JP2017045816A - Vacuum chuck stage - Google Patents

Vacuum chuck stage Download PDF

Info

Publication number
JP2017045816A
JP2017045816A JP2015166333A JP2015166333A JP2017045816A JP 2017045816 A JP2017045816 A JP 2017045816A JP 2015166333 A JP2015166333 A JP 2015166333A JP 2015166333 A JP2015166333 A JP 2015166333A JP 2017045816 A JP2017045816 A JP 2017045816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base plate
hole
push
suction
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015166333A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6513527B2 (en
Inventor
俊太 菅井
Shiyunta Sugai
俊太 菅井
豊田 正人
Masato Toyoda
正人 豊田
民雄 松村
Tamio Matsumura
民雄 松村
和成 中田
Kazunari Nakada
和成 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2015166333A priority Critical patent/JP6513527B2/en
Publication of JP2017045816A publication Critical patent/JP2017045816A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6513527B2 publication Critical patent/JP6513527B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow a worker to easily replace only a suction member without touching a vacuum seal member, while preventing the pressure of a suction member for sucking an object from lowering.SOLUTION: A base plate 30 in a vacuum chuck stage includes a first hole (51), formed at a position overlapping a suction member 10 so as to penetrate from the upper surface to the lower surface of the base plate, and vacuum sucking an object (1) to the upper surface of the suction member through the suction member by vacuum drawing, and a second hole (33) formed at a position overlapping the suction member and not overlapping the first hole, and penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate. The suction member is separated from the upper surface of the base plate, by inserting a push-up member into the second hole.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本明細書に開示される技術は、真空チャックステージに関し、特に、半導体ウエハなどの対象物を固定するための真空チャックステージに関するものである。   The technology disclosed in this specification relates to a vacuum chuck stage, and more particularly to a vacuum chuck stage for fixing an object such as a semiconductor wafer.

半導体ウエハを吸着する真空チャックステージを用いて半導体ウエハを吸着する際に、真空チャックステージのチャックテーブルと半導体ウエハとの間に、たとえば、数十μm程度以上数百μm程度以下の大きさの異物が挟まる場合がある。その場合、チャックテーブル上に固着した当該異物が、半導体ウエハ表面を継続的に傷つけてしまい、チャックテーブルの交換が必要となる場合がある。   When a semiconductor wafer is adsorbed using a vacuum chuck stage that adsorbs a semiconductor wafer, for example, a foreign material having a size of about several tens of μm to several hundreds of μm between the chuck table of the vacuum chuck stage and the semiconductor wafer. May get caught. In that case, the foreign matter fixed on the chuck table may continuously damage the surface of the semiconductor wafer, and the chuck table may need to be replaced.

これに対し、たとえば、特許文献1に例示されるように、チャックテーブルの交換作業における負担を軽減するために、第1テーブルと第2テーブルとに分割されたチャックテーブルを備えるものがある。   On the other hand, as exemplified in Patent Document 1, for example, there is a type that includes a chuck table that is divided into a first table and a second table in order to reduce the burden of the chuck table replacement work.

特開2014−093384号公報JP 2014-093384 A

従来の真空チャックステージには、半導体ウエハを吸着する吸着部材と、平面視において吸着部材を囲む真空シール部材とを備えるものがある。当該構成では、吸着部材と真空シール部材とが1つの平坦面を形成する。   Some conventional vacuum chuck stages include an adsorption member that adsorbs a semiconductor wafer and a vacuum seal member that surrounds the adsorption member in plan view. In this configuration, the suction member and the vacuum seal member form one flat surface.

上記の構成である真空チャックステージでは、半導体ウエハを吸着する吸着面に不具合などが生じた場合、一般に、吸着部材と真空シール部材とを同時に交換することとなるため、1回当たりの交換費用が高くなり、交換頻度を低下させる要因となる場合があった。   In the vacuum chuck stage having the above-described configuration, when a problem occurs on the suction surface that sucks the semiconductor wafer, generally, the suction member and the vacuum seal member are replaced at the same time. In some cases, the frequency becomes higher and the frequency of replacement decreases.

交換費用を抑える観点から、吸着部材のみを交換する場合、作業者が吸着部材の外周部分を囲う真空シール部材に意図せず接触してしまい、真空シール部材に傷または汚染が生じる場合があった。   From the viewpoint of reducing the replacement cost, when only the suction member is replaced, the operator may unintentionally contact the vacuum seal member surrounding the outer periphery of the suction member, which may cause scratches or contamination of the vacuum seal member. .

一方で、真空シール部材を取り除くと、半導体ウエハの吸着時に外気が吸着部材側面へと流入するため、吸着部材の半導体ウエハを吸着する圧力を低下させる。よって、半導体ウエハを適切に吸着し、かつ、固定することができない場合があった。   On the other hand, when the vacuum seal member is removed, outside air flows into the side surface of the adsorption member when the semiconductor wafer is adsorbed, so that the pressure for adsorbing the semiconductor wafer of the adsorption member is reduced. Therefore, there are cases where the semiconductor wafer cannot be properly adsorbed and fixed.

本明細書に開示される技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、吸着部材の対象物を吸着する圧力の低下を防止しつつ、作業者が真空シール部材に触れずに吸着部材のみを容易に交換することができる真空チャックステージに関するものである。   The technology disclosed in the present specification is for solving the above-described problems, and prevents the operator from touching the vacuum seal member while preventing a decrease in pressure for sucking the object of the suction member. The present invention relates to a vacuum chuck stage in which only the suction member can be easily replaced.

本明細書に開示される技術の一態様に関する真空チャックステージは、ベースプレートと、前記ベースプレートの上面に配置される吸着部材と、前記ベースプレートの上面に、平面視において前記吸着部材を囲んで配置される第1シール部材と、前記ベースプレートの下方に配置される突き上げ部材とを備え、前記ベースプレートは、平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する、真空引きされることで前記吸着部材を介して前記吸着部材の上面に対象物を真空吸着するための第1孔と、平面視において前記吸着部材と重なるとともに前記第1孔とは重ならない位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する第2孔とを備え、前記突き上げ部材が前記第2孔に挿入されることで、前記吸着部材が前記ベースプレートの上面から離間する。   A vacuum chuck stage according to an aspect of the technology disclosed in this specification includes a base plate, an adsorption member disposed on an upper surface of the base plate, and an upper surface of the base plate so as to surround the adsorption member in a plan view. A vacuum that includes a first seal member and a push-up member disposed below the base plate, wherein the base plate is formed at a position overlapping the adsorption member in plan view and penetrates from the upper surface to the lower surface of the base plate By being pulled, a first hole for vacuum-adsorbing an object on the upper surface of the suction member via the suction member is formed at a position that overlaps the suction member and does not overlap the first hole in plan view. And a second hole penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate, the push-up member being the first By being inserted into the hole, the suction member is separated from the upper surface of the base plate.

本明細書に開示される技術の一態様に関する真空チャックステージは、ベースプレートと、前記ベースプレートの上面に配置される吸着部材と、前記ベースプレートの上面に、平面視において前記吸着部材を囲んで配置される第1シール部材と、前記ベースプレートの下方に配置される突き上げ部材とを備え、前記ベースプレートは、平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する、真空引きされることで前記吸着部材を介して前記吸着部材の上面に対象物を真空吸着するための第1孔と、平面視において前記吸着部材と重なるとともに前記第1孔とは重ならない位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する第2孔とを備え、前記突き上げ部材が前記第2孔に挿入されることで、前記吸着部材が前記ベースプレートの上面から離間する。   A vacuum chuck stage according to an aspect of the technology disclosed in this specification includes a base plate, an adsorption member disposed on an upper surface of the base plate, and an upper surface of the base plate so as to surround the adsorption member in a plan view. A vacuum that includes a first seal member and a push-up member disposed below the base plate, wherein the base plate is formed at a position overlapping the adsorption member in plan view and penetrates from the upper surface to the lower surface of the base plate By being pulled, a first hole for vacuum-adsorbing an object on the upper surface of the suction member via the suction member is formed at a position that overlaps the suction member and does not overlap the first hole in plan view. And a second hole penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate, the push-up member being the first By being inserted into the hole, the suction member is separated from the upper surface of the base plate.

このような構成によれば、平面視において吸着部材を囲んで配置される第1シール部材によって、吸着部材の対象物を吸着する圧力の低下を防止することができる。また、突き上げ部材が第2孔に挿入されることで、吸着部材がベースプレートの上面から離間するため、作業者が第1シール部材に触れずに吸着部材のみを容易に交換することができる。   According to such a structure, the fall of the pressure which adsorb | sucks the target object of an adsorption | suction member can be prevented by the 1st seal member arrange | positioned surrounding a adsorption | suction member in planar view. Moreover, since the suction member is separated from the upper surface of the base plate by inserting the push-up member into the second hole, only the suction member can be easily replaced without the operator touching the first seal member.

本明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。   The objectives, features, aspects, and advantages of the technology disclosed in this specification will become more apparent from the detailed description and the accompanying drawings provided below.

実施形態に関する、真空チャックステージを実現するための構成を例示する平面図である。It is a top view which illustrates the composition for realizing a vacuum chuck stage about an embodiment. 実施形態に関する、真空チャックステージを実現するための構成を部分的に透過させて例示する側面図である。It is a side view which permeate | transmits the structure for implement | achieving a vacuum chuck stage regarding an embodiment partially, and illustrates. 実施形態に関する、真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する平面図である。It is a top view which illustrates the composition except the adsorption member of a vacuum chuck stage about an embodiment. 実施形態に関する、真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する下面図である。It is a bottom view which illustrates the composition except an adsorption member of a vacuum chuck stage about an embodiment. 実施形態に関する、真空チャックステージの突き上げ機構が下方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。It is a side view which permeate | transmits partially the state which the raising mechanism of the vacuum chuck stage regarding the embodiment act | operated below, and illustrates. 実施形態に関する、真空チャックステージの突き上げ機構が上方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。It is a side view which permeate | transmits partially the state which the push-up mechanism of the vacuum chuck stage act | operated upward regarding an embodiment, and illustrates. 実施形態に関する真空チャックステージの、吸着部材における吸着プレートの構成を例示する平面図である。It is a top view which illustrates the composition of the adsorption plate in the adsorption member of the vacuum chuck stage concerning an embodiment. 実施形態に関する真空チャックステージの、吸着部材における吸着プレートの構成を例示する下面図である。It is a bottom view which illustrates the structure of the suction plate in the suction member of the vacuum chuck stage regarding the embodiment. 実施形態に関する、真空チャックステージの吸着部材の構成を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the structure of the adsorption member of the vacuum chuck stage regarding embodiment. 実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第1構造を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the 1st structure of the raising pin and its accommodating part of the vacuum chuck stage regarding embodiment. 実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第2構造を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the 2nd structure of the raising pin and its accommodating part of the vacuum chuck stage regarding embodiment.

以下、添付される図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示される画像の大きさと位置との相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。   Embodiments will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the drawings are schematically shown, and the mutual relationship between the size and position of images shown in different drawings is not necessarily described accurately, and can be changed as appropriate. Moreover, in the description shown below, the same code | symbol is attached | subjected and shown in the same component, and it is the same also about those names and functions. Therefore, the detailed description about them may be omitted.

また、以下に示される説明において、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。   In the explanation given below, terms that mean a specific position and direction such as “top”, “bottom”, “side”, “bottom”, “front” or “back” may be used. However, these terms are used for convenience in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment, and are not related to the direction in which they are actually implemented.

<第1実施形態>
以下、本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。
<First Embodiment>
Hereinafter, the vacuum chuck stage according to this embodiment will be described.

<構成>
図1は、本実施形態に関する真空チャックステージを実現するための構成を例示する平面図である。また、図2は、本実施形態に関する真空チャックステージを実現するための構成を部分的に透過させて例示する側面図である。
<Configuration>
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration for realizing a vacuum chuck stage according to this embodiment. FIG. 2 is a side view illustrating the configuration for realizing the vacuum chuck stage according to the present embodiment with a partial transmission.

図3は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する平面図である。また、図4は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する下面図である。   FIG. 3 is a plan view illustrating the configuration excluding the suction member of the vacuum chuck stage according to this embodiment. FIG. 4 is a bottom view illustrating the configuration excluding the suction member of the vacuum chuck stage according to this embodiment.

図1および図2に例示されるように、ベースプレート30の上面に、吸着部材10および真空シール部材20が配置される。吸着部材10のベースプレート30を吸着する吸着面には、複数の孔10aが形成される。なお、孔10aは、たとえば、溝形状であってもよい。また、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面には、複数の孔10bが形成される。なお、孔10bは、たとえば、溝形状であってもよい。   As illustrated in FIGS. 1 and 2, the suction member 10 and the vacuum seal member 20 are disposed on the upper surface of the base plate 30. A plurality of holes 10 a are formed in the suction surface that sucks the base plate 30 of the suction member 10. The hole 10a may be, for example, a groove shape. A plurality of holes 10b are formed in the suction surface of the suction member 10 that sucks the semiconductor wafer 1. The hole 10b may have a groove shape, for example.

図1に例示されるように、平面視において、真空シール部材20は、吸着部材10を囲んで配置される。   As illustrated in FIG. 1, the vacuum seal member 20 is disposed so as to surround the suction member 10 in a plan view.

また、図2に例示されるように、ベースプレート30の、吸着部材10および真空シール部材20が配置される上面には、真空シール部材20を固定するための溝32が形成される。また、ベースプレート30の上面における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、吸着部材10吸着するための溝31が形成される。溝31内が真空引きされることによって、ベースプレート30と吸着部材10とが固定される。なお、溝31は、孔形状であってもよい。   Further, as illustrated in FIG. 2, a groove 32 for fixing the vacuum seal member 20 is formed on the upper surface of the base plate 30 on which the suction member 10 and the vacuum seal member 20 are arranged. A groove 31 for adsorbing the adsorbing member 10 is formed on the upper surface of the base plate 30 on the inner side in a plan view of a region where the groove 32 is formed. By evacuating the inside of the groove 31, the base plate 30 and the suction member 10 are fixed. The groove 31 may have a hole shape.

また、図2に例示されるように、ベースプレート30における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、後述する突き上げピンが挿入される貫通孔33が形成される。貫通孔33は、ベースプレート30の上面からベースプレート30の下面へ貫通する孔である。図3に例示されるように、溝31と貫通孔33とは、平面視において重ならない位置に形成される。貫通孔33は、ベースプレート30の上面において溝31内には位置しない。   Further, as illustrated in FIG. 2, a through hole 33 into which a push-up pin described later is inserted is formed inside the base plate 30 in a plan view of a region where the groove 32 is formed. The through hole 33 is a hole that penetrates from the upper surface of the base plate 30 to the lower surface of the base plate 30. As illustrated in FIG. 3, the groove 31 and the through hole 33 are formed at positions that do not overlap in a plan view. The through hole 33 is not located in the groove 31 on the upper surface of the base plate 30.

また、ベースプレート30の上面における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、吸着部材10の位置決めのためのピン35が形成される。ピン35は、溝31および貫通孔33とは、平面視において重ならない位置に形成される。   A pin 35 for positioning the suction member 10 is formed on the upper surface of the base plate 30 on the inner side in a plan view of the region where the groove 32 is formed. The pin 35 is formed at a position where the groove 31 and the through hole 33 do not overlap with each other in plan view.

また、図2に例示されるように、ベースプレート30の下面から上面に貫通する真空配管51が形成される。真空配管51は、溝31内に位置する。   Further, as illustrated in FIG. 2, a vacuum pipe 51 penetrating from the lower surface to the upper surface of the base plate 30 is formed. The vacuum pipe 51 is located in the groove 31.

真空シール部材20は、半導体ウエハ1の外周部分と接触して配置され、かつ、リング形状である低反発の弾性体である。真空シール部材20の材料には、たとえば、比較的硬度が低いフッ素ゴムスポンジなどが用いられる。真空シール部材20が接触する半導体ウエハ1は、たとえば、直径8インチサイズ、または、直径6インチサイズである。また、真空シール部材20が接触する半導体ウエハ1の外周部分は、デバイス無効領域に相当する。また、真空シール部材20は、半導体ウエハ1のデバイス無効領域の直径方向の幅に対応する幅を有する。   The vacuum seal member 20 is a low-rebound elastic body that is disposed in contact with the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 1 and has a ring shape. As a material of the vacuum seal member 20, for example, a fluorine rubber sponge having a relatively low hardness is used. The semiconductor wafer 1 with which the vacuum seal member 20 contacts is, for example, 8 inches in diameter or 6 inches in diameter. Further, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 1 with which the vacuum seal member 20 contacts corresponds to a device invalid area. The vacuum seal member 20 has a width corresponding to the width in the diameter direction of the device invalid region of the semiconductor wafer 1.

図2に例示されるように、平面視において真空シール部材20に囲まれて配置される吸着部材10の、ベースプレート30を吸着する吸着面には複数の孔10aが形成される。また、図1に例示されるように、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面には、複数の孔10bが形成される。   As illustrated in FIG. 2, a plurality of holes 10 a are formed in the suction surface that sucks the base plate 30 of the suction member 10 that is disposed so as to be surrounded by the vacuum seal member 20 in plan view. Further, as illustrated in FIG. 1, a plurality of holes 10 b are formed on the suction surface of the suction member 10 that sucks the semiconductor wafer 1.

また、吸着部材10のベースプレート30を吸着する吸着面には、突き上げピン42の配置に対応する複数の位置決め窪み13と、ベースプレート30に対応するベースプレートの位置決めのための位置決め窪み14とが形成される。複数の位置決め窪み13は、突き上げピン42の位置決めのための窪みである。   A plurality of positioning recesses 13 corresponding to the arrangement of the push-up pins 42 and a positioning recess 14 for positioning the base plate corresponding to the base plate 30 are formed on the suction surface of the suction member 10 that sucks the base plate 30. . The plurality of positioning recesses 13 are recesses for positioning the push-up pins 42.

吸着部材10は、たとえば、無数に入り組んだ気孔によって形成されるポーラス状の多孔質体であってもよい。吸着部材10が当該材料から形成される場合、薄い半導体ウエハ1に生じさせる反りを小さく抑制しつつ、半導体ウエハ1を吸着し、かつ、固定することができる。   The adsorbing member 10 may be, for example, a porous porous body formed by innumerable pores. When the adsorbing member 10 is formed of the material, the semiconductor wafer 1 can be adsorbed and fixed while suppressing the warp generated in the thin semiconductor wafer 1.

また、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面は、真空シール部材20の上面よりも低く配置されてもよい。吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面が、真空シール部材20の上面よりも低く配置された場合には、半導体ウエハ1を吸着する際に、真空シール部材20の上面の高さが、半導体ウエハ1の無効領域によって吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面の高さまで押し下げられる。そのため、真空シール部材20の弾性力によって、半導体ウエハ1の外周部分と真空シール部材20との間の密着度が高まる。   Further, the suction surface of the suction member 10 that sucks the semiconductor wafer 1 may be disposed lower than the upper surface of the vacuum seal member 20. When the suction surface for sucking the semiconductor wafer 1 of the suction member 10 is disposed lower than the upper surface of the vacuum seal member 20, the height of the upper surface of the vacuum seal member 20 is determined when the semiconductor wafer 1 is sucked. The inactive area of the semiconductor wafer 1 is pushed down to the height of the suction surface of the suction member 10 that sucks the semiconductor wafer 1. Therefore, the degree of adhesion between the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 1 and the vacuum seal member 20 is increased by the elastic force of the vacuum seal member 20.

図2および図4に例示されるように、ベースプレート30の下方には、突き上げ機構40が配置される。突き上げ機構40は、突き上げピン42の保持板41と、複数の突き上げピン42と、つまみ43と、突き上げピン42の保持板41のガイド留め44と、保持板41の複数のガイド45とを備える。   As illustrated in FIGS. 2 and 4, a push-up mechanism 40 is disposed below the base plate 30. The push-up mechanism 40 includes a holding plate 41 of the push-up pin 42, a plurality of push-up pins 42, a knob 43, a guide clamp 44 of the holding plate 41 of the push-up pin 42, and a plurality of guides 45 of the holding plate 41.

複数の突き上げピン42は、先端42aの高さが互いに等しくなるように、保持板41に垂直上向きに固定される。図2、図3および図4に例示されるように、突き上げピン42の平面視における位置は、ベースプレート30に形成された貫通孔33の平面視における位置と等しい。そして、図2および図3に例示されるように、突き上げピン42は、ベースプレート30に形成された貫通孔33内に挿入される。   The plurality of push-up pins 42 are fixed vertically upward to the holding plate 41 so that the tips 42a have the same height. As illustrated in FIGS. 2, 3, and 4, the position of the push-up pin 42 in plan view is equal to the position of the through hole 33 formed in the base plate 30 in plan view. As illustrated in FIGS. 2 and 3, the push-up pin 42 is inserted into the through hole 33 formed in the base plate 30.

複数のガイド45は、ベースプレート30の下面において垂直下向きに固定される。そして、各ガイド45は、図4に例示されるように、保持板41のたとえば、四隅をそれぞれ貫通し、下端においてガイド留め44がそれぞれ取り付けられる。保持板41は、ガイド45に沿って垂直方向に稼働することができる。   The plurality of guides 45 are fixed vertically downward on the lower surface of the base plate 30. Then, as illustrated in FIG. 4, each guide 45 penetrates, for example, four corners of the holding plate 41, and a guide clasp 44 is attached at the lower end. The holding plate 41 can operate in the vertical direction along the guide 45.

保持板41の稼働範囲は、上端が、ベースプレート30の下面に接触する位置であり、下端が、ガイド45の下端に取り付けられたガイド留め44に接触する位置である。作業者が突き上げ機構40を上下に稼働させやすいように、保持板41の側面に、保持板41の稼働を制御するためのつまみ43が取り付けられる。   The operating range of the holding plate 41 is a position where the upper end is in contact with the lower surface of the base plate 30, and the lower end is a position in contact with the guide clasp 44 attached to the lower end of the guide 45. A knob 43 for controlling the operation of the holding plate 41 is attached to the side surface of the holding plate 41 so that the operator can easily operate the push-up mechanism 40 up and down.

ベースプレート30の下方には、支持柱50が配置される。支持柱50は、少なくとも、ベースプレート30および突き上げ機構40を、所定の平行度に維持しつつ固定する。   A support column 50 is disposed below the base plate 30. The support column 50 fixes at least the base plate 30 and the push-up mechanism 40 while maintaining a predetermined parallelism.

支持柱50の内部には、真空配管51が配置される。真空配管51は、ベースプレート30および突き上げ機構40を貫通する配管である。真空配管51は、平面視において吸着部材10と重なる位置に形成される。さらに、真空配管51は、溝31内に到達する。図3に例示される場合では、ベースプレート30の上面の中央付近に形成された溝31の内部に到達する。   A vacuum pipe 51 is disposed inside the support column 50. The vacuum pipe 51 is a pipe that penetrates the base plate 30 and the push-up mechanism 40. The vacuum pipe 51 is formed at a position overlapping the suction member 10 in plan view. Furthermore, the vacuum pipe 51 reaches into the groove 31. In the case illustrated in FIG. 3, it reaches the inside of the groove 31 formed near the center of the upper surface of the base plate 30.

真空配管51は、ベースプレート30の上面における溝31内と、外部の真空源(ここでは、図示しない)とを接続する。そして、真空源の電磁弁(ここでは、図示しない)などを用いて真空配管51が真空引きされることで、吸着部材10を介して吸着部材10の上面に半導体ウエハ1が真空吸着される。   The vacuum pipe 51 connects the inside of the groove 31 on the upper surface of the base plate 30 to an external vacuum source (not shown here). Then, the vacuum piping 51 is evacuated using an electromagnetic valve (not shown here) of a vacuum source, so that the semiconductor wafer 1 is vacuum-sucked on the upper surface of the suction member 10 via the suction member 10.

<作用>
図5は、本実施形態に関する真空チャックステージの突き上げ機構40が下方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。また、図6は、本実施形態に関する真空チャックステージの突き上げ機構40が上方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。なお、簡単のため、図5および図6において、吸着部材10における孔10aおよび孔10bは図示が省略される。
<Action>
FIG. 5 is a side view illustrating the state in which the push-up mechanism 40 of the vacuum chuck stage according to the present embodiment is operated downward, partially transmissively. FIG. 6 is a side view illustrating the state in which the push-up mechanism 40 of the vacuum chuck stage according to the present embodiment is operated upward, partially transmissively. For simplicity, in FIGS. 5 and 6, the holes 10 a and the holes 10 b in the adsorption member 10 are not shown.

保持板41は、図5および図6に例示されるように、作業者(ここでは、図示しない)の操作により、ガイド45に沿って上下方向に動く。それに連動して、突き上げピン42は、ベースプレート30の上面における貫通孔33から出入りする。   As illustrated in FIGS. 5 and 6, the holding plate 41 moves in the vertical direction along the guide 45 by the operation of an operator (not shown here). In conjunction with this, the push-up pin 42 enters and exits from the through hole 33 on the upper surface of the base plate 30.

ベースプレート30の上面から突き出した突き上げピン42の先端42aが、吸着部材10を垂直上向きに押し上げると、図6に例示されるように、真空シール部材20と吸着部材10との距離が所定の間隔よりも広がる。逆に、ベースプレート30の上面における突き上げピン42の先端42aが、吸着部材10を垂直下向きに下げると、図5に例示されるように、真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも狭まる。真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも狭まることにより、真空シール部材20および吸着部材10が、半導体ウエハ1の表面を固定可能となる。   When the tip 42a of the push-up pin 42 protruding from the upper surface of the base plate 30 pushes up the suction member 10 vertically upward, as shown in FIG. 6, the distance between the vacuum seal member 20 and the suction member 10 is larger than a predetermined distance. Also spread. Conversely, when the tip 42a of the push-up pin 42 on the upper surface of the base plate 30 lowers the suction member 10 vertically downward, the distance between the vacuum seal member 20 and the suction member 10 is predetermined as illustrated in FIG. It becomes narrower than the interval. When the distance between the vacuum seal member 20 and the suction member 10 is narrower than a predetermined distance, the vacuum seal member 20 and the suction member 10 can fix the surface of the semiconductor wafer 1.

この場合、突き上げピン42の先端42aが吸着部材10の位置決め窪み13に嵌まる位置、すなわち、平面視において、位置決め窪み13と貫通孔33とが重なる位置に、吸着部材10の位置を調整すれば、突き上げピン42を下げる際に吸着部材10と真空シール部材20とが接触することを防ぐことができる。さらに、吸着部材10がベースプレート30の上面に位置した際に、ピン35が位置決め窪み14に嵌まることで、吸着部材10がベースプレート30の上面における所定の位置に精度よく配置される。   In this case, if the position of the suction member 10 is adjusted to a position where the tip 42a of the push-up pin 42 fits in the positioning recess 13 of the suction member 10, that is, a position where the positioning recess 13 and the through hole 33 overlap in plan view. When the push-up pin 42 is lowered, the suction member 10 and the vacuum seal member 20 can be prevented from contacting each other. Further, when the suction member 10 is positioned on the upper surface of the base plate 30, the pin 35 is fitted into the positioning recess 14, so that the suction member 10 is accurately placed at a predetermined position on the upper surface of the base plate 30.

突き上げピン42が吸着部材10を垂直上向きに押し上げることで、真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも広がるため、作業者が吸着部材10を交換する際に、意図せず真空シール部材20に触れてしまうことを抑制することができる。よって、吸着部材10を平面視において囲む真空シール部材20に傷または汚染を生じさせずに、吸着部材10のみを取り外すことができる。   Since the push-up pin 42 pushes up the suction member 10 vertically upward, the distance between the vacuum seal member 20 and the suction member 10 becomes wider than a predetermined interval. Therefore, when the operator replaces the suction member 10, Without touching, the vacuum seal member 20 can be suppressed. Therefore, only the suction member 10 can be removed without causing scratches or contamination on the vacuum seal member 20 surrounding the suction member 10 in plan view.

また、吸着部材10をベースプレート30の上面における所定の位置に再度配置する場合に、突き上げピン42の先端42aが吸着部材10の位置決め窪み13に嵌まる位置に吸着部材10を位置調整すれば、突き上げピン42を下げて吸着部材10を配置する際に、真空シール部材20と吸着部材10とが接触することを防ぐことができる。よって、真空シール部材20または吸着部材10に、傷または汚染を生じさせることを防ぐことができる。   Further, when the suction member 10 is disposed again at a predetermined position on the upper surface of the base plate 30, if the suction member 10 is adjusted to a position where the tip 42 a of the push-up pin 42 fits in the positioning recess 13 of the suction member 10, the push-up is pushed up. When the suction member 10 is disposed with the pin 42 lowered, the vacuum seal member 20 and the suction member 10 can be prevented from contacting each other. Therefore, it is possible to prevent the vacuum seal member 20 or the suction member 10 from being scratched or contaminated.

さらに、本実施形態に関する真空チャックステージは、吸着部材10が真空シール部材20に囲まれるため、外気が吸着部材10の側面へと流入し、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する圧力が低下することを防止することができる。   Furthermore, since the suction member 10 is surrounded by the vacuum seal member 20 in the vacuum chuck stage according to this embodiment, the outside air flows into the side surface of the suction member 10 and the pressure at which the suction member 10 sucks the semiconductor wafer 1 is reduced. This can be prevented.

以上より、デバイス有効領域である半導体ウエハ1の中央付近に吸着部材10が接触し、かつ、デバイス無効領域である半導体ウエハ1の外周部分に真空シール部材20が接触するように各構成を配置すれば、デバイス有効領域に接触する吸着部材10のみを容易に交換することができる。よって、交換費用と製品歩留まりとの間の費用対効果が向上する。   As described above, the components are arranged so that the suction member 10 is in contact with the vicinity of the center of the semiconductor wafer 1 that is the device effective region and the vacuum seal member 20 is in contact with the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 1 that is the device ineffective region. For example, it is possible to easily replace only the suction member 10 that contacts the device effective area. Therefore, the cost effectiveness between the replacement cost and the product yield is improved.

ここで、突き上げピン42が吸着部材10を垂直上向きに押し上げた状態で一時的に固定されるように、つまみ43とガイド45とにロック機構が設けられてもよい。   Here, a lock mechanism may be provided on the knob 43 and the guide 45 so that the push-up pin 42 is temporarily fixed in a state where the suction member 10 is pushed upward vertically.

また、支持柱50は、たとえば、外部の回転動力部(ここでは、図示しない)と接続され、真空チャックステージを回転させるものであってもよい。   Further, the support column 50 may be connected to, for example, an external rotational power unit (not shown here) and rotate the vacuum chuck stage.

また、突き上げ機構40の上下方向の稼働は、作業者の手作業によるものに限られず、電力で駆動する機械的な動力によるものであってもよい。   Further, the operation of the push-up mechanism 40 in the vertical direction is not limited to manual operation by an operator, and may be mechanical power driven by electric power.

また、本実施形態に関する真空チャックステージは、半導体ウエハ1の強固な固定を必要とする、半導体ウエハ1を研削する加工装置、または、半導体ウエハ1をドライエアによって洗浄する洗浄装置などに用いられることが好ましい。   Further, the vacuum chuck stage according to the present embodiment is used in a processing apparatus for grinding the semiconductor wafer 1 or a cleaning apparatus for cleaning the semiconductor wafer 1 with dry air, which requires the semiconductor wafer 1 to be firmly fixed. preferable.

また、真空チャックステージへの半導体ウエハ1の配置は、半導体ウエハ搬送部(ここでは、図示しない)によって行われる。半導体ウエハ搬送部における半導体ウエハ1の吸着方法としては、一般的な真空吸着による方法を想定することができる。ここで、半導体ウエハ1の中心位置が真空チャックステージの中心位置に一致するように、半導体ウエハ搬送部によって調整されることが望ましい。   Further, the semiconductor wafer 1 is placed on the vacuum chuck stage by a semiconductor wafer transfer unit (not shown here). As a suction method of the semiconductor wafer 1 in the semiconductor wafer transfer unit, a general vacuum suction method can be assumed. Here, it is desirable that the adjustment is performed by the semiconductor wafer transfer unit so that the center position of the semiconductor wafer 1 coincides with the center position of the vacuum chuck stage.

半導体ウエハ搬送部は、図5に例示されるような、突き上げ機構40の保持板41が下がった状態で、半導体ウエハ1を、吸着部材10の表面と向かい合わせ、かつ、吸着部材10から一定の距離だけ離して位置決めする。その後、半導体ウエハ搬送部による半導体ウエハ1の吸着を解除し、さらに、真空チャックステージにおける吸着を開始することで、半導体ウエハ1が半導体ウエハ搬送部から真空チャックステージへ受け渡される。   The semiconductor wafer transfer unit faces the surface of the suction member 10 with the holding plate 41 of the push-up mechanism 40 lowered as illustrated in FIG. Position them apart by a distance. Thereafter, the suction of the semiconductor wafer 1 by the semiconductor wafer transfer unit is released, and further, the suction at the vacuum chuck stage is started, whereby the semiconductor wafer 1 is transferred from the semiconductor wafer transfer unit to the vacuum chuck stage.

<第2実施形態>
本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
Second Embodiment
A vacuum chuck stage according to this embodiment will be described. In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

<構成>
図7は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材における吸着プレートの構成を例示する平面図である。図8は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材における吸着プレートの構成を例示する下面図である。
<Configuration>
FIG. 7 is a plan view illustrating the configuration of the suction plate in the suction member of the vacuum chuck stage according to this embodiment. FIG. 8 is a bottom view illustrating the configuration of the suction plate in the suction member of the vacuum chuck stage according to this embodiment.

また、図9は、本実施形態に関する真空チャックステージの、吸着部材の構成を例示する断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the suction member of the vacuum chuck stage according to this embodiment.

本実施形態で用いられる吸着部材110は、下面11aにベースプレート30を吸着する吸着プレート11と、上面12bに半導体ウエハ1を吸着する多孔質シート12とを備える。   The adsorption member 110 used in the present embodiment includes an adsorption plate 11 that adsorbs the base plate 30 to the lower surface 11a, and a porous sheet 12 that adsorbs the semiconductor wafer 1 to the upper surface 12b.

吸着プレート11の上面11bには、図7および図9に例示されるように、吸着プレート11の上面11bから下面11aに貫通する貫通孔11cと、溝11dとが形成される。貫通孔11cは、溝11d内に達する。なお、溝11dは、吸着プレート11の上面11bの全体に広がる形状であってもよい。   As illustrated in FIGS. 7 and 9, a through hole 11 c that penetrates from the upper surface 11 b of the suction plate 11 to the lower surface 11 a and a groove 11 d are formed on the upper surface 11 b of the suction plate 11. The through hole 11c reaches into the groove 11d. The groove 11d may have a shape that extends over the entire upper surface 11b of the suction plate 11.

吸着プレート11の下面11aには、図8および図9に例示されるように、吸着プレート11の上面11bから下面11aに貫通する貫通孔11cと、突き上げピン42の位置決めのための複数の位置決め窪み11eとが形成される。貫通孔11cと位置決め窪み11eとは、平面視において重ならない位置に配置される。また、吸着プレート11の下面11aには、位置決め窪み14が形成される。   As shown in FIGS. 8 and 9, the lower surface 11 a of the suction plate 11 includes a through hole 11 c that penetrates from the upper surface 11 b to the lower surface 11 a of the suction plate 11 and a plurality of positioning recesses for positioning the push-up pins 42. 11e is formed. The through hole 11c and the positioning recess 11e are arranged at positions that do not overlap in plan view. A positioning recess 14 is formed on the lower surface 11 a of the suction plate 11.

ピン35が位置決め窪み14に嵌まることにより、吸着プレート11がベースプレート30の上面における所定の位置に精度よく配置される。このとき、吸着プレート11に設けられた貫通孔11cと、ベースプレート30の溝31とが重なる。   By fitting the pin 35 in the positioning recess 14, the suction plate 11 is accurately arranged at a predetermined position on the upper surface of the base plate 30. At this time, the through hole 11 c provided in the suction plate 11 and the groove 31 of the base plate 30 overlap.

無数に入り組んだ気孔を含むポーラス状の多孔質シート12は、吸着プレート11の上面11bに配置される。そして、溝11dと多孔質シート12の下面12aとが真空接続される。なお、吸着プレート11の上面11bと多孔質シート12の下面12aとは、厚み数十μm程度の両面テープ(ここでは、図示しない)などで全体の一部が接着されることによって、互いに固定されてもよい。   The porous porous sheet 12 including innumerable pores is disposed on the upper surface 11 b of the suction plate 11. And the groove | channel 11d and the lower surface 12a of the porous sheet 12 are vacuum-connected. The upper surface 11b of the suction plate 11 and the lower surface 12a of the porous sheet 12 are fixed to each other by being partly bonded with a double-sided tape (not shown here) having a thickness of about several tens of μm. May be.

真空チャックステージの動作は、第1実施形態と同様である。すなわち、吸着プレート11と多孔質シート12とを備える吸着部材110は、ベースプレート30の上面から突き出した突き上げピン42の先端42aが吸着部材110を垂直上方向に押し上げると、真空シール部材20と吸着部材110との間の距離が所定の間隔よりも広がる。逆に、突き上げピン42の先端42aが吸着部材110を下方向に下げると、真空シール部材20と吸着部材110との間の距離が狭まり、真空チャックステージにおいて、半導体ウエハ1の表面を固定可能な吸着面が形成される。   The operation of the vacuum chuck stage is the same as in the first embodiment. That is, the suction member 110 including the suction plate 11 and the porous sheet 12 is configured such that when the tip 42a of the push-up pin 42 protruding from the upper surface of the base plate 30 pushes the suction member 110 vertically upward, the vacuum seal member 20 and the suction member The distance to 110 is wider than a predetermined interval. Conversely, when the tip 42a of the push-up pin 42 lowers the suction member 110 downward, the distance between the vacuum seal member 20 and the suction member 110 is narrowed, and the surface of the semiconductor wafer 1 can be fixed on the vacuum chuck stage. An adsorption surface is formed.

吸着部材110は、吸着プレート11と多孔質シート12とを備えるため、たとえば、多孔質シート12のみを交換することができ、吸着部材の交換費用がより抑えられる。   Since the adsorption member 110 includes the adsorption plate 11 and the porous sheet 12, for example, only the porous sheet 12 can be exchanged, and the exchange cost of the adsorption member can be further suppressed.

<第3実施形態>
本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
<Third Embodiment>
A vacuum chuck stage according to this embodiment will be described. In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

<構成>
図10は、本実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第1構造を例示する断面図である。図11は、本実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第2構造を例示する断面図である。
<Configuration>
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a first structure of the push-up pin and its storage portion of the vacuum chuck stage according to this embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a second structure of the push-up pin and its storage portion of the vacuum chuck stage according to this embodiment.

図10において、ベースプレート30aの貫通孔133の内壁には、真空シール部材21が嵌められる溝36が形成される。そして、真空シール部材21が、溝36に嵌められる。   In FIG. 10, a groove 36 into which the vacuum seal member 21 is fitted is formed on the inner wall of the through hole 133 of the base plate 30a. Then, the vacuum seal member 21 is fitted in the groove 36.

突き上げピン42の直径は、貫通孔133の直径よりも小さく、かつ、対向して配置される真空シール部材21の間隔よりも大きいものとする。そして、突き上げピン42が貫通孔133に挿入された際に、突き上げピン42が真空シール部材21を弾性変形させるものとする。   The diameter of the push-up pin 42 is smaller than the diameter of the through-hole 133 and larger than the interval between the vacuum seal members 21 arranged to face each other. When the push-up pin 42 is inserted into the through hole 133, the push-up pin 42 elastically deforms the vacuum seal member 21.

図10に例示される場合では、突き上げピン42が真空シール部材21との摩擦を生じさせながら、貫通孔133内を上下動する。よって、突き上げピン42と貫通孔133の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することを、より効果的に抑制することができる。   In the case illustrated in FIG. 10, the push-up pin 42 moves up and down in the through-hole 133 while causing friction with the vacuum seal member 21. Therefore, it is possible to more effectively suppress the outside air from flowing into the vacuum path of the vacuum chuck stage through the gap between the push-up pin 42 and the through hole 133.

図11において、ベースプレート30bの、貫通孔233の内壁には、突き上げピン142が収納される溝34が形成される。溝34は、ベースプレート30bの上面側に開放される。すなわち、溝34は、貫通孔233において、ベースプレート30bの表層における幅である溝幅34aを形成する。溝幅34aは、孔幅33aよりも大きい。また、溝34の、ベースプレート30bの下面側の底部には、真空シール部材21bが配置される。溝34のベースプレート30bの下面側の底部は、貫通孔233の径方向に沿う内壁に対応する。   In FIG. 11, a groove 34 in which the push-up pin 142 is accommodated is formed on the inner wall of the through hole 233 of the base plate 30b. The groove 34 is opened to the upper surface side of the base plate 30b. That is, the groove 34 forms a groove width 34 a that is a width in the surface layer of the base plate 30 b in the through hole 233. The groove width 34a is larger than the hole width 33a. A vacuum seal member 21b is disposed at the bottom of the groove 34 on the lower surface side of the base plate 30b. The bottom of the groove 34 on the lower surface side of the base plate 30 b corresponds to the inner wall along the radial direction of the through hole 233.

突き上げピン142の先端部142aにおける幅42bは、突き上げピン142の他の部分の幅42dよりも大きい。また、突き上げピン142の先端部142aにおける幅42bは、貫通孔233の孔幅33aよりも大きく、かつ、溝34の溝幅34aよりも小さいものとする。また、突き上げピン142の先端部142aの高さ42cは、溝34の、ベースプレート30bの上面からの溝深さ34bよりも小さいものとする。なお、高さ42cは、突き上げピン142の先端部142aの厚みと真空シール部材21bの厚みとが合算された高さである。突き上げ機構の下降時に、突き上げピン142の先端42aは、ベースプレート30bの上面よりも下方に位置する。すなわち、突き上げピン142の先端部142aは、ベースプレート30bの表層における溝34内に収容される。   The width 42b at the tip 142a of the push-up pin 142 is larger than the width 42d of the other part of the push-up pin 142. In addition, the width 42 b at the tip end portion 142 a of the push-up pin 142 is larger than the hole width 33 a of the through hole 233 and smaller than the groove width 34 a of the groove 34. The height 42c of the tip end portion 142a of the push-up pin 142 is assumed to be smaller than the groove depth 34b of the groove 34 from the upper surface of the base plate 30b. The height 42c is a height obtained by adding the thickness of the tip 142a of the push-up pin 142 and the thickness of the vacuum seal member 21b. When the push-up mechanism is lowered, the tip 42a of the push-up pin 142 is positioned below the upper surface of the base plate 30b. That is, the tip end portion 142a of the push-up pin 142 is accommodated in the groove 34 in the surface layer of the base plate 30b.

図11では、突き上げピン142の先端42aが溝34内に収まった状態で、真空シール部材21bを弾性変形させる。   In FIG. 11, the vacuum seal member 21 b is elastically deformed in a state where the tip 42 a of the push-up pin 142 is accommodated in the groove 34.

上記の構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制しつつ、突き上げピン142と貫通孔233の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。   According to the above configuration, when the push-up pin 142 is moved up and down, the outside air is vacuum chucked through the gap between the push-up pin 142 and the through-hole 233 while suppressing friction between the push-up pin 142 and the inner wall of the through-hole 233. Inflow into the vacuum path of the stage can be more effectively suppressed.

<効果>
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。なお、以下では、上記の実施形態に例示された具体的な構成に基づく効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。また、当該置き換えは、複数の実施形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施形態において例示された各構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
<Effect>
Below, the effect by said embodiment is illustrated. In the following, effects based on the specific configuration exemplified in the above-described embodiment will be described. However, other similar configurations exemplified in the present specification may be substituted within a range where the similar effect is generated. May be. In addition, the replacement may be performed across a plurality of embodiments. In other words, the configurations exemplified in different embodiments may be combined to produce the same effect.

上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、ベースプレート30と、吸着部材10と、第1シール部材に対応する真空シール部材20と、突き上げ部材に対応する突き上げピン42とを備える。   According to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the base plate 30, the suction member 10, the vacuum seal member 20 corresponding to the first seal member, and the push-up pin 42 corresponding to the push-up member.

吸着部材10は、ベースプレート30の上面に配置される。真空シール部材20は、ベースプレート30の上面に、平面視において吸着部材10を囲んで配置される。突き上げピン42は、ベースプレート30の下方に配置される。   The suction member 10 is disposed on the upper surface of the base plate 30. The vacuum seal member 20 is disposed on the upper surface of the base plate 30 so as to surround the suction member 10 in plan view. The push-up pin 42 is disposed below the base plate 30.

ベースプレート30は、平面視において吸着部材10と重なる位置に形成され、かつ、ベースプレート30の上面から下面へ貫通する第1孔に対応する真空配管51と、平面視において吸着部材10と重なるとともに真空配管51とは重ならない位置に形成され、かつ、ベースプレート30の上面から下面へ貫通する第2孔に対応する貫通孔33とを備える。   The base plate 30 is formed at a position overlapping the suction member 10 in a plan view, and corresponds to a first hole penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate 30, and overlaps the suction member 10 in a plan view and a vacuum pipe. A through hole 33 is formed at a position that does not overlap with 51 and corresponds to a second hole that penetrates from the upper surface to the lower surface of the base plate 30.

真空配管51は、真空引きされることで吸着部材10を介して吸着部材10の上面に対象物に対応する半導体ウエハ1を真空吸着するための配管である。   The vacuum pipe 51 is a pipe for vacuum-sucking the semiconductor wafer 1 corresponding to the object on the upper surface of the suction member 10 through the suction member 10 by being evacuated.

そして、突き上げピン42が貫通孔33に挿入されることで、吸着部材10がベースプレート30の上面から離間する。   Then, the suction pin 10 is separated from the upper surface of the base plate 30 by inserting the push-up pin 42 into the through hole 33.

このような構成によれば、平面視において吸着部材10を囲んで配置される真空シール部材20によって、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する圧力の低下を防止することができる。また、突き上げピン42が貫通孔33に挿入されることで、吸着部材10がベースプレート30の上面から離間するため、作業者が真空シール部材20に触れずに吸着部材10のみを容易に交換することができる。   According to such a configuration, it is possible to prevent a decrease in pressure for adsorbing the semiconductor wafer 1 of the adsorption member 10 by the vacuum seal member 20 disposed so as to surround the adsorption member 10 in plan view. Further, since the suction member 10 is separated from the upper surface of the base plate 30 by inserting the push-up pin 42 into the through hole 33, the operator can easily replace only the suction member 10 without touching the vacuum seal member 20. Can do.

なお、これらの構成以外の本明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、これらの構成のみで、上記の効果を生じさせることができる。しかし、本明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも1つを上記の構成に適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては記載されなかった本明細書に例示される他の構成を上記の構成に追加した場合でも、同様に上記の効果を生じさせることができる。   Other configurations exemplified in the present specification other than these configurations can be omitted as appropriate. That is, the above effect can be produced only with these configurations. However, when at least one of the other configurations exemplified in this specification is appropriately added to the above configuration, that is, other configurations exemplified in this specification that are not described as the above configuration Even when added to the above configuration, the above-described effects can be similarly produced.

また、上記の実施形態によれば、ベースプレート30の上面には溝31が形成される。そして、真空配管51は、ベースプレート30の上面において溝31内に位置する。   Further, according to the above embodiment, the groove 31 is formed on the upper surface of the base plate 30. The vacuum pipe 51 is located in the groove 31 on the upper surface of the base plate 30.

一方で、貫通孔33は、ベースプレート30の上面において溝31内に位置しない。   On the other hand, the through hole 33 is not located in the groove 31 on the upper surface of the base plate 30.

このような構成によれば、半導体ウエハ1の真空吸着の際には、真空配管51を通じて溝31内が真空引きされる。一方で、貫通孔33内は真空引きされない。   According to such a configuration, the inside of the groove 31 is evacuated through the vacuum pipe 51 when the semiconductor wafer 1 is vacuum-sucked. On the other hand, the inside of the through hole 33 is not evacuated.

また、上記の実施形態によれば、吸着部材110が、ベースプレート30の上面に配置される吸着プレート11と、吸着プレート11の上面に配置される多孔質シート12とを備える。   Further, according to the above embodiment, the suction member 110 includes the suction plate 11 disposed on the upper surface of the base plate 30 and the porous sheet 12 disposed on the upper surface of the suction plate 11.

このような構成によれば、吸着プレート11の上面に、比較的厚みの薄い多孔質シート12を設けることができるため、たとえば、多孔質シート12のみを交換することができ、吸着部材の交換費用が抑えられる。   According to such a configuration, since the porous sheet 12 having a relatively small thickness can be provided on the upper surface of the suction plate 11, for example, only the porous sheet 12 can be replaced, and the replacement cost of the suction member Is suppressed.

また、上記の実施形態によれば、吸着部材10の下面には位置決め窪み13が形成される。そして、位置決め窪み13は、平面視においてベースプレート30の貫通孔33と重なる位置に形成される。   Further, according to the above embodiment, the positioning recess 13 is formed on the lower surface of the adsorption member 10. The positioning recess 13 is formed at a position overlapping the through hole 33 of the base plate 30 in plan view.

このような構成によれば、貫通孔33に挿入された突き上げピン42がさらに位置決め窪み13に嵌まることで、ベースプレート30と吸着部材10との相対位置が精度よく固定される。よって、突き上げピン42を下げる際に吸着部材10と、ベースプレート30の上面に固定された真空シール部材20とが接触することを防ぐことができる。   According to such a configuration, the push-up pin 42 inserted into the through-hole 33 is further fitted into the positioning recess 13, so that the relative position between the base plate 30 and the suction member 10 is accurately fixed. Therefore, it is possible to prevent the suction member 10 and the vacuum seal member 20 fixed to the upper surface of the base plate 30 from coming into contact when the push-up pin 42 is lowered.

また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、第2孔に対応する貫通孔133の内壁に取り付けられた第2シール部材に対応する真空シール部材21を備える。   According to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the vacuum seal member 21 corresponding to the second seal member attached to the inner wall of the through hole 133 corresponding to the second hole.

このような構成によれば、突き上げピン42と貫通孔133の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。   According to such a configuration, it is possible to more effectively suppress the outside air from flowing into the vacuum path of the vacuum chuck stage through the gap between the push-up pin 42 and the through hole 133.

また、上記の実施形態によれば、第2孔に対応する貫通孔233が、ベースプレート30bの表層における径に対応する溝幅34aが他の部分における径に対応する孔幅33aよりも大きい。また、突き上げ部材に対応する突き上げピン142が、貫通孔233に挿入される先端部142aの幅42bが、他の部分における幅42dよりも大きい。   Moreover, according to said embodiment, the through-hole 233 corresponding to a 2nd hole has the groove width 34a corresponding to the diameter in the surface layer of the baseplate 30b larger than the hole width 33a corresponding to the diameter in another part. Moreover, the width 42b of the front-end | tip part 142a in which the push-up pin 142 corresponding to a push-up member is inserted in the through-hole 233 is larger than the width 42d in another part.

そして、突き上げピン142の先端部142aが、ベースプレート30bの表層における貫通孔233に収容される。   And the front-end | tip part 142a of the raising pin 142 is accommodated in the through-hole 233 in the surface layer of the baseplate 30b.

このような構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制することができる。また、突き上げピン142の先端部142aの幅42bが、貫通孔233の孔幅33aよりも大きいため、突き上げピン142の先端部142aが溝34の底部に引っかかり、突き上げピン142が貫通孔233に挿入された状態で固定することができる。そのため、突き上げピン142を貫通孔233に挿入する作業を省略することができる。   According to such a configuration, it is possible to suppress friction between the inner wall of the through hole 233 when the push-up pin 142 moves up and down. Further, since the width 42b of the tip 142a of the push-up pin 142 is larger than the hole width 33a of the through-hole 233, the tip 142a of the push-up pin 142 is caught by the bottom of the groove 34, and the push-up pin 142 is inserted into the through-hole 233. Can be fixed. Therefore, the operation of inserting the push-up pin 142 into the through hole 233 can be omitted.

また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、貫通孔233の径方向に沿う内壁に取り付けられた第2シール部材に対応する真空シール部材21bを備える。   Moreover, according to said embodiment, a vacuum chuck stage is provided with the vacuum seal member 21b corresponding to the 2nd seal member attached to the inner wall along the radial direction of the through-hole 233. FIG.

このような構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制しつつ、突き上げピン142と貫通孔233の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。   According to such a configuration, when the push-up pin 142 is moved up and down, outside air is vacuumed through the gap between the push-up pin 142 and the through-hole 233 while suppressing friction between the inner wall of the through-hole 233. It is possible to more effectively suppress the flow into the vacuum path of the chuck stage.

また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、ベースプレート30を回転可能に支持する柱部材に対応する支持柱50を備える。   Moreover, according to said embodiment, the vacuum chuck stage is provided with the support pillar 50 corresponding to the pillar member which supports the baseplate 30 rotatably.

このような構成によれば、半導体ウエハ1が吸着部材10に吸着された状態で、支持柱50を回転させることにより、半導体ウエハ1に対して所望の処理を行うことができる。   According to such a configuration, a desired process can be performed on the semiconductor wafer 1 by rotating the support pillar 50 in a state where the semiconductor wafer 1 is attracted to the attracting member 10.

<変形例>
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの実施形態における少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場が含まれる。
<Modification>
In the above-described embodiment, the material, material, dimension, shape, relative arrangement relationship, or implementation condition of each component may be described. However, these are examples in all aspects, and are described in this specification. It is not limited to what has been described. Accordingly, innumerable modifications not illustrated are envisaged within the scope of the technology disclosed in this specification. For example, when transforming, adding or omitting at least one component, further includes extracting at least one component in at least one embodiment and combining it with the components of other embodiments. It is.

また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「1つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「1つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、1つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、1つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が1つの構造物に備えられる場合とを含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。   In addition, as long as no contradiction arises, “one or more” components described as being provided with “one” in the above-described embodiment may be provided. Furthermore, each component is a conceptual unit, and one component consists of a plurality of structures, one component corresponds to a part of the structure, and a plurality of components. And the case where the component is provided in one structure. Each component includes a structure having another structure or shape as long as the same function is exhibited.

また、本明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。   Also, the descriptions in this specification are referred to for all purposes related to the present technology, and none of them is admitted to be prior art.

また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。   Further, in the above embodiment, when a material name or the like is described without being particularly specified, the material includes other additives, for example, an alloy or the like unless a contradiction arises. .

1 半導体ウエハ、10,110 吸着部材、10a,10b 孔、11 吸着プレート、11a,12a 下面、11b,12b 上面、11c,33,133,233 貫通孔、11d,31,32,34,36 溝、11e,13,14 位置決め窪み、12 多孔質シート、20,21,21b 真空シール部材、30,30a,30b ベースプレート、33a 孔幅、34a 溝幅、34b 溝深さ、35 ピン、40 突き上げ機構、41 保持板、42,142 突き上げピン、42a 先端、42b,42d 幅、42c 高さ、45 ガイド、50 支持柱、51 真空配管、142a 先端部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 10,110 Adsorption member, 10a, 10b hole, 11 Adsorption plate, 11a, 12a Lower surface, 11b, 12b Upper surface, 11c, 33,133,233 Through-hole, 11d, 31,32,34,36 Groove, 11e, 13, 14 Positioning recess, 12 Porous sheet, 20, 21, 21b Vacuum seal member, 30, 30a, 30b Base plate, 33a Hole width, 34a Groove width, 34b Groove depth, 35 pins, 40 Push-up mechanism, 41 Holding plate, 42, 142 push-up pin, 42a tip, 42b, 42d width, 42c height, 45 guide, 50 support pillar, 51 vacuum pipe, 142a tip.

Claims (8)

ベースプレートと、
前記ベースプレートの上面に配置される吸着部材と、
前記ベースプレートの上面に、平面視において前記吸着部材を囲んで配置される第1シール部材と、
前記ベースプレートの下方に配置される突き上げ部材とを備え、
前記ベースプレートは、
平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する、真空引きされることで前記吸着部材を介して前記吸着部材の上面に対象物を真空吸着するための第1孔と、
平面視において前記吸着部材と重なるとともに前記第1孔とは重ならない位置に形成され、かつ、前記ベースプレートの上面から下面へ貫通する第2孔とを備え、
前記突き上げ部材が前記第2孔に挿入されることで、前記吸着部材が前記ベースプレートの上面から離間する、
真空チャックステージ。
A base plate;
A suction member disposed on an upper surface of the base plate;
A first seal member disposed on the upper surface of the base plate so as to surround the adsorption member in plan view;
A push-up member disposed below the base plate,
The base plate is
In order to vacuum-suck an object on the upper surface of the suction member through the suction member by being evacuated by being formed in a position overlapping the suction member in plan view and penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate A first hole of
A second hole penetrating from the upper surface to the lower surface of the base plate is formed at a position that overlaps the suction member and does not overlap the first hole in plan view;
The suction member is separated from the upper surface of the base plate by inserting the push-up member into the second hole.
Vacuum chuck stage.
前記ベースプレートの上面には溝が形成され、
前記第1孔は、前記ベースプレートの上面において前記溝内に位置し、
前記第2孔は、前記ベースプレートの上面において前記溝内に位置しない、
請求項1に記載の真空チャックステージ。
A groove is formed on the upper surface of the base plate,
The first hole is located in the groove on the upper surface of the base plate,
The second hole is not located in the groove on the upper surface of the base plate;
The vacuum chuck stage according to claim 1.
前記吸着部材が、
前記ベースプレートの上面に配置される吸着プレートと、
前記吸着プレートの上面に配置される多孔質シートとを備える、
請求項1または請求項2に記載の真空チャックステージ。
The adsorption member is
A suction plate disposed on an upper surface of the base plate;
A porous sheet disposed on the upper surface of the adsorption plate,
The vacuum chuck stage according to claim 1 or 2.
前記吸着部材の下面には窪みが形成され、
前記窪みは、平面視において前記ベースプレートの前記第2孔と重なる位置に形成される、
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。
A depression is formed on the lower surface of the adsorption member,
The recess is formed at a position overlapping the second hole of the base plate in plan view.
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 3.
前記第2孔の内壁に取り付けられた第2シール部材をさらに備える、
請求項1から請求項4のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。
A second seal member attached to the inner wall of the second hole;
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 4.
前記第2孔が、前記ベースプレートの表層における径が他の部分における径よりも大きく、
前記突き上げ部材が、前記第2孔に挿入される先端部の幅が、他の部分における幅よりも大きく、
前記突き上げ部材の前記先端部が、前記ベースプレートの表層における前記第2孔に収容される、
請求項1から請求項4のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。
The second hole has a diameter in the surface layer of the base plate larger than the diameter in the other part,
The push-up member has a tip width inserted into the second hole that is larger than the width of the other portion.
The tip of the push-up member is accommodated in the second hole in the surface layer of the base plate.
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 4.
前記第2孔の径方向に沿う内壁に取り付けられた第2シール部材をさらに備える、
請求項6に記載の真空チャックステージ。
A second seal member attached to the inner wall along the radial direction of the second hole;
The vacuum chuck stage according to claim 6.
前記ベースプレートを回転可能に支持する柱部材をさらに備える、
請求項1から請求項7のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。
A column member that rotatably supports the base plate;
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 7.
JP2015166333A 2015-08-26 2015-08-26 Vacuum chuck stage Active JP6513527B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015166333A JP6513527B2 (en) 2015-08-26 2015-08-26 Vacuum chuck stage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015166333A JP6513527B2 (en) 2015-08-26 2015-08-26 Vacuum chuck stage

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019038580A Division JP6664529B2 (en) 2019-03-04 2019-03-04 Vacuum chuck stage and method of manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017045816A true JP2017045816A (en) 2017-03-02
JP6513527B2 JP6513527B2 (en) 2019-05-15

Family

ID=58211793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015166333A Active JP6513527B2 (en) 2015-08-26 2015-08-26 Vacuum chuck stage

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6513527B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021880A (en) * 2017-07-21 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 Workpiece holding mechanism and workpiece processing system
CN115223890A (en) * 2021-04-19 2022-10-21 三菱电机株式会社 Inspection apparatus, inspection method of semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63142829A (en) * 1986-12-05 1988-06-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Substrate attracting and clamping device
JPH08330387A (en) * 1995-03-30 1996-12-13 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
JPH11214486A (en) * 1998-01-27 1999-08-06 Komatsu Ltd Apparatus for treating substrate
JP2004103921A (en) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board holding device and board processing device
JP2005028506A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Nanotemu:Kk Vacuum chuck
JP2013069773A (en) * 2011-09-21 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2014093384A (en) * 2012-11-02 2014-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table
JP2014116356A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Nuflare Technology Inc Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63142829A (en) * 1986-12-05 1988-06-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Substrate attracting and clamping device
JPH08330387A (en) * 1995-03-30 1996-12-13 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
JPH11214486A (en) * 1998-01-27 1999-08-06 Komatsu Ltd Apparatus for treating substrate
JP2004103921A (en) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board holding device and board processing device
JP2005028506A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Nanotemu:Kk Vacuum chuck
JP2013069773A (en) * 2011-09-21 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2014093384A (en) * 2012-11-02 2014-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table
JP2014116356A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Nuflare Technology Inc Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021880A (en) * 2017-07-21 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 Workpiece holding mechanism and workpiece processing system
CN115223890A (en) * 2021-04-19 2022-10-21 三菱电机株式会社 Inspection apparatus, inspection method of semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device
JP7482825B2 (en) 2021-04-19 2024-05-14 三菱電機株式会社 Inspection device, semiconductor substrate inspection method, semiconductor substrate manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP6513527B2 (en) 2019-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5652832B2 (en) Chuck device and chuck method
JP2013191601A (en) Substrate holding device and substrate holding method
US20140242886A1 (en) Polishing head in chemical mechanical polishing apparatus and chemical mechanical polishing apparatus including the same
JP2018026413A (en) Bonding device and bonding system
JP2019096907A (en) Vacuum chuck stage and manufacturing method of semiconductor device
JP6685154B2 (en) Joining device and joining method
JP2017045816A (en) Vacuum chuck stage
JP2009117567A (en) Vacuum chuck
JP5935168B2 (en) Substrate polishing equipment
JP2014203904A (en) Vacuum suction device and suction plate
JP5344690B2 (en) Vacuum dryer
KR20140120822A (en) Chuck table
JP5687647B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP5329916B2 (en) Semiconductor wafer support
JP2010260318A (en) Suction stage
JP2007258467A (en) Sucking apparatus, polishing apparatus, semiconductor-device manufacturing method, and semiconductor device manufactured by same method
JP2014184502A (en) Suction pad and workpiece processing device
JP2010140921A (en) Device and method for mounting ball, and apparatus for manufacturing electronic component
JP5495094B2 (en) Contact exposure apparatus and contact exposure method
TW201608668A (en) Carrying device
TW201541549A (en) Transport method and transport apparatus for brittle material substrate
JP2006269989A (en) Substrate holder
JP2006324312A (en) Substrate-holding device
JP2016039296A (en) Base board sucking-fixing base and base board sucking-fixing device
TWI830090B (en) Joining device and joining method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180906

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190304

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190410

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6513527

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250