JP5723321B2 - センサ出力処理装置、及び、センサシステム - Google Patents
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Description
そこで、このセンサ出力処理装置では、上述の評価リッチ抵抗と評価リーン抵抗との差分に基づいて、酸素センサの検出素子の劣化を検知する劣化検知手段を備えている。かくして、これら評価リッチ抵抗と評価リーン抵抗との差分から、酸素センサの検出素子の劣化を検知することができる。
具体的には、例えば、検出素子の一方の電極を基準電位に接続し、他方の電極を基準抵抗器及びスイッチング素子を介して電源電圧に接続して、検出素子と基準抵抗器で抵抗分圧回路を構成する。そして、スイッチング素子をオフからオンとして検出素子の電極間を流れる電流に一時的な変化を生じさせる。このとき、検出素子に電流が流れると、検出素子の内部抵抗に応じた電圧降下が生じるので、この変化に応答して生じる電圧の応答変化量(電圧変化量)は、内部抵抗を反映したものになる。つまり、この応答変化量から、検出素子の内部抵抗を検知できる。なお、この他、検出素子の電極間に一時的に定電流を流すことにより、内部抵抗に電圧降下を生じさせて、電圧の応答変化量を取得する手法も挙げられる。
これに対し、このセンサ出力処理装置では、理論空燃比を含む除外範囲を設け、評価リッチ範囲を、この除外範囲よりもリッチ側の範囲とし、評価リーン範囲を、この除外範囲よりもリーン側の範囲として、両者を離して設定している。これにより、評価リッチ抵抗と評価リーン抵抗との差分、及び劣化に伴うこの差分の変化を大きくとれるので、これに基づいて検出素子の劣化をより適切に検知することができる。
なお、酸素センサ2は、検出素子3が活性化温度とされたときに、センサ出力Vout(起電力)が、理論空燃比(空気過剰率λ=1.0)を境にして、リッチ状態(λ<1.0)とリーン状態(λ>1.0)との間で二値的に急峻に変化する特性を有する。具体的には、図2に示すように、センサ出力Voutは、十分リーンの状態(例えば、λ>1.1)では約0.05V、十分リッチの状態(例えば、λ<0.9)では約0.9Vを示し、理論空燃比付近(λ=1.0付近、例えば、0.98≦λ≦1.02)で急峻に変化する。
ヒータ制御回路14は、マイクロプロセッサ10のPWM出力ポート17に接続されており、酸素センサ2のヒータ4は、このヒータ制御回路14によって、PWM制御による通電が行われ、これにより、酸素センサ2の検出素子3が加熱される。検出素子3を活性化温度内の一定温度に維持するにあたり、マイクロプロセッサ10によるPID制御またはPI制御で、PWM制御に用いるパルスのデューティ比が決定される。
これにより、電圧シフト回路12のスイッチング素子Trをオンする前のセンサ出力Voutと、電圧シフト回路12のスイッチング素子Trをオンした後のセンサ出力Voutとの差分、即ち、電圧の応答変化量から、内部抵抗Riによる電圧降下を算出して、検出素子3の内部抵抗Riを検知することができる。
そこで、評価リッチ抵抗Rreと評価リーン抵抗Rleとの差分値ΔR(=Rre−Rle)を用いて検出素子3の劣化を検知する。
また、検出素子3の劣化が進行するほど、差分値ΔRが大きくなるので、差分値ΔRから、劣化の度合いを示す劣化度IDを得ている(本実施形態では、ID=ΔR)。
また、本実施形態の酸素センサ制御装置1では、ヒータ4への通電をフィードバック制御する際に、劣化度IDに基づいて目標抵抗値RTを補正している。これにより、ヒータ4への通電制御を劣化度IDに応じて、適切にフィードバック制御することができ、素子温度を所望の活性化温度に適切に保つことができる。また、劣化状態における過加熱により、劣化がさらに促進されるのを防止することもできる。
図4に示す制御プログラムは、マイクロプロセッサ10が実行するメインルーチンからの呼び出しで実行されるプログラムであり、劣化検知処理の他に、センサ出力Voutの取得、内部抵抗Riの検知、ヒータ4の通電制御等を含んでいる。
ステップS3では、パルス信号出力回路11、電圧シフト回路12及び出力検出回路13を用いて、検出素子3の内部抵抗Riを取得する。
そして、ステップS6では、内部抵抗Riを検知したタイミング(ステップS3)における空燃比(空気過剰率λ)が、リーン状態のうち評価リーン範囲内にあるか否かを、センサ出力Voutの大きさにより判断する。具体的には、センサ出力Voutが0.15Vよりも小さい場合(Yes)には、空燃比が評価リーン範囲内であると判定し、ステップS8に進む。一方、それ以外の場合(No)は、ステップS7に進む。ステップS7では、さらに内部抵抗Riを検知したタイミングにおける空燃比が、リッチ状態のうち評価リッチ範囲内にあるか否かを、センサ出力Voutの大きさにより判断する。具体的には、センサ出力Voutが0.8Vよりも大きい場合(Yes)には、空燃比が評価リッチ範囲内であると判定し、ステップS9に進む。それ以外の場合(No)は、ステップS14に進む。
さらに、ステップS6を実行しているマイクロプロセッサ10が、リーン範囲判別手段に相当し、ステップS7を実行しているマイクロプロセッサ10が、リッチ範囲判別手段に相当する。また、ステップS11を実行しているマイクロプロセッサ10が、劣化検知手段及び劣化度取得手段に相当する。
検出素子3が劣化した場合には、評価リッチ抵抗Rre及び評価リーン抵抗Rleのいずれも大きくなり、しかも、劣化前後で比較すると、評価リーン抵抗Rleの増加分に比べて、評価リッチ抵抗Rreの増加分の方が大きくなる。このため、評価リッチ抵抗Rreと評価リーン抵抗Rleとの差分値ΔR=Rre−Rleは、劣化後の方が劣化前に比べて大きくなる。そこで、本実施形態の酸素センサ制御装置1では、この関係を利用し、評価リッチ抵抗Rreと評価リーン抵抗Rleとの差分値ΔRを用いることで、検出素子3の劣化を検知することができる。
このセンサシステム100は、酸素センサ2の検出素子3の劣化に応じて適切な処理を行うことができ、適切な出力をECUなどの外部装置に向けて送出することができる。
また、酸素センサ2の劣化時に警告信号を出す場合などでは、劣化度IDを得る代わりに、評価リッチ抵抗Rreと評価リーン抵抗Rleとの差分ΔRから、劣化を有無を検知する構成としても良い。
2 酸素センサ
3 検出素子
3P,3N 電極
4 ヒータ
Ri 内部抵抗
Vout センサ出力
10 マイクロプロセッサ
11 パルス信号出力回路(内部抵抗検知手段)
12 電圧シフト回路(内部抵抗検知手段)
13 出力検出回路(内部抵抗検知手段)
14 ヒータ制御回路(ヒータ通電制御手段)
100 センサシステム
Rf 被制御内部抵抗
RT 目標抵抗値
Rr リッチ抵抗
Rl リーン抵抗
Rre 評価リッチ抵抗
Rle 評価リーン抵抗
ΔR 差分値
ID 劣化度
TD 劣化評価期間
S3 内部抵抗検知手段
S5 被制御抵抗取得手段
S6 リーン範囲判別手段
S7 リッチ範囲判別手段
S11 劣化検知手段,劣化度取得手段
S12 補正手段
S16 ヒータ通電制御手段
Claims (7)
- 固体電解質体からなる検出素子を有し、内燃機関の排気ガス中の酸素濃度に感応し、空燃比に対するセンサ出力が、理論空燃比を境にして、リッチ状態とリーン状態との間で急峻に変化する特性を有する酸素センサについて、この酸素センサの出力を処理するセンサ出力処理装置であって、
上記検出素子の電極間の電圧または上記電極間を流れる電流について一時的な変化を生じさせると共に、この変化に応答して生じる電圧または電流の応答変化量に基づいて、上記検出素子の内部抵抗を繰り返し検知する内部抵抗検知手段と、
上記内部抵抗を検知したときの空燃比が、上記リッチ状態のうち上記検出素子の劣化検知に用いる評価リッチ範囲内にあるか否かを、上記センサ出力に基づいて判別するリッチ範囲判別手段と、
上記内部抵抗を検知したときの空燃比が、上記リーン状態のうち上記検出素子の上記劣化検知に用いる評価リーン範囲内にあるか否かを、上記センサ出力に基づいて判別するリーン範囲判別手段と、
検知された上記内部抵抗のうち、上記リッチ範囲判別手段で上記空燃比が上記評価リッチ範囲内であると判別したときに検知された評価リッチ抵抗と、上記リーン範囲判別手段で上記空燃比が上記評価リーン範囲内であると判別したときに検知された評価リーン抵抗との差分に基づいて、上記検出素子の劣化を検知する劣化検知手段と、を備える
センサ出力処理装置。 - 請求項1に記載のセンサ出力処理装置であって、
前記評価リッチ範囲は、前記空燃比の範囲のうち、前記理論空燃比を含む除外範囲よりもリッチ側の範囲であり、
前記評価リーン範囲は、上記除外範囲よりもリーン側の範囲である
センサ出力処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のセンサ出力処理装置であって、
前記劣化検知手段は、
前記評価リッチ抵抗と前記評価リーン抵抗との前記差分から、前記検出素子の劣化の度合いを示す劣化度を得る劣化度取得手段を含む
センサ出力処理装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のセンサ出力処理装置であって、
前記酸素センサは、前記検出素子を加熱するヒータを有し、
検知した前記内部抵抗から、被制御内部抵抗を得る被制御抵抗取得手段と、
上記被制御内部抵抗が目標抵抗値となるように、上記ヒータへの通電をフィードバック制御するヒータ通電制御手段と、を備え、
上記被制御抵抗取得手段は、
前記評価リッチ抵抗とこれと共に前記劣化検知に用いる前記評価リーン抵抗とを検知する劣化評価期間中は、予め定めた値を上記被制御内部抵抗とする
センサ出力処理装置。 - 請求項4に記載のセンサ出力処理装置であって、
前記被制御抵抗取得手段は、
前記劣化評価期間の開始直前に得られた前記内部抵抗の値を、上記劣化評価期間中の前記被制御内部抵抗の値とする
センサ出力処理装置。 - 請求項4または請求項5に記載のセンサ出力処理装置であって、
前記劣化検知手段は、
前記評価リッチ抵抗と前記評価リーン抵抗との前記差分から、前記検出素子の劣化の度合いを示す劣化度を得る劣化度取得手段を含み、
上記劣化度に基づき、前記ヒータ通電制御手段で用いる前記被制御内部抵抗または前記目標抵抗値のいずれかを補正する補正手段を備える
センサ出力処理装置。 - 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載のセンサ出力処理装置と、
前記酸素センサとを備える
センサシステム。
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