ヘテロアリーレン基である場合はない。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。R3が、3環以上の窒素含有ヘテロアリール基である場合はない。
ただし、R3が水素原子の場合、R3−L2は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。)
L2は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
L2が3環以上の窒素含有ヘテロアリーレン基である場合はない。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。R3が、3環以上の窒素含有ヘテロアリール基である場合はない。
ただし、R3が水素原子の場合、R3−L2は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。)
(3)前記式(1)が下記式(3)で表される前記(1)又は(2)に記載の共重合体。
(式中、A、X1、X2、Y1、Y2、Z1〜Z5、L1、a、d,e,f,g,p,q,m、nは、それぞれ独立に、式(1)と同じである。)
(4)前記式(2)においてcが0であり、R3が置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数2〜30のヘテロアリール基である前記(2)又は(3)に記載の共重合体。
(5)前記式(1)が、下記式(4)又は(5)で表される前記(1)〜(4)のいずれかに記載の共重合体。
(5)前記式(1)が、下記式(4)又は(5)で表される前記(1)〜(4)のいずれかに記載の共重合体。
(式中、A、L1、R1、R2、aは、それぞれ独立に、式(1)と同じである。
Y3は単結合、CR2、N、O、Sである。QはCR2又はNである。)
(6) 前記式(1)が、下記式(6)又は(7)で表される前記(1)〜(5)のいずれかに記載の共重合体。
(式中、A、L1、R1、aは、式(1)と同じである。tは0〜3の整数、r,s,uは0〜4の整数である。
R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。)
Y3は単結合、CR2、N、O、Sである。QはCR2又はNである。)
(6) 前記式(1)が、下記式(6)又は(7)で表される前記(1)〜(5)のいずれかに記載の共重合体。
R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。)
(7)前記(1)〜(6)のいずれかに記載の共重合体を含んでなる有機電子素子用材料。
(8) 前記(1)〜(6)のいずれかに記載の共重合体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
(9) 前記(1)〜(6)のいずれかに記載の共重合体及び溶媒を含む溶液。
(10)前記(8)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
(8) 前記(1)〜(6)のいずれかに記載の共重合体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
(9) 前記(1)〜(6)のいずれかに記載の共重合体及び溶媒を含む溶液。
(10)前記(8)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明の共重合体は電荷輸送特性と溶解性を有し、塗布法に用いる電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に適しており、塗布法で有機EL素子の必要な膜を形成することができる。
1.上記(1)の共重合体は、主鎖部分と連結基と窒素含有縮合複素環で構成される繰り返し単位を含有する共重合体であって、a=0の繰り返し単位とa=1〜5の繰り返し単位を含み、重量平均分子量(Mw)が10万〜300万の範囲にある共重合体である。
この共重合体は、溶解性と電荷移動特性を有するため、有機EL素子や有機薄膜太陽電池や有機薄膜トランジスタに代表される電子素子用材料に用いることができる。特に、塗布法を利用して製造する有機電子素子用の材料として有用である。
この共重合体は、異なる繰り返し単位を有するため、電荷移動特性を制御することができる。
また、重量平均分子量が10万〜300万と高いため、溶液としたときに、適度の粘性が得られる。
分子量分布(Mw/Mn)が2以上であると、重合条件の精密な調整が不要となる場合があり、生産性向上の点で好ましい。
この共重合体は、溶解性と電荷移動特性を有するため、有機EL素子や有機薄膜太陽電池や有機薄膜トランジスタに代表される電子素子用材料に用いることができる。特に、塗布法を利用して製造する有機電子素子用の材料として有用である。
この共重合体は、異なる繰り返し単位を有するため、電荷移動特性を制御することができる。
また、重量平均分子量が10万〜300万と高いため、溶液としたときに、適度の粘性が得られる。
分子量分布(Mw/Mn)が2以上であると、重合条件の精密な調整が不要となる場合があり、生産性向上の点で好ましい。
2.上記(2)の共重合体は、式(1)で表される繰り返し単位(a=0〜5)と式(2)の繰り返し単位を含む共重合体である。
式(2)の繰り返し単位を有することで、側鎖に導入される置換基の種類が広がり、電荷輸送性の調整が容易になる。また、正孔移動特性と電子移動特性を制御することができる。R3の選択により、バイポーラ性を付与できる場合がある。
式(2)の繰り返し単位を有することで、側鎖に導入される置換基の種類が広がり、電荷輸送性の調整が容易になる。また、正孔移動特性と電子移動特性を制御することができる。R3の選択により、バイポーラ性を付与できる場合がある。
3.上記(3)の共重合体は、式(1)で表される繰り返し単位において、Z5,N,Y1,Z5で構成される縮合環のNを通して、主鎖と結合する構造(式(3))を必須とする共重合体である。
式(3)の繰り返し単位を含有することで、ポリ(N−ビニルカルバゾール)と類似する繰り返し単位を含有することになり、正孔輸送性がより向上する可能性がある。また、基底状態と最低励起一重項状態や最低励起三重項状態のエネルギーギャップが大きくなり、有機電子素子用材料(以下、電子材料と略記する場合がある。)として幅広く使用できる可能性がある。
式(3)の繰り返し単位を含有することで、ポリ(N−ビニルカルバゾール)と類似する繰り返し単位を含有することになり、正孔輸送性がより向上する可能性がある。また、基底状態と最低励起一重項状態や最低励起三重項状態のエネルギーギャップが大きくなり、有機電子素子用材料(以下、電子材料と略記する場合がある。)として幅広く使用できる可能性がある。
4.上記(4)の共重合体は、式(2)においてcが0であり、R3がアリール基又はヘテロアリール基である。
5.上記(5)の共重合体は、式(1)において側鎖構造が、3環の窒素含有ヘテロアリール基に限定された共重合体である。この共重合体もカルバゾール環を採用することで、基底状態と最低励起一重項状態や最低励起三重項状態のエネルギーギャップが大きくなり、電子材料として幅広く使用できる可能性がある。
6.上記(6)の共重合体は、式(1)において、側鎖がカルバゾール(カルバゾールを形成するベンゼン環は置換基を有していてもよい。)に限定された共重合体である。
5.上記(5)の共重合体は、式(1)において側鎖構造が、3環の窒素含有ヘテロアリール基に限定された共重合体である。この共重合体もカルバゾール環を採用することで、基底状態と最低励起一重項状態や最低励起三重項状態のエネルギーギャップが大きくなり、電子材料として幅広く使用できる可能性がある。
6.上記(6)の共重合体は、式(1)において、側鎖がカルバゾール(カルバゾールを形成するベンゼン環は置換基を有していてもよい。)に限定された共重合体である。
本発明の一実施態様である共重合体の主鎖は、−CHA−CH2−の構造であり、この構造は、ビニル基を有するモノマーが重合時に開裂して形成されたものである。いわゆるビニルモノマーを原料に使用するため、ラジカル重合等で容易に重合できる利点がある。
以下、上記式(1)、(2)を構成する各基について説明する。
本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)、三重水素(tritium)を包含する。この解釈は、本発明の一実施態様である共重合体中に存在する水素原子全てについて、同様に適用される。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数a〜bのXX基」という表現(実質的の前記と同じとなる表現も含める。)における「炭素数a〜b」は、XX基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
以下、上記式(1)、(2)を構成する各基について説明する。
本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)、三重水素(tritium)を包含する。この解釈は、本発明の一実施態様である共重合体中に存在する水素原子全てについて、同様に適用される。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数a〜bのXX基」という表現(実質的の前記と同じとなる表現も含める。)における「炭素数a〜b」は、XX基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
Aを構成する置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、2−エチルヘキシル基等が挙げられる。好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、2−エチルヘキシル基が挙げられる。
入手容易性やモノマー合成の容易性の点で、Aは、水素原子であることが特に好ましい。
入手容易性やモノマー合成の容易性の点で、Aは、水素原子であることが特に好ましい。
R1は、窒素原子の保護基であり、L1と結合する場合は、連結基として、L1と同様の機能を果たす。R1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基から選択され、これらを組み合わせた構造であってもよい。電荷移動特性の観点から、これらの中では置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基が好ましい。
L1は、単結合である場合を除き、キャリア輸送性の制御に役立つ基である。
L1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基から選択され、これらを組み合わせた構造であってもよい。電荷移動特性の観点から、これらの中では置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、及びこれらの組合せが好ましい。
L1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基から選択され、これらを組み合わせた構造であってもよい。電荷移動特性の観点から、これらの中では置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、及びこれらの組合せが好ましい。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、アルキレン基としては、例えば、上記Aの説明で挙げたアルキル基及びこれを2価としたアルキレン基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、シクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4−フルオロシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基、及びこれらの基から、環形成炭素に結合した水素原子1個を除いた基が挙げられる。好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基である。置換基としては、メチル基、エチル基など炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子を挙げることができる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、シクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4−フルオロシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基、及びこれらの基から、環形成炭素に結合した水素原子1個を除いた基が挙げられる。好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基である。置換基としては、メチル基、エチル基など炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子を挙げることができる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、アリーレン基としては、具体的には、次に列記するアリール基、又はこれを2価としたアリーレン基を挙げることができる。フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、ビフェニル−2−イル基、ビフェニル−3−イル基、ビフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニル−4−イル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、フルオレン−1−イル基、フルオレン−2−イル基、フルオレン−3−イル基、フルオレン−4−イル基等が挙げられる。好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、p−ターフェニル基、トリル基、フルオレニル基、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ビフェニレン基、p−ターフェニレン基、トリレン基、フルオレニレン基である。
これらの置換基としては、炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基などのヘテロアリール基、9,9−ジオクチルフルオレニル基などのアリール基、ジフェニルアミノ基などのジアリールアミノ基、シアノ基を挙げることができる。
これらの置換基としては、炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基などのヘテロアリール基、9,9−ジオクチルフルオレニル基などのアリール基、ジフェニルアミノ基などのジアリールアミノ基、シアノ基を挙げることができる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキコキシ基、オキシアルキレン基としては、上述した置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、アルキレン基の末端に酸素原子が結合した基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、オキシシクロアルキレン基としては、上述した置換もしくは無置換の炭素数3〜16のシクロアルキル基、シクロアルキレン基の末端に酸素原子が結合した基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、オキシアリーレン基としては、上述した置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、アリーレン基の末端に酸素原子が結合した基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、アラルキレン基としては、上述したアルキル基、アルキレン基に、アリール基、アリーレン基が結合した基が挙げられる。双方で好ましいとした基を組合せた基を好ましい基として挙げられる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、オキシシクロアルキレン基としては、上述した置換もしくは無置換の炭素数3〜16のシクロアルキル基、シクロアルキレン基の末端に酸素原子が結合した基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、オキシアリーレン基としては、上述した置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、アリーレン基の末端に酸素原子が結合した基が挙げられる。好ましい基も同様である。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、アラルキレン基としては、上述したアルキル基、アルキレン基に、アリール基、アリーレン基が結合した基が挙げられる。双方で好ましいとした基を組合せた基を好ましい基として挙げられる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、ヘテロアリーレン基としては、具体的には、次に列記するヘテロアリール基及びそれらを2価としたヘテロアリーレン基を挙げることができる。1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル−1−インドリル基、4−t−ブチル−1−インドリル基、2−t−ブチル−3−インドリル基、4−t−ブチル−3−インドリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−ベンゾチオフェニル基、3−チオフェニル基、4−チオフェニル基、5−チオフェニル基、6−チオフェニル基、7−チオフェニル基、1−イソチオフェニル基、3−イソチオフェニル基、4−イソチオフェニル基、5−イソチオフェニル基、6−イソチオフェニル基、7−イソチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
置換基としては、フェニル基、9,9−ジメチルフルオレニル基、9,9−ジオクチルフルオレニル基などのアリール基、ピリジル基、ピリミジル基、ジベンゾフラニル基などのヘテロアリール基、炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子、シアノ基及びこれらの組合せを挙げることができる。
好ましくは、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、2−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、2,2−ビピリジン-4-イル基、2,2−ビピリジン-6-イル基、2,2':2',2''-ターピリジン-4’-イル基、2,2':6',2''-ターピリジン-4'-フェニル-4-イル基、ベンゾチアゾール-4-イル基、ベンゾチアゾール-5-イル基、trans-スチルベン-4-イル基、2,2’-ビチオフェン-3-イル基、2,2’-ビチオフェン-5-イル基、3,4-エチレンジオキシチオフェン-2-イル基、7-(2-チエニル)-2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4-(2-チエニル-5-イル)基及びこれらを2価としたヘテロアリーレン基である。また、ピリジル基、ピリミジル基、キノリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンズイミダゾリル基、やこれらを2価としたヘテロアリーレン基も好ましい。
置換基としては、フェニル基、9,9−ジメチルフルオレニル基、9,9−ジオクチルフルオレニル基などのアリール基、ピリジル基、ピリミジル基、ジベンゾフラニル基などのヘテロアリール基、炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子、シアノ基及びこれらの組合せを挙げることができる。
好ましくは、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、2−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、2,2−ビピリジン-4-イル基、2,2−ビピリジン-6-イル基、2,2':2',2''-ターピリジン-4’-イル基、2,2':6',2''-ターピリジン-4'-フェニル-4-イル基、ベンゾチアゾール-4-イル基、ベンゾチアゾール-5-イル基、trans-スチルベン-4-イル基、2,2’-ビチオフェン-3-イル基、2,2’-ビチオフェン-5-イル基、3,4-エチレンジオキシチオフェン-2-イル基、7-(2-チエニル)-2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4-(2-チエニル-5-イル)基及びこれらを2価としたヘテロアリーレン基である。また、ピリジル基、ピリミジル基、キノリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンズイミダゾリル基、やこれらを2価としたヘテロアリーレン基も好ましい。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基は、窒素原子に結合したアルキル基を介して主鎖及び側鎖と結合する場合、窒素原子とこれに結合したアルキル基を介して結合する場合、及びジアルキルアミノ基が側鎖の窒素原子に結合する場合がある。そのいずれも、アルキル基としては、上述した炭素数1〜20のアルキル基またはアルキレン基を好適な基として挙げることができる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換のアリールアミノ基は、窒素原子に結合したアリール基を介して主鎖及び側鎖と結合する場合、窒素原子とこれに結合したアリール基を介して結合する場合、及びジアリールアミノ基が側鎖の窒素原子に結合する場合がある。そのいずれも、アリール基としては、上述した環形成炭素数6〜30のアリール基またはアリーレン基を好適な基として挙げることができる。
前記R1及びL1のアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基、置換シリレン基における、アルキル基、アリール基も上述した炭素数1〜20のアルキル基または上述した環形成炭素数6〜30のアリール基が挙げられる。
前記R1及びL1の置換もしくは無置換のアリールアミノ基は、窒素原子に結合したアリール基を介して主鎖及び側鎖と結合する場合、窒素原子とこれに結合したアリール基を介して結合する場合、及びジアリールアミノ基が側鎖の窒素原子に結合する場合がある。そのいずれも、アリール基としては、上述した環形成炭素数6〜30のアリール基またはアリーレン基を好適な基として挙げることができる。
前記R1及びL1のアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基、置換シリレン基における、アルキル基、アリール基も上述した炭素数1〜20のアルキル基または上述した環形成炭素数6〜30のアリール基が挙げられる。
式(1)に記載の側鎖(括弧内の構造)は窒素含有縮合複素環の残基で形成される。窒素含有縮合複素環は3環以上の縮合環で構成され、中央の環は窒素含有複素環である。中央の環あるいは中央の環以外の環を構成する炭素原子や窒素原子、あるいはX1を構成する原子を通してL1又は主鎖と結合する。
式(1)おけるX2,Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、NR2、CR2 2、CR2、SiR2 2、O(酸素原子)、又はS(硫黄原子)である。
R2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。ただし、窒素原子と結合するR2の場合は、水素原子ではない。
式(1)おけるX2,Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、NR2、CR2 2、CR2、SiR2 2、O(酸素原子)、又はS(硫黄原子)である。
R2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。ただし、窒素原子と結合するR2の場合は、水素原子ではない。
置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基としては、上記のAの説明で挙げた基等が挙げられる。好ましい基も同様である。
置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4−フルオロシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基が挙げられる。好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。置換基としては、メチル基、エチル基など炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子を挙げることができる。
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基としては、例えば、R1の説明で挙げたアリール基が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基は、−OY1と表され、Y1の例として上記のアルキル基の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4−フルオロシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基が挙げられる。好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。置換基としては、メチル基、エチル基など炭素数1〜10のアルキル基やハロゲン原子を挙げることができる。
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基としては、例えば、R1の説明で挙げたアリール基が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基は、−OY1と表され、Y1の例として上記のアルキル基の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基は、−OY1と表され、Y1の例として上記のシクロアルキル基の例が挙げられる。シクロアルコキシ基は、例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基は、−OY1と表され、Y1の例として上記のアリール基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基は、−Y1−Zと表され、Y1の例として上記のアルキル基の例を2価としたアルキレン基の例が挙げられ、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アラルキル基のアリール部分は、環形成炭素数が6〜30が好ましい。アルキル部分は炭素数1〜10が好ましく、特に好ましくは1〜6である。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、2−フェニルプロパン−2−イル基である。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基としては、例えば、R1の説明で挙げたヘテロアリール基が挙げられる。さらに、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基であってもよい。
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基は、−OY1と表され、Y1の例として上記のアリール基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基は、−Y1−Zと表され、Y1の例として上記のアルキル基の例を2価としたアルキレン基の例が挙げられ、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アラルキル基のアリール部分は、環形成炭素数が6〜30が好ましい。アルキル部分は炭素数1〜10が好ましく、特に好ましくは1〜6である。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、2−フェニルプロパン−2−イル基である。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基としては、例えば、R1の説明で挙げたヘテロアリール基が挙げられる。さらに、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基であってもよい。
置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基としては、置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換のジアリールアミノ基が挙げられる。アルキル部分の炭素数が1〜20のものが好ましい。窒素原子に結合するアルキル基の例としては上述のアルキル基の例が挙げられる。アリール部分の環形成炭素数が6〜30が好ましい。窒素原子に結合するアリール基の例としては上述のアリール基の例が挙げられる。
アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基としては、アルキル及び/又はアリールで置換されたシリル基が挙げられる。ケイ素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。尚、シリル基に置換しているアルキル基は、同一でも異なっていてもよい。同様に、シリル基に置換しているアリール基は、同一でも異なっていてもよい。具体的に、トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。
トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリフェニルシリル基である。アルキルアリールシリル基としては、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基等が挙げられる。好ましくはジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基である。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。
トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリフェニルシリル基である。アルキルアリールシリル基としては、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基等が挙げられる。好ましくはジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基である。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。
Z1、Z2,Z3,Z4及びZ5は、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜30の脂肪族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の脂肪族複素環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。これらの中では、電荷輸送性の点で、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基が好ましい。
置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜30の脂肪族炭化水素環基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、フルオロシクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナンから誘導される基が挙げられる。好ましくはシクロペンタン、シクロヘキサンから誘導される基である。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の脂肪族複素環基としては、例えば、ピロリジンやピペリジンから誘導される基が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の脂肪族複素環基としては、例えば、ピロリジンやピペリジンから誘導される基が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基としては、例えば、上述したアリール基やアリーレン基を構成する芳香族炭化水素環から誘導される基が挙げられる。好適には、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、フルオレン環から誘導される基である。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基としては、例えば、上述したR1及びL1のヘテロアリール基やヘテロアリーレン基を構成する芳香族複素環から誘導される基が挙げられる。例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、キナゾリン環、ジベンゾチオフェン環から誘導される基が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
式(1)において、d,e,f又はgが0でないときの構造の例として、インドロカルバゾール環などが挙げられる。
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基としては、例えば、上述したR1及びL1のヘテロアリール基やヘテロアリーレン基を構成する芳香族複素環から誘導される基が挙げられる。例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、キナゾリン環、ジベンゾチオフェン環から誘導される基が挙げられる。置換基としては、メチル基、エチル基、n−ブチル基、n−ヘキシル、n−オクチル基など炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、そしてカルバゾリル基、チオフェニル基、フリル基、ピリミジル基、トリアジニル基などのヘテロアリール基、シアノ基を挙げることができる。置換基がカルバゾリル基など、窒素原子を含む基の場合、該窒素原子はフェニル基やメチルなどと結合していることが安定性の点で好ましい。置換基がピリミジル基やトリアジニル基などの場合、環を形成する炭素原子にフェニル基などが結合していてもよい。
式(1)において、d,e,f又はgが0でないときの構造の例として、インドロカルバゾール環などが挙げられる。
X1は、Z4,X2,Y2,Z5で形成される縮合環とZ5,N,Y1,Z5で形成される縮合環を結合する結合基である。Z5,N,Y1,Z5で形成される縮合環とX1は、Z1,N,Y1,Z2、X2,Y2,Z5のいずれかで結合する。
X1は、単結合、O(酸素原子)、S(イオウ原子)、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。これらの中では、電荷輸送性の点で、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基や置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基が好ましい。
上記の各基の具体例としては、L1の説明で挙げた基が挙げられる。
式(1)における、a,b,d,e,f,g,p,q,m,nは、それぞれ独立に0〜5の整数である。aは0〜3であると好ましい。bは、R1がL1と結合しない場合は1である。R1とL1が結合する場合は0〜3であると好ましく、a+bが0〜3であると更にこのましい。d及びeは、0〜3であると好ましく、d+eは0〜4であると好ましい。f及びgは、0〜2であると好ましい。p及びqは0〜3であると好ましく、m及びnは0〜3であると好ましい。
X1は、単結合、O(酸素原子)、S(イオウ原子)、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。これらの中では、電荷輸送性の点で、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基や置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基が好ましい。
上記の各基の具体例としては、L1の説明で挙げた基が挙げられる。
式(1)における、a,b,d,e,f,g,p,q,m,nは、それぞれ独立に0〜5の整数である。aは0〜3であると好ましい。bは、R1がL1と結合しない場合は1である。R1とL1が結合する場合は0〜3であると好ましく、a+bが0〜3であると更にこのましい。d及びeは、0〜3であると好ましく、d+eは0〜4であると好ましい。f及びgは、0〜2であると好ましい。p及びqは0〜3であると好ましく、m及びnは0〜3であると好ましい。
前記窒素含有縮合複素環の残基(式(1)における側鎖の基)としては、例えば、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基や、これらの基を構成するベンゼン環の炭素原子の一部が窒素原子に置換された基が挙げられる。
この窒素含有縮合複素環の残基に結合する置換基としては、前記のR2やZ4,X2,Y2,Z5で形成される縮合環が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基が挙げられる。
炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、上記のAの説明で挙げた基が挙げられる。好ましい基も同様である。環形成炭素数6〜30のアリール基としては、例えば、上記のR1、R2の説明で挙げた基が挙げられる。好ましくはフェニル基である。環形成原子数5〜30のヘテロアリール基としては、例えば、上記のR1、R2の説明で挙げた基が挙げられる。好ましくは、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基である。
この窒素含有縮合複素環の残基に結合する置換基としては、前記のR2やZ4,X2,Y2,Z5で形成される縮合環が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基が挙げられる。
炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、上記のAの説明で挙げた基が挙げられる。好ましい基も同様である。環形成炭素数6〜30のアリール基としては、例えば、上記のR1、R2の説明で挙げた基が挙げられる。好ましくはフェニル基である。環形成原子数5〜30のヘテロアリール基としては、例えば、上記のR1、R2の説明で挙げた基が挙げられる。好ましくは、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基である。
式(2)においてAは、式(1)におけるAと同じであり、具体例及び好ましい基も同様のものが挙げられる。cは0〜5の整数であり0〜3であると好ましい。
式(2)において、L2は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数35〜30のヘテロアリーレン基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基から選択され、これらを組み合わせた構造であってもよい。電荷移動特性の観点から、これらの中では置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、及びこれらの組合せが好ましい。
これらの内、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基以外の基は、上記L1で説明した基と同様である。
ヘテロアリーレン基も上記L1で説明した基と同様であるが、3環以上の窒素含有ヘテロアリーレン基である場合はない。
式(2)において、L2は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数35〜30のヘテロアリーレン基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基から選択され、これらを組み合わせた構造であってもよい。電荷移動特性の観点から、これらの中では置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、及びこれらの組合せが好ましい。
これらの内、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基以外の基は、上記L1で説明した基と同様である。
ヘテロアリーレン基も上記L1で説明した基と同様であるが、3環以上の窒素含有ヘテロアリーレン基である場合はない。
式(2)において、R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
これらの内、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基以外の基は、上記R1、R2で説明した基と同様である。
ヘテロアリール基も上記R1、R2で説明した基と同様であるが、3環以上の窒素含有ヘテロアリール基である場合はない。
これらの内、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基以外の基は、上記R1、R2で説明した基と同様である。
ヘテロアリール基も上記R1、R2で説明した基と同様であるが、3環以上の窒素含有ヘテロアリール基である場合はない。
R3は、電子輸送性あるいは溶解性を示す基であることが好ましい。
電子輸送性を示す基としては、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基が挙げられる。
また、フェナレニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基を例示することができる。
溶解性に寄与する基としては、炭素数3〜20のアルキル基が挙げられる。
更に、ナフタセニル基、アセナフチル基、ピレニル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、などの縮合芳香族炭化水素基や、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基などのアザ化したヘテロアリール基でもよい。
電子輸送性を示す基としては、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基が挙げられる。
また、フェナレニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基を例示することができる。
溶解性に寄与する基としては、炭素数3〜20のアルキル基が挙げられる。
更に、ナフタセニル基、アセナフチル基、ピレニル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、などの縮合芳香族炭化水素基や、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基などのアザ化したヘテロアリール基でもよい。
式(2)におけるR3が水素原子の場合、式(2)のR3−L2は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基である。
好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。
これらの基の具体例は、上記R1、R2で説明した基と同様である。
好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。
これらの基の具体例は、上記R1、R2で説明した基と同様である。
式(4)、式(5)のY3は、単結合、CR2、N,O又はSであり、R1は式(1)の場合と同様である。Qは、N又はCR2であり、R2は式(1)の場合と同様である。
式(6)、式(7)のR4,R5は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
これらの基の具体例は、上記R2で説明した基と同様である。
式(6)、式(7)のR4,R5は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
これらの基の具体例は、上記R2で説明した基と同様である。
以下、式(1)〜(7)の繰り返し単位を形成するモノマーの例を示すが、これらに限定されない。
式(1)において、a=0の場合は、以下のようなモノマーの例が挙げられる。
式(1)において、a=0の場合は、以下のようなモノマーの例が挙げられる。
式(3)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基が窒素含有縮合複素環のN原子に結合した例が挙げられる。
式(4)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基が窒素含有縮合複素環のN原子に結合した例が挙げられる。
式(5)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基が窒素含有縮合複素環のN原子以外に結合した例が挙げられる。
式(6)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基がカルバゾールのN原子に結合した例が挙げられる。
式(7)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基がカルバゾールのN原子以外に結合した例が挙げられる。
式(4)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基が窒素含有縮合複素環のN原子に結合した例が挙げられる。
式(5)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基が窒素含有縮合複素環のN原子以外に結合した例が挙げられる。
式(6)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基がカルバゾールのN原子に結合した例が挙げられる。
式(7)のモノマーとしては、前記式(1)のa=0及び1以上で、n及びmが0の場合の例において、ビニル基、又は−(L1)a−ビニル基がカルバゾールのN原子以外に結合した例が挙げられる。
本発明の一実施態様である共重合体の製造方法としては、特に制限はなく、従来公知の各種重合方法を採用することができるが、特に、バルク重合法や溶液重合法によることが好ましい。また、ラジカル重合や熱重合が好ましい。
本発明の一実施態様である共重合体を製造する際には、必要に応じて、通常用いられる重合開始剤を添加してもよい。重合開始剤としては特に限定されないが、例えば、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、t−アミルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物;2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)等のアゾ化合物;が挙げられる。これら重合開始剤は、1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
重合開始剤の使用量は、用いるモノマーの組み合わせや、反応条件、目標とする共重合体の分子量等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されないが、重量平均分子量が10万〜300万の共重合体を得ることができる点で、全モノマー成分に対して1〜0.005モル%、より好ましくは0.5〜0.01モル%とするのがよい。重合開始剤の量が多過ぎると、再結合や、不均化によるラジカル末端の二分子間反応が生じ易くなり、高分子量化が難しくなる。
本発明の一実施態様である共重合体を製造する際には、分子量調整のため、必要に応じて、通常用いられる連鎖移動剤を添加してもよい。連鎖移動剤としては、例えば、n−ドデシルメルカプタン、メルカプト酢酸、β−メルカプトプロピオン酸、メルカプト酢酸メチル等のメルカプタン系連鎖移動剤、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。連鎖移動剤を使用する場合、その使用量は、用いるモノマーの組合せや、反応条件、目標とする共重合体の分子量等に応じて適宜設定すればよい。
本発明の一実施態様である共重合体を製造する際には、分子量調整のため、必要に応じて、通常用いられる連鎖移動剤を添加してもよい。連鎖移動剤としては、例えば、n−ドデシルメルカプタン、メルカプト酢酸、β−メルカプトプロピオン酸、メルカプト酢酸メチル等のメルカプタン系連鎖移動剤、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。連鎖移動剤を使用する場合、その使用量は、用いるモノマーの組合せや、反応条件、目標とする共重合体の分子量等に応じて適宜設定すればよい。
重合において溶媒を用いる場合には、溶媒として通常のラジカル重合反応で使用される溶媒を用いるようにすればよい。具体的には、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシブチルアセテート等のエステル類;メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類;トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;クロロホルム、塩化メチレン等の塩素含有炭化水素化合物;ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これら溶媒は、1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
重合時の反応圧力としては、絶対圧力で0.01〜10MPaが好ましく、特に、常圧〜1MPaが好ましい。圧力が高すぎる場合は、安全上、問題があり特別な装置が必要となり、産業上有用でない。
重合温度や重合濃度(重合濃度(%)=[単量体成分の全重量/(単量体成分の全重量+溶媒重量)]×100とする)は、使用するモノマーの種類や比率、目標とする共重合体の分子量によって異なるが、重合温度としては、例えば、共重合体の主成分となるモノマーの融点以上であって、融点に近い温度が好ましい。この場合、重合中にポリマーが析出する可能性が低くなり、高分子量のポリマーを得やすくなる。溶媒を用いて溶液重合する場合は、さらに低い温度、例えば0℃〜室温(25℃)程度で重合してもよい。一方、重合温度が高過ぎると、適用できる溶媒の種類が限定されたり、必要とする重合圧力が高くなったりするため、好ましくない。好ましくは、重合温度0〜150℃であり、更に好ましくは0〜100℃である。
重合濃度は、50〜100%が好ましい。
分子量の増大の点では、モノマー、特に式(1)、式(2)の繰り返し単位を形成するために使用するモノマーの融点以上であって、その近傍の温度(例えば、融点〜融点+10℃)で重合するのが好ましい。
重合温度や重合濃度(重合濃度(%)=[単量体成分の全重量/(単量体成分の全重量+溶媒重量)]×100とする)は、使用するモノマーの種類や比率、目標とする共重合体の分子量によって異なるが、重合温度としては、例えば、共重合体の主成分となるモノマーの融点以上であって、融点に近い温度が好ましい。この場合、重合中にポリマーが析出する可能性が低くなり、高分子量のポリマーを得やすくなる。溶媒を用いて溶液重合する場合は、さらに低い温度、例えば0℃〜室温(25℃)程度で重合してもよい。一方、重合温度が高過ぎると、適用できる溶媒の種類が限定されたり、必要とする重合圧力が高くなったりするため、好ましくない。好ましくは、重合温度0〜150℃であり、更に好ましくは0〜100℃である。
重合濃度は、50〜100%が好ましい。
分子量の増大の点では、モノマー、特に式(1)、式(2)の繰り返し単位を形成するために使用するモノマーの融点以上であって、その近傍の温度(例えば、融点〜融点+10℃)で重合するのが好ましい。
本発明の一実施態様である共重合体は、その目的に反しない範囲で、式(1)〜式(7)以外の構造の繰り返し単位を有していてもよい。
共重合体の分子量は、式(1)の繰り返し単位を含む重合体であって、a=1の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含む共重合体は、重量平均分子量(Mw)で10万〜300万であり、それ以外の共重合体であってもMwは10万〜300万が好ましい。共重合体の分子量が300万を越えると、ゲル化により素子作製において均質な製膜ができなくなる場合がある。一方、分子量が10万より小さいと溶解性の制御が困難になる場合がある。良好な成膜性及び溶解性のためMwは、10万〜250万であると好ましく、20万〜250万であると更に好ましい。
また、式(1)の繰り返し単位を含む重合体であって、a=1の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含む共重合体は、Mw/Mn(Mnは数平均分子量)で表される分子量分布は2以上であると好ましく、それ以外の共重合体であってもMw/Mnの分子量分布は2以上であると好ましい。2未満の場合、重合条件の精密な制御が必要になり、生産性に難点がある場合がある。分子量分布の上限は特に定める必要はないが、Mw/Mnで100以下であることが好ましい。
尚、数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で求めることができる。
共重合体の分子量は、式(1)の繰り返し単位を含む重合体であって、a=1の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含む共重合体は、重量平均分子量(Mw)で10万〜300万であり、それ以外の共重合体であってもMwは10万〜300万が好ましい。共重合体の分子量が300万を越えると、ゲル化により素子作製において均質な製膜ができなくなる場合がある。一方、分子量が10万より小さいと溶解性の制御が困難になる場合がある。良好な成膜性及び溶解性のためMwは、10万〜250万であると好ましく、20万〜250万であると更に好ましい。
また、式(1)の繰り返し単位を含む重合体であって、a=1の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含む共重合体は、Mw/Mn(Mnは数平均分子量)で表される分子量分布は2以上であると好ましく、それ以外の共重合体であってもMw/Mnの分子量分布は2以上であると好ましい。2未満の場合、重合条件の精密な制御が必要になり、生産性に難点がある場合がある。分子量分布の上限は特に定める必要はないが、Mw/Mnで100以下であることが好ましい。
尚、数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で求めることができる。
本発明の一実施態様である共重合体を用いることにより、塗布法によって薄膜を形成することができる。塗布法としては、湿式成膜法が好適に用いられる。具体的には、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及びそれらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。
特に、微細なパターニングを要する場合、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布等が好ましい。また、転写前駆基板へ本共重合体を上記の湿式成膜法により成膜した後、レーザー光や熱プレスなどで対象とする電極を有する配線基板上へ転写する方法を用いることもできる。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができる。
特に、微細なパターニングを要する場合、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布等が好ましい。また、転写前駆基板へ本共重合体を上記の湿式成膜法により成膜した後、レーザー光や熱プレスなどで対象とする電極を有する配線基板上へ転写する方法を用いることもできる。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができる。
本発明の一実施態様である溶液は、本発明の一実施態様である共重合体と溶媒を含む。溶液中の共重合体は、溶媒に溶解していても、分散していてもよい。
溶媒としては、有機溶媒が好ましく、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモアニソール等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン等のエーテル系溶媒、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、イソプロピルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン、テトラデカン、デカリン、イソプロピルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性、及び電子素子への適用性等の観点から、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、アニソール、4−メトキシトルエン、2−メトキシトルエン、1,2−ジメトキシベンゼン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、2,3−ジヒドロベンゾフラン、シクロヘキサノン、及びメチルシクロヘキサノンが好ましい。
また、上記溶媒には、必要に応じて粘度の調整剤、表面張力の調整剤を添加することもできる。なお、粘度の調整剤、表面張力の調整剤は、膜中に残留しても素子特性に影響を与えないものを選択するか、成膜工程で膜中から除去できるものが望ましい。
溶媒としては、有機溶媒が好ましく、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモアニソール等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン等のエーテル系溶媒、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、イソプロピルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン、テトラデカン、デカリン、イソプロピルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性、及び電子素子への適用性等の観点から、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、アニソール、4−メトキシトルエン、2−メトキシトルエン、1,2−ジメトキシベンゼン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、2,3−ジヒドロベンゾフラン、シクロヘキサノン、及びメチルシクロヘキサノンが好ましい。
また、上記溶媒には、必要に応じて粘度の調整剤、表面張力の調整剤を添加することもできる。なお、粘度の調整剤、表面張力の調整剤は、膜中に残留しても素子特性に影響を与えないものを選択するか、成膜工程で膜中から除去できるものが望ましい。
本発明においては、溶媒中に共重合体が少なくとも1種類以上含まれ、共重合体が分散又は溶解され、分散体又は溶液となっているものが好ましい。
薄膜形成時には、リン系酸化防止剤等、有機EL素子の性能に影響しない酸化防止剤等を配合してもよい。また、用途に合わせて、他の化合物(例えば、アクセプター材料)等を配合してもよい。
本発明の一実施態様である共重合体は、有機電子素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。有機エレクトロルミネッセンス素子以外の電子素子としては、有機薄膜太陽電池や有機薄膜トランジスタが挙げられる。本発明の一実施態様である共重合体は、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、なかでも、発光層や正孔輸送領域で使用する材料(正孔輸送層、正孔注入層等)として好適である。
薄膜形成時には、リン系酸化防止剤等、有機EL素子の性能に影響しない酸化防止剤等を配合してもよい。また、用途に合わせて、他の化合物(例えば、アクセプター材料)等を配合してもよい。
本発明の一実施態様である共重合体は、有機電子素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。有機エレクトロルミネッセンス素子以外の電子素子としては、有機薄膜太陽電池や有機薄膜トランジスタが挙げられる。本発明の一実施態様である共重合体は、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、なかでも、発光層や正孔輸送領域で使用する材料(正孔輸送層、正孔注入層等)として好適である。
本発明の一実施態様である有機EL素子は、陽極と陰極と有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機薄膜層の少なくとも1層に本発明の一実施態様である共重合体又は有機EL素子用材料を含む態様であると好ましい。
また、本発明の一実施態様である有機EL素子は、例えば、上述した共重合体を含む溶液を塗布液として用い、塗布法により有機薄膜層を形成する方法が一態様として挙げられる。
前記有機薄膜層は、発光層や正孔輸送領域であると好ましい。正孔輸送領域に形成される層としては、正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。さらに、上記正孔輸送層又は正孔注入層が上記発光層と接していると好ましい。
前記共重合体は、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層の主成分として含有されている態様が好ましい。具体的には、正孔輸送層又は正孔注入層においては、本発明の一実施態様である共重合体の含有量は、好ましくは51〜100質量%である。
また、本発明の一実施態様である有機EL素子は、例えば、上述した共重合体を含む溶液を塗布液として用い、塗布法により有機薄膜層を形成する方法が一態様として挙げられる。
前記有機薄膜層は、発光層や正孔輸送領域であると好ましい。正孔輸送領域に形成される層としては、正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。さらに、上記正孔輸送層又は正孔注入層が上記発光層と接していると好ましい。
前記共重合体は、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層の主成分として含有されている態様が好ましい。具体的には、正孔輸送層又は正孔注入層においては、本発明の一実施態様である共重合体の含有量は、好ましくは51〜100質量%である。
本発明の一実施態様である有機EL素子の代表的な素子構成の態様としては、下記(1)〜(13)等の構造を挙げることができる。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。また、陽極/正孔注入層/インターレイヤー/発光層/陰極の構成であってもよい。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。また、陽極/正孔注入層/インターレイヤー/発光層/陰極の構成であってもよい。
本発明の一実施態様である有機EL素子において、本発明の一実施態様である共重合体以外に、公知の材料を使用できる。例えば、発光層はスチリルアミン化合物、アリールアミン化合物やイリジウム錯体等の燐光性発光材料を含有する態様を例示することができる。
本発明の一実施態様である有機EL素子は、本発明の一実施態様である共重合体又は有機EL素子用材料を含有する層を塗布法で形成することが好ましいが、それ以外の層は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等のコーティング法、印刷法等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、5nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
各種材料及び層形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
本発明の一実施態様である有機EL素子は、本発明の一実施態様である共重合体又は有機EL素子用材料を含有する層を塗布法で形成することが好ましいが、それ以外の層は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等のコーティング法、印刷法等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、5nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
各種材料及び層形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
実施例1[ビニルカルバゾールと9−(4−ビニルフェニル)カルバゾールの共重合]
撹拌子の入った50mlシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 2.8g、ビニルカルバゾール 2.0g(モル比 1:1)、及びアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)1.8mgを入れ液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を67℃のオイルバスで8時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、800mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は4.7g(収率98%)であった。
生成物の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)による測定で数平均分子量(Mn)=49,700、重量平均分子量(Mw)=2,033,000、Mw/Mn=40.9であった。
また、得られた生成物の粘度を測定したところ、11.5mPa・sであった。
なお、粘度は、以下の様にして測定した。
粘度計測のための溶液は、2質量%になるように得られた高分子化合物とアニソールをバイアル管に秤量し、90℃で加熱撹拌することで調製した。粘度の計測は、室温(23.5℃設定のクリーンルーム)条件で振動式粘度計を用いた。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図1に示す。
NMR及びGPCの測定装置は、以下の通りである。
(NMR測定装置)
この化合物の核磁気共鳴スペクトルを日本電子株式会社製のGSX−400(商品名、分解能400MHz)で測定した。溶媒は重クロロホルムを用いた。
(GPC測定装置)
分子量測定には、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いた。測定は、試料10mgをTHF(テトラヒドロフラン)10mlに溶解させた溶液を100μl注入して行った。流速は毎分1mlとし、カラム温度を40℃に設定した。SEC装置は東ソー製HLC−8220を用いた。検出器は示差屈折(RI)検出器又は紫外可視(UV)検出器を用いた。カラムは、東ソー製TSKgel GMH−XL 2本及びTSKgel G2000−XL 1本使用し、標準試料のポリスチレンには、東ソー製TSK標準ポリスチレンを使用した。
撹拌子の入った50mlシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 2.8g、ビニルカルバゾール 2.0g(モル比 1:1)、及びアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)1.8mgを入れ液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を67℃のオイルバスで8時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、800mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は4.7g(収率98%)であった。
生成物の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)による測定で数平均分子量(Mn)=49,700、重量平均分子量(Mw)=2,033,000、Mw/Mn=40.9であった。
また、得られた生成物の粘度を測定したところ、11.5mPa・sであった。
なお、粘度は、以下の様にして測定した。
粘度計測のための溶液は、2質量%になるように得られた高分子化合物とアニソールをバイアル管に秤量し、90℃で加熱撹拌することで調製した。粘度の計測は、室温(23.5℃設定のクリーンルーム)条件で振動式粘度計を用いた。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図1に示す。
NMR及びGPCの測定装置は、以下の通りである。
(NMR測定装置)
この化合物の核磁気共鳴スペクトルを日本電子株式会社製のGSX−400(商品名、分解能400MHz)で測定した。溶媒は重クロロホルムを用いた。
(GPC測定装置)
分子量測定には、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いた。測定は、試料10mgをTHF(テトラヒドロフラン)10mlに溶解させた溶液を100μl注入して行った。流速は毎分1mlとし、カラム温度を40℃に設定した。SEC装置は東ソー製HLC−8220を用いた。検出器は示差屈折(RI)検出器又は紫外可視(UV)検出器を用いた。カラムは、東ソー製TSKgel GMH−XL 2本及びTSKgel G2000−XL 1本使用し、標準試料のポリスチレンには、東ソー製TSK標準ポリスチレンを使用した。
実施例2[9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール、4−ビニルピリジンと4−オクチルスチレンの共重合]
撹拌子の入った50mlシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 2.82g、4−ビニルピリジン 1.10g、4−オクチルスチレン 1.95g、V70(2,2‘−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)) 10mg、塩化メチレン 2.0gを入れ 25℃で20時間撹拌した。生成物をメタノールで2回洗浄し125℃で乾燥して生成物3.51g(収率91%)を得た。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=26,800、Mw=408,300、Mw/Mn=15.2であった。この共重合体は、室温でトルエンに溶解した。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は4.34mPa・sであった。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図2に示す。
撹拌子の入った50mlシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 2.82g、4−ビニルピリジン 1.10g、4−オクチルスチレン 1.95g、V70(2,2‘−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)) 10mg、塩化メチレン 2.0gを入れ 25℃で20時間撹拌した。生成物をメタノールで2回洗浄し125℃で乾燥して生成物3.51g(収率91%)を得た。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=26,800、Mw=408,300、Mw/Mn=15.2であった。この共重合体は、室温でトルエンに溶解した。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は4.34mPa・sであった。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図2に示す。
実施例3[ビニルカルバゾールと4−ビニルピリジンの共重合]
撹拌子の入った50mlのシュレンク管にビニルカルバゾール7.0g、4−ビニルピリジン0.20g及びアゾビスイソブチロニトリル 15.5mgを入れ、液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を67℃のオイルバスで10時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、500mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は4.03g(収率56%)であった。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=174,000、Mw=1,980,000、Mw/Mn=11.4であった。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は16.1mPa・sであった。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図3に示す。
撹拌子の入った50mlのシュレンク管にビニルカルバゾール7.0g、4−ビニルピリジン0.20g及びアゾビスイソブチロニトリル 15.5mgを入れ、液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を67℃のオイルバスで10時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、500mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は4.03g(収率56%)であった。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=174,000、Mw=1,980,000、Mw/Mn=11.4であった。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は16.1mPa・sであった。
さらに、生成物の1H−NMRスペクトルの測定結果を図3に示す。
比較例1[ビニルフェニルカルバゾールの重合]
撹拌子の入った50mlのシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 8.0gを入れ、液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を125℃のオイルバスで8時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、500mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は3.8g(収率96%)であった。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=13,000、Mw=51,000、Mw/Mn=3.9であった。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は1.60mPa・sであった。実施例と比較して、粘度が低いことから、塗布性能が低いと予想される。
撹拌子の入った50mlのシュレンク管に9−(4−ビニルフェニル)カルバゾール 8.0gを入れ、液体窒素で冷却しながら真空ポンプにより装置内を窒素で置換した。この装置を125℃のオイルバスで8時間加熱撹拌を行った。冷却後、装置内の固体を50mlのジメチルホルムアミドで溶解し、500mlのメタノールで再沈精製を2回繰り返した。生成物は3.8g(収率96%)であった。
生成物の分子量は、GPCによる測定でMn=13,000、Mw=51,000、Mw/Mn=3.9であった。
また、実施例1同様に粘度を測定したところ、粘度は1.60mPa・sであった。実施例と比較して、粘度が低いことから、塗布性能が低いと予想される。
<有機EL素子用材料溶液を用いて作製した薄膜の蛍光スペクトル測定>
実施例4
溶媒としてジクロロメタンを用い、ホストとして実施例1の材料を1質量%、ドーパントとして下記Ir(nBuPPy)3を、ホストに対して10質量%になるように添加して各濃度の溶液を調製した。次いで、石英基盤(25×25×1mm)上にスピンコート(500rpm×3秒、次いで3000rpm×60秒)し、風乾の後、100℃で30分間ホットプレート上で加熱乾燥した。操作は、全てグローブボックス中、窒素雰囲気下で実施した。
次に、得られた薄膜を350nmの励起光を用いて、蛍光スペクトルを測定した。図4左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図4右に、実施例1の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
実施例4
溶媒としてジクロロメタンを用い、ホストとして実施例1の材料を1質量%、ドーパントとして下記Ir(nBuPPy)3を、ホストに対して10質量%になるように添加して各濃度の溶液を調製した。次いで、石英基盤(25×25×1mm)上にスピンコート(500rpm×3秒、次いで3000rpm×60秒)し、風乾の後、100℃で30分間ホットプレート上で加熱乾燥した。操作は、全てグローブボックス中、窒素雰囲気下で実施した。
次に、得られた薄膜を350nmの励起光を用いて、蛍光スペクトルを測定した。図4左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図4右に、実施例1の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
実施例5
ホストを実施例2の材料に変更した以外は、実施例4と同様に溶液を調製し、薄膜を作製し、蛍光スペクトルを測定した。
図5左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図5右に、実施例2の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
ホストを実施例2の材料に変更した以外は、実施例4と同様に溶液を調製し、薄膜を作製し、蛍光スペクトルを測定した。
図5左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図5右に、実施例2の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
実施例6
ホストを実施例3の材料に変更した以外は、実施例4と同様に溶液を調製し、薄膜を作製し、蛍光スペクトルを測定した。
図6左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図6右に、実施例3の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
ホストを実施例3の材料に変更した以外は、実施例4と同様に溶液を調製し、薄膜を作製し、蛍光スペクトルを測定した。
図6左に、ホストとして用いた実施例1の材料のみを用いて作製した薄膜の蛍光スペクトルを示し、図6右に、実施例3の材料+Ir(nBuPPy)3を用いて作製した薄膜の発光スペクトルを示す。蛍光発光が観察されたこと、及びドーパント添加系ではドーパントに由来する発光が観察されたことから、本発明の共重合体が電子素子用材料、特に有機EL素子用材料に使用できることがわかる。
Claims (13)
- 下記式(1)の繰り返し単位を含む共重合体であって、a=1〜5の繰り返し単位とa=0の繰り返し単位とを含み、重量平均分子量が10万〜300万の範囲である共重合体。
X1は、それぞれ独立に、単結合、O(酸素原子)、S(イオウ原子)、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基であり、
X2、Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、CR2 2、CR2、NR2、N、O、S、又はSiR2 2であり、
R2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。ただし、窒素原子と結合するR2の場合は、水素原子ではない。
Z1〜Z5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜30の脂肪族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の脂肪族複素環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基。
a,b,d,e,f,g,p,q,m,nは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。
R1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基である。
L1は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
ただし、L1とR1が結合する場合は、a=0かつb=0の繰り返し単位を含む。) - 請求項1に記載の前記式(1)の繰り返し単位と、下記式(2)の繰り返し単位を含む共重合体。
L2は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のオキシシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、又はアルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリレン基である。
L2が3環以上の窒素含有ヘテロアリーレン基である場合はない。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。R3が、3環以上の窒素含有ヘテロアリール基である場合はない。
ただし、R3が水素原子の場合、L2は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、アルキル及びアリールから選択される置換基で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。) - 前記式(2)においてcが0であり、R3が置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数2〜30のヘテロアリール基である請求項2又は3に記載の共重合体。
- 前記式(1)が、下記式(6)又は(7)で表される請求項1〜5のいずれかに記載の共重合体。
R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜16のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アルキル及びアリールから選択される置換基数1以上で置換された置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。) - 請求項1〜6のいずれかに記載の共重合体を含んでなる有機電子素子用材料。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の共重合体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の共重合体及び溶媒を含む溶液。
- 請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が有機薄膜層を有し、該有機薄膜層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 塗布法により有機薄膜層を形成してなる請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記塗布法が、湿式成膜法である請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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