JP2017041568A - 配線基板、電子機器および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】繊維状部材を含む中間層を間に挟んで信号配線とシールド配線とが対向配置された配線基板において、信号配線と繊維状部材との近接を抑制する。
【解決手段】信号配線を有する第１の基板と、信号配線よりも面積が大きい導体を有する第２の基板を、を用意する。導体の表面に信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を形成する。信号配線と導体とが対向するように第１の基板と第２の基板とを繊維状部材を含む中間層を間に挟んで配置する。第１の基板および第２の基板に押圧を加えて第１の基板と第２の基板とを積層する。
【選択図】図４

Description

開示の技術は、配線基板、電子機器および配線基板の製造方法に関する。

配線を有する複数の基板を積層した多層配線基板に関する技術として、以下の技術が知られている。

例えば、内層回路および内装回路のパターンとは逆パターンの樹脂絶縁体層が形成された内層回路板の両面に、プリプレグを介して別の内層回路板を積層した多層配線基板が知られている。

特開平８−２９３６７６号公報

信号配線を、絶縁体を介してグランド電位または電源電位等の固定電位が印加されるシールド配線で挟んだ構造を有するストリップラインは、例えば以下のようにして形成される。

コア材の一方の面に信号配線を有し、コア材の他方の面にシールド配線を有する複数の基板を作製する。次に、一方の基板の信号配線と、他方の基板のシールド配線とを対向させた状態で、これらの基板の間にプリプレグを介在させる。プリプレグは、例えば、ガラス繊維を含むガラスクロス等の織布に接着剤を含有する熱硬化性樹脂を含浸させて構成される。プリプレグは、一方の基板と他方の基板とを接着する中間層として機能する。その後、基板同士を押さえ付けるように押圧を加えつつ加熱することによりプリプレグ内の熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、複数の基板を積層する。

ここで、信号配線が差動配線を構成する一対の差動配線で構成される場合において、例えば、周波数が１０ＧＨｚ以上の高周波信号が信号配線に伝送される場合には、以下の問題が生じるおそれがある。すなわち、既存の配線基板の製造方法によれば、プリプレグ内のガラス繊維が、信号配線側に偏りやすい。これにより、ガラス繊維が一対の信号配線のうちの一方にのみ近接して配置される場合があり、当該一方の信号配線の電気特性に及ぶガラス繊維の影響がより大きくなる。すなわち、信号配線間で信号配線周囲の比誘電率に差異が生じる。その結果、信号配線間で遅延時間および特性インピーダンスに差異が生じ、伝送品質が低下する。上記の問題は、信号の周波数が高くなる程深刻なものとなる。

開示の技術は、ガラス繊維等の繊維状部材を含む中間層を間に挟んで信号配線とシールド配線とが対向配置された配線基板において、信号配線と繊維状部材との近接を抑制することを目的とする。

開示の技術に係る配線基板は、信号配線を有する第１の基板を含む。該配線基板は、前記信号配線よりも面積が大きい導体、および前記導体の表面に設けられ且つ前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を含み、前記導体の前記凸部が設けられた面が前記信号配線と対向するように配置された第２の基板を含む。該配線基板は、前記信号配線と前記導体との間に設けられた繊維状部材を含む中間層と、を含む。

開示の技術は、ガラス繊維等の繊維状部材を含む中間層を間に挟んで信号配線とシールド配線とが対向配置された配線基板において、信号配線と繊維状部材との近接を抑制することができるという効果を奏する。

比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の構成を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板１００の各構成要素を分解して示す斜視図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る電子機器の構成を示す斜視図である。 開示の技術の実施形態に係る電子機器の構成を示す斜視図である。

はじめに、比較例に係る配線基板の製造方法について説明する。図１Ａ〜図１Ｃおよび図２Ａ〜図２Ｃは、比較例に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

基材１１の両面に銅箔１５を貼り付けたコア材１を用意する。基材１１は、例えばガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂であってもよい。コア材１は、基材１１内の熱硬化性樹脂を予め硬化させた状態で提供される（図１Ａ）。

次に、銅箔１５をエッチング等によってパターニングすることにより、基材１１の一方の面に差動配線を構成する一対の信号配線１３ａ、１３ｂを形成する。また、基材１１の他方の面に電源電位またはグランド電位等の固定電位が印加されるシールド配線１４を形成する。これにより、第１の基板１０が形成される（図１Ｂ）。

第１の基板１０を形成するための上記の各処理と同様の処理を行うことで、基材２１の一方の面に一対の信号配線２３ａ、２３ｂを有し、基材２１の他方の面にシールド配線２４を有する第２の基板２０を形成する（図１Ｃ）。

次に、信号配線１３ａ、１３ｂとシールド配線２４とが対向するように第１の基板１０および第２の基板２０を配置し、これらの基板の間にプリプレグ３０を配置する（図２Ａ）。プリプレグ３０は、例えば、ガラス繊維３２等の繊維状部材を含むガラスクロス等の織布に接着剤を含有する熱硬化性樹脂を含浸させた基材３１を含んで構成される。プリプレグ３０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを接着する中間層として機能する。プリプレグ３０は、基材３１内の熱硬化性樹脂が未硬化の状態で提供される。なお、プリプレグ３０の基材３１、第１の基板１０の基材１１および第２の基板２０の基材２１は、それぞれ、同じ材質および構造を有するものであってもよい。

次に、第１の基板１０と第２の基板２０とを加熱しながらこれらを相互に押し付ける押圧を加える。加熱によりプリプレグ３０内の熱硬化性樹脂は一旦軟化する（図２Ｂ）。

ここで、プリプレグ３０と接する面における第１の基板１０および第２の基板２０の残銅率は、第１の基板１０の方が第２の基板２０よりも小さい。このように、プリプレグ３０と接する面における残銅率が異なることにより、プリプレグ３０に作用する圧力は、第１の基板１０側および第２の基板２０側で不均一となる。これにより、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂は、第１の基板１０および第２の基板２０のうち、プリプレグ３０が接する面における残銅率がより小さい第１の基板１０側に向けて流動する。プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂が、第１の基板１０側に流動することで、ガラス繊維３２は、第１の基板１０側に偏って配置される（図２Ｂ）。

なお、第１の基板１０のプリプレグ３０と接する面における残銅率は、第１の基板１０のプリプレグ３０と接する面の面積に対する信号配線１３ａ、１３ｂの総面積の割合である。第２の基板２０のプリプレグ３０と接する面における残銅率は、第２の基板２０のプリプレグ３０と接する面の面積に対するシールド配線２４の面積の割合である。第１の基板１０と第２の基板２０とで、プリプレグ３０に接する面の面積は略同じである。一方、信号配線１３ａおよび１３ｂの総面積は、シールド配線２４の面積よりも小さい。従って、プリプレグ３０と接する面における残銅率は、第１の基板１０の方が第２の基板２０よりも小さい。

その後、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂が硬化することで、第１の基板１０と第２の基板２０とを積層した配線基板１００Ｘが形成される（図２Ｃ）。

このように、比較例に係る配線基板の製造方法によれば、第１の基板１０と第２の基板２０との間で、プリプレグ３０と接する面における残銅率に差があることから、残銅率がより小さい第１の基板１０側にガラス繊維３２が偏って配置される。これにより、図３に示すように、ガラス繊維３２が、差動配線を構成する一対の信号配線のうち、一方の信号配線１３ａのみに近接して配置されやすく、当該一方の信号配線１３ａの電気特性に及ぶガラス繊維３２の影響がより大きくなる。すなわち、信号配線１３ａと信号配線１３ｂとの間で信号配線周囲の比誘電率に差異が生じる。その結果、信号配線１３ａと信号配線１３ｂとの間で遅延時間および特性インピーダンスに差異が生じ、伝送品質が低下する。上記の問題は、信号の周波数が高くなる程深刻なものとなる。従って、高速信号の伝送線路を構成する配線基板においては、プリプレグ内のガラス繊維と信号配線との距離を一定以上確保することが重要となる。更に、ガラス繊維と導体とが接触することで絶縁劣化が生じることが知られているところ、上記の比較例に係る配線基板の製造方法によれば、ガラス繊維３２と信号配線１３ａまたは１３ｂとの接触により絶縁劣化が生じるおそれがある。

本発明者らは、プリプレグ３０内のガラス繊維３２と信号配線１３ａ、１３ｂとの距離を１０μｍ以上確保することを狙って、熱硬化性樹脂の量を増加させたプリプレグを用いた配線基板の作製を試みた。しかしながら、残銅率差に起因するガラス繊維３２の偏りを根本的に改善することはできず、ガラス繊維３２と信号配線１３ａ、１３ｂとの距離を１０μｍ以上確保することはできなかった。

一方、第１の基板１０と第２の基板２０との残銅率差を小さくするために、信号配線１３ａ、１３ｂの近傍にダミー配線を形成することも考えられる。しかしながら、高速信号を伝送する信号配線の近傍にフローティングまたは電位固定された他の配線が存在すると信号配線の電気的特性が著しく変化するため好ましくない。

以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または対応する構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。また、上記した比較例に係る配線基板１００Ｘの各構成要素と同一または対応する構成要素については、配線基板１００Ｘの各構成要素に付された参照符号と同一の参照を付与し、重複する説明は、適宜省略する。

[第１の実施形態]
図４は、開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板１００の構成を示す断面図、図５は、配線基板１００の各構成要素を分解して示す斜視図である。

開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板１００は、比較例に係る配線基板１００Ｘと同様、プリプレグ３０を間に挟んで積層された第１の基板１０および第２の基板２０を含む。第１の基板１０は、基材１１の一方の面に差動配線を構成する一対の信号配線１３ａ、１３ｂを有し、基材１１の他方の面に固定電位が印加されるシールド配線１４を有する。同様に、第２の基板２０は、基材２１の一方の面に差動配線を構成する一対の信号配線２３ａ、２３ｂを有し、基材２１の他方の面にシールド配線２４を有する。第１の基板１０および第２の基板２０は、プリプレグ３０を間に挟んで信号配線１３ａ、１３ｂとシールド配線２４とが対向するように配置されている。配線基板１００において、信号配線１３ａ、１３ｂが、シールド配線１４および２４の間に挟まれたストリップラインが形成されている。信号配線１３ａ、１３ｂの総面積は、シールド配線２４の面積よりも小さい。すなわち、プリプレグ３０と接する面における第１の基板１０および第２の基板２０の残銅率は、第１の基板１０の方が、第２の基板２０よりも小さい。プリプレグ３０は、ガラス繊維３２を含むガラスクロス等の織布に接着剤を含有する熱硬化性樹脂を含浸させた基材３１を含んで構成されている。

シールド配線２４の表面には、絶縁体によって構成され、信号配線１３ａ、１３ｂのパターンと略同じパターンを有する一対の線状部４０ａ、４０ｂを含む凸部４０が設けられている。すなわち、凸部４０を構成する一対の線状部４０ａ、４０ｂは、信号配線１３ａ、１３ｂに沿って伸びており、シールド配線２４の表面から突出した形態を有する。線状部４０ａ、４０ｂは、それぞれ、第１の基板１０と第２の基板２０とを積層したときに、シールド配線２４が延在する面の方向において、信号配線１３ａ、１３ｂと重なる位置に配置されている。すなわち、線状部４０ａ、４０ｂは、それぞれ、信号配線１３ａ、１３ｂの直上に配置されている。線状部４０ａ、４０ｂは、樹脂などの絶縁体によって構成されている。

シールド配線２４の表面に、信号配線１３ａ、１３ｂのパターンに対応するパターンを有する凸部４０（線状部４０ａ、４０ｂ）を設けることで、第２の基板２０のプリプレグ３０と接する面における擬似的な残銅率を、第１の基板１０における残銅率に略一致させることができる。これにより、第１の基板１０と第２の基板２０との間の残銅率差に起因する、ガラス繊維３２と信号配線１３ａ、１３ｂとの近接を抑制することができる。

以下に、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００の製造方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｄおよび図７Ａ〜図７Ｃは、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００の製造方法を示す断面図である。

はじめに、基材１１の両面に銅箔１５を貼り付けたコア材１を用意する。基材１１は、例えばガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂であってもよい。コア材１は、基材１１内の熱硬化性樹脂を予め硬化させた状態で提供される（図６Ａ）。

次に、銅箔１５をエッチング等によってパターニングすることにより、基材１１の一方の面に差動配線を構成する一対の信号配線１３ａ、１３ｂを形成する。また、基材１１の他方の面に電源電位またはグランド電位等の固定電位が印加されるシールド配線１４を形成する。これにより、第１の基板１０が形成される（図６Ｂ）。

第１の基板１０を形成するための上記の各処理と同様の処理を行うことで、基材２１の一方の面に一対の信号配線２３ａ、２３ｂを有し、基材２１の他方の面にシールド配線２４を有する第２の基板２０を形成する（図６Ｃ）。

次に、第２の基板２０のシールド配線２４の表面に、第１の基板１０の信号配線１３ａ、１３ｂのパターンと同じパターンを有する一対の線状部４０ａ、４０ｂを含む凸部４０を形成する。第１の基板１０と第２の基板２０とを積層したときに、シールド配線２４が延在する面の方向において信号配線１３ａ、１３ｂと重なる位置に、線状部４０ａ、４０ｂを配置する（図６Ｄ）。凸部４０の材料として樹脂などの絶縁体を好適に用いることができる。凸部４０は、例えば、塗布法や転写法などの公知の手法を用いてシールド配線２４の表面に形成することができる。

次に、信号配線１３ａ、１３ｂとシールド配線２４とが対向するように、第１の基板１０および第２の基板２０を配置し、これらの基板の間にプリプレグ３０を配置する。凸部４０を構成する線状部４０ａ、４０ｂは、それぞれ、信号配線１３ａ、１３ｂの直上に配置される（図７Ａ）。プリプレグ３０は、例えば、ガラス繊維３２を含むガラスクロス等の織布に接着剤を含有する熱硬化性樹脂を含浸させた基材３１を含んで構成される。プリプレグ３０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを接着する中間層として機能する。プリプレグ３０は、基材３１を構成する熱硬化性樹脂が未硬化の状態で提供される。なお、プリプレグ３０の基材３１、第１の基板１０の基材１１および第２の基板２０の基材２１は、それぞれ、同じ材質および構造を有するものであってもよい。

次に、第１の基板１０と第２の基板２０とを加熱しながらこれらを相互に押し付ける押圧を加える。加熱によりプリプレグ３０内の熱硬化性樹脂は一旦軟化する。シールド配線２４上に信号配線１３ａ、１３ｂのパターンと略同一のパターンを有する線状部４０ａ、４０ｂを含む凸部４０を設けることで、第２の基板２０のプリプレグ３０と接する面における擬似的な残銅率が、第１の基板１０における残銅率に略等しくなる。これにより、プリプレグ３０に作用する圧力が第１の基板１０側と第２の基板２０側とで均一化され、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂の流動も均一化される。すなわち、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂の信号配線１３ａ、１３ｂ側への流動が抑制される。これにより、ガラス繊維３２の、信号配線１３ａ、１３ｂ側への偏りが抑制される（図７Ｂ）。

その後プリプレグ３０を構成する熱硬化性樹脂が硬化することで、第１の基板１０と第２の基板２０とを積層した配線基板１００が形成される（図７Ｃ）。

以上のように、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００において、シールド配線２４の表面には、信号配線１３ａ、１３ｂのパターンに対応するパターンを有する凸部４０が設けられている。これにより、信号配線１３ａ、１３ｂとプリプレグ３０内のガラス繊維３２との近接を抑制することが可能となる。すなわち、信号配線１３ａ、１３ｂとガラス繊維３２との間に一定以上の距離が確保される。これにより、信号配線１３ａ、１３ｂの電気特性に及ぶガラス繊維３２の影響を小さくすることができる。従って、信号配線１３ａと信号配線１３ｂとの間で信号配線周囲の比誘電率が略等しくなることから、信号配線間での遅延時間差および特性インピーダンス差を抑制することができ、良好な伝送品質を確保することができる。また、ガラス繊維３２と信号配線１３ａ、１３ｂとの接触による絶縁劣化を防止することができる。

なお、絶縁体からなる凸部を、第１の基板１０の信号配線１３ａ、１３ｂの近傍に配置することにより、第１の基板１０側の擬似的な残銅率を、第２の基板２０側の残銅率に近づける対応も考えられる。しかしながら、この場合には、信号配線１３ａ、１３ｂが、凸部を構成する絶縁体から受ける影響が大きくなり、伝送品質が劣化するおそれがある。本実施形態に係る配線基板１００によれば、凸部４０は、プリプレグ３０を間に挟んで信号配線１３ａ、１３ｂと対向する第２の基板２０のシールド配線２４の表面に設けられるので、信号配線１３ａ、１３ｂの電気特性に及ぶ凸部４０の影響を小さくできる。

［第２の実施形態］
図８は、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１００Ａの構成を示す断面図である。配線基板１００Ａは、凸部４０の構成および配置が第１の実施形態に係る配線基板１００とは異なる。

すなわち、第１の実施形態に係る配線基板１００において、凸部４０は、信号配線１３ａ、１３ｂのパターンと略同じパターンを有し且つ信号配線１３ａ、１３ｂの直上に配置された一対の線状部４０ａ、４０ｂを含むものであった。これに対して、第２の実施形態に係る凸部４０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを積層したときに、シールド配線２４が延在する面の方向において信号配線１３ａ、１３ｂからずれた位置に配置される線状部４０ａ、４０ｂ、４０ｃを含む。すなわち凸部４０は、図８に示すように、信号配線１３ａ、１３ｂの外側に配置され且つ信号配線１３ａ、１３ｂに沿って伸びる線状部４０ａ、４０ｂと、信号配線１３ａと１３ｂの間に配置され且つ信号配線１３ａ、１３ｂに沿って伸びる線状部４０ｃとを含む。

以下に、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１００Ａの製造方法について説明する。図９および図１０は、配線基板１００Ａの製造方法を示す断面図である。

はじめに、基材１１の両面に銅箔１５を貼り付けたコア材１を用意する。基材１１は、例えばガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂であってもよい。コア材１は、基材１１内の熱硬化性樹脂を予め硬化させた状態で提供される（図９Ａ）。

次に、銅箔１５をエッチング等によってパターニングすることにより、基材１１の一方の面に差動配線を構成する一対の信号配線１３ａ、１３ｂを形成する。また、基材１１の他方の面に電源電位またはグランド電位等の固定電位が印加されるシールド配線１４を形成する。これにより、第１の基板１０が形成される（図９Ｂ）。

第１の基板１０を形成するための上記の各処理と同様の処理を行うことで、基材２１の一方の面に一対の信号配線２３ａ、２３ｂを有し、基材２１の他方の面にシールド配線２４を有する第２の基板２０を形成する（図９Ｃ）。

次に、第２の基板２０のシールド配線２４の表面に、信号配線１３ａ、１３ｂに沿って伸びる線状パターンを有する線状部４０ａ、４０ｂ、４０ｃを含む凸部４０を形成する。第１の基板１０と第２の基板２０とを積層したときに、シールド配線２４が延在する面の方向において信号配線１３ａ、１３ｂと重ならない位置に、線状部４０ａ、４０ｂ、４０ｃを配置する。すなわち、信号配線１３ａ、１３ｂの外側に位置するように線状部４０ａ、４０ｂを配置し、信号配線１３ａと１３ｂの間に位置するように線状部４０ｃを配置する（図９Ｄ）。凸部４０の材料として樹脂などの絶縁体を好適に用いることができる。凸部４０は、例えば、塗布法や転写法などの公知の手法を用いてシールド配線２４の表面に形成することができる。

次に、信号配線１３ａ、１３ｂとシールド配線２４とが対向するように、第１の基板１０および第２の基板２０を配置し、これらの基板の間にプリプレグ３０を配置する（図１０Ａ）。

次に、第１の基板１０と第２の基板２０とを加熱しながらこれらを相互に押し付ける押圧を加える。加熱によりプリプレグ３０内の熱硬化性樹脂は一旦軟化する。シールド配線２４上に信号配線１３ａ、１３ｂのパターンに対応するパターンを有する線状部４０ａ、４０ｂ、４０ｃを含む凸部４０を設けることで、第２の基板２０のプリプレグ３０と接する面における擬似的な残銅率を、第１の基板１０における残銅率に近づけることができる。これにより、プリプレグ３０に作用する圧力が第１の基板１０側と第２の基板２０側とで均一化され、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂の流動も均一化される。すなわち、プリプレグ３０内の熱硬化性樹脂の信号配線１３ａ、１３ｂ側への流動が抑制される。これにより、ガラス繊維３２の、信号配線１３ａ、１３ｂ側への偏りが抑制される（図１０Ｂ）。

その後プリプレグ３０を構成する熱硬化性樹脂が硬化することで、第１の基板１０と第２の基板２０とを積層した配線基板１００Ａが形成される（図１０Ｃ）。

以上のように、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１００Ａにおいて、シールド配線２４の表面には、信号配線１３ａ、１３ｂのパターンに対応するパターンを有する凸部４０が設けられている。これにより、信号配線１３ａ、１３ｂとプリプレグ３０内のガラス繊維３２との近接を抑制することが可能となる。すなわち、信号配線１３ａ、１３ｂとガラス繊維３２との間に一定以上の距離が確保される。これにより、信号配線１３ａ、１３ｂの電気特性に及ぶガラス繊維３２の影響を小さくすることができる。従って、信号配線１３ａと信号配線１３ｂとの間で信号配線周囲の比誘電率が略等しくなることから、信号配線間での遅延時間差および特性インピーダンス差を抑制することができ、良好な伝送品質を確保することができる。また、ガラス繊維３２と信号配線１３ａ、１３ｂとの接触による絶縁劣化を防止することができる。

また、凸部４０を構成する各線状部４０ａ、４０ｂ、４０ｃを、それぞれ、信号配線１３ａ、１３ｂの直上からずれた位置に配置することにより、信号配線１３ａ、１３ｂの電気特性に及ぶ凸部４０の影響を小さくできる。すなわち、絶縁体で構成される凸部４０を信号配線１３ａ、１３ｂの直上に配置した場合と比較して、信号配線１３ａ、１３ｂにおける信号伝送において、凸部４０から受ける影響を小さくすることができる。

なお、凸部４０を構成する各線状部を、それぞれ、信号配線１３ａ、１３ｂの直上からずれた位置に配置する場合には、以下の点に留意することが好ましい。すなわち、プリプレグ３０に作用する圧力およびプリプレグ３０内の樹脂の流動が第１の基板１０側と第２の基板２０側とで均一化されるように、シールド配線２４のパターンを含めた凹凸バランスを考慮して、各線状部の形状および配置を定めることが好ましい。

第１および第２の実施形態に係る配線基板１００および１００Ａにおいて、凸部４０を、信号配線１３ａ、１３ｂに沿って伸びる線状パターンとする場合を例示したが、この態様に限定されるものではない。凸部４０は、信号配線１３ａ、１３ｂに沿って断続的に連なる複数のセグメントを含んで構成されていてもよい。

また、第１および第２の実施形態に係る配線基板１００および１００Ａが、第１の基板１０および第２の基板２０を含む構成を例示したが、第２の基板２０上に１つまたは複数の基板をプリプレグを介して更に積層してもよい。この場合、第２の基板２０上に積層される第３の基板（図示せず）のシールド配線の表面にも、第２の基板２０に形成された信号配線２３ａ、２３ｂのパターンに対応するパターンを有する絶縁体からなる凸部を形成することが好ましい。

また、上記の第１および第２の実施形態に係る配線基板１００および１００Ａにおいて、第２の基板２０の、シールド配線２４が形成された面とは反対側の面に、信号配線２３ａ、２３ｂを設ける場合を例示したが、この態様に限定されるものではない。第２の基板２０の、シールド配線２４が形成された面とは反対側の面に、更にシールド配線を形成してもよい。

図１１Ａは、第１の実施形態に係る配線基板１００または第２の実施形態に係る配線基板１００Ａと、これらの配線基板１００、１００Ａに搭載された電子部品と、を含む開示の技術の実施形態に係る電子機器の構成の一例を示す斜視図である。

図１１Ａでは、電子部品として複数のＣＰＵ（Central Processing Unit）１１０および複数のメモリ１１１が配線基板１００または１００Ａに搭載されたサーバコンピュータ２００が例示されている。ＣＰＵ１１０およびメモリ１１１の入出力信号は、配線基板１００または１００Ａに形成された信号配線１３ａ、１３ｂを介して伝送される。ＣＰＵ１１０およびメモリ１１１を搭載した配線基板１００または１００Ａは、図１１Ｂに示すように、筐体１２０の内部に収容されていてもよい。

なお、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００、１００Ａは、サーバコンピュータに限らず、あらゆる電子機器に適用することが可能である。

配線基板１００、１００Ａは、開示の技術における配線基板の一例である。第１の基板１０は、開示の技術における第１の基板の一例である。第２の基板２０は、開示の技術にける第２の基板の一例である。信号配線１３ａ、１３ｂは、開示の技術における信号配線の一例である。シールド配線２４は、開示の技術における導体の一例である。プリプレグ３０は、開示の技術における中間層の一例である。ガラス繊維３２は、開示の技術における繊維状部材の一例である。サーバコンピュータ２００は、開示の技術における電子機器の一例である。ＣＰＵ１１０およびメモリ１１１は、開示の技術における電子部品の一例である。

以上の第１および第２の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
信号配線を有する第１の基板と、
前記信号配線よりも面積が大きい導体、および前記導体の表面に設けられ且つ前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を含み、前記導体の前記凸部が設けられた面が前記信号配線と対向するように配置された第２の基板と、
前記信号配線と前記導体との間に設けられた繊維状部材を含む中間層と、
を含む配線基板。

（付記２）
前記凸部は、前記信号配線に沿って伸びる線状パターンを有する
付記１に記載の配線基板。

（付記３）
前記凸部は、前記信号配線と重なる位置に設けられている
付記１または付記２に記載の配線基板。

（付記４）
前記信号配線は、一対の差動配線であり
前記凸部は、前記一対の差動配線に対応する一対の線状部を含んで構成されている
付記１から付記３のいずれか１つに記載の配線基板。

（付記５）
前記凸部は、前記信号配線からずれた位置に設けられている
付記１または付記２に記載の配線基板。

（付記６）
前記中間層はガラス繊維に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを含んで構成される
付記１から付記５のいずれか１つに記載の配線基板。

（付記７）
前記導体は、固定電位が印加されるシールド配線である
付記１から付記６のいずれか１つに記載の配線基板。

（付記８）
前記第１の基板は、前記信号配線が形成された面とは反対側の面に前記信号配線よりも面積が大きい第２の導体を有する
付記１から付記７のいずれか１つに記載の配線基板。

（付記９）
信号配線を有する第１の基板と、前記信号配線よりも面積が大きい導体、および前記導体の表面に設けられ且つ前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を含み、前記導体の前記凸部が設けられた面が前記信号配線と対向するように配置された第２の基板と、前記信号配線と前記導体との間に設けられた繊維状部材を含む中間層と、を含む配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を含む電子機器。

（付記１０）
前記凸部は、前記信号配線に沿って伸びる線状パターンを有する
付記９に記載の電子機器。

（付記１１）
前記凸部は、前記信号配線と重なる位置に設けられている
付記９または付記１０に記載の電子機器。

（付記１２）
前記信号配線は、一対の差動配線であり
前記凸部は、前記一対の差動配線に対応する一対の線状部を含んで構成されている
付記９から付記１１のいずれか１つに記載の電子機器。

（付記１３）
前記凸部は、前記信号配線からずれた位置に設けられている
付記９または付記１０に記載の電子機器。

（付記１４）
前記中間層はガラス繊維に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを含んで構成される
付記９から付記１３のいずれか１つに記載の電子機器。

（付記１５）
前記導体は、固定電位が印加されるシールド配線である
付記９から付記１４のいずれか１つに記載の電子機器。

（付記１６）
前記第１の基板は、前記信号配線が形成された面とは反対側の面に前記信号配線よりも面積が大きい第２の導体を有する
付記９から付記１５のいずれか１つに記載の電子機器。

（付記１７）
信号配線を有する第１の基板および前記信号配線よりも面積が大きい導体を有する第２の基板を用意し、
前記導体の表面に前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を形成し、
前記信号配線と前記導体とが対向するように前記第１の基板と前記第２の基板とを繊維状部材を含む中間層を間に挟んで配置し、
前記第１の基板および前記第２の基板に押圧を加えて前記第１の基板と前記第２の基板とを積層する
配線基板の製造方法。

（付記１８）
前記凸部を、前記信号配線と重なる位置に配置する
付記１７に記載の製造方法。

（付記１９）
前記信号配線は、一対の差動配線であり
前記凸部を、前記一対の差動配線に対応する一対の線状部を含むように構成する
付記１７または付記１８に記載の製造方法。

（付記２０）
前記凸部を、前記信号配線からずれた位置に配置する
付記１７に記載の製造方法。

１０ 第１の基板
１３ａ、１３ｂ 信号配線
２０ 第２の基板
２４ シールド配線
３０ プリプレグ
３２ 繊維状部材
４０ 凸部
１００、１００Ａ 配線基板

Claims (8)

1. 信号配線を有する第１の基板と、
   前記信号配線よりも面積が大きい導体、および前記導体の表面に設けられ且つ前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を含み、前記導体の前記凸部が設けられた面が前記信号配線と対向するように配置された第２の基板と、
   前記信号配線と前記導体との間に設けられた繊維状部材を含む中間層と、
   を含む配線基板。
2. 前記凸部は、前記信号配線に沿って伸びる線状パターンを有する
   請求項１に記載の配線基板。
3. 前記凸部は、前記信号配線と重なる位置に設けられている
   請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記信号配線は、一対の差動配線であり、
   前記凸部は、前記一対の差動配線に対応する一対の線状部を含んで構成されている
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 前記凸部は、前記信号配線からずれた位置に設けられている
   請求項１または請求項２に記載の配線基板。
6. 前記第１の基板は、前記信号配線が形成された面とは反対側の面に前記信号配線よりも面積が大きい第２の導体を有する
   請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の配線基板。
7. 信号配線を有する第１の基板と、信号配線よりも面積が大きい導体、および前記導体の表面に設けられ且つ前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を含み、前記導体の前記凸部が設けられた面が前記信号配線と対向するように配置された第２の基板と、前記信号配線と前記導体との間に設けられた繊維状部材を含む中間層と、を含む配線基板と、
   前記配線基板に搭載された電子部品と、
   を含む電子機器。
8. 信号配線を有する第１の基板および前記信号配線よりも面積が大きい導体を有する第２の基板を用意し、
   前記導体の表面に前記信号配線のパターンに対応するパターンを有する絶縁体で構成された凸部を形成し、
   前記信号配線と前記導体とが対向するように前記第１の基板と前記第２の基板とを繊維状部材を含む中間層を間に挟んで配置し、
   前記第１の基板および前記第２の基板に押圧を加えて前記第１の基板と前記第２の基板とを積層する
   配線基板の製造方法。

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