JP2017046414A5 - - Google Patents

Description

本発明の一側面に係る電力変換回路の制御方法は、上アームに含まれる第１トランジスタスイッチ素子と、上アームと対をなす下アームに含まれており第１トランジスタスイッチ素子に直列接続される第２トランジスタスイッチ素子とを有する電力変換回路の制御方法である。この制御方法は、第１トランジスタスイッチ素子の第１ゲートに、第１ゲート抵抗を介して入力される第１ゲート信号に応じて第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替えると共に、第２トランジスタスイッチ素子の第２ゲートに、第２ゲート抵抗を介して入力される第２ゲート信号に応じて第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える第１工程と、上記第１ゲート信号に応じて第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替えると共に、上記第２ゲート信号に応じて第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える第２工程と、を備える。上記第１工程では、第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、上記第１ゲート抵抗と上記第１ゲートの間に一端が接続され他端が上記第１ゲートのオフ電圧に接続されている第１バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替え、第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、上記第２ゲート抵抗と上記第２ゲートとの間に一端が接続され他端が上記第２ゲートのオフ電圧に接続されている第２バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、上記第２工程では、第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、上記第１バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、上記第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、第２バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える。

（１）本発明の一側面に係る電力変換回路の制御方法は、上アームに含まれる第１トランジスタスイッチ素子と、上アームと対をなす下アームに含まれており第１トランジスタスイッチ素子に直列接続される第２トランジスタスイッチ素子とを有する電力変換回路の制御方法である。この制御方法は、第１トランジスタスイッチ素子の第１ゲートに、第１ゲート抵抗を介して入力される第１ゲート信号に応じて第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替えると共に、第２トランジスタスイッチ素子の第２ゲートに、第２ゲート抵抗を介して入力される第２ゲート信号に応じて第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える第１工程と、上記第１ゲート信号に応じて第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替えると共に、上記第２ゲート信号に応じて第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える第２工程と、を備える。上記第１工程では、第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、上記第１ゲート抵抗と上記第１ゲートの間に一端が接続され他端が上記第１ゲートのオフ電圧に接続されている第１バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替え、第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、上記第２ゲート抵抗と上記第２ゲートとの間に一端が接続され他端が上記第２ゲートのオフ電圧に接続されている第２バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、上記第２工程では、第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、上記第１バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、上記第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、第２バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える。

Claims (7)

1. 上アームに含まれる第１トランジスタスイッチ素子と、前記上アームと対をなす下アームに含まれており前記第１トランジスタスイッチ素子に直列接続される第２トランジスタスイッチ素子とを有する電力変換回路の制御方法であって、
   前記第１トランジスタスイッチ素子の第１ゲートに、第１ゲート抵抗を介して入力される第１ゲート信号に応じて前記第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替えると共に、前記第２トランジスタスイッチ素子の第２ゲートに、第２ゲート抵抗を介して入力される第２ゲート信号に応じて前記第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える第１工程と、
   前記第１ゲート信号に応じて前記第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替えると共に、前記第２ゲート信号に応じて前記第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える第２工程と、
   を備え、
   前記第１工程では、
   前記第１トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、前記第１ゲート抵抗と前記第１ゲートの間に一端が接続され他端が前記第１ゲートのオフ電圧に接続されている第１バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替え、
   前記第２トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、前記第２ゲート抵抗と前記第２ゲートとの間に一端が接続され他端が前記第２ゲートのオフ電圧に接続されている第２バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、
   前記第２工程では、
   前記第１トランジスタスイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える際に、前記第１バイパス用スイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替え、
   前記第２トランジスタスイッチ素子をオン状態からオフ状態に切り替える際に、前記第２バイパス用スイッチ素子をオフ状態からオン状態に切り替える、
   電力変換回路の制御方法。
2. 前記第１及び第２トランジスタスイッチ素子は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、
   請求項１に記載の電力変換回路の制御方法。
3. 前記第１及び第２バイパス用スイッチ素子は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、
   請求項２に記載の電力変換回路の制御方法。
4. 前記第１及び第２バイパス用スイッチ素子の少なくとも一方は、前記電力変換回路を含む電力変換モジュール内に配置されている、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の電力変換回路の制御方法。
5. 前記第１及び第２バイパス用スイッチ素子それぞれはトランジスタスイッチ素子である、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の電力変換回路の制御方法。
6. 前記第１トランジスタスイッチ素子と前記第１バイパス用スイッチ素子とは一つの半導体チップを構成している、
   請求項５に記載の電力変換回路の制御方法。
7. 前記第２トランジスタスイッチ素子と前記第２バイパス用スイッチ素子とは一つの半導体チップを構成している、
   請求項５又は６に記載の電力変換回路の制御方法。