JP2017050561A - 絶縁樹脂シート - Google Patents

Abstract

【課題】ビア形状、薄膜絶縁信頼性、表面平滑性及び埋め込み性に優れた絶縁樹脂シートを提供すること。
【解決手段】支持体層、特定の第１層、及び特定の第２層を有する絶縁樹脂シートにおいて、第１層及び第２層のエッチング量を制御することにより、本発明を完成させた。
【選択図】なし

Description

本発明は、絶縁樹脂シートに関する。さらに当該絶縁樹脂シートを含有する、多層プリント配線板、半導体装置に関する。

近年、電子機器の小型化、高性能化が進んでいる。多層プリント配線板は、電子部品の実装密度を向上させるため導体配線の微細化、小型化が進んでいる。このような中、多層プリント配線板の製造方法としては、回路形成された導体層と絶縁層（層間絶縁層）を交互に積み上げていくビルドアップ方式が広く用いられており、該ビルドアップ方式における微細な導体配線の形成には、通常アディティブ工法が採用され、特にセミアディティブ工法が主流となっている。

これに対し、特許文献１では、樹脂組成物層を複層化し、各層に異なる機能を持たせることが記載されているが、各層が混ざり合ってしまうなど、品質の安定化が困難であった。特許文献２では、硬化物層と接着層を有する絶縁樹脂シートが開示されているが、穴あけ加工のビア形状に関しては一切言及されていない。

再公表２００８−９０８３５号公報 特開２０１０−２８０３６号公報

本発明者等は、複層化したフィルムの性能を向上させるために、種々の検討を行い、多層プリント配線板を製造していたところ、複層化したフィルムにおいては、各層の性質の違いにより、レーザー加工の際に、エネルギー調整が難しく、各層のビアで段差が発生し、ビア形状がいびつになってしまうという新たな問題が発生した。そこで、本発明者らは鋭意検討した結果、各層のエッチング量を制御することにより、ビア形状の問題を解決できることを見出した。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本願発明が解決しようとする課題は、ビア形状、薄膜絶縁信頼性、表面平滑性及び埋め込み性に優れた絶縁樹脂シートを提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、支持体層と、前記支持体上に形成された特定の第１層と、前記第１層上に形成された特定の第２層と、を有する絶縁樹脂シートにおいて、第１層及び第２層のエッチング量を制御することにより、本発明を完成するに至った。

本発明は、以下の内容を含むものである。
〔１〕支持体と、前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第１層であって、前記第１層の弾性率が０．５ＧＰａ以上であり、前記第１層の厚みが２〜１８μｍである第１層と、前記第１層上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第２層であって、前記第２層の最低溶融粘度が１００〜１９５００ｐｏｉｓｅであり、前記第２層の厚みが１０〜１２０μｍである第２層と、を有し、前記第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と前記第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）が、Ｅ１／Ｅ２＝０．３〜３で表されることを特徴とする絶縁樹脂シート。
〔２〕前記第１層の弾性率が０．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることを特徴とする〔１〕記載の絶縁樹脂シート。
〔３〕前記第１層の厚みが２〜８μｍであることを特徴とする〔１〕又は〔２〕記載の絶縁樹脂シート。
〔４〕前記第１層中のエポキシ樹脂がナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂から選択される１種以上を含有することを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔５〕前記第１層中の無機充填材の平均粒径が、０．０１〜０．８μｍであることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔６〕前記第２層の最低溶融粘度が１００〜５０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔７〕前記第２層の厚みが１５〜１００μｍであることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔８〕前記第２層中の樹脂成分を１００質量％とした場合、第２層中の液状エポキシ樹脂が１〜３５質量％であることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔９〕第２層中の無機充填材が、表面処理剤で表面処理されていることを特徴とする〔１〕〜〔８〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔１０〕前記第１層と前記第２層との合計厚みが、１５〜１２０μｍであることを特徴とする〔１〕〜〔９〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔１１〕前記第１層と前記第２層とが異なる材料で構成されていることを特徴とする〔１〕〜〔１０〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔１２〕前記第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と前記第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）が、Ｅ１／Ｅ２＝０．５〜２であることを特徴とする〔１〕〜〔１１〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔１３〕多層プリント配線板のビルドアップ層用絶縁樹脂シートであることを特徴とする〔１〕〜〔１２〕のいずれか記載の絶縁樹脂シート。
〔１４〕（Ａ）〔１〕〜〔１３〕のいずれか記載の絶縁樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程、（Ｂ）絶縁樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、（Ｃ）支持体を剥離する工程、（Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程、（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程、（Ｆ）粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、を含有する多層プリント配線板の製造方法であって、前記（Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程において、レーザーエネルギーが１〜６ｍＪであり、前記（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程において、６０〜８０℃で１０〜３０分間の酸化剤による粗化処理を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
〔１５〕前記（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程において、５０〜８０℃で５〜２０分間の膨潤処理を行い、その後水洗処理を行い、その後酸化剤による粗化処理を行うことを特徴とする〔１４〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔１６〕〔１４〕又は〔１５〕に記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。

支持体と、前記支持体上に形成された特定の第１層と、前記第１層上に形成された特定の第２層と、を有する絶縁樹脂シートにおいて、第１層及び第２層のエッチング量を制御することにより、ビア形状、薄膜絶縁信頼性、表面平滑性及び埋め込み性に優れた絶縁樹脂シートを提供できるようになった。

[絶縁樹脂シート]
本発明の絶縁樹脂シートは、支持体と、前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第１層であって、前記第１層の弾性率が０．５ＧＰａ以上であり、前記第１層の厚みが２〜１８μｍである第１層と、前記第１層上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第２層であって、前記第２層の最低溶融粘度が１００〜１９５００ｐｏｉｓｅであり、前記第２層の厚みが１０〜１２０μｍである第２層と、を有し、前記第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と前記第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）を、Ｅ１／Ｅ２＝０．３〜３で制御することを特徴とする。なお、第２層の露出面側には、ごみ等の付着防止のために保護フィルムを有しても良い。

本発明の絶縁樹脂シートにおいて、第１層の弾性率と厚みを規定することで表面平滑性やビア形状を良好にし、第２層の最低溶融粘度と厚みを規定することで埋め込み性や表面平滑性を良好にすることができる。そして、第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）を、Ｅ１／Ｅ２＝０．３〜３と制御することにより、デスミア後に発生する第１層と第２層とのビアの段差を抑制し、ビア形状を良好にすることを可能にする。ここで、エッチング量とは、デスミア処理に対する硬化物の粗化具合の指標であり、エッチング量をＥ１／Ｅ２＝０．３〜３、好ましくは０．５〜２と制御することにより、デスミア処理時に第１層と第２層の粗化具合の差を低減して、良好なビア形状とすることができる。そのため、多層プリント配線板の層間導通信頼性に優れ、多層プリント配線板の絶縁層用の絶縁樹脂シートとして好適となる。更に、多層プリント配線板のビルドアップ層用絶縁樹脂シートや、メッキにより導体層を形成するための絶縁樹脂シートとしてより好適に使用することが出来る。

[支持体]
本発明の支持体としては、プラスチックフィルムや金属箔が挙げられる。具体的に、プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、アクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムが好ましく、特に安価なポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔などが挙げられる。汎用性の点から、プラスチックフィルムが好ましく、プラスチックフィルムを使用する場合、剥離性を向上させるために、樹脂層の被形成面が離型処理された支持体を使用するのが好ましい。離型処理に使用する離型剤としては、樹脂層が支持体から剥離可能であれば特に限定されず、例えば、シリコン系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。なお、市販されている離型層付きプラスチックフィルムを用いてもよく、好ましいものとしては、例えば、アルキッド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムであるＳＫ−１、ＡＬ−５、ＡＬ−７（リンテック（株）製）などが挙げられる。また、プラスチックフィルムはマット処理、コロナ処理を施してあってもよく、当該処理面上に離型層を形成してもよい。一方、金属箔はエッチング溶液により除去することもできるが、除去せずに該金属箔を導体層として利用してもよい。支持体の厚さは特に限定されないが、１０〜１５０μｍの範囲が好ましく、２５〜５０μｍの範囲がより好ましい。

保護フィルムを有する場合には、支持体と同様のプラスチックフィルムを使用することができる。また保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよく、上記と同様の離型処理が施してあってもよい。保護フィルムの厚みは、３〜３０μｍが好ましい。

[樹脂組成物]
本発明の第１層及び第２層は、樹脂組成物を層形成したものである。樹脂組成物としては、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤及び（ｃ）無機充填材を含有すれば特に制限なく使用できる。また、さらに熱可塑性樹脂や硬化促進剤、その他成分を配合することもできる。以下、配合成分について述べる。

（ａ）エポキシ樹脂
本発明に使用するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

これらの中でも、薄膜絶縁信頼性向上という観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。特に、第１層を熱硬化したときの架橋密度を低くし、ビアのトップ形状を良好にさせるという点から、第１層中のエポキシ樹脂がナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂から選択される１種以上を含有することがより好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」、「ＹＬ９８０」）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８０６Ｈ」、「ＹＬ９８３Ｕ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」、「ＥＸＡ４０３２ＳＳ」）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」、「ＨＰ４７１０」）、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ６１２１」）、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ８８００」）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」）、グリシジルエステル型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス（株）製「ＥＸ７１１」、「ＥＸ７２１」、（株）プリンテック製「Ｒ５４０」）などが挙げられる。

エポキシ樹脂は液状エポキシ樹脂を含むことで埋め込み性を向上させることができる。更に、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用することが好ましい。液状エポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましく、固体状エポキシ樹脂としては１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用する場合、樹脂組成物の硬化物性のバランスを備えるという点から、その配合割合（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は質量比で１：０．１〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．８の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：１．５の範囲が更に好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。固体状エポキシ樹脂としては、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

本発明の樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の薄膜絶縁信頼性を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、エポキシ樹脂の含有量は３〜４０質量％であるのが好ましく、５〜３５質量％であるのがより好ましく、１０〜３０質量％であるのが更に好ましい。特に、第２層の埋め込み性を向上させるという点で、第２層中の樹脂成分を１００質量％とした場合、第２層中の液状エポキシ樹脂の含有量は１〜３５質量％が好ましく、３〜３０質量％がより好ましく、６〜２５質量％が更に好ましい。

（ｂ）硬化剤
本発明に使用する硬化剤としては、特に限定されないが、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられ、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上を用いることが好ましい。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

フェノール系硬化剤としては、特に制限されないが、ビフェニル型硬化剤、ナフタレン型硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤、ナフチレンエーテル型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましい。具体的には、ビフェニル型硬化剤のＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）製）、ナフタレン型硬化剤のＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（新日鐵化学（株）製）、ＥＸＢ９５００（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラック型硬化剤のＴＤ２０９０（ＤＩＣ（株）製）、ナフチレンエーテル型硬化剤のＥＸＢ−６０００（ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の具体例としては、ＬＡ３０１８、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ１３５６（ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。特に、ナフタレン型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好適である。

活性エステル系硬化剤には、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。活性エステル系硬化剤は１種又は２種以上を使用することができる。具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤等が好ましく、なかでも樹脂組成物層の溶融粘度を低下させ、埋め込み性を向上させることができるという点で、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。市販品としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものとしてＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性基当量約２２３）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤としてＤＣ８０８（三菱化学（株）製、活性基当量約１４９）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤としてＹＬＨ１０２６（三菱化学（株）製、活性基当量約２００）、ＹＬＨ１０３０（三菱化学（株）製、活性基当量約２０１）、ＹＬＨ１０４８（三菱化学（株）製、活性基当量約２４５）等が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、特に制限はないが、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、５００〜４５００が好ましく、６００〜３０００がより好ましい。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。市販されているシアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＰＴ３０、シアネート当量１２４）、ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製、ＢＡ２３０、シアネート当量２３２）、ジシクロペンタジエン構造含有シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＤＴ−４０００、ＤＴ−７０００）等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、エポキシ樹脂のエポキシ基数を１としたときに硬化剤の反応基数が０．３〜２．０の範囲となる比率が好ましく、０．５〜１．０の範囲となる比率がより好ましい。なお樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂のエポキシ基数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。

（ｃ）無機充填材
本発明に使用する無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、雲母、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン等が挙げられ、シリカ、アルミナが好ましく、特に無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ、球状シリカ等のシリカが好ましく、球状シリカ、溶融シリカがより好ましい。これらは１種又は２種以上を使用することができる。樹脂組成物への充填性向上の観点から、球状溶融シリカが更に好ましい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。

無機充填材の平均粒径は、薄膜絶縁信頼性向上や表面平滑性向上の点から、２μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以下が更に好ましく、０．６μｍ以下が更に一層好ましい。一方、無機充填材の平均粒径は、無機充填材の分散性向上の点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましく、０．１μｍ以上が更に好ましい。特に、第１層の表面平滑性を向上させるために、第１層中の無機充填材の平均粒径は０．０１〜０．８μｍが好ましく、０．０１〜０．６μｍがより好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製 ＬＡ−９５０等を使用することができる。

無機充填材の含有量は、シート形態の可撓性が低下するのを防止し、かつ線熱膨張率を低くするという点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３５〜８５質量％が好ましく、４０〜７５質量％がより好ましい。

無機充填材は、エポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の表面処理剤で表面処理してその耐湿性を向上させたものが好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。これらのなかでもアミノシラン系カップリング剤は耐湿性、分散性、硬化物の特性などに優れていて好ましい。特に、第２層の埋め込み性を向上させるために、第２層中の無機充填材が、表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。市販品としては、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。

（ｄ）熱可塑性樹脂
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８０００〜７００００の範囲が好ましく、１００００〜６００００の範囲がより好ましく、２００００〜６００００の範囲が更に好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、０．５〜６０質量％が好ましく、３〜５０質量％がより好ましく、５〜４０質量％が更に好ましい。

（ｅ）硬化促進剤
硬化促進剤としては、例えば、有機ホスフィン化合物、イミダゾール化合物、アミンアダクト化合物、及び３級アミン化合物などが挙げられる。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分の合計を１００質量％とした場合、０．０１〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

本願発明の樹脂組成物には、難燃剤、ゴム粒子、有機溶剤、その他添加剤など適宜配合することができる。

本発明の樹脂組成物は、上記成分を適宜混合し、また、必要に応じて三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等の混練手段、あるいはスーパーミキサー、プラネタリーミキサー等の撹拌手段により混練または混合することにより、樹脂ワニスとして製造することができる。

[第１層]
本願発明の第１層は、支持体上に樹脂組成物を層形成した樹脂組成物層として作製できる。樹脂組成物層は、例えば、有機溶剤を含む樹脂組成物を調製し、支持体上に該樹脂組成物を塗布し、乾燥、加熱により樹脂組成物層を形成させることができる。乾燥、加熱条件としては、弾性率の調整、基板の生産性向上の点から、１３０〜１７０℃で５〜３０分が好ましく、１４０〜１６０℃で５〜２０分がより好ましい。

本願発明の第１層の弾性率は、０．５ＧＰａ以上となるように制御する。このようにすることで、第１層と第２層が混ざり合うことがなく、優れた絶縁樹脂シートを作製できることになる。特に表面平滑性を向上させる点から、０．８ＧＰａ以上が好ましく、１ＧＰａ以上がより好ましく、１．５ＧＰａ以上が更に好ましく、２ＧＰａ以上が更に一層好ましい。なお、上限値に特に制限は無いが、一般的に１０ＧＰａ以下、５ＧＰａ以下となる。

本願発明の第１層の厚みは、２〜１８μｍとなるように制御する。このようにすることで、表面平滑性に優れ、更にビア形状にも優れた絶縁樹脂シートを作製できることになる。表面平滑性向上の点から、３μｍ以上がより好ましく、４μｍ以上が更に好ましい。ビア形状を良好にする点から、１６μｍ以下が好ましく、１４μｍ以下がより好ましく、１２μｍ以下が更に好ましく、１０μｍ以下が更に一層好ましく、８μｍ以下が殊更好ましい。

[第２層]
本発明の第２層も、上記と同様な樹脂組成物を用いて、支持体上に樹脂組成物を層形成した樹脂組成物層として作製できる。樹脂組成物層は、例えば、有機溶剤を含む樹脂組成物を調製し、支持体上に該樹脂組成物を塗布し、乾燥により樹脂組成物層を形成させることができる。乾燥条件としては、８０〜１２０℃で３〜１５分が好ましい。樹脂組成物としては、第１層と第２層とが異なる材料で構成されるように調整することが好ましく、具体的には配合成分の種類が異なる樹脂組成物や配合成分の含有量が異なる樹脂組成物等が挙げられる。こうすることで、第１層と第２層のそれぞれに特徴的な性能を付与することができる。

本願発明の第２層の最低溶融粘度は、１００〜１９５００ｐｏｉｓｅとなるように制御する。このようにすることで、埋め込み性や表面平滑性に優れた絶縁樹脂シートを作製できることになる。埋め込み時の空気の巻き込み防止の点から、１８０００ｐｏｉｓｅ以下が好ましく、１５０００ｐｏｉｓｅ以下がより好ましく、１００００ｐｏｉｓｅ以下が更に好ましく、８０００ｐｏｉｓｅ以下が更に一層好ましく、５０００ｐｏｉｓｅ以下が殊更好ましい。埋め込み時の染み出し防止の点から、２００ｐｏｉｓｅ以上が好ましく、４００ｐｏｉｓｅ以上がより好ましく、６００ｐｏｉｓｅ以上が更に好ましく、８００以上が更に一層好ましい。

本願発明の第２層の厚みは、１０〜１２０μｍとなるように制御する。このようにすることで、表面平滑性や埋め込み性に優れた絶縁樹脂シートを作製でき、薄膜化にも優れたものとなる。表面平滑性向上や埋め込み性向上の点から、１５μｍ以上が好ましい。ビア形状を良好にする点から、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下が更に好ましい。

[絶縁樹脂シートの作製方法]
絶縁樹脂シートの作製方法としては種々の方法を用いることができる。例えば、支持体上に第１層である樹脂組成物層を形成し、その上に、樹脂組成物を塗布し、乾燥により第２層である樹脂組成物層を形成させることができる。また、支持体上に第１層である樹脂組成物層を形成したもの、別の支持体上に第２層である樹脂組成物層を形成したものをそれぞれ作製した後、それぞれの樹脂組成物層面をラミネートにより貼り合わせる方法も挙げられる。ラミネートにより貼り合わせる際の条件は、ラミネート温度７０〜１１０℃、ラミネート時間５〜３０秒、ラミネート圧力１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ^２が好ましい。

本願発明の第１層と第２層との合計厚みは、薄膜化の観点から、１５〜１２０μｍであることが好ましく、２０〜６０μｍであることがより好ましく、２０〜４０μｍであることが更に好ましい。

[絶縁樹脂シートを用いた多層プリント配線板]
以下、本発明の絶縁樹脂シートを使用した多層プリント配線板の製造方法の一例について詳述する。

本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、（Ａ）絶縁樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程、（Ｂ）絶縁樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、（Ｃ）支持体を剥離する工程、（Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程、（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程、（Ｆ）粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、等を含むことができる。

（Ａ）絶縁樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程（（Ａ）工程）では、絶縁樹脂シートの第２層を内層回路基板側にして、内層回路基板の片面又は両面に積層する。ここでいう内層回路基板とは、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板の片面又は両面にパターン加工された（回路形成された）導体層を有し、多層プリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び導体層が形成されるべき中間製造物を言う。なお導体層表面は黒化処理等により予め粗化処理が施されていた方が絶縁層と内層回路基板の密着性向上の観点から好ましい。

（Ａ）工程において、絶縁樹脂シートが保護フィルムを有している場合には該保護フィルムを除去した後、必要に応じて絶縁樹脂シート及び内層回路基板をプレヒートし、絶縁樹脂シートを加圧及び加熱しながら内層回路基板に圧着する。本発明の絶縁樹脂シートにおいては、真空ラミネート法により減圧下で回路基板に積層する方法が好適に用いられる。ラミネートの条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０〜１４０℃、圧着圧力（ラミネート圧力）を好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（９．８×１０^４〜１０７．９×１０^４Ｎ／ｍ^２）とし、圧着時間（ラミネート時間）を好ましくは５〜１８０秒とし、空気圧２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネートの方法は、バッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。真空ラミネートは、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニチゴー・モートン（株）製バキュームアップリケーター、（株）名機製作所製真空加圧式ラミネーター、（株）日立インダストリイズ製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー（株）製真空ラミネーター等を挙げることができる。

（Ｂ）絶縁樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程（（Ｂ）工程）では、絶縁樹脂シートを内層回路基板に積層した後、第１層及び第２層を熱硬化することにより内層回路基板上に絶縁層（硬化物）を形成することができる。熱硬化の条件は、樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは１５０℃〜２２０℃で２０分〜１８０分、より好ましくは１６０℃〜２１０℃で３０〜１２０分の範囲で選択される。また、支持体を剥離せずに熱硬化することで、熱硬化中のごみや埃等の異物付着を防止することができる。

（Ｃ）支持体を剥離する工程（（Ｃ）工程）では、支持体を剥離する。基材がプラスチックフィルムの場合は、基材の剥離は、手動または自動剥離装置により機械的に除去することによって行うことができる。また、基材が金属箔の場合は、エッチング液などにより金属箔を溶解して、金属箔を剥離、除去することができる。

（Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程（（Ｄ）工程）では、絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する。穴あけ加工は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができるが、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーによる穴あけ加工が好ましく、汎用性の観点から炭酸ガスレーザーがより好ましい。なお、（Ｄ）工程は、（Ｃ）工程の前に行ってもよく、（Ｃ）工程の後に行ってもよい。

炭酸ガスレーザーでブラインドビアを形成する場合は、ショット数は、形成すべきブラインドビアの深さ、孔径によっても異なるが、通常１〜５ショットの間で選択される。ブラインドビアの加工速度を速め、多層プリント配線板の生産性を向上させるためにショット数は少ない方が良く、ショット数は１〜３が好ましい。なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードは孔内に加工熱がこもり、ビア形状がいびつになりやすいため、時間的間隔を持たせた複数ショットである、サイクルモードが好ましい。

炭酸ガスレーザーのパルス幅は特に限定されず、２８μ秒のミドルレンジから４μ秒の短パルスまで広い範囲で選択可能であるが、高エネルギーの場合、短パルスの方がビア加工形状に優れる。

炭酸ガスレーザーにより穴あけ加工する場合、本発明の絶縁樹脂シートにおいては、第１層と第２層の段差を抑制し、ビア形状を良好にするという点から、レーザーエネルギーを１〜６ｍＪに調整することが好ましく、２〜５ｍＪに調整することがより好ましい。

（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程（（Ｅ）工程）では、支持体剥離後、絶縁層表面を粗化処理する。乾式の粗化処理の場合はプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の場合は膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。湿式の粗化処理の方が、絶縁層表面に凸凹のアンカーを形成しながら、ブラインドビア内のスミアを除去することができる点で好ましい。

膨潤液による膨潤処理は、絶縁層を５０〜８０℃で５〜２０分間（好ましくは５５〜７０℃で８〜１５分間）、膨潤液に浸漬させることで行われる。膨潤液としてはアルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等が挙げられる。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Swelling Dip Securiganth P）、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Swelling Dip Securiganth SBU）等を挙げることができる。また、膨潤処理を行い、その後水洗処理を行い、その後酸化剤による粗化処理を行うことで、ビア形状をより良好に維持することができる。

酸化剤による粗化処理は、絶縁層を６０〜８０℃で１０〜３０分間（好ましくは７０〜８０℃で１５〜２５分間）、酸化剤溶液に浸漬させることで行われる。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、硝酸等を挙げることができる。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５〜１０重量％とするのが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のコンセントレート・コンパクト ＣＰ、ドージングソリューション セキュリガンスＰ等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

中和液による中和処理は、３０〜５０℃で３〜１０分間（好ましくは３５〜４５℃で３〜８分間）、中和液に浸漬させることで行われる。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、アトテックジャパン（株）製のリダクションソリューシン・セキュリガントＰが挙げられる。

本願発明の絶縁樹脂シートにおいては、第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）を、Ｅ１／Ｅ２＝０．３〜３と制御することにより、デスミア後に発生する第１層と第２層とのビアの段差を抑制し、ビア形状を良好にすることを可能にする。特に、上述した粗化処理条件を採用することにより、ビア形状をより良好に制御しやすくなる。

（Ｆ）粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程（（Ｆ工程））では、絶縁層表面に導体層を形成することができる。メッキ形成の方法として、乾式メッキ又は湿式メッキにより絶縁層上に導体層を形成することが挙げられる。乾式メッキとしては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知の方法を使用することができる。湿式メッキとしては、粗化処理後に無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて導体層を形成する方法、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成する方法、等が挙げられる。その後のパターン形成の方法として、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。

上述の一連の工程を複数回繰り返すことで、ビルドアップ層を多段に積層した多層プリント配線板となる。本発明では、ビア形状を良好にすることで、層間の導通信頼性を確保することができるため、多層プリント配線板のビルドアップ層用絶縁樹脂シートとして好適に使用することができる。

＜半導体装置＞
本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、などが挙げられる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載中の「部」は「質量部」を意味する。

まず、本明細書での物性評価における測定方法・評価方法について説明する。

＜ビア形状の評価＞
（１）基板の下地処理
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板［銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、松下電工（株）製Ｒ５７１５ＥＳ］の両面をメック（株）製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理をおこなった。
（２）絶縁樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作成した絶縁樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターＭＶＬＰ−５００（名機（株）製商品名）を用いて、第２層が銅張積層板の両面に接するように、ラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着させることにより行った。
（３）樹脂組成物の硬化
ラミネート後、１００℃で３０分、その後１８０℃で３０分の硬化条件で樹脂組成物を硬化し絶縁層を形成した。
（４）ブラインドビアの形成
硬化後、支持体を剥離し、第１層上より、レーザー加工機（三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー装置：ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）を用いて、ブラインドビアを形成した。レーザー照射の条件は、パルス幅１３μ秒、エネルギー３ｍＪ、ショット数１ショット、マスク径１．１ｍｍで行った。
（５）デスミア処理
ブラインドビア形成後、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で２０分間浸漬、水洗処理後、最後に中和液として、アトテックジャパン（株）のリダクションソリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。その後、１３０℃で１５分乾燥した。これによりブラインドビア内のスミアを除去した。
（６）ビアの観察
ビアの断面をＳＥＭで観察した。第１層と第２層との壁面段差が５μｍ以上のものを「×」とし、壁面段差は５μｍ未満であるがビア径が大きくなってしまったものを「△」、壁面段差が５μｍ未満でビア径の広がりがないものを「○」とした。

＜薄膜絶縁信頼性の評価＞
（１）基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板［銅箔の厚さ１８μｍ、残銅率６０％、基板厚み０．３ｍｍ、松下電工（株）製Ｒ５７１５ＥＳ］の両面をメック（株）製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理をおこなった。
（２）絶縁樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作成した絶縁樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターＭＶＬＰ−５００（名機（株）製商品名）を用いて、第２層が銅張積層板の両面に接するように、ラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着させることにより行った。
（３）樹脂組成物の硬化
ラミネート後、１００℃で３０分、その後１８０℃で３０分の硬化条件で樹脂組成物を硬化し絶縁層を形成した。この基板を評価基板Ａとする。
（４）デスミア処理
評価基板Ａを、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で２０分間浸漬、水洗処理後、最後に中和液として、アトテックジャパン（株）のリダクションショリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。
（５）メッキ形成
デスミア後、積層板をＰｄＣｌ_２を含む無電解銅メッキ液に浸漬した。その後、１５０℃で３０分間加熱してアニール処理を行い、硫酸銅電解メッキ液に浸漬し、３０μｍの厚さでメッキ導体層を形成した。最後に、アニール処理を１８０℃で６０分間行った。
（６）サンプル調整
円形に切り抜いたレジストレープ（日東電工（株）製、エレップマスキングテープ Ｎ３８０）をメッキ導体層上に貼り、塩化第二鉄水溶液にて、３０分間浸漬させた。レジストレープの貼っていない部分のメッキ導体層を除去し、絶縁層上に円形のメッキ導体層が形成された評価基板を作製した。その後、絶縁層の一部分を削ることにより下地の銅箔を露出させた。そして、露出させた銅箔と円形のメッキ導体層とを配線（ワイヤー）で接続させた。評価基板の配線に直流電源（（株）高砂製作所製、ＴＰ０１８−３Ｄ）を接続し、１３０℃で８５％ＲＨの条件で、２００時間、３．３Ｖの電圧を与えた。２００時間後に抵抗値を測定し、抵抗値が１．０×１０^７Ω以上のものを「○」とし、１．０×１０^７Ω未満のものを「×」とした。薄膜の厚み精度が低く測定することができなかったものは「−」とした。

＜表面平滑性及び埋め込み性の評価＞
（１）表面平滑性の観察
評価基板Ａを、絶縁層表面を非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ製ＷＹＫＯ ＮＴ３３００）で測定し、アンジュレーションが２μｍ以下の場合を「○」とし、２μｍを超える場合を「×」とした。
（２）埋め込み性の観察
評価基板Ａを、絶縁層表面をマイクロ顕微鏡で観察し、ボイドなくしっかりと埋め込まれているものを「○」とし、ボイド発生や樹脂の染み出しがあるものを「×」とした。

＜単位面積当たりのエッチング量の測定＞
ワニスＡ〜Ｇについて、アルキッド系離型剤を塗布したＰＥＴフィルム（以下、離型ＰＥＴ）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１０μｍになるよう、ダイコータにて均一に、塗布し、１８０℃で３０分間加熱することにより硬化物を得た。その後、離型ＰＥＴを剥がし、１３０℃で１５分乾燥し、該乾燥直後の質量（初期質量（Ｘ１））と、該乾燥後にさらにデスミア処理、水洗をし、１３０℃で１５分乾燥した直後の質量（デスミア後質量（Ｘ２））を測定し、下記式により、各々の硬化物のエッチング量を求めた。なお、ここでいう「デスミア処理」は前述のデスミア処理と同じ処理である。

単位面積当たりのエッチング量（ｇ／ｍ２）＝（Ｘ１−Ｘ２）/硬化物の表面積

＜弾性率の測定＞
ワニスＡ〜Ｇについて、離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍになるよう、ダイコータにて均一に、塗布し、１８０℃で３０分間加熱することにより硬化物を得た。上記硬化物を幅７ｍｍ、長さ４０ｍｍの試験片に切断し、動的機械分析装置ＤＭＳ-６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の測定条件にて測定した。かかる測定における２５℃のときの貯蔵弾性率（Ｅ‘）の値を読み取った。

＜最低溶融粘度の測定＞
実施例１〜５及び比較例１〜７で作成した第２層の樹脂組成物層の溶融粘度を測定した。（株）ユー・ビー・エム社製型式Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００を使用して、樹脂量は１ｇ、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用し、開始温度６０℃から２００℃まで、昇温速度５℃／分、測定温度間隔２．５℃、振動１Ｈｚ、ひずみ１ｄｅｇの測定条件にて最低溶融粘度（ｐｏｉｓｅ）を測定した。

＜厚み測定＞
実施例及び比較例で用いた第１層、第２層を、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製、ＭＣＤ−２５ＭＪ）を用いて測定した。

（製造例１）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２１部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」）２１部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）５部と、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１２０部と、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ１２５６」、固形分４０％のＭＥＫ溶液）３０部とを、ＭＥＫ２５部とシクロヘキサノン２５部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）２０部、ナフトール系硬化剤（水酸基当量２１５、東都化成（株）製「ＳＮ−４８５」、固形分６０％のＭＥＫ溶液）２０部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）８０部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」、エタノールとトルエンの質量比が１：１の混合溶媒に溶解した固形分１５％の溶液）４０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＡを作製した。

（製造例２）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）１０部と、液状シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３５、新日鐵化学（株）ＺＸ―１６５８）４部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」）２５部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）１０部と、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１０部とを、ＭＥＫ２５部とシクロヘキサノン２５部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）１６部、ナフトール系硬化剤（水酸基当量２１５、新日鐵化学（株）製「ＳＮ−４８５」、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１６部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径１μｍ、アミノシラン処理付き（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」）３２０部、反応型難燃剤（水酸基当量１６２、（株）三光製「ＨＣＡ−ＨＱ」、リン含有量９．５％）１０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＢを作製した。

（製造例３）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、ジ三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２８部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）２８部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部とをＭＥＫ１５部、シクロヘキサノン１５部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）２７部、ナフトール系硬化剤（水酸基当量２１５、新日鐵化学（株）製「ＳＮ−４８５」、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）２７部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アミノシラン処理付き（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）７０部、反応型難燃剤（水酸基当量１６２、（株）三光製「ＨＣＡ−ＨＱ」、リン含有量９．５％）６部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」、固形分１５重量％のエタノールとトルエンの１：１溶液）３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＣを作製した。

（製造例４）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）１５部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」）３５部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）８部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫ溶液）１５部とをＭＥＫ２０部、シクロヘキサノン２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）１０部、活性エステル系硬化剤（水酸基当量２２３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、固形分６５質量％のトルエン溶液）６０部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アミノシラン処理付き（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）３００部、反応型難燃剤（水酸基当量１６２、（株）三光製「ＨＣＡ−ＨＱ」、リン含有量９．５％）６部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＤを作製した。

（製造例５）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）１０部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」）１０部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）５部とを、ＭＥＫ１０部とシクロヘキサノン１０部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）１１部、ナフトール系硬化剤（水酸基当量２１５、東都化成（株）製「ＳＮ−４８５」、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１１部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．０５部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）２０部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」、エタノールとトルエンの質量比が１：１の混合溶媒に溶解した固形分１５％の溶液）８００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＥを作製した。

（製造例６）
製造例２の硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アミノシラン処理付き（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」）３２０部を配合しないこと以外は製造例２と同様にして、樹脂組成物ワニスＦを作製した。

（製造例７）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）４０部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）８部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫ溶液）１５部とをＭＥＫ２０部、シクロヘキサノン２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）３０部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）３００部、反応型難燃剤（水酸基当量１６２、（株）三光製「ＨＣＡ−ＨＱ」、リン含有量９．５％）６部、エポキシ変性ポリブタジエン（ダイセル化学化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物ワニスＧを作製した。

（実施例１）
＜第１層の作製＞
樹脂組成物ワニスＡを、離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２μｍになるよう、ダイコータにて均一に、塗布し、１６０℃で１０分間乾燥することにより、離型ＰＥＴ上に第１層を得た。
＜第２層の作製＞
樹脂組成物ワニスＢを、離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２５μｍになるよう、ダイコータにて均一に、塗布し、８０℃から１２０℃（平均１００℃）まで６分間乾燥することにより、離型ＰＥＴ上に第２層を得た。
＜第１層と第２層の貼り合せ＞
第１層と第２層が接触するようにして、真空ラミネート（バッチ式真空加圧ラミネーターＭＶＬＰ−５００（（株）名機製作所製商品名）により、９０℃、１５秒で貼り合わせることで絶縁樹脂シートを作製した。

（実施例２）
実施例１の第１層の厚みを８μｍにしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（実施例３）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＣを用いたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（実施例４）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＤを用いたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（実施例５）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＤを用いて、厚みを１００μｍにしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例１）
実施例１の第１層の厚みを１μｍにしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例２）
実施例１の第１層の厚みを２０μｍにしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例３）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＣを用いて、厚みを５μｍにしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例４）
実施例１の第１層に樹脂組成物ワニスＥを用いて、第２層に樹脂組成物ワニスＣを用いたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例５）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層の乾燥条件を１５０℃１０分にしたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例６）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＦを用いたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

（比較例７）
実施例１の第１層の厚みを５μｍにし、第２層に樹脂組成物ワニスＧを用いたこと以外は、実施例１と同様な方法にて絶縁樹脂シートを作製した。

結果を表１に示す。

表１の結果から明らかなように、実施例１〜５の絶縁樹脂シートは優れた特性を示している。一方、比較例１では、第１層の厚みが１μｍであるため、表面平滑性が劣ってしまった。比較例２では、第１層の厚みが２０μｍであるため、第１層と第２層のレーザー加工性の調整が難しくビア形状がいびつになってしまった。比較例３では、第２層が薄く表面平滑性や埋め込み性が劣ってしまった。比較例４では、第１層の弾性率が低く、表面平滑性が劣ってしまった。比較例５では、第２層の最低溶融粘度が大きく、表面平滑性に劣り、ボイドが発生するなど埋め込み性も劣っていた。比較例６では、第２層の最低溶融粘度が小さく、ラミネート後の厚み精度が低いため、薄膜絶縁信頼性の評価が出来ないうえに、表面平滑性に劣り、樹脂の染み出しが発生するなど埋め込み性も劣っていた。比較例７では、第２層のエッチング量が小さすぎるため、ビア形状がいびつになってしまった。

本発明において、ビア形状、薄膜絶縁信頼性、表面平滑性及び埋め込み性に優れた絶縁樹脂シートを提供できるようになった。更にそれを用いた多層プリント配線板、半導体装置を提供できるようになった。更にこれらを搭載した、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ、等の電気製品や、自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機、等の乗物も提供できるようになった。

Claims (16)

1. 支持体と、
   前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第１層であって、前記第１層の弾性率が０．５ＧＰａ以上であり、前記第１層の厚みが２〜１８μｍである第１層と、
   前記第１層上に形成された、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する第２層であって、前記第２層の最低溶融粘度が１００〜１９５００ｐｏｉｓｅであり、前記第２層の厚みが１０〜１２０μｍである第２層と、を有し、
   前記第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と前記第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）が、Ｅ１／Ｅ２＝０．３〜３で表されることを特徴とする多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
2. 前記第１層の弾性率が０．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
3. 前記第１層の厚みが２〜８μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
4. 前記第１層中のエポキシ樹脂がナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂から選択される１種以上を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
5. 前記第１層中の無機充填材の平均粒径が、０．０１〜０．８μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
6. 前記第２層の最低溶融粘度が１００〜５０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
7. 前記第２層の厚みが１５〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
8. 前記第２層中の樹脂成分を１００質量％とした場合、第２層中の液状エポキシ樹脂が１〜３５質量％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
9. 第２層中の無機充填材が、表面処理剤で表面処理されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
10. 前記第１層と前記第２層との合計厚みが、１５〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
11. 前記第１層と前記第２層とが異なる材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
12. 前記第１層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ１）と前記第２層の単位面積当たりのエッチング量（Ｅ２）が、Ｅ１／Ｅ２＝０．５〜２であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の多層プリント配線板の層間絶縁層用絶縁樹脂シート。
13. 多層プリント配線板のビルドアップ層用絶縁樹脂シートであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項記載の絶縁樹脂シート。
14. （Ａ）請求項１〜１３のいずれか１項記載の絶縁樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程、
    （Ｂ）絶縁樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、
    （Ｃ）支持体を剥離する工程、
    （Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程、
    （Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程、
    （Ｆ）粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、
    を含有する多層プリント配線板の製造方法であって、
    前記（Ｄ）絶縁層に穴あけ加工してブラインドビアを形成する工程において、レーザーエネルギーが１〜６ｍＪであり、
    前記（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程において、６０〜８０℃で１０〜３０分間の酸化剤による粗化処理を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
15. 前記（Ｅ）絶縁層表面を粗化処理する工程において、５０〜８０℃で５〜２０分間の膨潤処理を行い、その後水洗処理を行い、その後酸化剤による粗化処理を行うことを特徴とする請求項１４記載の多層プリント配線板の製造方法。
16. 請求項１４又は１５に記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。