JP2017059730A - 光受信モジュール及び光受信モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施形態における光送受信モジュール10の構成を例示する図である。光送受信モジュール10は、図1に示されるように、光受信モジュール100、光送信モジュール200を有する。
図2は、実施形態における光受信モジュール100の回路構成を例示する図である。
図6は、実施形態における光受信モジュール100の製造方法を例示する図である。図6(A)〜(E)には、図3(A)のA−A断面が示されている。
105 基板
105a 第1面
105b 第2面
111 受光素子
115 アンダーフィル
121 増幅器
131 カソード配線パターン
132 アノード配線パターン
135a 第1面バイアス電極(第1面電極)
135b 第2面バイアス電極(第2面電極)
140 容量素子
141 第1バイアスビア(第1ビア)
142 第2バイアスビア(第2ビア)
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の第1面に実装されている複数の受光素子と、
前記基板の第1面に実装されている複数の増幅器と、
前記基板の第1面に形成され、それぞれ前記受光素子のアノード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続する複数のアノード配線パターンと、
前記基板の第1面に形成され、それぞれ前記受光素子のカソード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続する複数のカソード配線パターンと、
前記基板の第2面に、前記第1面に形成されている前記複数のカソード配線パターンを包含するように形成されている第2面電極と、
前記基板の前記カソード配線パターンと前記増幅器との接続位置近傍に形成され、それぞれ前記カソード配線パターンと前記第2面電極とを接続する複数の第1ビアと、を有する
ことを特徴とする光受信モジュール。 - 前記第1ビアは、貫通孔が塞がれた穴埋めビアであり、
前記増幅器は、前記基板の第1面にフリップチップ実装され、前記基板の第1面との間にアンダーフィルが充填されている
ことを特徴とする請求項1に記載の光受信モジュール。 - 前記基板の前記受光素子と前記増幅器との間の中間位置に形成され、それぞれ前記カソード配線パターンと前記第2面電極とを接続する複数の第2ビアを有する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光受信モジュール。 - 前記複数のカソード配線パターンは、前記基板の第1面に形成されて前記第2面電極に接続されている第1面電極から櫛歯状に突出するように形成され、
前記複数のアノード配線パターンは、それぞれ前記複数のカソード配線パターンの何れか2つの間に挟まれるように形成されている
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の光受信モジュール。 - 前記第1ビアは、前記カソード配線パターンの延伸方向において、前記カソード配線パターンと前記増幅器との接続位置から±0.5mmの範囲内に形成されている
ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の光受信モジュール。 - 基板の上に受光素子と増幅器とが実装された光通信モジュールの製造方法において、
前記基板の第1面に、それぞれ前記受光素子のアノード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続する複数のアノード配線パターンを形成し、
前記基板の第1面に、それぞれ前記受光素子のカソード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続する複数のカソード配線パターンを形成し、
前記基板の第2面に、前記第1面に形成されている前記複数のカソード配線パターンを包含するように第2面電極を形成し、
前記基板の前記カソード配線パターンと前記増幅器との接続位置近傍に、それぞれの前記カソード配線パターンと前記第2面電極とを接続するビアを形成する
ことを特徴とする光受信モジュールの製造方法。 - 基板と、
前記基板に実装される受光素子と、
前記基板に実装される増幅器と、
前記基板の第1面に形成され、前記受光素子のアノード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続する複数のアノード配線パターンと、
前記基板の第1面に形成され、前記受光素子のカソード端子と前記受光素子に対応する前記増幅器とを接続するカソード配線パターンと、
前記基板の第2面に、前記第1面の前記複数のカソード配線パターンが形成される領域を包含するように形成されている第2面電極と、
前記基板の前記カソード配線パターンと前記増幅器との接続位置近傍に形成され、それぞれ前記カソード配線パターンと前記第2面電極とを接続するビアと、を有する
ことを特徴とする光受信モジュール。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012593A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 三菱電機株式会社 | 光受信回路、光受信器、光終端装置および光通信システム |
JP2021044437A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 受光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020012152A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Broadcom Corporation | Methods and systems for digitally processing optical data signals |
JP2002231974A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信装置及びその実装構造及びその製造方法 |
WO2009147956A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 国立大学法人東北大学 | 多層配線基板 |
JP2010028306A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路および伝送システム |
JP2012089590A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
JP2015056704A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 富士通株式会社 | 光受信モジュール |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003134051A (ja) | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Opnext Japan Inc | 光受信モジュール、光受信器及び光ファイバ通信機器 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020012152A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Broadcom Corporation | Methods and systems for digitally processing optical data signals |
JP2002231974A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信装置及びその実装構造及びその製造方法 |
WO2009147956A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 国立大学法人東北大学 | 多層配線基板 |
JP2010028306A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路および伝送システム |
JP2012089590A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
JP2015056704A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 富士通株式会社 | 光受信モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10700789B2 (en) | 2018-04-09 | 2020-06-30 | Fujitsu Limited | Optical receiver |
US11799624B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-10-24 | Nec Corporation | Time-synchronization system, relay apparatus, time-synchronization method, and non-transitory computer readable medium |
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