JP2019096907A - Vacuum chuck stage and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Vacuum chuck stage and manufacturing method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019096907A JP2019096907A JP2019038580A JP2019038580A JP2019096907A JP 2019096907 A JP2019096907 A JP 2019096907A JP 2019038580 A JP2019038580 A JP 2019038580A JP 2019038580 A JP2019038580 A JP 2019038580A JP 2019096907 A JP2019096907 A JP 2019096907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- hole
- vacuum
- chuck stage
- suction member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 40
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 206010059875 Device ineffective Diseases 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本明細書に開示される技術は、真空チャックステージおよび半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウエハなどの対象物を固定するための真空チャックステージおよび半導体装置の製造方法に関するものである。 The technology disclosed herein relates to a vacuum chuck stage and a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a vacuum chuck stage for fixing an object such as a semiconductor wafer and a method of manufacturing a semiconductor device.
半導体ウエハを吸着する真空チャックステージを用いて半導体ウエハを吸着する際に、真空チャックステージのチャックテーブルと半導体ウエハとの間に、たとえば、数十μm程度以上数百μm程度以下の大きさの異物が挟まる場合がある。その場合、チャックテーブル上に固着した当該異物が、半導体ウエハ表面を継続的に傷つけてしまい、チャックテーブルの交換が必要となる場合がある。 When a semiconductor wafer is adsorbed using a vacuum chuck stage for adsorbing a semiconductor wafer, foreign matter having a size of, for example, about several tens of μm or more and several hundred μm or less between the chuck table of the vacuum chuck stage and the semiconductor wafer May be caught. In that case, the foreign matter stuck on the chuck table may damage the surface of the semiconductor wafer continuously, and the chuck table may need to be replaced.
これに対し、たとえば、特許文献1に例示されるように、チャックテーブルの交換作業における負担を軽減するために、第1テーブルと第2テーブルとに分割されたチャックテーブルを備えるものがある。
On the other hand, for example, as exemplified in
従来の真空チャックステージには、半導体ウエハを吸着する吸着部材と、平面視において吸着部材を囲む真空シール部材とを備えるものがある。当該構成では、吸着部材と真空シール部材とが1つの平坦面を形成する。 Some conventional vacuum chuck stages include a suction member for suctioning a semiconductor wafer and a vacuum seal member surrounding the suction member in plan view. In the said structure, an adsorption | suction member and a vacuum sealing member form one flat surface.
上記の構成である真空チャックステージでは、半導体ウエハを吸着する吸着面に不具合などが生じた場合、一般に、吸着部材と真空シール部材とを同時に交換することとなるため、1回当たりの交換費用が高くなり、交換頻度を低下させる要因となる場合があった。 In the vacuum chuck stage having the above configuration, when a problem occurs in the suction surface for suctioning the semiconductor wafer, generally, the suction member and the vacuum seal member are simultaneously replaced, so replacement cost per one time is It may become high and cause a reduction in the frequency of replacement.
交換費用を抑える観点から、吸着部材のみを交換する場合、作業者が吸着部材の外周部分を囲う真空シール部材に意図せず接触してしまい、真空シール部材に傷または汚染が生じる場合があった。 From the viewpoint of reducing the replacement cost, when replacing only the adsorption member, the operator may unintentionally contact the vacuum seal member surrounding the outer peripheral portion of the adsorption member, and the vacuum seal member may be damaged or contaminated. .
一方で、真空シール部材を取り除くと、半導体ウエハの吸着時に外気が吸着部材側面へと流入するため、吸着部材の半導体ウエハを吸着する圧力を低下させる。よって、半導体ウエハを適切に吸着し、かつ、固定することができない場合があった。 On the other hand, when the vacuum seal member is removed, the outside air flows to the side surface of the adsorption member at the time of adsorption of the semiconductor wafer, so the pressure for adsorbing the semiconductor wafer of the adsorption member is reduced. Therefore, there have been cases in which the semiconductor wafer can not be properly adsorbed and fixed.
本明細書に開示される技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、吸着部材の対象物を吸着する圧力の低下を防止しつつ、作業者が真空シール部材に触れずに吸着部材のみを容易に交換することができる真空チャックステージおよび半導体装置の製造方法に関するものである。 The technique disclosed in the present specification is for solving the problems as described above, and prevents the operator from touching the vacuum seal member while preventing a drop in pressure for adsorbing the target of the adsorption member. The present invention relates to a vacuum chuck stage capable of easily replacing only a suction member and a method of manufacturing a semiconductor device.
本明細書に開示される技術の一態様に関する真空チャックステージは、上面に対象物が配置される吸着部材と、前記吸着部材でそれぞれ覆われる第1貫通孔および第2貫通孔が平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、前記吸着部材の下面に配置され、かつ、前記第1貫通孔を真空引きすることによって前記吸着部材を介して前記対象物を真空吸着するベースプレートと、平面視において前記吸着部材を囲み、かつ、前記ベースプレートの上面に配置される第1シール部材と、前記ベースプレートの下方に前記第2貫通孔に挿入され、かつ、前記吸着部材を前記ベースプレートの上面から離間させる突き上げ部材とを備える。 In a vacuum chuck stage according to one aspect of the technology disclosed in the present specification, an adsorption member on which an object is disposed on the upper surface, and a first through hole and a second through hole covered respectively by the adsorption member are planarly viewed A base plate which is formed at a position overlapping the suction member, disposed on the lower surface of the suction member, and vacuum-sucks the object via the suction member by evacuating the first through hole; A first seal member surrounding the suction member and disposed on the upper surface of the base plate, and inserted into the second through hole below the base plate and pushing up the suction member to separate the suction member from the upper surface of the base plate And a member.
また、本明細書に開示される技術の一態様に関する半導体装置の製造方法は、上記の真空チャックステージを用いて前記対象物としての半導体ウエハを固定し、かつ、前記半導体ウエハを研削または洗浄する工程を備える。 Further, in a method of manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the technology disclosed in the present specification, a semiconductor wafer as the object is fixed using the above-described vacuum chuck stage, and the semiconductor wafer is ground or cleaned. It has a process.
本明細書に開示される技術の一態様に関する真空チャックステージは、上面に対象物が配置される吸着部材と、前記吸着部材でそれぞれ覆われる第1貫通孔および第2貫通孔が平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、前記吸着部材の下面に配置され、かつ、前記第1貫通孔を真空引きすることによって前記吸着部材を介して前記対象物を真空吸着するベースプレートと、平面視において前記吸着部材を囲み、かつ、前記ベースプレートの上面に配置される第1シール部材と、前記ベースプレートの下方に前記第2貫通孔に挿入され、かつ、前記吸着部材を前記ベースプレートの上面から離間させる突き上げ部材とを備える。 In a vacuum chuck stage according to one aspect of the technology disclosed in the present specification, an adsorption member on which an object is disposed on the upper surface, and a first through hole and a second through hole covered respectively by the adsorption member are planarly viewed A base plate which is formed at a position overlapping the suction member, disposed on the lower surface of the suction member, and vacuum-sucks the object via the suction member by evacuating the first through hole; A first seal member surrounding the suction member and disposed on the upper surface of the base plate, and inserted into the second through hole below the base plate and pushing up the suction member to separate the suction member from the upper surface of the base plate And a member.
このような構成によれば、平面視において吸着部材を囲んで配置される第1シール部材によって、吸着部材の対象物を吸着する圧力の低下を防止することができる。また、突き上げ部材が第2孔に挿入されることで、吸着部材がベースプレートの上面から離間するため、作業者が第1シール部材に触れずに吸着部材のみを容易に交換することができる。 According to such a configuration, it is possible to prevent a decrease in pressure for adsorbing the object of the adsorption member by the first seal member arranged to surround the adsorption member in plan view. Moreover, since the suction member is separated from the upper surface of the base plate by inserting the push-up member into the second hole, the worker can easily replace only the suction member without touching the first seal member.
また、本明細書に開示される技術の一態様に関する半導体装置の製造方法は、上記の真空チャックステージを用いて前記対象物としての半導体ウエハを固定し、かつ、前記半導体ウエハを研削または洗浄する工程を備える。 Further, in a method of manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the technology disclosed in the present specification, a semiconductor wafer as the object is fixed using the above-described vacuum chuck stage, and the semiconductor wafer is ground or cleaned. It has a process.
このような構成によれば、平面視において吸着部材を囲んで配置される第1シール部材によって、吸着部材の対象物を吸着する圧力の低下を防止することができる。また、突き上げ部材が第2孔に挿入されることで、吸着部材がベースプレートの上面から離間するため、作業者が第1シール部材に触れずに吸着部材のみを容易に交換することができる。 According to such a configuration, it is possible to prevent a decrease in pressure for adsorbing the object of the adsorption member by the first seal member arranged to surround the adsorption member in plan view. Moreover, since the suction member is separated from the upper surface of the base plate by inserting the push-up member into the second hole, the worker can easily replace only the suction member without touching the first seal member.
本明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。 The objects, features, aspects and advantages of the technology disclosed herein will be more apparent from the detailed description given below and the accompanying drawings.
以下、添付される図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示される画像の大きさと位置との相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. Note that the drawings are schematically illustrated, and the correlation between the size and the position of the image illustrated in each of the different drawings is not necessarily accurately described, and may be changed as appropriate. Moreover, in the description shown below, the same code | symbol is attached | subjected and shown to the same code | symbol, and suppose that it is the same also about those names and functions. Therefore, detailed description about them may be omitted.
また、以下に示される説明において、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。 Moreover, in the description shown below, there may be a term that means a specific position and direction such as “upper”, “lower”, “side”, “bottom”, “front” or “back”. However, these terms are used for the sake of convenience to facilitate understanding of the contents of the embodiment, and do not relate to the direction in which they are actually implemented.
<第1実施形態>
以下、本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。
First Embodiment
The vacuum chuck stage according to the present embodiment will be described below.
<構成>
図1は、本実施形態に関する真空チャックステージを実現するための構成を例示する平面図である。また、図2は、本実施形態に関する真空チャックステージを実現するための構成を部分的に透過させて例示する側面図である。
<Configuration>
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration for realizing a vacuum chuck stage according to the present embodiment. Moreover, FIG. 2 is a side view which partially permeate | transmits and illustrates the structure for implement | achieving the vacuum chuck stage regarding this embodiment.
図3は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する平面図である。また、図4は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材を除く構成を例示する下面図である。 FIG. 3 is a plan view illustrating the configuration of the vacuum chuck stage according to the present embodiment excluding the suction member. Moreover, FIG. 4 is a bottom view which illustrates the structure except the adsorption | suction member of the vacuum chuck stage regarding this embodiment.
図1および図2に例示されるように、ベースプレート30の上面に、吸着部材10および真空シール部材20が配置される。吸着部材10のベースプレート30を吸着する吸着面には、複数の孔10aが形成される。なお、孔10aは、たとえば、溝形状であってもよい。また、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面には、複数の孔10bが形成される。なお、孔10bは、たとえば、溝形状であってもよい。
As illustrated in FIGS. 1 and 2, the
図1に例示されるように、平面視において、真空シール部材20は、吸着部材10を囲んで配置される。
As illustrated in FIG. 1, in plan view, the
また、図2に例示されるように、ベースプレート30の、吸着部材10および真空シール部材20が配置される上面には、真空シール部材20を固定するための溝32が形成される。また、ベースプレート30の上面における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、吸着部材10吸着するための溝31が形成される。溝31内が真空引きされることによって、ベースプレート30と吸着部材10とが固定される。なお、溝31は、孔形状であってもよい。
Further, as illustrated in FIG. 2, a
また、図2に例示されるように、ベースプレート30における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、後述する突き上げピンが挿入される貫通孔33が形成される。貫通孔33は、ベースプレート30の上面からベースプレート30の下面へ貫通する孔である。図3に例示されるように、溝31と貫通孔33とは、平面視において重ならない位置に形成される。貫通孔33は、ベースプレート30の上面において溝31内には位置しない。
Further, as illustrated in FIG. 2, a
また、ベースプレート30の上面における、溝32が形成される領域の平面視における内側には、吸着部材10の位置決めのためのピン35が形成される。ピン35は、溝31および貫通孔33とは、平面視において重ならない位置に形成される。
Further, a
また、図2に例示されるように、ベースプレート30の下面から上面に貫通する真空配管51が形成される。真空配管51は、溝31内に位置する。
Further, as illustrated in FIG. 2, a
真空シール部材20は、半導体ウエハ1の外周部分と接触して配置され、かつ、リング形状である低反発の弾性体である。真空シール部材20の材料には、たとえば、比較的硬度が低いフッ素ゴムスポンジなどが用いられる。真空シール部材20が接触する半導体ウエハ1は、たとえば、直径8インチサイズ、または、直径6インチサイズである。また、真空シール部材20が接触する半導体ウエハ1の外周部分は、デバイス無効領域に相当する。また、真空シール部材20は、半導体ウエハ1のデバイス無効領域の直径方向の幅に対応する幅を有する。
The
図2に例示されるように、平面視において真空シール部材20に囲まれて配置される吸着部材10の、ベースプレート30を吸着する吸着面には複数の孔10aが形成される。また、図1に例示されるように、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面には、複数の孔10bが形成される。
As illustrated in FIG. 2, a plurality of
また、吸着部材10のベースプレート30を吸着する吸着面には、突き上げピン42の配置に対応する複数の位置決め窪み13と、ベースプレート30に対応するベースプレートの位置決めのための位置決め窪み14とが形成される。複数の位置決め窪み13は、突き上げピン42の位置決めのための窪みである。
Further, a plurality of positioning
吸着部材10は、たとえば、無数に入り組んだ気孔によって形成されるポーラス状の多孔質体であってもよい。吸着部材10が当該材料から形成される場合、薄い半導体ウエハ1に生じさせる反りを小さく抑制しつつ、半導体ウエハ1を吸着し、かつ、固定することができる。
The adsorbing
また、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面は、真空シール部材20の上面よりも低く配置されてもよい。吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面が、真空シール部材20の上面よりも低く配置された場合には、半導体ウエハ1を吸着する際に、真空シール部材20の上面の高さが、半導体ウエハ1の無効領域によって吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する吸着面の高さまで押し下げられる。そのため、真空シール部材20の弾性力によって、半導体ウエハ1の外周部分と真空シール部材20との間の密着度が高まる。
Further, the suction surface of the
図2および図4に例示されるように、ベースプレート30の下方には、突き上げ機構40が配置される。突き上げ機構40は、突き上げピン42の保持板41と、複数の突き上げピン42と、つまみ43と、突き上げピン42の保持板41のガイド留め44と、保持板41の複数のガイド45とを備える。
As illustrated in FIGS. 2 and 4, a push-up
複数の突き上げピン42は、先端42aの高さが互いに等しくなるように、保持板41に垂直上向きに固定される。図2、図3および図4に例示されるように、突き上げピン42の平面視における位置は、ベースプレート30に形成された貫通孔33の平面視における位置と等しい。そして、図2および図3に例示されるように、突き上げピン42は、ベースプレート30に形成された貫通孔33内に挿入される。
The plurality of push-up
複数のガイド45は、ベースプレート30の下面において垂直下向きに固定される。そして、各ガイド45は、図4に例示されるように、保持板41のたとえば、四隅をそれぞれ貫通し、下端においてガイド留め44がそれぞれ取り付けられる。保持板41は、ガイド45に沿って垂直方向に稼働することができる。
The plurality of
保持板41の稼働範囲は、上端が、ベースプレート30の下面に接触する位置であり、下端が、ガイド45の下端に取り付けられたガイド留め44に接触する位置である。作業者が突き上げ機構40を上下に稼働させやすいように、保持板41の側面に、保持板41の稼働を制御するためのつまみ43が取り付けられる。
The operating range of the holding
ベースプレート30の下方には、支持柱50が配置される。支持柱50は、少なくとも、ベースプレート30および突き上げ機構40を、所定の平行度に維持しつつ固定する。
Below the
支持柱50の内部には、真空配管51が配置される。真空配管51は、ベースプレート30および突き上げ機構40を貫通する配管である。真空配管51は、平面視において吸着部材10と重なる位置に形成される。さらに、真空配管51は、溝31内に到達する。図3に例示される場合では、ベースプレート30の上面の中央付近に形成された溝31の内部に到達する。
The
真空配管51は、ベースプレート30の上面における溝31内と、外部の真空源(ここでは、図示しない)とを接続する。そして、真空源の電磁弁(ここでは、図示しない)などを用いて真空配管51が真空引きされることで、吸着部材10を介して吸着部材10の上面に半導体ウエハ1が真空吸着される。
The
<作用>
図5は、本実施形態に関する真空チャックステージの突き上げ機構40が下方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。また、図6は、本実施形態に関する真空チャックステージの突き上げ機構40が上方に稼働した状態を部分的に透過させて例示する側面図である。なお、簡単のため、図5および図6において、吸着部材10における孔10aおよび孔10bは図示が省略される。
<Function>
FIG. 5 is a side view partially illustrating a state in which the push-up
保持板41は、図5および図6に例示されるように、作業者(ここでは、図示しない)の操作により、ガイド45に沿って上下方向に動く。それに連動して、突き上げピン42は、ベースプレート30の上面における貫通孔33から出入りする。
The holding
ベースプレート30の上面から突き出した突き上げピン42の先端42aが、吸着部材10を垂直上向きに押し上げると、図6に例示されるように、真空シール部材20と吸着部材10との距離が所定の間隔よりも広がる。逆に、ベースプレート30の上面における突き上げピン42の先端42aが、吸着部材10を垂直下向きに下げると、図5に例示されるように、真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも狭まる。真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも狭まることにより、真空シール部材20および吸着部材10が、半導体ウエハ1の表面を固定可能となる。
When the
この場合、突き上げピン42の先端42aが吸着部材10の位置決め窪み13に嵌まる位置、すなわち、平面視において、位置決め窪み13と貫通孔33とが重なる位置に、吸着部材10の位置を調整すれば、突き上げピン42を下げる際に吸着部材10と真空シール部材20とが接触することを防ぐことができる。さらに、吸着部材10がベースプレート30の上面に位置した際に、ピン35が位置決め窪み14に嵌まることで、吸着部材10がベースプレート30の上面における所定の位置に精度よく配置される。
In this case, if the position of the
突き上げピン42が吸着部材10を垂直上向きに押し上げることで、真空シール部材20と吸着部材10との間の距離が所定の間隔よりも広がるため、作業者が吸着部材10を交換する際に、意図せず真空シール部材20に触れてしまうことを抑制することができる。よって、吸着部材10を平面視において囲む真空シール部材20に傷または汚染を生じさせずに、吸着部材10のみを取り外すことができる。
Since the distance between the
また、吸着部材10をベースプレート30の上面における所定の位置に再度配置する場合に、突き上げピン42の先端42aが吸着部材10の位置決め窪み13に嵌まる位置に吸着部材10を位置調整すれば、突き上げピン42を下げて吸着部材10を配置する際に、真空シール部材20と吸着部材10とが接触することを防ぐことができる。よって、真空シール部材20または吸着部材10に、傷または汚染を生じさせることを防ぐことができる。
Further, when the
さらに、本実施形態に関する真空チャックステージは、吸着部材10が真空シール部材20に囲まれるため、外気が吸着部材10の側面へと流入し、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する圧力が低下することを防止することができる。
Furthermore, in the vacuum chuck stage according to the present embodiment, since the
以上より、デバイス有効領域である半導体ウエハ1の中央付近に吸着部材10が接触し、かつ、デバイス無効領域である半導体ウエハ1の外周部分に真空シール部材20が接触するように各構成を配置すれば、デバイス有効領域に接触する吸着部材10のみを容易に交換することができる。よって、交換費用と製品歩留まりとの間の費用対効果が向上する。
As described above, each component is disposed such that the
ここで、突き上げピン42が吸着部材10を垂直上向きに押し上げた状態で一時的に固定されるように、つまみ43とガイド45とにロック機構が設けられてもよい。
Here, a lock mechanism may be provided to the
また、支持柱50は、たとえば、外部の回転動力部(ここでは、図示しない)と接続され、真空チャックステージを回転させるものであってもよい。
In addition, the
また、突き上げ機構40の上下方向の稼働は、作業者の手作業によるものに限られず、電力で駆動する機械的な動力によるものであってもよい。
Further, the vertical movement of the push-up
また、本実施形態に関する真空チャックステージは、半導体ウエハ1の強固な固定を必要とする、半導体ウエハ1を研削する加工装置、または、半導体ウエハ1をドライエアによって洗浄する洗浄装置などに用いられることが好ましい。
In addition, the vacuum chuck stage according to the present embodiment may be used as a processing apparatus for grinding the
また、真空チャックステージへの半導体ウエハ1の配置は、半導体ウエハ搬送部(ここでは、図示しない)によって行われる。半導体ウエハ搬送部における半導体ウエハ1の吸着方法としては、一般的な真空吸着による方法を想定することができる。ここで、半導体ウエハ1の中心位置が真空チャックステージの中心位置に一致するように、半導体ウエハ搬送部によって調整されることが望ましい。
The placement of the
半導体ウエハ搬送部は、図5に例示されるような、突き上げ機構40の保持板41が下がった状態で、半導体ウエハ1を、吸着部材10の表面と向かい合わせ、かつ、吸着部材10から一定の距離だけ離して位置決めする。その後、半導体ウエハ搬送部による半導体ウエハ1の吸着を解除し、さらに、真空チャックステージにおける吸着を開始することで、半導体ウエハ1が半導体ウエハ搬送部から真空チャックステージへ受け渡される。
The semiconductor wafer transfer unit faces the
<第2実施形態>
本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
Second Embodiment
The vacuum chuck stage according to the present embodiment will be described. In the following, the same components as those described in the above embodiment are indicated by the same reference numerals, and the detailed description thereof is appropriately omitted.
<構成>
図7は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材における吸着プレートの構成を例示する平面図である。図8は、本実施形態に関する真空チャックステージの吸着部材における吸着プレートの構成を例示する下面図である。
<Configuration>
FIG. 7 is a plan view illustrating the configuration of the suction plate in the suction member of the vacuum chuck stage according to the present embodiment. FIG. 8 is a bottom view illustrating the configuration of the suction plate in the suction member of the vacuum chuck stage according to the present embodiment.
また、図9は、本実施形態に関する真空チャックステージの、吸着部材の構成を例示する断面図である。 FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the suction member of the vacuum chuck stage according to the present embodiment.
本実施形態で用いられる吸着部材110は、下面11aにベースプレート30を吸着する吸着プレート11と、上面12bに半導体ウエハ1を吸着する多孔質シート12とを備える。
The
吸着プレート11の上面11bには、図7および図9に例示されるように、吸着プレート11の上面11bから下面11aに貫通する貫通孔11cと、溝11dとが形成される。貫通孔11cは、溝11d内に達する。なお、溝11dは、吸着プレート11の上面11bの全体に広がる形状であってもよい。
In the
吸着プレート11の下面11aには、図8および図9に例示されるように、吸着プレート11の上面11bから下面11aに貫通する貫通孔11cと、突き上げピン42の位置決めのための複数の位置決め窪み11eとが形成される。貫通孔11cと位置決め窪み11eとは、平面視において重ならない位置に配置される。また、吸着プレート11の下面11aには、位置決め窪み14が形成される。
As illustrated in FIGS. 8 and 9, the
ピン35が位置決め窪み14に嵌まることにより、吸着プレート11がベースプレート30の上面における所定の位置に精度よく配置される。このとき、吸着プレート11に設けられた貫通孔11cと、ベースプレート30の溝31とが重なる。
By fitting the
無数に入り組んだ気孔を含むポーラス状の多孔質シート12は、吸着プレート11の上面11bに配置される。そして、溝11dと多孔質シート12の下面12aとが真空接続される。なお、吸着プレート11の上面11bと多孔質シート12の下面12aとは、厚み数十μm程度の両面テープ(ここでは、図示しない)などで全体の一部が接着されることによって、互いに固定されてもよい。
A porous
真空チャックステージの動作は、第1実施形態と同様である。すなわち、吸着プレート11と多孔質シート12とを備える吸着部材110は、ベースプレート30の上面から突き出した突き上げピン42の先端42aが吸着部材110を垂直上方向に押し上げると、真空シール部材20と吸着部材110との間の距離が所定の間隔よりも広がる。逆に、突き上げピン42の先端42aが吸着部材110を下方向に下げると、真空シール部材20と吸着部材110との間の距離が狭まり、真空チャックステージにおいて、半導体ウエハ1の表面を固定可能な吸着面が形成される。
The operation of the vacuum chuck stage is the same as that of the first embodiment. That is, in the
吸着部材110は、吸着プレート11と多孔質シート12とを備えるため、たとえば、多孔質シート12のみを交換することができ、吸着部材の交換費用がより抑えられる。
Since the adsorbing
<第3実施形態>
本実施形態に関する真空チャックステージについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
Third Embodiment
The vacuum chuck stage according to the present embodiment will be described. In the following, the same components as those described in the above embodiment are indicated by the same reference numerals, and the detailed description thereof is appropriately omitted.
<構成>
図10は、本実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第1構造を例示する断面図である。図11は、本実施形態に関する真空チャックステージの、突き上げピンとその収納部との第2構造を例示する断面図である。
<Configuration>
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a first structure of the push-up pin and the housing portion of the vacuum chuck stage according to the present embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a second structure of the push-up pin and the housing portion of the vacuum chuck stage according to the present embodiment.
図10において、ベースプレート30aの貫通孔133の内壁には、真空シール部材21が嵌められる溝36が形成される。そして、真空シール部材21が、溝36に嵌められる。
In FIG. 10, on the inner wall of the through
突き上げピン42の直径は、貫通孔133の直径よりも小さく、かつ、対向して配置される真空シール部材21の間隔よりも大きいものとする。そして、突き上げピン42が貫通孔133に挿入された際に、突き上げピン42が真空シール部材21を弾性変形させるものとする。
The diameter of the push-up
図10に例示される場合では、突き上げピン42が真空シール部材21との摩擦を生じさせながら、貫通孔133内を上下動する。よって、突き上げピン42と貫通孔133の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することを、より効果的に抑制することができる。
In the case illustrated in FIG. 10, the push-up
図11において、ベースプレート30bの、貫通孔233の内壁には、突き上げピン142が収納される溝34が形成される。溝34は、ベースプレート30bの上面側に開放される。すなわち、溝34は、貫通孔233において、ベースプレート30bの表層における幅である溝幅34aを形成する。溝幅34aは、孔幅33aよりも大きい。また、溝34の、ベースプレート30bの下面側の底部には、真空シール部材21bが配置される。溝34のベースプレート30bの下面側の底部は、貫通孔233の径方向に沿う内壁に対応する。
In FIG. 11, on the inner wall of the through
突き上げピン142の先端部142aにおける幅42bは、突き上げピン142の他の部分の幅42dよりも大きい。また、突き上げピン142の先端部142aにおける幅42bは、貫通孔233の孔幅33aよりも大きく、かつ、溝34の溝幅34aよりも小さいものとする。また、突き上げピン142の先端部142aの高さ42cは、溝34の、ベースプレート30bの上面からの溝深さ34bよりも小さいものとする。なお、高さ42cは、突き上げピン142の先端部142aの厚みと真空シール部材21bの厚みとが合算された高さである。突き上げ機構の下降時に、突き上げピン142の先端42aは、ベースプレート30bの上面よりも下方に位置する。すなわち、突き上げピン142の先端部142aは、ベースプレート30bの表層における溝34内に収容される。
The
図11では、突き上げピン142の先端42aが溝34内に収まった状態で、真空シール部材21bを弾性変形させる。
In FIG. 11, the
上記の構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制しつつ、突き上げピン142と貫通孔233の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。
According to the above configuration, when the push-up pin 142 is moved up and down, external air is vacuum chucked via the gap between the push-up pin 142 and the through-
<効果>
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。なお、以下では、上記の実施形態に例示された具体的な構成に基づく効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。また、当該置き換えは、複数の実施形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施形態において例示された各構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
<Effect>
Below, the effect by said embodiment is illustrated. In the following, effects based on the specific configuration exemplified in the above embodiment will be described, but other specific configurations exemplified in the present specification may be substituted as long as similar effects occur. May be Also, the replacement may be made across multiple embodiments. That is, the configurations illustrated in different embodiments may be combined to produce the same effect.
上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、ベースプレート30と、吸着部材10と、第1シール部材に対応する真空シール部材20と、突き上げ部材に対応する突き上げピン42とを備える。
According to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the
吸着部材10は、ベースプレート30の上面に配置される。真空シール部材20は、ベースプレート30の上面に、平面視において吸着部材10を囲んで配置される。突き上げピン42は、ベースプレート30の下方に配置される。
The
ベースプレート30は、平面視において吸着部材10と重なる位置に形成され、かつ、ベースプレート30の上面から下面へ貫通する第1孔に対応する真空配管51と、平面視において吸着部材10と重なるとともに真空配管51とは重ならない位置に形成され、かつ、ベースプレート30の上面から下面へ貫通する第2孔に対応する貫通孔33とを備える。
The
真空配管51は、真空引きされることで吸着部材10を介して吸着部材10の上面に対象物に対応する半導体ウエハ1を真空吸着するための配管である。
The
そして、突き上げピン42が貫通孔33に挿入されることで、吸着部材10がベースプレート30の上面から離間する。
Then, the push-up
このような構成によれば、平面視において吸着部材10を囲んで配置される真空シール部材20によって、吸着部材10の半導体ウエハ1を吸着する圧力の低下を防止することができる。また、突き上げピン42が貫通孔33に挿入されることで、吸着部材10がベースプレート30の上面から離間するため、作業者が真空シール部材20に触れずに吸着部材10のみを容易に交換することができる。
According to such a configuration, it is possible to prevent a drop in pressure for adsorbing the
なお、これらの構成以外の本明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、これらの構成のみで、上記の効果を生じさせることができる。しかし、本明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも1つを上記の構成に適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては記載されなかった本明細書に例示される他の構成を上記の構成に追加した場合でも、同様に上記の効果を生じさせることができる。 In addition, about another structure illustrated by this specification other than these structures, it can be abbreviate | omitted suitably. That is, the above effects can be produced with only these configurations. However, when at least one of the other configurations exemplified in the present specification is appropriately added to the above configuration, that is, the other configuration exemplified in the present specification which is not described as the above configuration is Even when added to the above configuration, the above effect can be similarly produced.
また、上記の実施形態によれば、ベースプレート30の上面には溝31が形成される。そして、真空配管51は、ベースプレート30の上面において溝31内に位置する。
Further, according to the above embodiment, the
一方で、貫通孔33は、ベースプレート30の上面において溝31内に位置しない。
On the other hand, the through
このような構成によれば、半導体ウエハ1の真空吸着の際には、真空配管51を通じて溝31内が真空引きされる。一方で、貫通孔33内は真空引きされない。
According to such a configuration, when the
また、上記の実施形態によれば、吸着部材110が、ベースプレート30の上面に配置される吸着プレート11と、吸着プレート11の上面に配置される多孔質シート12とを備える。
Further, according to the above embodiment, the
このような構成によれば、吸着プレート11の上面に、比較的厚みの薄い多孔質シート12を設けることができるため、たとえば、多孔質シート12のみを交換することができ、吸着部材の交換費用が抑えられる。
According to such a configuration, since the relatively thin
また、上記の実施形態によれば、吸着部材10の下面には位置決め窪み13が形成される。そして、位置決め窪み13は、平面視においてベースプレート30の貫通孔33と重なる位置に形成される。
Further, according to the above embodiment, the
このような構成によれば、貫通孔33に挿入された突き上げピン42がさらに位置決め窪み13に嵌まることで、ベースプレート30と吸着部材10との相対位置が精度よく固定される。よって、突き上げピン42を下げる際に吸着部材10と、ベースプレート30の上面に固定された真空シール部材20とが接触することを防ぐことができる。
According to such a configuration, the push-up
また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、第2孔に対応する貫通孔133の内壁に取り付けられた第2シール部材に対応する真空シール部材21を備える。
Further, according to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the
このような構成によれば、突き上げピン42と貫通孔133の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。
According to such a configuration, external air can be more effectively suppressed from flowing into the vacuum path of the vacuum chuck stage through the gap between the push-up
また、上記の実施形態によれば、第2孔に対応する貫通孔233が、ベースプレート30bの表層における径に対応する溝幅34aが他の部分における径に対応する孔幅33aよりも大きい。また、突き上げ部材に対応する突き上げピン142が、貫通孔233に挿入される先端部142aの幅42bが、他の部分における幅42dよりも大きい。
Further, according to the above embodiment, the through
そして、突き上げピン142の先端部142aが、ベースプレート30bの表層における貫通孔233に収容される。
Then, the
このような構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制することができる。また、突き上げピン142の先端部142aの幅42bが、貫通孔233の孔幅33aよりも大きいため、突き上げピン142の先端部142aが溝34の底部に引っかかり、突き上げピン142が貫通孔233に挿入された状態で固定することができる。そのため、突き上げピン142を貫通孔233に挿入する作業を省略することができる。
According to such a configuration, it is possible to suppress the occurrence of friction with the inner wall of the through
また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、貫通孔233の径方向に沿う内壁に取り付けられた第2シール部材に対応する真空シール部材21bを備える。
Further, according to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the
このような構成によれば、突き上げピン142の上下稼働に際し、貫通孔233の内壁との間で摩擦が生じることを抑制しつつ、突き上げピン142と貫通孔233の隙間を介して、外気が真空チャックステージの真空経路内へと流入することをより効果的に抑制することができる。
According to such a configuration, when the push-up pin 142 is moved up and down, external air is vacuumed through the gap between the push-up pin 142 and the through-
また、上記の実施形態によれば、真空チャックステージが、ベースプレート30を回転可能に支持する柱部材に対応する支持柱50を備える。
Also, according to the above embodiment, the vacuum chuck stage includes the
このような構成によれば、半導体ウエハ1が吸着部材10に吸着された状態で、支持柱50を回転させることにより、半導体ウエハ1に対して所望の処理を行うことができる。
According to such a configuration, desired processing can be performed on the
<変形例>
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの実施形態における少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場が含まれる。
<Modification>
In the above embodiment, although the material, material, size, shape, relative arrangement relation or condition of implementation of each component may also be described, these are exemplifications in all aspects and are described herein. It is not limited to what has been described. Thus, a myriad of variations not illustrated are contemplated within the scope of the technology disclosed herein. For example, when modifying at least one component, adding or omitting, and further including a field for extracting at least one component in at least one embodiment and combining it with a component of another embodiment Be
また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「1つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「1つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、1つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、1つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が1つの構造物に備えられる場合とを含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。 In addition, as long as no contradiction arises, "one or more" may be included in the components described as being "one" in the above embodiment. Furthermore, each component is a conceptual unit, and one component consists of a plurality of structures, one component corresponds to a part of a structure, and a plurality of components. And the case where the component is provided in one structure. In addition, each component includes a structure having another structure or shape as long as the same function is performed.
また、本明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。 In addition, the description in the present specification is referred to for all purposes related to the present technology, and none is recognized as prior art.
また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。 Further, in the above embodiment, when a material name or the like is described without being specified, it is assumed that the material contains other additives, for example, an alloy or the like unless contradiction arises. .
1 半導体ウエハ、10,110 吸着部材、10a,10b 孔、11 吸着プレート、11a,12a 下面、11b,12b 上面、11c,33,133,233 貫通孔、11d,31,32,34,36 溝、11e,13,14 位置決め窪み、12 多孔質シート、20,21,21b 真空シール部材、30,30a,30b ベースプレート、33a 孔幅、34a 溝幅、34b 溝深さ、35 ピン、40 突き上げ機構、41 保持板、42,142 突き上げピン、42a 先端、42b,42d 幅、42c 高さ、45 ガイド、50 支持柱、51 真空配管、142a 先端部。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記吸着部材でそれぞれ覆われる第1貫通孔および第2貫通孔が平面視において前記吸着部材と重なる位置に形成され、前記吸着部材の下面に配置され、かつ、前記第1貫通孔を真空引きすることによって前記吸着部材を介して前記対象物を真空吸着するベースプレートと、
平面視において前記吸着部材を囲み、かつ、前記ベースプレートの上面に配置される第1シール部材と、
前記ベースプレートの下方に前記第2貫通孔に挿入され、かつ、前記吸着部材を前記ベースプレートの上面から離間させる突き上げ部材とを備える、
真空チャックステージ。 A suction member on which an object is disposed on the upper surface,
A first through hole and a second through hole respectively covered by the suction member are formed at positions overlapping with the suction member in plan view, are disposed on the lower surface of the suction member, and vacuum draw the first through hole A base plate that vacuum-sucks the object through the suction member by
A first seal member surrounding the suction member in a plan view and disposed on the upper surface of the base plate;
And a push-up member inserted into the second through hole below the base plate and separating the suction member from the top surface of the base plate.
Vacuum chuck stage.
請求項1に記載の真空チャックステージ。 The adsorption member has porous pores or third through holes.
The vacuum chuck stage according to claim 1.
請求項2に記載の真空チャックステージ。 The adsorption member has both the porous pores and the third through holes.
The vacuum chuck stage according to claim 2.
前記第1貫通孔は、前記ベースプレートの上面において前記溝内に位置し、
前記第2貫通孔は、前記ベースプレートの上面において前記溝内に位置しない、
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。 A groove is formed on the upper surface of the base plate,
The first through hole is located in the groove on the upper surface of the base plate,
The second through hole is not located in the groove on the upper surface of the base plate,
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 3.
前記窪みは、平面視において前記ベースプレートの前記第2貫通孔と重なる位置に形成される、
請求項1から請求項4のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。 A recess is formed on the lower surface of the suction member,
The recess is formed at a position overlapping with the second through hole of the base plate in plan view.
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から請求項5のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。 And a second seal member attached to the inner wall of the second through hole,
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 5.
前記突き上げ部材が、前記第2貫通孔に挿入される先端部の幅が、他の部分における幅よりも大きく、
前記突き上げ部材の前記先端部が、前記ベースプレートの表層における前記第2貫通孔に収容される、
請求項1から請求項5のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。 In the second through hole, the diameter of the surface layer of the base plate is larger than the diameter of the other portion;
A width of a tip end portion of the push-up member inserted into the second through hole is larger than a width in another portion;
The tip end of the push-up member is accommodated in the second through hole in the surface layer of the base plate.
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 5.
請求項7に記載の真空チャックステージ。 It further comprises a second seal member attached to an inner wall along the radial direction of the second through hole,
The vacuum chuck stage according to claim 7.
請求項1から請求項8のうちのいずれか1項に記載の真空チャックステージ。 And a pillar member rotatably supporting the base plate.
The vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 8.
半導体装置の製造方法。 A process of fixing a semiconductor wafer as the object using the vacuum chuck stage according to any one of claims 1 to 9, and grinding or cleaning the semiconductor wafer.
Semiconductor device manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019038580A JP6664529B2 (en) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | Vacuum chuck stage and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019038580A JP6664529B2 (en) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | Vacuum chuck stage and method of manufacturing semiconductor device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015166333A Division JP6513527B2 (en) | 2015-08-26 | 2015-08-26 | Vacuum chuck stage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019096907A true JP2019096907A (en) | 2019-06-20 |
JP6664529B2 JP6664529B2 (en) | 2020-03-13 |
Family
ID=66972084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019038580A Active JP6664529B2 (en) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | Vacuum chuck stage and method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6664529B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110297170A (en) * | 2019-06-24 | 2019-10-01 | 深圳市森美协尔科技有限公司 | A kind of wafer test gearshift and wafer test board |
CN114148747A (en) * | 2021-11-22 | 2022-03-08 | 江西鹰高科技有限公司 | Vacuum type automatic PCB plate turnover device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0463142U (en) * | 1990-10-02 | 1992-05-29 | ||
JPH10116760A (en) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | Aligner and substrate holding device |
JPH11214486A (en) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | Apparatus for treating substrate |
JP2010267894A (en) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and placing method for tray of plasma processing apparatus |
JP2013069773A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
-
2019
- 2019-03-04 JP JP2019038580A patent/JP6664529B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0463142U (en) * | 1990-10-02 | 1992-05-29 | ||
JPH10116760A (en) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | Aligner and substrate holding device |
JPH11214486A (en) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | Apparatus for treating substrate |
JP2010267894A (en) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and placing method for tray of plasma processing apparatus |
JP2013069773A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110297170A (en) * | 2019-06-24 | 2019-10-01 | 深圳市森美协尔科技有限公司 | A kind of wafer test gearshift and wafer test board |
CN114148747A (en) * | 2021-11-22 | 2022-03-08 | 江西鹰高科技有限公司 | Vacuum type automatic PCB plate turnover device |
CN114148747B (en) * | 2021-11-22 | 2023-07-25 | 江西鹰高科技有限公司 | Automatic panel turnover of vacuum type PCB board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6664529B2 (en) | 2020-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI764212B (en) | Adsorption device, exposure stage, lithography equipment and adsorption method | |
JP6382769B2 (en) | Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium | |
JP2013191601A (en) | Substrate holding device and substrate holding method | |
JP2019096907A (en) | Vacuum chuck stage and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2006310697A (en) | Vacuum chuck | |
JP2018026413A (en) | Bonding device and bonding system | |
JP6513527B2 (en) | Vacuum chuck stage | |
JP2014067780A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2014067778A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6292934B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2009170761A (en) | Pasting apparatus of substrate body, and treating method of substrate body | |
JP4869622B2 (en) | Bonded wafer manufacturing method and peeling jig used therefor | |
JP6294121B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2010207739A (en) | Reduced pressure drier | |
KR20140120822A (en) | Chuck table | |
JP5687647B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2010260318A (en) | Suction stage | |
JP2009202294A (en) | Floating chuck device and floating chuck unit | |
JP2007258467A (en) | Sucking apparatus, polishing apparatus, semiconductor-device manufacturing method, and semiconductor device manufactured by same method | |
JP2015065226A (en) | Substrate holding mechanism, and substrate processing device using the same | |
KR101619876B1 (en) | Suction pad for transferring device and the transferring device comprising the same | |
JP2010140921A (en) | Device and method for mounting ball, and apparatus for manufacturing electronic component | |
JP2022098006A (en) | Work transfer hand | |
TW201608668A (en) | Carrying device | |
KR101281664B1 (en) | Substrate processing apparatus having lift pin |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6664529 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |