JP2017053631A - ガスセンサ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガス濃度検出の精度低下を生じさせることなく適正にインピーダンス検出を実施する。
【解決手段】センサ制御回路20は、固体電解質層12を有し排気中の酸素濃度に応じた検出信号を出力するO2センサ10を制御対象とし、O2センサ10に対して印加電圧を所定方向に掃引変化させるとともに、それに引き続いて印加電圧を逆方向に引き戻し変化させ、印加電圧の掃引変化時における電流変化量に基づいてO2センサ10のインピーダンスを算出する。また、センサ制御回路20は、O2センサ10の直流内部抵抗の値である内部抵抗値を算出する抵抗値算出部と、印加電圧の掃引を行う掃引時間と引き戻しを行う引き戻し時間との少なくともいずれかを、内部抵抗値に基づいて設定する時間設定部と、を備える。
【選択図】 図1
【解決手段】センサ制御回路20は、固体電解質層12を有し排気中の酸素濃度に応じた検出信号を出力するO2センサ10を制御対象とし、O2センサ10に対して印加電圧を所定方向に掃引変化させるとともに、それに引き続いて印加電圧を逆方向に引き戻し変化させ、印加電圧の掃引変化時における電流変化量に基づいてO2センサ10のインピーダンスを算出する。また、センサ制御回路20は、O2センサ10の直流内部抵抗の値である内部抵抗値を算出する抵抗値算出部と、印加電圧の掃引を行う掃引時間と引き戻しを行う引き戻し時間との少なくともいずれかを、内部抵抗値に基づいて設定する時間設定部と、を備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ガスセンサ制御装置に関するものである。
例えば車載エンジンの排気管には、排気の成分を検出するガスセンサが設けられている。ガスセンサは一般に、固体電解質層とその両側に設けられた一対の電極とを有するセンサ素子を具備しており、そのセンサ素子が所定の高温状態(すなわち活性状態)にある状態下で、排気中の酸素濃度等に応じた電気信号を出力する。また、センサ素子の温度を把握するためにセンサ素子のインピーダンスが検出され、その素子インピーダンスが所定の目標値になるようにして、ヒータの加熱による素子温フィードバック制御が実施される。
なお、センサ素子に対する印加電圧を交流変化させて素子インピーダンスを検出する技術は各種知られている(例えば特許文献1参照)。素子インピーダンスは、エンジンの運転状態下において所定周期で濃度検出を一時的に中断して実施される。
ところで、素子インピーダンスの検出に際し、センサ印加電圧の掃引及び引き戻しを行う場合には、センサ素子において電荷の蓄積及び放出が生じるが、その掃引及び引き戻しの終了後にセンサ素子に電荷が残留したままになることがあると考えられる。この場合、センサ素子に電荷が残留することで、インピーダンス検出直後において濃度検出の精度が低下することが懸念される。例えばセンサ素子の経年劣化が生じると直流内部抵抗が変化し、それが原因で、予め定めた時間で掃引及び引き戻しを行う場合においてインピーダンス検出後にセンサ素子に電荷が残留する。そしてこれにより、濃度検出の精度が低下する。
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、ガス濃度検出の精度低下を生じさせることなく適正にインピーダンス検出を実施することができるガスセンサ制御装置を提供することにある。
本発明のガスセンサ制御装置は、固体電解質層(12)を有し被検出ガス中の所定成分の濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサ(10)を制御対象とし、前記ガスセンサに対して印加電圧を所定方向に掃引変化させるとともに、それに引き続いて前記印加電圧を逆方向に引き戻し変化させ、前記印加電圧の掃引変化時における電流変化量に基づいて前記ガスセンサのインピーダンスを算出するものである。そして、前記ガスセンサの直流内部抵抗の値である内部抵抗値を算出する抵抗値算出部と、前記印加電圧の掃引を行う掃引時間と引き戻しを行う引き戻し時間との少なくともいずれかを、前記内部抵抗値に基づいて設定する時間設定部と、を備えることを特徴とする。
センサ素子において経年劣化に伴い内部抵抗値が変化すると、それに起因して、センサ印加電圧の掃引及び引き戻しを行った後にセンサ素子に電荷が残留する。この点、上記構成によれば、センサ素子の内部抵抗値に応じて、掃引時の掃引時間と引き戻し時の引き戻し時間との少なくともいずれかが可変に設定されるため、掃引及び引き戻しの実施後(すなわちインピーダンス検出後)においてセンサ素子での電荷の残留を抑制できる。その結果、ガス濃度検出の精度低下を生じさせることなく適正にインピーダンス検出を実施することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態におけるガスセンサは、車載エンジン(内燃機関)の排気管に設けられ、エンジンから排出される排気を被検出ガスとして排気中の酸素濃度を検出するものであり、より具体的には、排気の空燃比がリッチかリーンかに応じて異なる起電力信号を出力する起電力出力型のO2センサである。
O2センサ10とセンサ制御回路20との構成を図1を用いて説明する。O2センサ10はコップ型構造のセンサ素子11を有しており、図1にはセンサ素子11の断面構成が示されている。実際にはセンサ素子11は素子全体がハウジングや素子カバー内に収容される構成となっており、エンジン排気管内に配設されている。
センサ素子11において、固体電解質層12は断面コップ状に形成されており、その外表面には排気側電極13が設けられ、内表面には大気側電極14が設けられている。これら各電極13,14は固体電解質層12の表面に層状に設けられている。固体電解質層12は、ZrO2、HfO2、ThO2、Bi2O3等にCaO、MgO、Y2O3、Yb2O3等を安定剤として固溶させた酸素イオン伝導性酸化物焼結体からなる。また、各電極13,14は共に白金等の触媒活性の高い貴金属からなり、その表面には多孔質の化学メッキ等が施されている。各電極13,14が一対の対向電極(センサ電極)となっている。固体電解質層12にて囲まれる内部空間は、基準ガスである大気が導入される大気室15(基準室)となっており、その大気室15内にはヒータ16が収容されている。ヒータ16は、センサ素子11を活性化するに十分な発熱容量を有しており、その発熱エネルギによりセンサ素子全体が加熱される。O2センサ10の活性温度は、例えば500〜650℃程度である。なお、大気室15は、基準ガスとしての大気が導入されることでその内部が所定酸素濃度に保持されている。
上記センサ素子11では、固体電解質層12の外側(電極13側)が排気雰囲気、同内側(電極14側)が大気雰囲気となっており、これら双方の酸素濃度の差(酸素分圧の差)に応じて電極13,14間で起電力が発生する。つまり、空燃比がリッチかリーンかで異なる起電力が発生する。この場合、基準側電極である大気側電極14からすれば、排気側電極13の側は酸素が低濃度であり、センサ素子11において大気側電極14を正側、排気側電極13を負側として起電力が発生する。これにより、O2センサ10は、排気の酸素濃度(すなわち空燃比)に応じた起電力信号を出力する。
図2は、排気の空燃比とセンサ素子11の起電力との関係を示す起電力特性図である。図2において、横軸は空気過剰率λであり、λ=1がストイキ(理論空燃比)である。センサ素子11は、空燃比がリッチかリーンかで異なる起電力を発生し、ストイキ付近で起電力が急変する特性を有する。具体的には、リッチ時のセンサ起電力は約0.9Vであり、リーン時のセンサ起電力は約0Vである。
図1に戻り、センサ素子11の電極13,14間にはシャント抵抗26が接続されており、そのシャント抵抗26の反接地側の端子(図のA点)の電圧がセンサ制御回路20に入力される。センサ制御回路20は、センサ素子11で生じる起電力を検出する起電力検出部21と、センサ素子11のインピーダンス検出時にセンサ印加電圧を交流的に掃引変化させる電流掃引部22と、センサ印加電圧の掃引変化時に素子インピーダンスを検出するインピーダンス検出部23と、これら各部21〜23の働きを含むセンサ素子11の各種制御を実施するセンサ制御部24と、ヒータ16の通電を制御するヒータ制御部25と、を有している。なお、センサ制御部24は、例えばCPUや各種メモリを有する周知のマイクロコンピュータにより構成されている。
図示は省略するが、センサ制御回路20にはエンジンECUが相互に通信可能に接続されており、エンジンECUは、センサ制御回路20から空燃比の検出結果を取得し、これに基づいて空燃比制御等を実施する。
エンジンの運転時において、起電力検出部21は、A点電圧により排気中の酸素濃度に応じて生じるセンサ起電力を検出する。電流掃引部22は、所定のインピーダンス検出周期でセンサ印加電圧を掃引変化させる。インピーダンス検出部23は、A点電圧によりセンサ印加電圧の掃引変化に伴う電流変化量を検出する。この電流変化量により素子インピーダンスが検出される。
図3に、センサ制御回路20の電流掃引部22の具体的な回路構成を示す。なお、図3には、センサ素子11の等価回路として、電極界面抵抗及び電極界面容量の並列回路部と、固体電解質層12の粒子抵抗と、起電力電池部とを有する構成が示されている。
電流掃引部22は、基準電圧Vccとグランドとの間において直列接続された一対の抵抗体31,32と、その一対の抵抗体31,32のVcc側及びグランド側にそれぞれ接続された一対のスイッチング素子33,34と、一対の抵抗体31,32の中間点とセンサ素子11の一方の電極(具体的には大気側電極14)との間に設けられた抵抗体35とを有している。一対のスイッチング素子33,34のうち掃引用のスイッチング素子33は掃引信号SAによりオンオフし、引き戻し用のスイッチング素子34は引き戻し信号SBによりオンオフする。図3の構成では、抵抗体31,35及びスイッチング素子33が「掃引回路部」に相当し、抵抗体32,35及びスイッチング素子34が「引き戻し回路部」に相当する。
掃引時には、スイッチング素子33がオンされることで、スイッチング素子33と抵抗体31,35とを通る経路A1を介してセンサ素子11に掃引電流が流れる。また、引き戻し時には、スイッチング素子34がオンされることで、スイッチング素子34と抵抗体32,35とを通る経路A2を介してセンサ素子11から引き戻し電流が流れる。
図4は、インピーダンス検出時におけるセンサ印加電圧の掃引及び引き戻しを説明するためのタイムチャートである。インピーダンス検出は、システム起動状態において所定の時間周期Tzac(例えば100msec周期)で、O2センサ10による空燃比検出を一時的に中断して実施される。
図4では、タイミングt1でスイッチング素子33がオンされてセンサ印加電圧が正負片側に掃引される。その後、タイミングt2でスイッチング素子34がオンされてセンサ印加電圧が正負逆側に切り替えられ、電圧の引き戻しが行われる。掃引は掃引時間Taで実施され、引き戻しは引き戻し時間Tbで実施される。掃引時には、図5(a)に示すようにセンサ素子11に電荷が蓄えられ、引き戻し時には、図5(b)に示すようにセンサ素子11から電荷が放出される。素子インピーダンスは、掃引時における電流変化量に基づいて算出される。
電荷放電のための引き戻しが終了したタイミングt3では、センサ素子11に電荷が残留していることがある。その残電荷は、図5(c)に示すように、センサ素子11において電極界面容量から電極界面抵抗への電荷の移動により徐々に放出される(図4のt3〜t4の自然放電)。ここで、掃引及び引き戻しの終了後にセンサ素子11に電荷が残留していると、その残電荷に起因して、空燃比検出のためのセンサ出力に悪影響が及ぶおそれがある。そのため、インピーダンス検出後において空燃比検出の精度に悪影響が及ぶことが懸念される。あるいは、空燃比検出が不可となる期間が長引くことが懸念される。
掃引及び引き戻しが終了した時点においてセンサ素子11に電荷が残留する理由としては、センサ素子11の経年劣化に伴い直流内部抵抗の値である内部抵抗値Riが変わることと、電流掃引部22において回路公差が生じていることとが考えられる。このうち、センサ素子11の経年劣化が生じる場合には、その経年劣化に伴いセンサ素子11の内部抵抗値Riが増大し、それが原因で電荷放出が遅くなることが考えられる。これにより、空燃比検出精度への悪影響等が生じる。
また、電流掃引部22において抵抗ばらつき等に起因して回路公差が生じている場合には、掃引時に図3の経路A1を流れる掃引電流、及び引き戻し時に図3の経路A2を流れる引き戻し電流の少なくともいずれかが規定値から外れ、結果として掃引時にセンサ素子11に蓄積される電荷量と引き戻し時にセンサ素子11から放出される電荷量とが相違する。この場合、やはり掃引及び引き戻しの終了後に電圧ずれが生じ、空燃比検出精度への悪影響等が生じる。
そこで本実施形態では、センサ制御部24において引き戻し時間Tbの補正を行い、内部抵抗値Ri及び回路公差に起因して生じる掃引及び引き戻し時の残電荷の影響を解消するようにしている。以下詳述する。
センサ制御部24は、センサ素子11に所定量の電荷を蓄積した状態でその電荷を自然放電させ、その自然放電の所要時間に基づいて内部抵抗値Riを算出する。具体的には、図6に示すように、所定の充電時間Tchでスイッチング素子33をオンにしてセンサ素子11に対する充電を行い、その後、スイッチング素子33,34を共にオフにした状態で自然放電に伴う電圧変化(図1のA点電圧の変化)を監視する。そして、放電開始から電圧が所定の閾値THに到達するまでの放電時間Tdisを求め、その放電時間Tdisに基づいて内部抵抗値Riを推定する。図6に示すとおり、内部抵抗値Riが小さければTdisが短くなり、内部抵抗値Riが大きければTdisが長くなる。
また、センサ制御部24は、センサ素子11の掃引及び引き戻しを行い、その前後におけるA点電圧の差(電圧差ΔV)を電流掃引部22の回路公差として算出する。具体的には、図7に示すように、掃引及び引き戻しを実施する際に、掃引前の電圧V1を計測するとともに、掃引時間Taでの掃引と引き戻し時間Tbでの引き戻しとを実施する。その後、引き戻し後の電圧V2を計測し、その両者の差から電圧差ΔVを算出する(ΔV=V2−V1)。この場合、ガス濃度が一定の状態下、すなわちセンサ素子11における起電力が一定である条件下で、掃引及び引き戻しを実施して電圧V1,V2を計測する。
そして、内部抵抗値Riと電圧差ΔVとに基づいて、引き戻し時間Tbを延長又は短縮するための補正時間KTを算出する。引き戻し時間Tbは補正時間KTが加算されることで延長又は短縮される。この場合、電圧差ΔVが正、すなわちV2>V1であれば、引き戻し時間Tbを延長すべく補正時間KTが正の値として算出される。また、電圧差ΔVが負、すなわちV2<V1であれば、引き戻し時間Tbを短縮すべく補正時間KTが負の値として算出される。
図8は、内部抵抗値Riと電圧差ΔVと補正時間KTとの関係を示す図であり、同図に示す関係が相関データに相当する。電圧差ΔVが0であれば、内部抵抗値Riにかかわらず補正時間KTとして0が算出される。電圧差ΔVが正であれば、内部抵抗値Riが大きいほど、又は電圧差ΔVが正側に大きいほど、補正時間KTが正側に大きい値に算出される。また、電圧差ΔVが負であれば、内部抵抗値Riが大きいほど、又は電圧差ΔVが負側に大きいほど、補正時間KTが負側に大きい値に算出される。
次に、素子インピーダンスZacの検出に関して実施されるセンサ制御部24の演算処理について詳しく説明する。図9は、電流掃引部22の回路公差としての電圧差ΔVを算出する手順を示すフローチャートであり、図10は、センサ素子11の内部抵抗値Riを算出する手順を示すフローチャートであり、図11は、素子インピーダンスZacを算出する手順を示すフローチャートである。これら各処理はセンサ制御部24により所定周期で実施される。
図9において、ステップS11では、電流掃引部22の回路公差を算出することの要否を判定する。ここで、電流掃引部22の回路公差を実施する条件には、
・センサ素子11の新品状態、すなわちセンサ素子11の経年劣化が生じていない状態であること、
・センサ活性状態であり、かつセンサ起電力の変動が生じない状況下であること(例えばエンジン停止直後であり、酸素濃度が一定であること)、
が含まれるとよい。なお、センサ素子11が新品状態であることは、例えば車両走行距離が所定値以下であることから判定するとよい。回路公差である電圧差ΔVが一旦算出された後は、ステップS11が否定される。
・センサ素子11の新品状態、すなわちセンサ素子11の経年劣化が生じていない状態であること、
・センサ活性状態であり、かつセンサ起電力の変動が生じない状況下であること(例えばエンジン停止直後であり、酸素濃度が一定であること)、
が含まれるとよい。なお、センサ素子11が新品状態であることは、例えば車両走行距離が所定値以下であることから判定するとよい。回路公差である電圧差ΔVが一旦算出された後は、ステップS11が否定される。
ステップS11がYESの場合、ステップS12では、掃引前の電圧V1を計測し、続くステップS13では、センサ素子11に対する掃引及び引き戻しを実施する(図7参照)。
そしてその後、掃引及び引き戻しが完了すると、すなわちステップS14がYESになると、ステップS15において引き戻し後の電圧V2を計測する。その後、ステップS16では、電圧V2から電圧V1を減算して電圧差ΔVを算出し、その電圧差ΔVをバックアップ用のメモリに保存する。
また、図10において、ステップS21では、内部抵抗値Riを算出するための実施条件が成立しているか否かを判定する。例えば、O2センサ10の暖機完了後において、エンジン停止時や燃料カット時など、空燃比検出やインピーダンス検出を要しない期間である場合に、実施条件が成立していると判定される。
ステップS21がYESの場合、ステップS22では、所定の充電時間Tchでセンサ素子11に対する充電を行うとともに、その後、ステップS23では、充電停止状態で自然放電に伴う電圧変化を監視する。そして、ステップS24では、放電開始から電圧が所定の閾値THに到達するまでの放電時間Tdisを求める。ステップS25では、放電時間Tdisに基づいて内部抵抗値Riを算出し、その内部抵抗値Riをバックアップ用のメモリに保存する。
また、図11において、ステップS31では、今現在、インピーダンス検出の実施タイミングであるか否かを判定し、YESであれば、続くステップS32で、内部抵抗値Riと電圧差ΔVとをメモリから読み出す。続くステップS33では、図8の関係を用い、内部抵抗値Riと電圧差ΔVとに基づいて、引き戻し時間Tbの補正時間KTを算出する。
その後、ステップS34では、補正時間KTを反映しつつ掃引時間Taと引き戻し時間Tbとを決定する。本実施形態では、引き戻し時間Tbを補正時間KTにより補正する構成としており、予め定められた引き戻し時間Tbの基準値に補正時間KTを加算して、引き戻し時間Tbを決定する。掃引時間Taは予め定められた基準値をそのまま使用する。
その後、ステップS35では、掃引時間Taと引き戻し時間Tbとに基づいて、今回のインピーダンス検出のために空燃比検出を一時中断する中断時間Txを設定する。具体的には、図12に示すように、掃引時間Taと引き戻し時間Tbと余裕時間Tcとを加算して中断時間Txを設定する。要するに、O2センサ10による空燃比検出は中断時間Txを除く期間で実施される。なお、余裕時間Tcは、内部抵抗値Riに応じて設定されてもよく、例えば劣化によるRi変化量が大きいほど、余裕時間Tcを大きくする。
続くステップS36では、掃引時間Taと引き戻し時間Tbとによる掃引及び引き戻しを実施する。このとき、センサ印加電圧を掃引変化させた時の電圧変化量と電流変化量とを計測する。その後、ステップS37では、掃引変化時における電圧変化量と電流変化量とに基づいて素子インピーダンスZacを算出する。
以上説明した実施形態によれば以下の効果を奏する。
センサ素子11において経年劣化に伴い内部抵抗値Riが変化すると、それに起因して、センサ印加電圧の掃引及び引き戻しを行った後にセンサ素子11に電荷が残留する。この点、上記構成によれば、センサ素子11の内部抵抗値Riに応じて引き戻し時間Tbが可変に設定されるため、掃引及び引き戻しの実施後(すなわちインピーダンス検出後)においてセンサ素子11での電荷の残留を抑制できる。その結果、空燃比検出の精度低下を生じさせることなく適正にインピーダンス検出を実施することができる。
センサ印加電圧の掃引及び引き戻し後においてセンサ素子11に電荷が残留する理由としては、電流掃引部22の回路公差の存在が考えられる。この点、電流掃引部22の回路公差として電圧差ΔV(=V2−V1)を算出し、その電圧差ΔVと内部抵抗値Riとに基づいて引き戻し時間Tbを補正する構成にしたため、回路公差の影響も加味してインピーダンス検出を適正に実施できる。つまり、センサ素子11のばらつきのみならず、センサ制御回路20の回路公差ばらつきも吸収して、インピーダンス検出を実施できることとなる。
電流掃引部22の回路公差を算出するには、掃引電流と引き戻し電流とを高速で逐次監視して電荷の収支を求め、その電荷の収支から回路公差を算出する手法が考えられる。ただしかかる構成では、高速処理が要求されるために高価な処理回路(高速なCPUやAD変換器)が必要になる。この点、上記構成では回路公差を簡易に算出することができる。
引き戻し時間Tbの補正時間KTについて内部抵抗値Riと電圧差ΔVとの相関を定めた相関データを用いて補正時間KTを求め、その補正時間KTを用いて、引き戻し時間Tbを設定する構成とした。この場合、電流掃引部22の回路公差である電圧差ΔVの正負符号や大きさ、内部抵抗値Riに応じて、適正に引き戻し時間Tbを設定できる。
エンジン停止時や燃料カット時といった、センサ出力を要しない期間において、電圧印加によりセンサ素子11に電荷をチャージし、そのチャージ後において電荷が自然放出される際の放電時間Tdis(所要時間)に基づいて内部抵抗値Riを算出する構成とした。この場合、内部抵抗値Riに依存して放電時間Tdisが変わることから、内部抵抗値Riを好適に求めることができる。
エンジン運転時においては、空燃比制御等を実施する上で空燃比検出(酸素濃度検出)の中断時間Txは極力短い方がよい。ただし、中断時間Txが短すぎると、インピーダンス検出時の掃引及び引き戻し後における残電荷の影響が懸念される。この点、補正時間KTにより算出した引き戻し時間Tbに基づいて中断時間Txを設定する構成にしたため、残電荷の影響を受けないようにしつつ適正に中断時間Txを設定できる。これにより、内部抵抗値Riが増加しても、又は電流掃引部22の回路公差が存在していても適正に空燃比検出を実施できる。
(他の実施形態)
上記実施形態を例えば次のように変更してもよい。
上記実施形態を例えば次のように変更してもよい。
・上記実施形態では、インピーダンス検出時において掃引時間Taと引き戻し時間Tbとのうち引き戻し時間Tbを内部抵抗値Riと電圧差ΔV(回路公差)とに基づいて可変に設定する構成としたが、これを変更し、掃引時間Taを内部抵抗値Riと電圧差ΔV(回路公差)とに基づいて可変に設定する構成としてもよい。図13は、掃引時間Taを補する掃引補正時間KTAについて、内部抵抗値Riと電圧差ΔVとの関係を示す図である。電圧差ΔVが0(V1=V2)であれば、内部抵抗値Riにかかわらず掃引補正時間KTAとして0が算出される。電圧差ΔVが正(V1<V2)であれば、内部抵抗値Riが大きいほど、又は電圧差ΔVが正側に大きいほど、掃引補正時間KTAが負側に大きい値に算出される。また、電圧差ΔVが負(V1>V2)であれば、内部抵抗値Riが大きいほど、又は電圧差ΔVが負側に大きいほど、補正時間KTAが正側に大きい値に算出される。
掃引時間Taと引き戻し時間Tbとの両方を、内部抵抗値Riと電圧差ΔV(回路公差)とに基づいて可変に設定することも可能である。例えば、ΔV>0の場合(V1<V2の場合)に、掃引時間Taを短縮し、かつ引き戻し時間Tbを延長するようにしてTa,Tbを設定する。
・引き戻し時間Tbを設定する手段として以下の構成を用いてもよい。つまり、電圧差ΔVが正の値か負の値かに基づいて引き戻し時間Tbを延長側及び短縮側のいずれかに所定量ずつ変更する構成とし、その引き戻し時間Tbの変更に際して、引き戻し時間Tbを上下限ガードするためのガード値を、内部抵抗値Riに基づいて設定する。図14は、内部抵抗値Riと補正時間KTとの関係における上下限ガードを示す図であり、内部抵抗値Riが大きいほど、上限ガード値が正側に大きい値として設定される一方、下限ガード値が負側に大きい値として設定される。
図15は、引き戻し時間Tbの設定処理の手順を示すフローチャートであり、本処理は、エンジン停止後においてセンサ制御部24により実施される。
図15において、ステップS41では、電流掃引部22の電圧差ΔVを算出する。その具体的な処理内容は既述の図9に準ずる。続くステップS42では、図14の関係を用い、センサ素子11の内部抵抗値Riに基づいて、補正時間KTの上限ガード値と下限ガード値とを設定する。その後、ステップS43では、電圧差ΔVが閾値th1(th1>0)以上であるか否かを判定する。YESであればステップS44に進み、引き戻し時間Tbを所定幅で延長する。
その後、ステップS45では、引き戻し時間Tbの延長に要した補正時間KT、すなわち所定幅の合計が上限ガード値以上であるか否かを判定し、NOであればそのまま本処理を終了する。また、YESであればステップS46に進み、引き戻し時間Tbを上限ガード値で制限する。なおその後、ステップS41では、延長後の引き戻し時間Tbを用いて再び電圧差ΔVを算出する。そして、ステップS43において再びΔV≧th1であると判定されると、後続のステップS44,S45を実施する。
また、ステップS43がNOの場合には、ステップS47に進み、電圧差ΔVが−th1以下であるか否かを判定する。YESであればステップS48に進み、引き戻し時間Tbを所定幅で短縮する。
その後、ステップS49では、引き戻し時間Tbの短縮に要した補正時間KT、すなわち所定幅の合計(ここでは負値)が下限ガード値以下であるか否かを判定し、NOであればそのまま本処理を終了する。また、YESであればステップS50に進み、引き戻し時間Tbを下限ガード値で制限する。なおその後、ステップS41では、短縮後の引き戻し時間Tbを用いて再び電圧差ΔVを算出する。そして、ステップS47において再びΔV≦−th1であると判定されると、後続のステップS48,S49を実施する。
また、ステップS43,S47が共にNOであれば、引き戻し時間Tbの延長及び短縮がいずれも不要であるとし、引き戻し時間Tbを確定する。
上記構成によれば、やはり電流掃引部22の回路公差である電圧差ΔVの正負符号や大きさ、内部抵抗値Riに応じて、適正に引き戻し時間Tbを設定できる。
また、掃引時間Taについて、又は掃引時間Ta及び引き戻し時間Tbの両方について、電圧差ΔVに基づいて延長側及び短縮側のいずれかに変更することとし、これら掃引時間Ta、引き戻し時間Tbにおける各上下限ガード値を、内部抵抗値Riに基づいて設定する構成にすることも可能である。
・上記実施形態では、センサ素子11の新品状態、すなわちセンサ素子11の経年劣化が生じていない状態であることを条件に、電流掃引部22の回路公差を算出する構成としたが、これを変更し、センサ素子11が新品状態か否かにかかわらず、電流掃引部22の回路公差を算出する構成としてもよい。
・電流掃引部22の回路公差、又はそれに相関するパラメータとして、電圧差ΔV以外を用いる構成であってもよい。例えば、工場出荷前に電流掃引部22の回路公差(又は相関パラメータ)を計測するとともに、それをROM等のメモリに記憶しておき、素子インピーダンスZacの算出時においてメモリから回路公差を読み出す構成とする。例えば回路公差に相関するパラメータとして、掃引回路部及び引き戻し回路部における電流ばらつきを用いるとよい。
・センサ制御部24において、センサ素子11の内部抵抗値Riに基づいてセンサ素子11の劣化を判定する構成としてもよい。上記の実施形態では、車両において劣化に伴う内部抵抗値Riの変化が把握できるため、素子劣化の有無を判定するためにO2センサ10を車両から回収する必要がなく、容易に素子劣化の有無を判定できる。
・O2センサ10以外に、拡散抵抗層を有するA/Fセンサにも本発明の適用が可能である。また、酸素濃度を検出可能とするガスセンサ以外に、NOxやHCなど、他のガス濃度成分を検出可能とするガスセンサにも本発明が適用できる。例えば、固体電解質層にて形成された複数のセルを有し、そのうち第1セル(ポンプセル)では被検出ガス中の酸素を排出又はくみ出すとともに酸素濃度を検出し、第2セル(センサセル)では酸素排出後のガスから特定成分(NOx、HCなど)のガス濃度を検出するガスセンサへの適用が可能である。
・エンジンの吸気通路に設けられるガスセンサや、ガソリンエンジン以外にディーゼルエンジンなど他の形式のエンジンに用いられるガスセンサを対象とするガスセンサ制御装置としても具体化できる。また、ガスセンサは、車両以外の用途で用いられるものであってもよく、さらにはエンジンの吸気や排気以外を被検出ガスとするものであってもよい。
10…ガスセンサ、11…センサ素子、12…固体電解質層、20…センサ制御回路。
Claims (7)
- 固体電解質層(12)を有し被検出ガス中の所定成分の濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサ(10)を制御対象とし、前記ガスセンサに対して印加電圧を所定方向に掃引変化させるとともに、それに引き続いて前記印加電圧を逆方向に引き戻し変化させ、前記印加電圧の掃引変化時における電流変化量に基づいて前記ガスセンサのインピーダンスを算出するガスセンサ制御装置(20)であって、
前記ガスセンサの直流内部抵抗の値である内部抵抗値を算出する抵抗値算出部と、
前記印加電圧の掃引を行う掃引時間と引き戻しを行う引き戻し時間との少なくともいずれかを、前記内部抵抗値に基づいて設定する時間設定部と、
を備えることを特徴とするガスセンサ制御装置。 - 前記ガスセンサに対して印加電圧を所定方向に掃引変化させる掃引回路部と、それに引き続いて前記印加電圧を逆方向に引き戻し変化させる引き戻し回路部とを有するガスセンサ制御装置であって、
前記掃引回路部及び前記引き戻し回路部の回路公差、又はその回路公差に相関するパラメータを取得する公差取得部を備え、
前記時間設定部は、前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを、前記内部抵抗値と前記回路公差又は前記パラメータとに基づいて設定する請求項1に記載のガスセンサ制御装置。 - 前記公差取得部は、前記被検出ガスの濃度が一定となる状態下で前記掃引回路部による掃引と前記引き戻し回路部による引き戻しとを実施し、その掃引及び引き戻しの実施前の第1電圧と実施後の第2電圧との差である電圧差を、前記パラメータとして算出する電圧差算出部を有し、
前記時間設定部は、前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを、前記内部抵抗値と前記電圧差とに基づいて設定する請求項2に記載のガスセンサ制御装置。 - 前記時間設定部は、前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを延長側又は短縮側に補正する補正時間について前記内部抵抗値と前記電圧差との相関を定めた相関データを用い、前記内部抵抗値と前記電圧差とに基づいて前記補正時間を求め、その補正時間を用いて、前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを設定する請求項3に記載のガスセンサ制御装置。
- 前記時間設定部は、前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを、前記電圧差に基づいて延長側及び短縮側のいずれかに変更するものであり、
前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかを上下限ガードするためのガード値を、前記内部抵抗値に基づいて設定するガード設定部を備える請求項3に記載のガスセンサ制御装置。 - 前記抵抗値算出部は、前記ガスセンサの検出信号を要しない期間において、前記ガスセンサへの電圧印加により当該ガスセンサに電荷をチャージし、そのチャージ後において電荷が自然放出される際の所要時間に基づいて前記内部抵抗値を算出する請求項1乃至5のいずれか1項に記載のガスセンサ制御装置。
- 前記インピーダンスを所定周期で検出し、インピーダンス検出に際して濃度検出を一時的に中断するガスセンサ制御装置であって、
前記時間設定部により前記掃引時間と前記引き戻し時間との少なくともいずれかが設定される場合に、その設定時間に基づいて、前記濃度検出を一時中断する中断時間を設定する中断時間設定部を備える請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガスセンサ制御装置。
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