JP2017059639A

JP2017059639A - 電子装置、および電子装置の製造方法

Info

Publication number: JP2017059639A
Application number: JP2015182170A
Authority: JP
Inventors: 吉原　晋二; Shinji Yoshihara; 晋二吉原; 伸生瀬川; Nobuo Segawa
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2015-09-15
Filing date: 2015-09-15
Publication date: 2017-03-23
Anticipated expiration: 2035-09-15
Also published as: JP6500720B2

Abstract

【課題】半導体装置１において引出し配線２４、２５、２６にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、回路基板１０の一面１０ａ側に形成されているトランス２０と電極１３〜１６の間を接続する引出し配線２３〜２６を備える。引出し配線２４、２５、２６に対して回路基板１０側には、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇが配置されている。引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇとダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇとは、互いに同一厚さ寸法であり、かつ狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に配置されている。引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇとダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇとは、同一の金属材料から構成されている。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、電子装置、および電子装置の製造方法に関するものである。

従来、コンデンサにおいては、誘電体層とダミー電極とを交互に積層してなる積層体を備えるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この積層体は、当該コンデンサの表層部に露出させることにより、コンデンサの表層部の靱性を向上させている。このため、コンデンサの表層部に外部から応力が加わったとしても、コンデンサの表層部にクラックが発生することを防止することができる。

特開２００８−２８３１６６号公報

本発明者は、上記特許文献１に記載のコンデンサを参考にして、半導体基板上に配線層、絶縁層を積層してコイル構造体を構成することを検討した。

配線層（或いは、絶縁層）を成形するには、半導体基板上に導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）をスクリーン印刷法等でパターン印刷する。

このパターン印刷された導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）内に含まれるバインダを除去するために、少なくとも２００℃〜３００℃程度まで導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）の温度を上昇させる焼成等の熱処理が必要となる。

ここで、配線層（或いは、絶縁層）を半導体基板上に複数層、積層する場合には、導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）を繰り返しパターン印刷し、この印刷毎にこのパターン印刷した導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）を焼成する。

例えば、複数層の配線層のうち、ある絶縁層を形成するために、パターン印刷した絶縁性ペーストを焼成する際に、この焼成前に形成された配線層および絶縁層には、当該焼成により大量の熱が加わり、上記配線層および上記絶縁層の温度が上昇する。

ここで、上記配線層の熱膨張係数は、上記絶縁層の熱膨張係数に比べて小さく、上記配線層の熱膨張係数と上記絶縁層の熱膨張係数の差が大きい。このため、上記配線層の熱膨張係数と上記絶縁層の熱膨張係数の差による応力が上記配線層に加わり、上記配線層にクラックが発生する恐れがる。

特に、半導体基板上に、４層以上の配線層を形成すると、配線層の周囲に形成される絶縁層の厚さ寸法が半導体基板の厚さ寸法に近づくことになるため、配線層等にクラックの発生確率は高くなる。

具体的な例として、それぞれ４層の配線層からなる第１、第２コイルを半導体基板上にその厚み方向に２つ配置したトランスにおいては、用途によっては数Ａの大電流を流したり、あるいは回路損失を低減するために、配線層の膜厚を１０μｍ〜２０μｍと厚くして配線層の断面積を大きくする場合がある。

さらに、第１、第２のコイルの間の耐電圧を確保するために、それら第１、第２のコイル間の距離を、２層の配線の間の間隔よりも大きくする必要がある。

そのため、トランス全体の厚さは２００μｍ程度となる。この場合、半導体基板の厚さを４００μｍとしたとき、トランス部の厚さは半導体基板の厚さ寸法の半分となる。このため、焼成等の熱処理により配線層や絶縁層の温度が上昇すると、配線層には、絶縁層からの過大な応力が加わる。

特に、第１コイル（あるいは、第２コイル）と電極パッドとを接続する引出し配線においては、厚み寸法が大きい樹脂系の絶縁層の直上を配線する場合がある。

この場合、絶縁層は、焼成によって膨張するため、引出し配線が絶縁層によって押し上げられることで、引出し配線に応力が加わり、引出し配線にクラックが発生する。

本発明は上記点に鑑みて、基板上にコイルを成形してなる電子装置において、引出し配線にクラックが発生することを抑制した電子装置、および電子装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
基板の一面側に形成され、一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
基板の一面側に形成されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第１電極（２０ｃ）と第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、を備える電子装置において、
第１引出し配線および第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線は、それぞれ導電性材料から構成されて基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて導電性材料から構成されるダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて、それぞれ電気絶縁性材料の焼成体から構成されて基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
ダミー配線を構成する材料は、一方の引出し配線を構成する材料と同じ材料であることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、一方の引出し配線に対して基板側にダミー配線が配置されている。このため、一方の引出し配線に対して基板側に配置される絶縁膜の体積を減らすことができる。これに加えて、ダミー配線を構成する材料は、一方の引出し配線を構成する材料と同じ材料である。このため、一方の引出し配線を構成する材料の熱膨張係数と絶縁膜を構成する材料の熱膨張係数との差が起因して絶縁膜から一方の引出し配線に対して与えられる応力を減らすことができる。これにより、引出し配線にクラックが発生することを抑制することができる。

但し、本明細書において、導電性材料の焼成体とは、導電性材料の焼成したものである。電気絶縁性材料の焼成体とは、電気絶縁性材料を焼成したものである。

請求項２に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
基板の一面側に形成され、一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
基板の一面側に形成されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第１電極（２０ｃ）と第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、を備える電子装置において、
第１引出し配線および第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線は、それぞれ導電性材料から構成されて基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて導電性材料から構成されるダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて、それぞれ電気絶縁性材料の焼成体から構成されて基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
ダミー配線を構成する材料は、絶縁層の熱膨張係数よりも小さい材料であることを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、一方の引出し配線に対して基板側にダミー配線が配置されている。このため、一方の引出し配線に対して基板側に配置される絶縁膜の体積を減らすことができる。これに加えて、ダミー配線を構成する材料は、絶縁層の熱膨張係数よりも小さい材料である。このため、一方の引出し配線を構成する材料の熱膨張係数と絶縁膜を構成する材料の熱膨張係数との差が起因して絶縁膜から一方の引出し配線に対して与えられる応力を減らすことができる。これにより、引出し配線にクラックが発生することを抑制することができる。

請求項１５に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
基板の一面側に形成され、一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
基板の一面側に配置されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第１電極（２０ｃ）と第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、
第１引出し配線および第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線と基板との間に配置されて、基板の一面の法線方向に積層されている複数のダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて、基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
一方の引出し配線は、基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
ダミー配線を構成する材料として、一方の引出し配線を構成する材料と同じ材料が用いられている電子装置の製造方法であって、
基板の一面側にダミー配線を繰り返し形成することにより、複数のダミー配線を積層し、
基板の一面側においてダミー配線の形成毎にダミー配線に対して法線方向の一方側に引出し配線層を形成することにより、複数の引出し配線層を積層し、
ダミー配線或いは引出し配線層を形成する毎に、基板の一面側において形成したダミー配線或いは引出し配線層に対して法線方向の一方側に電気絶縁性ペーストを塗布し、この塗布毎にこの塗布した電気絶縁性ペーストを焼成して複数の絶縁膜を形成することを特徴とする。

以上により、引出し配線にクラックが発生することを抑制することに適した電子装置の製造方法を提供することができる。

請求項１６に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
基板の一面側に形成され、一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
基板の一面側に配置されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第１電極（２０ｃ）と第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
基板の一面側に形成されて、コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、
第１引出し配線および第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線と基板との間に配置されて、基板の一面の法線方向に積層されている複数のダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
一方の引出し配線と基板との間に配置されて、基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
一方の引出し配線は、基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
ダミー配線を構成する材料として、絶縁膜の熱膨張係数よりも小さい材料が用いられている電子装置の製造方法であって、
基板の一面側にダミー配線を繰り返し形成することにより、複数のダミー配線を積層し、
基板の一面側においてダミー配線の形成毎にダミー配線に対して法線方向の一方側に引出し配線層を形成することにより、複数の引出し配線層を積層し、
ダミー配線或いは引出し配線層を形成する毎に、基板の一面側において形成したダミー配線或いは引出し配線層に対して法線方向の一方側に電気絶縁性ペーストを塗布し、この塗布毎にこの塗布した電気絶縁性ペーストを焼成して複数の絶縁膜を形成することを特徴とする。

但し、本明細書において、配線（或いは、配線層）の幅方向とは、基板の一面に平行で、かつ配線（或いは、配線層）が延びる長手方向に直交する方向である。厚み方向とは、配線（或いは、配線層）において、基板の一面の法線方向に平行となる方向である。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における半導体装置の上面図である。図１Ａ中のI−I断面図である。第１実施形態における半導体装置のトランスを示す模式図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のIII−III断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のIV−IV断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のV−V断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のVI−VI断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のVII−VII断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のVIII−VIII断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のIX−IX断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のX−X断面図である。第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す上面図である。図１Ａ中のXI−XI断面図である。第１実施形態における引出し配線とコイルに流れる電流の方向との関係を示す模式図である。対比例における引出し配線とコイルに流れる電流の方向との関係を示す模式図である。第１実施形態における引出し配線の上面図である。第１実施形態における引出し配線の側面図である。第１実施形態におけるダミー配線の側面図である。第１実施形態におけるダミー配線の側面図である。第１実施形態におけるダミー配線の上面図である。第１実施形態におけるダミー配線の上面図である。対比例における半導体装置の側面図である。対比例における引出し配線の側面図である。対比例における引出し配線の側面図である。本発明の第２実施形態における半導体装置の上面図である。本発明の第３実施形態における半導体装置の上面図である。図１６XVI−XVI断面図である。本発明の第４実施形態における半導体装置の側面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１に本発明に係る電子装置が適用された半導体装置１の第１実施形態を示す。

本実施形態の半導体装置１は、回路基板１０の一面１０ａ側に形成されているトランス２０等を絶縁膜４０によって覆うように形成されている半導体装置である。

回路基板１０は、シリコン基板等の半導体基板１１と、半導体基板１１の一面側に薄膜状に形成されている絶縁層１２とから構成されている。絶縁層１２は、コイル２１、２２と半導体基板１１との間を電気絶縁する。絶縁層１２としては、例えば、窒化膜や酸化膜等の電気絶縁性や耐熱に優れた材料を用いることができる。絶縁層１２のうち半導体基板１１の反対側には、半導体基板１１の厚み方向に直交する方向に広がる一面ａが形成される。

なお、以下、説明の便宜上、回路基板１０の一面１０ａに直交する法線方向の一方側を図１中上側とし、法線方向の他方側を図１中下側とする。本実施形態の回路基板１０が本発明の基板に相当し、絶縁層１２の一面１０ａが本発明の一面に相当する。

トランス２０は、回路基板１０に対して法線方向の一方側に形成されている。

トランス２０は、図２に示すように、コイル２１、２２から構成されている。コイル２１、２２のうち一方のコイルが一次側コイルを構成し、他方のコイルが二次側コイルを構成している。

コイル２１、２２は、間隔を開けて法線方句に並べられている。コイル２１、２２は、それぞれ、回路基板１０の一面１０ａの法線を共通の中心線Ｓとして螺旋状に巻かれている。コイル２２は、コイル２１に対して法線方向一方側に位置する。

半導体装置１は、電極パッド１３、１４、１５、１６を備える。電極パッド１３、１４、１５、１６は、図３Ａ、および図３Ｂに示すように、回路基板１０の一面１０ａ側に形成されている。電極パッド１３、１４、１５、１６は、回路基板１０の一面１０ａ上に四方向に配置されている。電極パッド１３、１４、１５、１６は、コイル２１の電極２０ａ、２０ｂ、コイル２２の２０ｃ、２０ｄと他の電子回路との間を中継する電極を構成する。

なお、本実施形態の電極パッド１３、１４、１５、１６は、銅、金、アルミニウム等で構成されている。

電極パッド１３は、パッド１３ａ、１３ｂと、パッド１３ａ、１３ｂを接続する接続部１３ｃと、を備える。電極パッド１３の電極１３ａとコイル２１の電極２０ａとは、引出し配線２３（すなわち、引出し配線層２３ａ）によって接続されている。電極１３ｂは他の電子回路に接続されている。

電極パッド１４は、パッド１４ａ、１４ｂと、パッド１４ａ、１４ｂを接続する接続部１４ｃと、を備える。電極１４のパッド１４ａとコイル２１の電極２０ｂとは、引出し配線２４によって接続されている。電極１４ｂは他の電子回路に接続されている。

電極パッド１５は、パッド１５ａ、１５ｂと、パッド１５ａ、１５ｂを接続する接続部１５ｃと、を備える。電極パッド１５のパッド１５ａとコイル２２の電極２０ｃとは、引出し配線２５によって接続されている。パッド１５ｂは他の電子回路に接続されている。

電極パッド１６は、パッド１６ａ、１６ｂと、パッド１６ａ、１６ｂを接続する接続部１６ｃと、を備える。１６ｂのパッド１６ａとコイル２２の電極２０ｄとは、引出し配線２６によって接続されている。パッド１６ｂは他の電子回路に接続されている。

本実施形態の引出し配線２４、２５、２６は、後述するように階段状に形成されている。

引出し配線２４および回路基板１０の間には、ダミー配線３０ａ、３０ｂ、３０ｃが配置されている。ダミー配線３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、引出し配線２４とコイル２１（および、コイル２２）とに対して接続されていない。

引出し配線２５および基板１０の間には、ダミー配線３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄが配置されている。ダミー配線３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、引出し配線２５とコイル２２（および、コイル２１）とに対して接続されていない。

引出し配線２６および基板１０の間には、ダミー配線３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ、３２ｇが配置されている。ダミー配線３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ、３２ｇは、引出し配線２６およびコイル２２（および、コイル２１）に対して接続されていない。

なお、本実施形態のダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの構造の詳細は後述する。

絶縁膜４０は、ポリイミド等の電気絶縁性や耐熱性に優れた材料から構成されている。絶縁膜４０は、引出し配線２３〜２６および基板１０の間に、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇを囲むように形成されている。

なお、本実施形態の引出し配線２３〜２６、およびダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの厚み寸法は、例えば、２０μｍになっている。

以上が本実施形態における半導体装置１の構成である。次に、このような半導体装置１の製造方法について説明する。

まず、図３Ａ、図３Ｂに示されるように、各種の回路素子と電気的に接続された電極パッド１３、１４、１５、１６が一面１０ａ上に分散して形成されている回路基板１０を用意する。

次に、電極パッド１３、１４、１５、１６に対して法線方向一方側に回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ａを形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、チクソ性を有するポリイミドや液状ガラス等を含む電気絶縁性材料である絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、絶縁性ペーストを電極パッド１３、１４、１５、１６を法線方向一方側から覆うように行われる。パターン印刷は、電極１３ｂ、１４ｂが絶縁性ペーストから図３Ａ中下側にはみ出て、電極１５ｂ、１６ｂが絶縁性ペーストから図３Ａ中上側にはみ出て、かつ電極１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａも法線方向一方側に露出するように行われる。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ａを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ａには、電極１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａを露出させるコンタクトホール１３ｄ、１４ｄ、１５ｄ、１６ｄが形成される。

次に、図４Ａ、図４Ｂに示されるように、コイル配線層２１ａ、引出し配線層２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ、およびダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａを層間絶縁層４０ａ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図４Ａのパターンとなるとともに、コンタクトホール１３ｄ、１４ｄ、１５ｄ、１６ｄにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、コイル配線層２１ａ、引出し配線層２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ、およびダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａを形成する。

なお、導電性ペーストとしては、銅等の金属ナノ粒子、粉体、またはこれらの混合体を樹脂に含有したものが用いられる。

ここで、コイル配線層２１ａは、コイル形成領域Ａ１において、渦巻き状に形成されている。

引出し配線層２３ａは、引出し配線２３を構成するもので、コイル配線層２１ａの電極２０ａおよび電極パッド１３のパッド１３ａの間をコンタクトホール１３ｄを通して接続されている。引出し配線層２４ａは、電極パッド１４のパッド１４ａにコンタクトホール１４ｄを通して接続されている。引出し配線層２５ａは、電極パッド１５のパッド１５ａにコンタクトホール１５ｄを通して接続されている。引出し配線層２６ａは、電極パッド１６のパッド１６ａにコンタクトホール１６ｄを通して接続されている。

本実施形態の引出し配線層２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａは、それぞれ、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。パッド５０は、狭幅配線部５１よりも幅方向寸法が大きい部位である。引出し配線層２３ａは、コイル配線層２１ａの電極２０ａおよび電極パッド１３のパッド１３ａを接続する帯状の狭幅配線部５１と、狭幅配線部５１の長手方向の一端側に配置されている１つのパッド５０とを備える。引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａは、それぞれ、２つの狭幅配線部５１と２つのパッド５０とを備える。

ダミー配線３０ａは、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２４ａの間に配置されている。ダミー配線３０ａおよびコイル配線層２１ａの間には、間隔ｄ１（図４Ｂ参照）が形成されている。ダミー配線３０ａおよび引出し配線層２４ａの間に間隔ｄ２（図４Ｂ参照）が形成されている。間隔ｄ１、ｄ２としては、例えば、２００μｍ以下に設定されている。

ダミー配線３１ａは、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２５ａの間に配置されている。ダミー配線３１ａおよびコイル配線層２１ａの間には、第１間隔が形成されている。ダミー配線３１ａおよび引出し配線層２５ａの間には、第２間隔が形成されている。第１間隔および第２間隔は、例えば、２００μｍ以下に設定されている。

本実施形態のダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａは、それぞれ、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。ダミー配線３０ａは、３つの狭幅配線部５１と２つのパッド５０とを備える。ダミー配線３１ａは、４つの狭幅配線部５１と３つのパッド５０とを備える。ダミー配線３２ａは、７つの狭幅配線部５１と６つのパッド５０とを備える。

ダミー配線３２ａは、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２６ａの間に配置されている。ダミー配線３２ａおよびコイル配線層２１ａの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ａおよび引出し配線層２６ａの間には、間隔が形成されている。

なお、引出し配線層２３ａ、２５ａは、引出し配線形成領域Ａ２において、形成されている。引出し配線層２４ａ、２６ａは、引出し配線形成領域Ａ３において、形成されている。

次に、コイル配線層２１ａ、引出し配線層２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ、およびダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａに対して法線方向一方側に、回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｂを形成する（図５Ａ、図５Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２１ａ、引出し配線層２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ、およびダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｂを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｂには、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図５Ａ、図５Ｂに示されるように、コイル配線層２１ｂ、引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ、およびダミー配線３０ｂ、３１ｂ、３２ｂを層間絶縁層４０ｂ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図５Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２１ａおよび引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、コイル配線層２１ｂ、引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ、およびダミー配線３０ｂ、３１ｂ、３２ｂを形成する。

ここで、コイル配線層２１ｂは、コイル配線層２１ａに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２１ｂは、コンタクトホールを介してコイル配線層２１ａに接続されている。

引出し配線層２４ｂは、引出し配線層２４ａに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｂ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２４ｂは、コンタクトホールを介して引出し配線層２４ａに接続されている。

引出し配線層２５ｂは、引出し配線層２５ａに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｂ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２５ｂは、コンタクトホールを介して引出し配線層２５ａに接続されている。

引出し配線層２６ｂは、引出し配線層２６ａに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｂ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２６ｂは、コンタクトホールを介して引出し配線層２６ａに接続されている。

本実施形態の引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂは、それぞれ、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

ダミー配線３０ｂは、引出し配線層２４ｂおよびコイル配線層２１ｂの間に配置されている。ダミー配線３０ｂおよびコイル配線層２１ｂの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３０ｂおよび引出し配線層２４ｂの間には間隔が形成されている。

ダミー配線３１ｂは、引出し配線層２５ｂおよびコイル配線層２１ｂの間に配置されている。ダミー配線３１ｂおよびコイル配線層２１ｂの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３１ｂおよび引出し配線層２５ｂの間には間隔が形成されている。

ダミー配線３２ｂは、引出し配線層２６ｂおよびコイル配線層２１ｂの間に配置されている。ダミー配線３２ｂおよびコイル配線層２１ｂの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｂおよび引出し配線層２６ｂの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３０ｂ、３１ｂ、３２ｂは、それぞれ、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２１ｂ、引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ、およびダミー配線３０ｂ、３１ｂ、３２ｂに対して法線方向一方側に回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｃを形成する（図６Ａ、図６Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２１ｂ、引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ、およびダミー配線３０ｂ、３１ｂ、３２ｂを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２１ｂおよび引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｃを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｃには、コイル配線層２１ｂおよび引出し配線層２４ｂ、２５ｂ、２６ｂのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、コイル配線層２１ｃ、引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃ、およびダミー配線３０ｃ、３１ｃ、３２ｃを層間絶縁層４０ｃ上に形成する（図６Ａ、図６Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図６Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２１ｃおよび引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、コイル配線層２１ｃ、引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃ、およびダミー配線３０ｃ、３１ｃ、３２ｃを形成する。

ここで、コイル配線層２１ｃは、コイル配線層２１ａに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２１ｃは、コンタクトホールを介してコイル配線層２１ａに接続されている。

引出し配線層２４ｃは、引出し配線層２４ｂに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｃ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２４ｃは、コンタクトホールを介して引出し配線層２４ｂに接続されている。

引出し配線層２５ｃは、引出し配線層２５ｂに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｃ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２５ｃは、コンタクトホールを介して引出し配線層２５ｂに接続されている。

引出し配線層２６ｃは、引出し配線層２６ｂに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｃ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２６ｃは、コンタクトホールを介して引出し配線層２６ｂに接続されている。

本実施形態の引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃは、それぞれ、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

ダミー配線３０ｃは、引出し配線層２４ｃおよびコイル配線層２１ｃの間に配置されている。ダミー配線３０ｃおよびコイル配線層２１ｃの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３０ｃおよび引出し配線層２４ｃの間には間隔が形成されている。

ダミー配線３１ｃは、引出し配線層２５ｃおよびコイル配線層２１ｃの間に配置されている。ダミー配線３１ｃおよびコイル配線層２１ｃの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３１ｃおよび引出し配線層２５ｃの間には間隔が形成されている。

ダミー配線３２ｃは、引出し配線層２６ｃおよびコイル配線層２１ｃの間に配置されている。ダミー配線３２ｃおよびコイル配線層２１ｃの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｃおよび引出し配線層２６ｃの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３０ｃ、３１ｃ、３２ｃは、それぞれ、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２１ｃ、引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃ、およびダミー配線３０ｃ、３１ｃ、３２ｃに対して法線方向一方側に回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｄを形成する（図７Ａ、図７Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２１ｃ、引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃ、およびダミー配線３０ｃ、３１ｃ、３２ｃを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２１ｃおよび引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｄを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｄには、コイル配線層２１ｃおよび引出し配線層２４ｃ、２５ｃ、２６ｃのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図７Ａ、図７Ｂに示されるように、コイル配線層２１ｄ、引出し配線層２４ｄ、２５ｄ、２６ｄ、およびダミー配線３１ｄ、３２ｄを層間絶縁層４０ｄ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図７Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２１ｄおよび引出し配線層２４ｄ、２５ｄ、２６ｄのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、コイル配線層２１ｄ、引出し配線層２４ｄ、２５ｄ、２６ｄ、およびダミー配線３１ｄ、３２ｄを形成する。

コイル配線層２１ｄは、コイル配線層２１ａに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２１ｄは、コンタクトホールを介してコイル配線層２１ｃに接続されている。

引出し配線層２４ｄは、引出し配線層２４ｃに対して法線方向一方側で、かつコイル配線層２１ｄ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２４ｄは、コンタクトホールを介して引出し配線層２４ｃに接続され、かつコイル配線層２１ｄの電極２０ｂに接続されている。

引出し配線層２５ｄは、引出し配線層２５ｃに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２５ｃに対してコイル配線層２１ｄ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２５ｄは、コンタクトホールを介して引出し配線層２５ｃに接続されている。

引出し配線層２６ｄは、引出し配線層２６ｃに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２６ｃに対してコイル配線層２１ｄ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２６ｄは、コンタクトホールを介して引出し配線層２６ｃに接続されている。

ダミー配線３１ｄは、引出し配線層２５ｄおよびコイル配線層２１ｄの間に配置されている。ダミー配線３１ｄおよびコイル配線層２１ｄの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３１ｄおよび引出し配線層２５ｄの間には間隔が形成されている。

ダミー配線３２ｄは、引出し配線層２６ｄおよびコイル配線層２１ｄの間に配置されている。ダミー配線３２ｄおよびコイル配線層２１ｄの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｄおよび引出し配線層２６ｄの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３１ｄ、３２ｄは、それぞれ、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２１ｄ、引出し配線層２４ｄ、２５ｄ、２６ｄ、およびダミー配線３１ｄ、３２ｄに対して法線方向一方側に、回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｅを形成する（図８Ａ、図８Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２１ｄ、引出し配線層２４ｄ、２５ｄ、２６ｄ、およびダミー配線３１ｄ、３２ｄを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２１ｄおよび引出し配線層２５ｄ、２６ｄのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｅを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｅには、コイル配線層２１ｄおよび引出し配線層２５ｄ、２６ｄのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図８Ａ、図８Ｂに示されるように、コイル配線層２２ａ、引出し配線層２５ｅ、２６ｅ、およびダミー配線３２ｅを層間絶縁層４０ｅ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図８Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２１ｄおよび引出し配線層２５ｄ、２６ｄのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

そして、導電性ペーストをパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、コイル配線層２２ａ、引出し配線層２５ｅ、２６ｅ、およびダミー配線３２ｅを形成する。

ここで、コイル配線層２２ａは、コイル配線層２１ｄに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２２ａは、コイル配線層２１ｄに接続されていない。

引出し配線層２５ｅは、引出し配線層２５ｄに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２５ｄに対してコイル配線層２２ａ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２５ｅは、コンタクトホールを介して引出し配線層２５ｄに接続され、かつコイル配線層２２ａに接続されている。

引出し配線層２６ｅは、引出し配線層２６ｄに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２６ｄに対してコイル配線層２２ａ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２６ｅは、コンタクトホールを介して引出し配線層２６ｄに接続されている。

本実施形態の引出し配線層２４ｅ、２５ｅ、２６ｅは、それぞれ、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

ダミー配線３２ｅは、引出し配線層２６ｅおよびコイル配線層２２ａの間に配置されている。ダミー配線３２ｅおよびコイル配線層２２ａの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｅおよび引出し配線層２６ｅの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３２ｅは、それぞれ、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２２ａ、引出し配線層２５ｅ、２６ｅ、およびダミー配線３２ｅに対して法線方向一方側に、回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｆを形成する（図９Ａ、図９Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２２ａ、引出し配線層２５ｅ、２６ｅ、およびダミー配線３２ｅを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２２ａおよび引出し配線層２６ｆのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｆを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｆには、コイル配線層２２ａおよび引出し配線層２６ｅの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図９Ａ、図９Ｂに示されるように、コイル配線層２２ｂ、引出し配線層２６ｆ、およびダミー配線３２ｆを層間絶縁層４０ｆ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図８Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２２ａおよび引出し配線層２６ｅのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

ここで、コイル配線層２２ｂは、コイル配線層２２ａに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２２ｂは、コンタクトホールを通してコイル配線層２２ａに接続されている。

引出し配線層２５ｆは、引出し配線層２５ｅに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２６ｅに対してコイル配線層２２ｂ側にオフセットして配置されている。引出し配線層２６ｆは、コンタクトホールを介して引出し配線層２６ｅに接続されている。

本実施形態の引出し配線層２６ｆは、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

ダミー配線３２ｆは、引出し配線層２６ｆおよびコイル配線層２２ｂの間に配置されている。ダミー配線３２ｆおよびコイル配線層２２ｆの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｆおよび引出し配線層２６ｆの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３２ｆは、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２２ｂ、引出し配線層２６ｆ、およびダミー配線３２ｆに対して法線方向一方側に、回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｇを形成する（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２２ｂ、引出し配線層２６ｆ、およびダミー配線３２ｆを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２２ｂおよび引出し配線層２６ｆのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｈを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｇには、コイル配線層２２ｂおよび引出し配線層２６ｆの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図１０Ａ、図１０Ｂに示されるように、コイル配線層２２ｃ、引出し配線層２６ｇ、およびダミー配線３２ｇを層間絶縁層４０ｇ上に形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図１１Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２２ｂおよび引出し配線層２６ｆのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

コイル配線層２２ｃは、コイル配線層２２ｂに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２２ｃは、コンタクトホールを通してコイル配線層２２ｂに接続されている。

引出し配線層２６ｇは、引出し配線層２６ｆに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２６ｆに対してコイル配線層２２ｃ側にオフセットして配置されている。

本実施形態の引出し配線層２６ｇは、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

ダミー配線３２ｇは、引出し配線層２６ｇおよびコイル配線層２２ｃの間に配置されている。ダミー配線３２ｇおよびコイル配線層２２ｃの間には、間隔が形成されている。ダミー配線３２ｇおよび引出し配線層２６ｇの間には間隔が形成されている。

本実施形態のダミー配線３２ｇは、ダミー配線３０ａ、３１ａ、３２ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

次に、コイル配線層２２ｄ、引出し配線層２６ｈ、およびダミー配線３２ｇに対して法線方向一方側に、回路基板１０の一面１０ａと平行な方向に沿って層間絶縁層４０ｈを形成する（図１１Ａ、図１１Ｂ参照）。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、上述の絶縁性ペーストをパターン印刷する。パターン印刷は、コイル配線層２２ｄ、引出し配線層２６ｈ、およびダミー配線３２ｇを法線方向一方側から覆うとともに、コイル配線層２２ｃおよび引出し配線層２６ｇのそれぞれ一部が法線方向一方側に露出するように形成される。

このように絶縁性ペーストをパターン印刷した後、焼成等を行って樹脂成分を除去することによって層間絶縁層４０ｇを構成する。このことにより、層間絶縁層４０ｇには、コイル配線層２２ｃおよび引出し配線層２６ｇのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールが配線層毎に形成される。

次に、図１１Ａ、図１１Ｂに示されるように、コイル配線層２２ｄ、引出し配線層２６ｈを形成する。

具体的には、まず、所定領域が開口されたマスク（図示せず）を用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストをパターン印刷する。このとき、導電性ペーストが図１１Ａのパターンとなるとともに、コイル配線層２２ｃおよび引出し配線層２６ｇのそれぞれのコンタクトホールにも埋め込まれるようにパターン印刷する。

コイル配線層２２ｄは、コイル配線層２２ｃに対して法線方向一方側で渦巻き状に形成されている。コイル配線層２２ｄは、コンタクトホールを通してコイル配線層２２ｃに接続されている。

引出し配線層２６ｈは、引出し配線層２６ｇに対して法線方向一方側で、かつ引出し配線層２６ｇに対してコイル配線層２２ｄ側にオフセットして配置されている。

本実施形態の引出し配線層２６ｈは、引出し配線層２４ａ、２５ａ、２６ａと同様、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べられている。

以上のように、回路基板１０の一面側に導電性ペーストを繰り返しパターン印刷して、この印刷毎に導電性ペーストを焼成する。このことにより、導電性材料の焼成体であるダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇが積層される。

一方、回路基板１０の一面側においてダミー配線の形成毎にダミー配線に対して法線方向の一方側に導電性ペーストをパターン印刷して、この印刷毎に導電性ペーストを焼成する。このことにより、導電性材料の焼成体である引出し配線層２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄが積層される。

そして、ダミー配線或いは引出し配線層を形成する毎に、回路基板１０の一面１０ａ側においてダミー配線或いは引出し配線層に対して法線方向の一方側に絶縁性ペーストをパターン印刷し、この印刷毎にこのパターン印刷した電気絶縁性ペーストを焼成する。このことにより、電気絶縁材料の焼成体である層間絶縁層４０ａ〜４０ｈが積層されて絶縁膜４０が形成される。

以上のように構成される本実施形態において、コイル配線層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄが回路基板１０の一面１０ａに法線方向に積層されて、コイル２１が形成される。コイル配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄがコイル配線層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄに対して法線方向に積層されて、コイル２２が形成される。引出し配線層２３ａは、回路基板１０の一面１０ａに沿うように形成される。

引出し配線層２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄは、回路基板１０の一面１０ａに法線方向に積層されて引出し配線２４を構成する。引出し配線２４は、コイル２１の電極２０ｂから電極パッド１４に近づくにつれて法線方向他方側に進む階段状に形成されている。

引出し配線層２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅは、回路基板１０の一面１０ａに法線方向に積層されて引出し配線２５を構成する。引出し配線２５は、コイル２２の電極２０ｃから電極パッド１５に近づくにつれて法線方向他方側に進む階段状に形成されている。

引出し配線層２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈは、回路基板１０の一面１０ａに法線方向に積層されて引出し配線２６を構成する。引出し配線２６は、コイル２２の電極２０ｄから電極パッド１６に近づくにつれて法線方向他方側に進む階段状に形成されている（図１Ａ、図１Ｂ参照）。

ここで、ダミー配線３０ａ〜３０ｃは、引出し配線層２４ａ〜２４ｄと回路基板１０との間に積層されている。

ダミー配線３０ａ〜３０ｃを構成するパッド５０と、引出し配線層２４ａ〜２４ｄを構成するパッド５０とは、法線方向から視て重なるようにダミー配線３０ａ〜３０ｃと引出し配線層２４ａ〜２４ｄとが配置されている。

ダミー配線３０ａ〜３０ｃを構成する狭幅配線部５１と、引出し配線層２４ａ〜２４ｄを構成する狭幅配線部５１とは、法線方向から視て重なるようにダミー配線３０ａ〜３０ｃと引出し配線層２４ａ〜２４ｄとが配置されている。

ダミー配線３１ａ〜３１ｄは、引出し配線層２５ａ〜２５ｅと回路基板１０との間に積層されている。

ダミー配線３１ａ〜３１ｄを構成するパッド５０と、引出し配線層２５ａ〜２５ｅを構成するパッド５０とは、法線方向から視て重なるようにダミー配線３１ａ〜３１ｄと引出し配線層２５ａ〜２５ｅとが配置されている。

ダミー配線３１ａ〜３１ｄを構成する狭幅配線部５１と、引出し配線層２５ａ〜２５ｅを構成する狭幅配線部５１とは、法線方向から視て重なるようにダミー配線３１ａ〜３１ｄと引出し配線層２５ａ〜２５ｅとが配置されている。

ダミー配線３２ａ〜３２ｇは、引出し配線層２６ａ〜２６ｇと回路基板１０との間に積層されている。

ダミー配線３２ａ〜３２ｇを構成するパッド５０と、引出し配線層２６ａ〜２６ｇを構成するパッド５０とが法線方向から視て重なるようにダミー配線３２ａ〜３２ｇと引出し配線層２６ａ〜２６ｇとが配置されている。

ダミー配線３２ａ〜３２ｇを構成する狭幅配線部５１と、引出し配線層２６ａ〜２６ｇを構成する狭幅配線部５１とが法線方向から視て重なるようにダミー配線３２ａ〜３２ｇと引出し配線層２６ａ〜２６ｇとが配置されている。

本実施形態の、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの幅方向寸法は、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇの幅方向寸法と同じである。ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの厚み方向寸法は、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇの厚み方向寸法と同じである。

なお、配線において、厚み方向とは、回路基板１０の一面１０ａに法線方向に平行な方向である。配線において、幅方向とは、配線が延びる方向に直交し、かつ法線方向に直交する方向である。

本実施形態では、引出し配線２４は、コイル２１に流れるコイル電流が流れる方向（以下、コイル２１のコイル電流方向という）に対して直交するようにコイル２１の電極２０ｂに接続されている（図１２Ａ参照）。

一方、引出し配線２４は、コイル２１のコイル電流方向に対して形成される角度が鈍角、あるいは鋭角になる場合には、コイル２１に発生する磁束に応じてコイル２１に本来流れるべき電流を打ち消す電流が発生する（図１２Ｂ参照）。

これに対して、本実施形態では、上述のごとく、引出し配線２４は、コイル２１のコイル電流方向に対して直交するようにコイル２１の電極２０ｂに接続されている。このため、コイル２１に本来流れるべき電流を打ち消す電流が発生することを未然に防ぐことができる。

ここで、引出し配線２４に対して回路基板１０側に配置されるダミー配線３０ａ〜３０ｃは、引出し配線２４に対して平行に配置されている。このため、法線方向から視て、ダミー配線３０ａ〜３０ｃおよび引出し配線２４は、コイル２１のコイル電流方向に対して直交するように配置されている。

同様に、コイル２２に接続される引出し配線２５、２６は、コイル２２のコイル電流方向に対して直交するようにコイル２２の電極２０ｃ、２０ｄに接続されている。このため、法線方向から視て、ダミー配線３１ａ〜３１ｄおよび引出し配線２５は、コイル２２のコイル電流方向に対して直交するように配置されている。法線方向から視て、ダミー配線３２ａ〜３２ｇおよび引出し配線２６は、コイル２２のコイル電流方向に対して直交するように配置されている。

なお、図１２Ａ、図１２Ｂにおいて、符号Ｇ１は、磁束が紙面垂直方向手前側に向かって流れる状態を示し、符号Ｇ２は、磁束が紙面垂直方向奥側に向かって流れる状態を示している。

本実施形態では、引出し配線２４を構成する引出し配線層２４ａ〜２４ｄのうち上側の引出し配線層（例えば、引出し配線層２４ｄ）と、下側の引出し配線層（例えば、引出し配線層２４ｃ）とは、互いにパッド５０同士が接続部４２を介して接続されている（図１３Ａ、図１３Ｂ参照）。

同様に、引出し配線２５を構成する引出し配線層２５ａ〜２５ｅのうち上側の引出し配線層と下側の引出し配線層とは、互いにパッド５０同士が接続部４２を介して接続されている。同様に、引出し配線２６を構成する引出し配線層２６ａ〜２６ｇのうち上側の引出し配線層と下側の引出し配線層とは、互いにパッド５０同士が接続部４２を介して接続されている。

本実施形態において、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ、
および引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈのそれぞれを構成するパッド５０は、それぞれ同じ形状に形成されている。ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ、および引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈのそれぞれを構成する狭幅配線部５１は、それぞれ同じ形状に形成されている。

以上説明したように、本実施形態の半導体装置１において、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇや層間絶縁層４０ａ〜４０ｈを形成するために導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）を焼成する際に、この焼成前に形成されている引出し配線層や層間絶縁層の温度は上昇する。このため、引出し配線層の熱膨張係数と層間絶縁層の熱膨張係数の差に応じて引出し配線層に加わる応力が発生する。

ここで、引出し配線２４、２５、２６に対して回路基板１０側には、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇが配置されている。このため、引出し配線２４、２５、２６に対して回路基板１０側に配置される絶縁膜４０の体積を減少させることができる。これに加えて、引出し配線２４、２５、２６とダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇとは、それぞれ、同一の導電材料から構成されている。

このため、引出し配線２４、２５、２６に対して絶縁膜４０から与えられる応力を減らすことができる。これにより、引出し配線２４、２５、２６にクラックが発生することを抑制することができる。

本実施形態では、引出し配線２４、２５、２６およびダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇを構成する導電材料は、絶縁膜４０を構成する電気絶縁材料よりも熱膨張係数が小さくなっている。このため、引出し配線２４、２５、２６に対して絶縁膜４０から与えられる応力をより一層減らすことができる。

また、図１４Ａ、図１４Ｂに示すように、半導体基板１１の厚み方向に複数の配線層を積層してなるＶｉａ配線２７ＢとＶｉａ配線２７Ｂとトランス２０との間を接続する配線２７Ａとを引出し配線２７として形成した場合には、次のようにクラックが引出し配線２７に生じる恐れがある。

すなわち、引出し配線２７および層間絶縁層４０ａ、４０ｂ・・４０ｆ、４０ｇを形成した後に、層間絶縁層４０ｈを形成するためにパターン印刷した絶縁性ペーストを焼成する際に、引出し配線２７および層間絶縁層４０ａ、４０ｂ・・４０ｆ、４０ｇに大きな熱が加わる。

図１４Ｂに示すように、Ｖｉａ配線２７Ｂには、絶縁膜４０からの引っ張り応力が生じてＶｉａ配線２７Ｂにクラックが生じたり、図１４Ｃに示すように、絶縁膜４０の膨張により配線２７Ａに応力が加わり配線２７Ａにクラックが生じる。

これに対して、本実施形態では、引出し配線層２４ａ〜２４ｄが階段状に形成されている。このため、引出し配線層２４ａ〜２４ｄと回路基板１０の間の絶縁膜４０の厚さ寸法が電極１４に近づくほど小さくなる。このため、引出し配線層２４ａ〜２４ｄに対する引っ張り応力や膨張による応力を小さくすることができる。同様に、引出し配線層２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈも、階段状に形成されている。このため、同様な効果を得ることができる。

本実施形態では、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈと、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇとは、それぞれ、同様に、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に配置されている形状である。

ここで、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの幅寸法を大きくすると、コイル２１（或いは、２２）で発生する磁界がダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇに錯交しやすくなり、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇに渦電流が発生してコイル２１（或いは２２）の特性が悪化する。

これに対して、本実施形態では、上述の如く、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈと、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇとは、それぞれ、同様に、狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に配置されている形状である。

このため、コイル２１（或いは、２２）で発生する磁界がダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇに錯交し難くなり、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇに渦電流が発生しし難くなる。よって、コイル２１（或いは２２）の特性が悪化することが抑制される。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのうちいずれかのダミー配線と、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈのうちいずれかの引出し配線層と、コイル配線層２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄのうちいずれかのコイル配線層とは、同一層に形成されている。

引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈ、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ、およびコイル配線層２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄは、それぞれ、同一の厚さ寸法になっている。

ここで、同一層に形成されるコイル配線層、ダミー配線、および引出し配線層を形成するための導電性ペーストをパターン印刷する工程は、同一工程で実施される。これに加えて、同一層に形成されるコイル配線層、ダミー配線、および引出し配線層を形成するための導電性ペーストを焼成する工程は、同一工程で実施される。これにより、工程数や工程コストを低減することができる。これに加えて、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈやダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅの幅寸法のバラツキを抑制することが可能となる
本実施形態では、絶縁膜４０を構成する材料はポリイミドであり、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅを構成する材料は、例えば、ＣｕあるいはＡｇである。Ｃｕ、Ａｇは、熱伝導率が高い。このため、絶縁膜４０は、放熱性が悪いものの、
絶縁膜４０内にダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅが入るため、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅで発生した熱の冷却する性能を向上することができる。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅは、それぞれ、絶縁膜４０を構成する絶縁材料によって法線方向一方側および他方側から挟み込まれている。このため、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅの厚み寸法が大きくなり過ぎることを抑制して、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ自体にクラックが発生することを抑制することができる。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅは、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈに対して接続されていない。このため、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのそれぞれの端部を自由端とすることができる。

ここで、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅは、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈに対して接続されていると、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅや引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈの温度膨張により、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅの端部は、固定端となり、過大な応力が発生する。このため、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅにクラックが生じる恐れがある。

これに対して、本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのそれぞれの端部を自由端とすることができる。よって、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのそれぞれの端部に応力が発生しなく、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅにクラックが生じることを未然に抑制することができる。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのパッド５０は、同じ形状で、かつ法線方向から視て重なるように構成されている。ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅの狭幅配線部５１は、同じ形状で、かつ法線方向から視て重なるように構成されている。

例えば、ダミー配線３０ｂのパッド５０の幅方向寸法がダミー配線３０ａのパッド５０の幅方向寸法が大きい場合には、絶縁膜４０のうちダミー配線３０ａに対して回路基板１０側の層間絶縁層４０ａの熱膨脹によって生じる応力がダミー配線３０ａのパッド５０の側方を通過してダミー配線３０ｂのパッド５０に加わる。このため、当該応力によって、ダミー配線３０ｂのパッド５０にクラックが生じる恐れがある。つまり、絶縁膜４０のうち回路基板１０側の部分の熱膨脹によって生じる応力がダミー配線３０ａ〜３０ｃのうち法線方向一方側のダミー配線に作用してクラックが生じる恐れある。

これに対して、本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅを構成するパッド５０は、それぞれ同一形状で、かつ法線方向から視て重なるように構成されている。ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅを構成する狭幅配線部５１は、それぞれ同一形状で、かつ法線方向から視て重なるように構成されている。このため、絶縁膜４０のうち回路基板１０側からの応力がダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅのうち法線方向一方側のダミー配線に作用することを抑制することができる。
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈをそれぞれ狭幅配線部５１とパッド５０とが交互に並べた例について説明したが、これに代えて、本第２実施形態では、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈをそれぞれ同一幅のまま長手方向に延びる帯状に形成したものを用いる例について説明する。

図１５は、本第２実施形態の半導体装置１の上面図を示す。図１５において、図１Ａと同一符号は、同一のものを示している。

本実施形態と上記第１実施形態とは、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈやダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅの形状が異なるだけである。

本実施形態の引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈは、それぞれ、同一幅のまま長手方向に延びる帯状に形成されている。同様に、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅも、それぞれ、同一幅のまま長手方向に延びる帯状に形成されている。

（第３実施形態）
本第３実施形態では、上記第１実施形態の半導体装置１の引出し配線２４、２６が螺旋階段状に形成した例について説明する。

図１６Ａは本実施形態の半導体装置１の上面図を示す。図１６Ｂは、図１６Ａ中のXVI−XVI断面図である。

図１６Ｂに示すように、引出し配線層２６ｈに対して法線方向他方側には、ダミー配線３００、３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６が積層されている。引出し配線層２６ｄに対して法線方向他方側には、ダミー配線４００、４０１、４０２が積層されている。

ここで、引出し配線層２６ｄとダミー配線３０３とは、同一層に形成されている。引出し配線層２６ｄとダミー配線３０３とは、平行に配置されている。

引出し配線層２６ｄの幅方向寸法をＬ１とし、ダミー配線３０３の幅方向寸法をＬ２とし、引出し配線層２６ｄおよびダミー配線３０３の間の寸法をＳとし、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｓを満たすように、引出し配線層２６ａ〜２６ｈおよびダミー配線３００〜３０６、４００〜４０２が形成されている。これにより、Ｌ１、Ｌ２、Ｓを揃えることで、スクリーン印刷の工程が安定することで、幅寸法のバラツキが低減し、バラツキ起因による過大応力の発生確率が小さくなる。

（第４実施形態）
本第４実施形態では、上記第１実施形態の半導体装置１において、コイル２１、２２の中心線Ｓ側に配置されて磁性体からなるコイルコア６１を配置した例について説明する。

図１７は、本実施形態の半導体装置１の上面図を示す。図１７において、図１Ａと同一符号は、同一のものを示している。

本実施形態では、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈと、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅとを磁性体層６０が覆うように形成されている。コイルコア６１は、磁性体層６０に接続されている。

このよう構成される本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅは、コイルコア６１と同一の磁性体材料から構成される。この場合、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ、コイルコア６１、および磁性体層６０を層毎に同一工程で形成する。具体的には、磁性体材料を含む磁性体ペーストを層毎にパターン印刷した後、酸素雰囲気および還元雰囲気で焼成を行い、樹脂成分および酸化物を除去することによって、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ、コイルコア６１、および磁性体層６０を形成する。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅは、コイルコア６１と同一の磁性体から構成される。このため、コイル２１、２２に生じる磁束がダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅにも通る。このため、トランス２０のインダクタンスが向上して、コイル２１、２２、トランス２０の特性を向上できる。

本実施形態では、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅやコイルコア６１を構成する磁性体材料としては、金属（Ｆｅ、Ｎｉ等）あるいは、金属酸化物（例えば、フェライト等）が用いられる。ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅを構成する材料は、絶縁膜４０の熱膨張係数よりも小さい材料である。

ここで、ダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅやコイルコア６１は、絶縁膜４０を構成するポリイミドよりも熱伝導性が高いため、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｈで発生した熱を効率良く放熱できる。

（他の実施形態）
（１）上記第１〜４の実施形態では、２つのコイル２１、２２を半導体装置１に構成した例について説明したが、これに代えて、１つのコイル２１（２２）を半導体装置１に構成してもよい。

（２）上記第１〜４の実施形態では、絶縁膜４０を樹脂材料によって構成した例について説明したが、これに限らず、絶縁膜４０を構成する材料としては、電気絶縁材料から構成されるならば、窒化物や酸化物などの各種の材料を用いてもよい。

（３）上記第１〜４の実施形態では、導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）を回路基板１０上に印刷を用いて塗布したが、これに代えて、印刷以外の手法により、導電性ペースト（或いは、絶縁性ペースト）を回路基板１０上に塗布してもよい。

（４）上記第１〜４の実施形態では、回路基板１０と引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇとの間に複数層のダミー配線を積層した例について説明したが、これに代えて、回路基板１０と引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇとの間に単層のダミー配線を配置してもよい。

（５）なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ、およびダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇの形成方法は、導電性の印刷ペーストによる印刷法としたが、これに代えて、次のようにしてもよい。

すなわち、めっき法を用いて引出し配線層２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ、およびダミー配線３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇを形成してもよい。

この場合、層間絶縁層４０ａ〜４０ｈのうち、ある層間絶縁層を電気絶縁性ペーストの焼成により形成する際に、前記ある層間絶縁層を形成する前に形成されている引出し配線層と層間絶縁層とには大量の熱が加わり、前記引出し配線層および前記層間絶縁層のそれぞれの温度が上昇する。このため、前記引出し配線層の熱膨張係数および前記層間絶縁層の熱膨張係数の差による応力が発生する。

そこで、上記第１実施形態と同様、ダミー配線を用いることにより、前記引出し配線層に対して前記層間絶縁層から与えられる応力を減らすことができる。これにより、前記引出し配線層にクラックが発生することを抑制することができる。

また、コイル配線層２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄをめっき法を用いて形成してもよい。

（６）また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１半導体装置（電子装置）
１０回路基板（基板）
１３、１４、１５、１６電極パッド
２０トランス
２１、２２コイル
２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄコイル配線層
２３、２４、２５、２６引出し配線
２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ引出し配線層
３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇダミー配線
４０絶縁膜
４０ａ〜４０ｈ層間絶縁層

Claims

一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板の一面側に形成され、前記一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
前記基板の一面側に形成されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第１電極（２０ｃ）と前記第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と前記第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、を備える電子装置において、
前記第１引出し配線および前記第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線は、それぞれ導電性材料から構成されて前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて導電性材料から構成されるダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、それぞれ電気絶縁性材料の焼成体から構成されて前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
前記ダミー配線を構成する材料は、前記一方の引出し配線を構成する材料と同じ材料である電子装置。
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板の一面側に形成され、前記一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
前記基板の一面側に形成されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第１電極（２０ｃ）と前記第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と前記第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、を備える電子装置において、
前記第１引出し配線および前記第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線は、それぞれ導電性材料から構成されて前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて導電性材から構成されるダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、それぞれ電気絶縁性材料の焼成体から構成されて前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
前記ダミー配線を構成する材料は、前記絶縁層の熱膨張係数よりも小さい材料である電子装置。
前記複数の引出し配線層は、それぞれ、前記導電性材料の焼成体から構成されており、
前記ダミー配線は、前記導電性材の焼成体から構成されている請求項１または２に記載の電子装置。
前記ダミー配線の幅方向寸法は、前記一方の引出し配線の幅方向寸法と同一寸法である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
前記ダミー配線の厚み方向の寸法は、前記一方の引出し配線の厚み方向の寸法と同一寸法である請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。
前記絶縁膜を構成する電気絶縁材料は、ポリイミドであり、
前記ダミー配線を構成する材料は、ＣｕあるいはＡｇである請求項１ないし５のいずれか１つに記載の電子装置。
前記コイルに対して前記中心線側に配置されて、磁性体からなるコイルコア（６１）を備え、
前記ダミー配線を構成する材料は、前記コイルコアと同一の材料である請求項２に記載の電子装置。
前記一方の引出し配線は、
第１配線部（５１）と、前記第１配線部に接続されて前記第１配線部よりも幅方向寸法が大きくなっている第１パッド（５０）とを備える上側配線（２４ｄ）と、
前記上側配線に対して基板側に配置されて、第２配線部（５１）と、前記第２配線部に接続されて前記第２配線部よりも幅方向寸法が大きくなっている第２パッド（５０）とを備える下側配線（２４ｃ）と、を備え、
前記ダミー配線は、第３配線部（５１）と、前記第３配線部に接続されて前記第３配線部よりも幅方向寸法が大きくなっている第３パッド（５０）とを備え、
前記第１配線部、前記第２配線部、および前記第３配線部は、それぞれ、同じ形状に形成されており、
前記第１パッド、前記第２パッド、および前記第３パッドは、それぞれ、同じ形状に形成されており、
前記第１パッドと前記第２パッドが接続されており、
前記第１パッド、前記第２パッド、および前記第３パッドは、前記法線方向から視て重なるように配置されており、
前記第１配線部、前記第２配線部、および前記第３配線部は、前記法線方向から視て重なるように配置されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の電子装置。
前記絶縁層は、前記ダミー配線の周囲を囲むように形成されている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の電子装置。
前記一方の引出し配線およびダミー配線は、前記基板の一面の法線方向から視て前記コイルに流れる電流の方向に直交するように形成されている請求項１ないし９のいずれか１つに記載の電子装置。
前記ダミー配線を複数、備え
前記複数のダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｇ）は、それぞれ、前記基板の一面の法線方向に積層されている請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子装置。
前記一方の引出し配線層がそれぞれ前記法線方向に直交する方向にオフセットして配置されることにより前記一方の引出し配線が階段状に形成されている請求項１１に記載の電子装置。
前記複数の引出し配線層のうち第１引出し配線層は、前記複数のダミー配線のうち第１ダミー配線に対して平行に配置されて、かつ前記第１引出し配線層および前記第１ダミー配線が同一層に形成されており、
前記第１引出し配線層の幅方向寸法をＬ１とし、
前記第１ダミー配線の幅方向寸法をＬ２とし、
前記第１引出し配線層および前記第１ダミー配線の間の寸法をＳとし、
Ｌ１＝Ｌ２＝Ｓを満たすように、前記複数の引出し配線層および前記複数のダミー配線が形成されている請求項１２に記載の電子装置。
前記ダミー配線は、前記一方の引出し配線に対して未接続になっている請求項１ないし１３のいずれか１つに記載の電子装置。
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板の一面側に形成され、前記一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
前記基板の一面側に配置されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第１電極（２０ｃ）と前記第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と前記第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、
前記第１引出し配線および前記第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数のダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
前記一方の引出し配線は、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
前記ダミー配線を構成する材料として、前記一方の引出し配線を構成する材料と同じ材料が用いられている電子装置の製造方法であって、
前記基板の一面側に前記ダミー配線を繰り返し形成することにより、複数の前記ダミー配線を積層し、
前記基板の一面側において前記ダミー配線の形成毎に前記ダミー配線に対して前記法線方向の一方側に前記引出し配線層を形成することにより、複数の前記引出し配線層を積層し、
前記ダミー配線或いは前記引出し配線層を形成する毎に、前記基板の一面側において前記形成した前記ダミー配線或いは前記引出し配線層に対して前記法線方向の一方側に電気絶縁性ペーストを塗布し、この塗布毎にこの塗布した電気絶縁性ペーストを焼成して前記複数の絶縁膜を形成する電子装置の製造方法。
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板の一面側に形成され、前記一面の法線を中心線として巻かれているコイル（２１、２２）と、
前記基板の一面側に配置されている第１電極パッドおよび第２電極パッド（１３〜１６）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第１電極（２０ｃ）と前記第１電極パッド（１５）の間を接続する第１引出し配線（２５）と、
前記基板の一面側に形成されて、前記コイルの第２電極（２０ｂ、２０ｄ）と前記第２電極パッド（１４、１６）の間を接続する第２引出し配線（２４、２６）と、
前記第１引出し配線および前記第２引出し配線のうちいずれか一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数のダミー配線（３０ａ〜３０ｃ、３１ａ〜３１ｄ、３２ａ〜３２ｅ）と、
前記一方の引出し配線と前記基板との間に配置されて、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の絶縁層（４０ａ〜４０ｈ）から構成されている絶縁膜（４０）と、を備え、
前記一方の引出し配線は、前記基板の一面の法線方向に積層されている複数の引出し配線層（２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｅ、２６ａ〜２６ｇ）から構成されており、
前記ダミー配線を構成する材料として、前記絶縁膜の熱膨張係数よりも小さい材料が用いられている電子装置の製造方法であって、
前記基板の一面側に前記ダミー配線を繰り返し形成することにより、複数の前記ダミー配線を積層し、
前記基板の一面側において前記ダミー配線の形成毎に前記ダミー配線に対して前記法線方向の一方側に前記引出し配線層を形成することにより、複数の前記引出し配線層を積層し、
前記ダミー配線或いは前記引出し配線層を形成する毎に、前記基板の一面側において前記形成した前記ダミー配線或いは前記引出し配線層に対して前記法線方向の一方側に電気絶縁性ペーストを塗布し、この塗布毎にこの塗布した電気絶縁性ペーストを焼成して前記複数の絶縁膜を形成する電子装置の製造方法。
前記基板の一面側に導電性ペーストを繰り返し塗布して、この塗布毎に前記塗布した導電性ペーストを焼成することにより、前記複数のダミー配線を積層し、
前記基板の一面側において前記ダミー配線の形成毎に前記ダミー配線に対して前記法線方向の一方側に導電性ペーストを塗布して、この塗布毎にこの塗布した導電性ペーストを焼成して前記複数の引出し配線層を積層する請求項１５または１６に記載の電子装置の製造方法。
前記コイルは、前記基板の一面側において前記法線方向の一方側に積層されている複数のコイル配線層（２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ）から構成されており、
前記複数のコイル配線層のうちいずれか１つのコイル配線層と、前記複数のダミー配線のうちいずれか１つのダミー配線と、前記複数の引出し配線層のうちいずれか１つの引出し配線層とは、同一層に配置されており、
前記基板の一面側において導電性ペーストを繰り返し塗布して、この塗布毎にこの塗布した導電性ペーストを焼成して前記複数のコイル配線層を形成し、
前記同一層に形成されている前記１つのコイル配線層、前記１つのダミー配線、および前記１つの引出し配線層を形成するために前記導電性ペーストを塗布する塗布工程を同じ工程で実施し、
前記同一層に形成されている前記１つのコイル配線層、前記１つのダミー配線、および前記１つの引出し配線層を形成する際に前記導電性ペーストを焼成する焼成工程を同じ工程で実施する請求項１７に記載の電子装置の製造方法。