JP2017054009A - 空間光変調器 - Google Patents
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Description
図1(a)、(b)に示すように、本発明の第1実施形態に係る空間光変調器10は、基板9と、その上に2次元配列された光変調素子1と、光変調素子1の上に接続されてY方向(図1(a)における縦方向)に延設された上部電極(電極)5と、光変調素子1の下に接続されて上部電極5と対をなす電極であって、X方向(図1(a)における横方向)に延設された下部電極(電極)6と、下部電極6,6間、光変調素子1,1間、および上部電極5,5間を埋める絶縁層8(図1(a)では省略、図1(b)ではハッチングを付さずに輪郭線のみを示す)と、を備える。
本実施形態に係る空間光変調器10に搭載された光変調素子1は、CPP−GMR素子であり、磁化方向が一方向に固定された磁化固定層3および磁化方向が回転可能な磁化自由層11を、非磁性金属からなる中間層2を挟んで備え、さらに必要に応じて、最下層に下地膜41を、最上層に保護膜42を、それぞれ備える(図1では省略)。詳しくは、図2に示すように、光変調素子1は、下から、下地膜41、磁化固定層3、中間層2、磁化自由層11、保護膜42が積層されてなる。光変調素子1のこれらの各層は、例えばスパッタリング法や分子線エピタキシー(MBE)法等の公知の方法で連続的に成膜されて積層され、電子線リソグラフィおよびイオンビームミリング法等で後記の平面視形状に加工される。光変調素子1は、膜面垂直方向に電流を供給されることにより、図2(a)、(b)に示すように、磁化自由層11の磁化方向が磁化固定層3と同じ向き(平行)または反対向き(反平行)になるように変化する。
上部電極5および下部電極6(以下、適宜まとめて、上下電極5,6)は、光変調素子1の上下面に接続して電流を供給する一対の電極であり、それぞれの材料の抵抗、および光変調素子1に供給する電流の大きさ等に応じて、厚さや幅が設定される。図1(a)に示すように、上下電極5,6はそれぞれ、平面視において、一様な幅に形成され、光変調素子1の配列に沿って互いに直交して延設される。
絶縁層8は、例えばSiO2やAl2O3等の酸化膜やSi窒化物やMgF2等の公知の無機絶縁材料を適用することができ、光変調素子1の各層や上下電極5,6と同様に、スパッタリング法等の公知の方法により成膜される。また、絶縁層8は、下部電極6,6間、光変調素子1,1間、上部電極5,5間で、それぞれ異なる絶縁材料を適用してもよく、さらに光変調素子1,1間において、磁化固定層3と中間層2、磁化自由層11とのそれぞれに接する領域で異なる絶縁材料を適用してもよい。特に、絶縁層8は、下部電極6,6間および光変調素子1,1間において、屈折率が上部電極5(透明電極層51)と同等以上の絶縁材料を適用されることが好ましい。なお、透明電極層51や絶縁層8等の光透過性材料において、2種類の材料で屈折率が同等というのは、これらの2層が一体の媒質として作用する程度に屈折率が近似していることを指す(特許文献7参照)。このような構造により、上部電極5に沿って隣り合う光変調素子1,1間に進入した光が、上部電極5と絶縁層8の界面で反射せずに進入し易く、光変調していない反射光(出射光)によるコントラストの低下が抑制される。
基板9は、光変調素子1および上下電極5,6を形成するための土台であり、公知の基板材料が適用できる。具体的には、SiO2(酸化ケイ素、ガラス)、MgO(酸化マグネシウム)、サファイア、GGG(ガドリニウムガリウムガーネット)、SiC(シリコンカーバイド)、Ge(ゲルマニウム)単結晶基板等が挙げられる。本実施形態に係る空間光変調器10においては、基板9は、屈折率が、下部電極6,6間の絶縁層8と同等以上の材料からなるものが好ましく、すなわち透明電極層51と同等以上の材料からなるものが好ましい。このような構造により、下部電極6,6間に進入した光が、基板9の上面(絶縁層8との界面)で反射せずに進入し易く、光変調していない反射光(出射光)によるコントラストの低下が抑制される。また、空間光変調器10において、基板9は、裏面(下面)に光を吸収する塗膜を被覆するように構成してもよい(図示せず)。
第1実施形態に係る空間光変調器の光変調動作を、図3、適宜図2を参照して、この空間光変調器を用いた表示装置にて説明する。本発明に係る空間光変調器10は反射型であり、また、光変調素子1の磁化自由層11は垂直磁気異方性材料からなり磁化方向が上向きまたは下向きを示すため、表示装置は以下の構成とすることが好ましい。図3に示すように、表示装置は、空間光変調器10と、その上方に配置された、空間光変調器10に向けて光(レーザー光)を照射する光源等を備える光学系OPSと、光学系OPSから照射された光が空間光変調器10に入射される前に1つの偏光成分の光にする偏光子PFiと、この入射光が空間光変調器10で反射して出射した出射光から特定の偏光成分の光を遮光する偏光子(検光子)PFoと、偏光子PFoを透過した光を検出する検出器PDと、から構成される。なお、図3は模式図であり、空間光変調器10について、破断線の左側にY方向に沿った断面図を、右側にX方向に沿った断面図をそれぞれ表し、また、偏光子PFoおよび検出器PDと空間光変調器10との位置関係は、破断線を挟んで必ずしも整合するものではない。また、図3では、光路を見易く表すために、上部電極5、絶縁層8、および基板9にはハッチングを付さず、また、光変調素子1の磁化自由層11および磁化固定層3にその磁化方向を表す黒塗り矢印を付す。
第1実施形態に係る空間光変調器の製造方法について、その一例を説明する。本実施形態に係る空間光変調器10は、光変調素子1の成形(加工)を2回に分けて行う以外は、従来のスピン注入方式の空間光変調器の製造方法と同様に製造することができる。
まず、下部電極6および下部電極6,6間の絶縁層8を形成する。基板9の表面に、SiO2等の絶縁膜を下部電極6の厚さに成膜する。この絶縁膜の上に、下部電極6が形成される領域を空けたレジストマスクを形成し、絶縁膜をエッチングして絶縁層8を成形して基板9を露出させる。この上から金属電極材料を成膜して、絶縁層8のエッチング跡に下部電極6を形成する。そして、レジストマスクをその上の金属電極材料ごと除去する。
次に、光変調素子1および光変調素子1,1間の絶縁層8を形成する。下部電極6および下部電極6,6間の絶縁層8が形成された上に、光変調素子1の各層を構成する下地膜41、磁化固定層3、中間層2、磁化自由層11、保護膜42のそれぞれを形成するための金属膜や磁性膜を連続して成膜、積層する。次に、保護膜42(金属膜)の上に、磁化固定層3が形成される領域を被覆するレジストマスクを形成し、保護膜42から下地膜41までをエッチングする。この上から絶縁膜を光変調素子1の厚さに成膜して、エッチング跡に埋め込み、レジストマスクをその上の絶縁膜ごと除去する。これらの工程により、光変調素子1のすべての層が磁化固定層3の外部領域3exを含めた平面視形状(図1(a)参照)に成形され、その周囲が絶縁膜で平坦に埋められる。次に、保護膜42(金属膜)の上に、磁化自由層11を形成される領域を被覆するレジストマスクを形成し、保護膜42、磁化自由層11、および中間層2、あるいはさらに磁化固定層3の上層部までを、周囲の絶縁膜と共にエッチングして、周囲に磁化固定層3を外部領域3exとして残存させた光変調素子1を成形する。この上から再び絶縁膜を光変調素子1の上面(保護膜42)の高さまで成膜して、エッチング跡に埋め込んで絶縁層8を形成し、レジストマスクをその上の絶縁膜ごと除去する。
次に、上部電極5および上部電極5,5間の絶縁層8を形成して、空間光変調器10が製造される。光変調素子1および光変調素子1,1間の絶縁層8が形成された上に、金属膜、透明電極材料を連続して成膜、積層する。次に、上部電極5が形成される領域を被覆するレジストマスクを形成し、透明電極材料をエッチングして透明電極層51を成形し、引き続いて金属膜をエッチングして金属膜52を成形する。この上から絶縁膜を成膜して、透明電極層51等のエッチング跡に埋め込んで絶縁層8を形成し、レジストマスクをその上の絶縁膜ごと除去する。
前記したように、空間光変調器10は、初期設定として、すべての光変調素子1の磁化固定層3が同じ磁化方向に揃えられる。磁化固定層3は電流供給で磁化方向を変化させることができないので、空間光変調器10に外部から磁界を上向きまたは下向きに印加することにより、磁化固定層3を所望の磁化方向にする。この初期設定は、完成した(製造後の)空間光変調器10に限られず、その製造工程途中において、磁化固定層3を構成する磁性膜を成膜した後以降であれば、どの段階であっても実施することができる。
前記の空間光変調器10の製造方法においては、光変調素子形成工程にて光変調素子1の各層を構成する材料を成膜した後に2回のエッチングにて成形したが、下部電極6の形成のように、先に絶縁膜(絶縁層8)を成膜、エッチングして、その後に光変調素子1の各層を構成する材料を成膜してもよい。詳しくは、下部電極6および下部電極6,6間の絶縁層8を形成した上に、SiO2等のエッチングレートの比較的速い絶縁膜を光変調素子1の厚さに成膜し、この絶縁膜の上に磁化固定層3が形成される領域を空けたレジストマスクを形成して、絶縁膜をエッチングして下部電極6を露出させる。そして、光変調素子1の各層を構成する材料を連続して成膜して、絶縁膜のエッチング跡に埋め込み、レジストマスクをその上の磁性膜等ごと除去する。その後、前記光変調素子形成工程の2段目の加工(磁化自由層11および中間層2の成形)を行う。なお、絶縁膜のエッチングは、例えば反応性イオンエッチング(RIE)のようなエッチング選択性の高い方法で行い、絶縁膜を完全に除去しつつ、その下の下部電極6までエッチングされない(オーバーエッチングされない)ような条件に設定されることが好ましい。
空間光変調器10は、下部電極6上で隣り合う光変調素子1,1のそれぞれの磁化固定層3(外部領域3ex)同士の間隔が0、すなわち下部電極6上で光変調素子1毎に分離せずに連続して形成されていてもよい。磁化固定層3が下部電極6に沿って延設されて複数の光変調素子1で共有されていても、磁化自由層11および中間層2が光変調素子1毎に分離して形成されているので、光変調素子1の磁化反転動作に影響はない。このような空間光変調器10は、下部電極6の形成(下部電極形成工程)に連続して光変調素子1の各層の材料を成膜して製造することができる。
まず、上部電極5および上部電極5,5間の絶縁層8を形成する。基板9の表面に、透明電極材料、金属膜を連続して成膜、積層する。次に、上部電極5が形成される領域を被覆するレジストマスクを形成し、金属膜および透明電極材料をエッチングして、金属膜52および透明電極層51を成形して上部電極5を形成する。この上から絶縁膜を成膜して、エッチング跡に埋め込んで絶縁層8を形成し、レジストマスクをその上の絶縁膜ごと除去する。なお、透明電極材料を成膜する前に、基板9への密着性を得るために、下地に、金属膜52のような光の入射を妨げない程度の薄い金属膜やMgO等の酸化物の膜を成膜してもよい。下地に金属膜を成膜した場合は、この金属膜を、透明電極材料(透明電極層51)と共にエッチングにて完全に除去するようにする。
次に、光変調素子1、下部電極6、ならびに光変調素子1,1間、下部電極6,6間の絶縁層8を形成する。上部電極5および上部電極5,5間の絶縁層8が平坦に形成された上に、絶縁膜を、光変調素子1の下地膜42、磁化自由層11、中間層2の合計の厚さに成膜する。この絶縁膜の上に、磁化自由層11を形成される領域を空けたレジストマスクを形成して、絶縁膜をエッチングする。絶縁膜のエッチングは、上部電極5の金属膜52をエッチングストッパ膜にして、RIEのようなエッチング選択性の高い方法で行う。そして、下地膜42、磁化自由層11、中間層2のそれぞれを形成するための金属膜や磁性膜を連続して成膜して、絶縁膜のエッチング跡に埋め込み、レジストマスクをその上の磁性膜等ごと除去する。これらの工程により、光変調素子1の磁化自由層11および中間層2が形成され、その周囲が絶縁膜で平坦に埋められる。この上に、磁化固定層3を構成する磁性膜、および金属膜(保護膜41)を連続して成膜する。このとき、中間層2と磁化固定層3との密着性を得るために、スパッタ装置にて、磁性膜(磁化固定層3)を成膜する前に、Ar,Kr等のプロセスガスのイオンやプラズマによるクリーニングを中間層2の表面に行うことが好ましい。
また、本実施形態に係る空間光変調器は、光変調素子としてTMR素子を適用することもできる。図4に示すように、TMR素子からなる光変調素子1Aは、非磁性金属膜からなる中間層2に代えて、厚さ2nm以下の極めて薄い絶縁膜(障壁層2A)を備える。障壁層2Aは、詳しくは、その材料としてMgO,Al2O3,MgAl2O4,HfO2が挙げられ、厚さが0.6〜2nm程度に形成される。そのため、光変調素子1Aに入射した光は、磁化自由層11、障壁層2Aを透過してその下の磁化固定層3に入射し、磁化固定層3またはさらにその下の下部電極6で反射して出射する。したがって、光変調素子1Aからの出射光は、磁化自由層11だけでなく、磁化固定層3によっても変調され、その旋光角θP,θAPは、θP=+θfree+θpin、θAP=−θfree+θpinで表される。
光変調素子(スピン注入磁化反転素子)毎にトランジスタを接続した、選択トランジスタ型のMRAMと同じ回路構造の空間光変調器についても、コントラストを向上させることができる。このような空間光変調器は、MRAMと同様、表層にMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を形成した基板の上に、トランジスタに接続する配線(ソース線、ワード線)を金属電極材料で形成し、さらにその上に、光変調素子およびその上下電極が設けられる。上部電極は、MRAMにおけるビット線に相当し、電流源から直接に光変調素子へ電流を供給するために配線状に形成されるが、下部電極は、光変調素子をトランジスタのドレインに接続するために、光変調素子毎に離間して設けられる。したがって、第1実施形態に係る空間光変調器とは異なり、下部電極が光変調素子同士の間に設けられていないので、光変調素子に入射せずに下部電極で反射する光は存在しないことになる。一方、下部電極の下方では、絶縁層を挟んで金属電極材料で多層配線(ソース線、ワード線)が設けられ、さらに基板は表層に結晶Si等でMOSFETが形成されているため、光が反射し易い。これらの反射光が出射することを抑制するためには、多層配線の層間絶縁膜や光変調素子同士の間の絶縁層を、下から高屈折率材料と低屈折率材料とを積層した2層構造にすること(特許文献7参照)が考えられるが、絶縁層の材料によらず、第1実施形態に係る空間光変調器と同様に、光変調素子の磁化固定層で光変調した光を出射させてもよい。以下、本発明の第1実施形態の変形例に係る空間光変調器について、図5を参照して説明する。第1実施形態および前記変形例(図1〜4参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
光変調素子1は、図2に示す光変調素子1と同様の構造である。ただし、本変形例に係る空間光変調器10Aに搭載された光変調素子1は、図5(a)に示すように、平面視において、磁化固定層3が磁化自由層11および中間層2の外側の四方すべてに拡張され、X方向またはY方向に隣り合う磁化固定層3,3間(外部領域3ex,3ex間)の距離が入射光L0の回折限界未満になるように形成されている。このような構成により、光変調素子1(磁化自由層11)に入射しない光がすべて磁化固定層3(外部領域3ex)へ入射する。また、磁化固定層3は、下部電極6Aの最上層の部位である接続層6f(図5(b)参照)と同一平面視形状に形成され、接続層6fに合わせて左側に偏って長く形成されている。なお、空間光変調器10Aは、図4に示す光変調素子1Aを搭載することもできる。
上部電極5は、第1実施形態に係る空間光変調器10の上部電極5と同様の光を透過する配線で、選択トランジスタ型のMRAMにおけるビット線に相当する。下部電極6Aは、第1実施形態の下部電極6と同様に光変調素子1の下面に接続して上部電極5と対の電極として電流を供給する。下部電極6A、ならびにソース線71およびゲート線72(適宜まとめて、配線71,72)は、下部電極6と同様に一般的な金属電極材料で形成される。
絶縁層8は、空間光変調器10Aの間隙を埋めるように、隣り合う光変調素子1,1間、上部電極5,5間、ならびに下部電極6Aや配線71,72の互いの間を絶縁するために設けられる。絶縁層8は、第1実施形態と同様、公知の無機絶縁材料を適用することができる。さらに、空間光変調器10Aにおいては、光変調素子1を形成する前(各層を構成する磁性膜等を成膜される前)に設けられる、配線71,72間等の絶縁層8は、半導体装置の層間絶縁膜に適用されるBPSG(Boron Phosphorus Silicon Glass)やPSG(Phosphorus Silicon Glass)を適用されてもよい。これらの絶縁膜は、熱処理(BPSGで約800℃)により平坦化(リフロー)されるので、配線71,72および下部電極6Aの形成における生産性が向上する。
基板9Aは、光変調素子1等を形成するための土台であり、さらに空間光変調器10Aにトランジスタを備えるための基板である。このような基板9Aは、p型Si基板や結晶Si膜を成膜したガラス基板等に、公知の方法でMOSFETを形成したものである。
第1実施形態の変形例に係る空間光変調器の光変調動作を説明する。本変形例に係る空間光変調器10Aを用いた表示装置(図示省略)は、図3に示す第1実施形態と同様の構成であり、光学系OPSおよび偏光子PFiにより、1つの偏光成分の入射光L0が空間光変調器10Aに上方から入射する。上部電極5を透過して光変調素子1に入射した入射光L0は、光変調素子1で反射して、磁化自由層11の磁化方向によって、入射光L0に対して角度θP(=+θfree)またはθAP(=−θfree)で旋光した光(出射光LP,LAP)となって出射する。一方、光変調素子1,1間の絶縁層8に入射した光は、上部電極5を透過したものも、上部電極5,5間の絶縁層8を透過したものも、下部電極6A上の磁化固定層3(外部領域3ex)に到達し、この磁化固定層3またはその下の下部電極6Aで反射して出射するため、入射光L0に対して角度+θpinで旋光した光(出射光Lne)となって出射する。なお、下部電極6A,6A間は、この距離が入射光L0の回折限界未満になるように形成されていることで、光が下部電極6A,6A間の絶縁層8に進入しない。
第1実施形態の変形例に係る空間光変調器の製造方法について、その一例を説明する。本変形例に係る空間光変調器10Aは、第1実施形態に係る空間光変調器の製造方法の別の例として説明した、光変調素子の1段目の成形を下部電極(接続層)の成形と共に行って製造することができる。はじめに、トランジスタとしてMOSFETを備える基板9Aを製造する工程と、トランジスタに接続する配線71,72および下部電極6A(接続層6fを除く)を形成する工程について説明する。
MOSFETを備える基板9Aは、半導体装置の形成と同様に得られ、Si基板の表層にMOSFETでトランジスタを形成して、基板9Aを製造する。一例としては、p型シリコン(Si)基板に、隣り合うトランジスタ間(ソース9sまたはドレイン9dとなるn+拡散層が形成される領域同士の間)を絶縁するSiO2の埋込みを行い、表面に薄い酸化膜(SiO2膜)を形成し、その上にpoly−Si膜を成膜してゲート9gを形成する。n型不純物イオンを注入して、ソース9sおよびドレイン9dとする。
次に、下部電極6Aの接続層6fおよび光変調素子1の各層、ならびにこれらの間の絶縁層8を形成する。下部電極6Aのコンタクト部および絶縁層8の上に、厚さ1〜5nm程度のMgO等のエッチングレートの遅い絶縁膜(エッチングストッパ膜)と、前記エッチングストッパ膜よりもエッチングレートの速いSiO2等の絶縁膜を、これら2層で接続層6fと光変調素子1との合計の厚さに成膜する。この絶縁膜の上に、接続層6fおよび磁化固定層3が形成される領域を空けたレジストマスクを形成し、RIEのようなエッチング選択性の高い方法でSiO2膜を完全に除去した後、イオンビームミリング法等でMgO膜をエッチングして、下部電極6Aのコンタクト部を露出させる。この上から金属電極材料を成膜して、コンタクト部に接続する接続層6fを絶縁膜のエッチング跡に形成する。引き続いて、光変調素子1の各層を構成する下地膜41、磁化固定層3、中間層2、磁化自由層11、保護膜42(図2参照)のそれぞれを形成するための金属膜や磁性膜を連続して成膜、積層する。そして、レジストマスクをその上の金属電極材料等ごと除去する。これらの工程により、下部電極6Aが形成され、下部電極6Aの接続層6f上に、光変調素子1のすべての層が接続層6fと同一平面視形状に形成され、その周囲が絶縁膜で平坦に埋められる。
第1実施形態と同様に、上部電極5および上部電極5,5間の絶縁層8を形成して、空間光変調器10Aが製造される。
第1実施形態およびその変形例においては、下部電極の上に拡張して形成された磁化固定層が、その旋光角を、光変調素子の2値の旋光角の一方に合わせるように設計されたが、2値の旋光角と異なる旋光角であっても、多重反射による増幅の程度を調整することによって、空間光変調器からの出射光において偏光の向きを合わせることができる。以下、本発明の第2実施形態に係る空間光変調器について、図6、図7を参照して説明する。第1実施形態およびその変形例(図1〜5参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
光変調素子1BはTMR素子であり、図6に示すように、下から、磁化固定層3、障壁層2A、磁化自由層11が積層され、各層はそれぞれ第1実施形態およびその変形例に係る空間光変調器10に搭載された光変調素子1,1A(図2、図5参照)と同様の構成である。ただし、光変調素子1Bは、磁化固定層3が、外部領域3exも含めて一様な厚さであり、また、平面視において、障壁層2Aと磁化固定層3とが同一形状で、磁化自由層11の外側へ拡張して形成されている。また、磁化固定層3および障壁層2Aは、Y方向(下部電極6の幅方向)にも、下部電極6の上において磁化自由層11の外側へ拡張して形成されることが好ましい。
上部電極5および下部電極6は、それぞれ第1実施形態に係る空間光変調器10における上下電極5,6と同様の構成とすることができる。さらに本実施形態においては、高屈折率の透明電極層51を備える上部電極5について、上面でまたはその上に設けた低屈折率の絶縁材料からなる保護膜(図示省略)との界面で光変調素子1Bに多重反射させて、光変調素子1Bの旋光角が累積、増幅される構成にすることが好ましい(特許文献4,5,6参照)。
絶縁層8Aは、第1実施形態に係る空間光変調器10の絶縁層8と同様、公知の無機絶縁材料を適用することができる。さらに本実施形態においては、図7に示すように、絶縁層8Aは、上部電極5,5間からその下の光変調素子1B,1B間まで、詳しくは磁化自由層11,11間までにおいて、下から高屈折率層81、低屈折率層82の屈折率の異なる絶縁材料を積層した2層構造とすることが好ましい。例えば図7においては、下部電極6,6間および光変調素子1B,1B間に高屈折率層81を備え、上部電極5,5間に下から高屈折率層81、低屈折率層82を積層して備える。あるいは、上部電極5,5間および光変調素子1B,1B間の全体を高屈折率層81とし、空間光変調器10Bの上面に低屈折率の絶縁材料からなる保護膜を設けてもよい(図示せず)。このような構造により、後記するように、光変調素子1B,1B間から下部電極6上の磁化固定層3(外部領域3ex)に入射して反射した光が多重反射して出射する。
第2実施形態に係る空間光変調器の光変調動作を、図7を参照して、この空間光変調器を用いた表示装置にて説明する。図7は模式図であり、空間光変調器10Bについて、図3と同様に、破断線の左側にY方向に沿った断面図を、右側にX方向に沿った断面図をそれぞれ表し、また、偏光子PFoおよび検出器PDと空間光変調器10Bとの位置関係は、破断線を挟んで必ずしも整合するものではない。また、図7では、光路を見易く表すために、上部電極5、絶縁層8A(81,82)、および基板9にはハッチングを付さず、また、光変調素子1Bの磁化自由層11および磁化固定層3にその磁化方向を表す黒塗り矢印を付す。
第2実施形態に係る空間光変調器10Bは、第1実施形態に係る空間光変調器の製造方法と同様に製造することができる。ただし、光変調素子形成工程において、2段目の加工で保護膜42および磁化自由層11をエッチングして完全に除去するが、障壁層2Aはより多く残存させることが好ましい。磁化固定層3の外部領域3ex上における障壁層2Aの厚さが薄過ぎる(エッチング量が多い)と、磁化自由層11の側面に接する絶縁層8Aの材料によっては、磁化自由層11の端部から磁化固定層3にリーク電流が流れる虞がある。また、特に磁化固定層3が耐熱性に劣るRE−TM合金で形成されている場合は、障壁層2Aのエッチング量が多いほど、磁化固定層3(外部領域3ex)への加工ダメージが大きくなるので好ましくない。
第2実施形態に係る空間光変調器10Bは、第1実施形態に係る空間光変調器10と同様に、基板9に表面を熱酸化したSi基板や低屈折率の透明基板を適用されてもよく、この場合は下部電極6,6間の絶縁層8A等を2層構造にして、光を多重反射させて減衰させる。また、空間光変調器10Bは、第1実施形態の変形例に係る空間光変調器10A(図5参照)と同様に、光変調素子1B毎にトランジスタを接続した選択トランジスタ型のMRAMと同じ回路構造の空間光変調器とすることができる。
1,1A,1B 光変調素子
11 磁化自由層
2 中間層
2A 障壁層
3 磁化固定層
5 上部電極(電極)
6,6A 下部電極(電極)
8,8A 絶縁層
Claims (3)
- 磁化固定層、中間層、磁化自由層の順に積層してなるスピン注入磁化反転素子を光変調素子として2次元配列して備え、さらに、一対の電極として前記光変調素子の上に接続した上部電極および下に接続した下部電極、ならびに、隣り合う前記光変調素子同士の間および前記電極間を埋める絶縁層を備えて、上方から前記光変調素子に入射した光の偏光方向を2値の角度に変化させた光を反射させて出射する空間光変調器であって、
前記下部電極の上に、前記光変調素子の磁化固定層が、平面視で当該光変調素子の外側に拡張して形成され、
前記光変調素子の外側に拡張して形成された磁化固定層に入射した光の偏光方向を、前記2値の角度の一方と20%以内の差の角度に変化させた光を反射させて出射することを特徴とする空間光変調器。 - 前記光変調素子の外側に拡張して形成された磁化固定層の上に設けられた前記絶縁層が、下から高屈折率材料と低屈折率材料との2層以上を積層されてなることを特徴とする請求項1に記載の空間光変調器。
- 隣り合う前記光変調素子のそれぞれの外側に拡張して形成された磁化固定層同士の間隔が、前記入射した光の回折限界よりも短いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の空間光変調器。
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