JP6274099B2 - 信号出力回路 - Google Patents
信号出力回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6274099B2 JP6274099B2 JP2014265365A JP2014265365A JP6274099B2 JP 6274099 B2 JP6274099 B2 JP 6274099B2 JP 2014265365 A JP2014265365 A JP 2014265365A JP 2014265365 A JP2014265365 A JP 2014265365A JP 6274099 B2 JP6274099 B2 JP 6274099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal output
- terminal
- conduction
- signal
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 claims description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6877—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the control circuit comprising active elements different from those used in the output circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K2017/066—Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
以下、第1実施形態について図1から図8を参照して説明する。図1は、特許文献1の図1相当図であり、特許文献1と同一の構成には同じ符号を付している。但し、NチャネルMOSFET145(信号出力トランジスタ)については、本実施形態では特許文献1で想定されていた素子よりもサイズが小さいものを使用することが前提である。従来使用を想定していたFETと、本実施形態で使用を想定しているFETとの特性は、例えば以下である。
従来 本実施形態
許容損失 20W 0.5W
定格ドレイン電流 5A 2A
入力容量 370pF 140pF
帰還容量 60pF 50pF
出力容量 180pF 40pF
(5.5mm+1.7mm)×6.8mm=48.96mm2
である。これに対して、図8は本実施形態で使用を想定しているFETを樹脂モールドパッケージしたものの外形サイズである。本体が占める面積は、
(4mm×4.5mm)+(2mm×1.25mm)=20.5mm2
であり、リード部分を加えても25mm2程度であるから、パッケージサイズは従来の1/2以下となっている。
図9は特許文献1の図3相当図であり、NチャネルMOSFET145に替えてPチャネルMOSFET105(信号出力トランジスタ)を用いて信号出力回路2を構成した場合を示す。この構成についても、容量補償コンデンサCを抵抗器13(第2抵抗素子)に並列に接続することで、第1実施形態と同様に、フラッシュオン/オフ現象を確実に防止できる効果が得られる。
尚、この構成における特許請求の範囲の構成要素との対応は、抵抗器107が第1抵抗素子,ダイオード17がダイオード,フォトカプラ109が信号変換素子,NPNトランジスタ15が誤動作防止トランジスタに対応する。
第1実施形態のフォトボルカプラ149と、第2実施形態のフォトカプラ109とを互いに入れ替えて用いても良い。
第1実施形態のNチャネルMOSFET145に替えて、IGBTのような電圧駆動型のトランジスタを信号出力トランジスタとして用いても良い。
Claims (1)
- 入力される電気信号を、電光変換及び光電変換して出力する信号変換素子と、
電位基準側導通端子,非電位基準側導通端子及び導通制御端子を備え、前記導通制御端子に、前記信号変換素子を介してオン信号が印加されると前記2つの導通端子間を導通させる信号出力トランジスタと、
前記信号変換素子の信号出力端子と前記電位基準側導通端子との間に接続される第1抵抗素子と、
前記信号出力端子と前記導通制御端子との間に接続される第2抵抗素子と、
この第2抵抗素子に並列に、且つ前記信号出力端子にオン信号が出力されると、前記信号出力端子と前記導通制御端子との間に電流が流れる方向に接続されるダイオードと、
前記信号出力端子に導通制御端子が接続され、電位基準側導通端子が前記信号出力トランジスタの導通制御端子に接続され、非電位基準側導通端子が前記信号出力トランジスタの電位基準導通端子に接続され、前記第2抵抗素子に前記ダイオードとは逆方向の電流が流れると自身の2つの導通端子間を導通させる誤動作防止トランジスタと、
前記第2抵抗素子に並列に接続される容量補償コンデンサとを備える信号出力回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265365A JP6274099B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 信号出力回路 |
US14/853,094 US10014857B2 (en) | 2014-12-26 | 2015-09-14 | Signal output circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265365A JP6274099B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 信号出力回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127363A JP2016127363A (ja) | 2016-07-11 |
JP6274099B2 true JP6274099B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=56165219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014265365A Active JP6274099B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 信号出力回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10014857B2 (ja) |
JP (1) | JP6274099B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019087938A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体システム及び半導体装置の制御方法 |
WO2019179951A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | British Telecommunications Public Limited Company | Passive optical sensors |
CN116455377A (zh) * | 2023-04-12 | 2023-07-18 | 宁波阔野科技有限公司 | 一种开关阵列驱动电路 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0157821U (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-11 | ||
JPH01120913A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Nippon Inter Electronics Corp | Mosfetのゲート駆動回路 |
JP2686943B2 (ja) * | 1988-01-12 | 1997-12-08 | 電気興業株式会社 | 静電誘導形トランジスタのゲート駆動回路 |
JPH08162931A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-21 | Nippondenso Co Ltd | スイッチング装置 |
JPH08242157A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Nippondenso Co Ltd | スイッチング装置 |
JP2002100969A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | スイッチング回路 |
JP2003324966A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Denso Corp | インバータ駆動回路 |
JP4333644B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2009-09-16 | 株式会社デンソーウェーブ | 通信装置及び通信制御方法 |
JP2009055078A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Sanken Electric Co Ltd | 負荷駆動回路 |
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014265365A patent/JP6274099B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-14 US US14/853,094 patent/US10014857B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10014857B2 (en) | 2018-07-03 |
JP2016127363A (ja) | 2016-07-11 |
US20160190379A1 (en) | 2016-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6402591B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2014034063A1 (ja) | 半導体装置 | |
US9094005B2 (en) | Semiconductor element module and gate drive circuit | |
JP2018093681A (ja) | 駆動回路及び該回路を含んでなる半導体モジュール | |
JP2017005698A (ja) | Igbt駆動装置 | |
JP6274099B2 (ja) | 信号出力回路 | |
JP5991939B2 (ja) | 半導体デバイス駆動回路および半導体デバイス駆動装置 | |
JP6065808B2 (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
US8638134B2 (en) | Gate drive circuit and power semiconductor module | |
US9059697B2 (en) | Drive circuit and drive method for driving normally-on-type transistor | |
US7616031B2 (en) | Hard reset and manual reset circuit assembly | |
US8994437B2 (en) | Semiconductor device and circuit for controlling potential of gate of insulated gate type switching device | |
JPH04322123A (ja) | 半導体デバイスの過負荷保護回路装置 | |
WO2014128942A1 (ja) | 半導体素子の駆動装置 | |
JP6217546B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP2016072676A (ja) | 半導体リレー | |
TWI543504B (zh) | 靜電放電防護電路 | |
JP6847641B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
US10812065B2 (en) | Power supply control apparatus | |
JP5563050B2 (ja) | ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール | |
JP2015029378A (ja) | 半導体素子モジュール及びゲート駆動回路 | |
JP6233235B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP2017175178A (ja) | ゲート駆動回路、半導体装置 | |
US20150381162A1 (en) | Low leakage analog switch | |
JP5161949B2 (ja) | モータ駆動装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6274099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |