JP2017037943A - 面実装チップバリスタ - Google Patents

Abstract

【課題】バリスタ素子内でのリーク電流の発生を抑止できる高電圧・大電流パルス用の面実装チップバリスタを提供する。【解決手段】一対のフレーム端子９，１１が、バリスタ素子２の長手方向の中心線に対して線対称となる位置に配されるとともに、一対のフレーム端子各々の立ち上がり部９ｂ，１１ｂが、バリスタ素子上の電極５，７に接合される接合部９ａ，１１ａの一方端から立ち上がって外装材の外部へ延び、その立ち上がり部が外装材の外部へ延びる方向と電極の面方向とのなす角度が所定範囲となるように引き出す構成とする。【選択図】図４

Description

本発明は、例えば、各種サージやパルスノイズから電子機器等の回路の保護に使用する面実装チップバリスタに関する。

近年、自動車、家電機器、産業機器等に使用される電子部品の使用環境の変化が目覚ましく、この種の電子部品に対して従来は要求されなかった規格の改定が行われたり、部品用途の多様化が増大している。その結果、予期せぬノイズやエネルギーの大きなパルスから脆弱な電子回路が保護されるようにするため、これらの機器に搭載される電子部品への要求が極めて厳しくなっている。さらには、硫化や結露等の環境の影響を充分に考慮し、単に初期機能だけでなく、継続的な信頼性の高い製品を提供する必要がある。

回路保護部品として使用されるバリスタは、異常電圧吸収素子からなる電子部品であって、ディスクタイプ（ラジアル部品タイプのものが多い）、面実装タイプ（チップ型）、積層（内層）タイプがあり、用途により使い分けられている。例えば、１００Ｖ〜２００Ｖ等の電源供給を受ける家庭用電源機器や周辺回路の保護、雷サージ等の高電圧・大電流のパルス用としてディスク型が使用される。一方、面実装タイプや積層タイプは、ディスクタイプよりも低電圧、低電流のパルス用として使用される。

バリスタは、高電圧・大電流タイプになるほどバルクサイズが大きくなる。これは、バルクサイズの大きいものでなければ、雷サージ等に耐えることができないからである。特許文献１は、電子機器のサージ保護用のチップバリスタとして、サージ電流耐量を向上させたチップバリスタを開示している。

特開平４−３１５４０２号公報

一方、近年における電子部品の省スペース化、小型化の進展により、高電圧・大電流パルスに対応できる面実装チップタイプのバリスタが求められているが、従来の面実装型のバリスタを高電圧・大電流パルス用にバルクサイズを大きくしても、雷サージ等のパルスによりバリスタが短絡した際、部品そのものがおよそ１０００℃近くまで発熱する。このことから、従来のバリスタは、例えば図６に示すように低背構造の平置き型であり、基板８０に実装されたときにバリスタ７０の底面７２が基板８０と近接するため、バリスタの短絡等による過熱によってモールド樹脂７６が溶け、それが高温状態となって基板８０上に達し、基板８０を燃焼させる危険性が極めて高くなるという問題がある。

また、平置き型である上記従来のチップバリスタは、バリスタ素子７５を横長の状態に位置決めし、電気的性能を確保するためにバリスタ素子７５の上面と下面の両端部間際まで電極７７，７９を形成して、これらの電極７７，７９にリードフレーム端子７１，７３を接合している。ここで、リードフレーム端子７１，７３は、バリスタ素子７５を上下方向から保持するとともに、リードフレーム端子７１，７３とバリスタ素子７５とが左右方向において極めて近接している。これは、リードフレーム端子７１，７３をバリスタ外部へ引き出す位置を揃えることで、実装の際の不具合の発生を防止し、リードフレーム端子７１，７３の互いのフレーム端子高（外部電極の高さ）を合わせるために、図６に示すようにリードフレーム端子７１，７３を曲げている。

ところが、上述した電子部品の省スペース化、小型化に伴い、平置き型のチップバリスタでは、バリスタ素子７５の両端部の間際まで電極７７，７９が形成されているのみならず、電極７７，７９の端部間際までリードフレーム端子７１，７３が接合され、これらのリードフレーム端子がバリスタ素子に近接しながらバリスタ素子に沿って配置されている。さらには、バリスタ素子７５に近い位置でリードフレーム端子７１，７３がバリスタの外装の外部へ引き出されている。そのため、高電圧パルス等が突入した場合、図６において○で囲んで示す電極間、電極とリードフレーム端子間、バリスタ素子とリードフレーム端子間等においてリーク電流が発生しやすいという問題がある。そして、リーク電流の発生により、バリスタによる回路保護機能を全うできないという問題が生じる。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バリスタ素子内でのリーク電流の発生を抑止できる高電圧・大電流パルス用の面実装チップバリスタを提供することである。

上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明の面実装チップバリスタは、バリスタ素子と、そのバリスタ素子の両面それぞれに形成された電極と、これらの電極に接合された一対のフレーム端子とが絶縁性の外装材で覆われてなる面実装チップバリスタであって、前記一対のフレーム端子各々が、前記電極に接合される接合部と、この接合部の一方端から立ち上がって前記外装材の外部へ突き出る立ち上がり部と、この立ち上がり部と連接しながら前記外装材に沿って底部まで延びる外部電極部とからなり、前記一対のフレーム端子は、前記接合部と前記立ち上がり部と前記外部電極部とが一体となって、前記バリスタ素子の長手方向の中心線に対して線対称となる位置に配されることを特徴とする。

例えば、前記立ち上がり部が前記外装材の外部へ延びる方向と前記電極の面方向とのなす角度が６０°以上であることを特徴とする。また、例えば、前記立ち上がり部が前記接合部の一方端から立ち上がる位置は、前記電極の一方端部よりも内側にあることを特徴とする。例えば、前記接合部の一方端と前記電極の一方端部間の距離は、前記接合部の他方端と前記電極の他方端部間の距離よりも短いことを特徴とする。また、例えば、前記電極の一方端部が前記バリスタ素子の一方端部よりも内側に位置し、かつ、前記電極の他方端部が前記バリスタ素子の他方端部よりも内側に位置するように前記電極を前記バリスタ素子の上に形成することを特徴とする。

さらには、例えば、前記外装材の底部両端側に一対の脚部を有することを特徴とする。また、例えば、前記外部電極部は、前記外装材の１／４〜１／２の高さを有し、前記一対の脚部の奥行き幅の１／４〜１／２の幅を有することを特徴とする。例えば、前記バリスタ素子は全体形状が直方体であることを特徴とする。

本発明によれば、高電圧パルス等が突入してもバリスタ素子内でのリーク電流の発生を抑止して、回路保護部品として信頼性の高い面実装チップバリスタを提供することができる。

本発明の実施の形態例に係る面実装タイプのチップバリスタの外観であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た正面図、（ｃ）は、図１（ａ）を矢印Ｂ方向から見た側面図である。 図１（ｃ）における面実装チップバリスタのＣ−Ｃ’矢視断面図である。 バリスタ素子、電極、およびリードフレーム端子の相互の位置関係等を含む構造を詳細に説明するための図である。 リードフレーム端子の立ち上がり部と電極とのなす角度を説明するための図である。 本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造工程を時系列で示すフローチャートである。 従来のバリスタの構造を示す図である。

以下、添付図面を参照して本発明に係る実施の形態例について詳細に説明する。図１は、本実施の形態例に係る面実装タイプのチップバリスタ（以降において、面実装チップバリスタという。）の外観を示しており、図１（ａ）は外観斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た正面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）を矢印Ｂ方向から見た側面図である。また、図２は、図１（ｃ）においてＣ−Ｃ’矢視線に沿って縦方向に切断した面実装チップバリスタの内部構造を示す断面図である。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは、バリスタ本体の上面、底面、側面とも矩形で、本体の高さＨが例えば１８ｍｍ、幅Ｗが例えば８ｍｍ、奥行きＤが例えば１２ｍｍであり、全体として直方体の外観形状を有している。よって、この面実装チップバリスタを基板等に実装した場合、縦方向の寸法（実装高さともいう）が横方向の寸法（実装幅ともいう）よりも長く、図６に示す従来のチップバリスタが平置き型であるのに対して、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは縦置き（立て置き）構造である。

図２に示すように、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１は、全体形状が直方体のバリスタ素子２を内蔵しており、バリスタ素子２は、後述するように酸化亜鉛（ＺｎＯ）に添加物を混合した組成からなる。バリスタ素子２の左右それぞれの表面（矩形の面）には電極５，７が形成され、これらの電極５，７それぞれに、図２に示すように屈曲した形状のリードフレーム端子９，１１が、例えば半田等により電気的・機械的な接続を確保できる状態で接合されている。換言すれば、リードフレーム端子９，１１が、バリスタ素子２の長手方向に引いた中心線に対して左右対称となり、電極５，７を介してバリスタ素子２を合掌する形で挟持する構造となっている。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１では、リードフレーム端子９，１１とともにバリスタ素子２、電極５，７が樹脂モールドで封止され、それらがさらに、別の樹脂モールドで覆われる構造になっている。より具体的には、面実装チップバリスタ１は、バリスタ素子２等を直接封止する第１モールド層１３と、この第１モールド層１３の周囲を覆うように形成された第２モールド層１５とからなる２重（２層）構成になっている。第２モールド層１５の底部両端側には脚部１７，１９が形成され、これらの脚部１７，１９を所定距離だけ離間させた構造（ゲタ（脚）付き構造）としたことにより、脚部１７，１９間に空隙部（空間）Ｓが形成される。この空隙部Ｓは、面実装チップバリスタ１を、例えば基板２０等に実装したとき、面実装チップバリスタ１の底部と基板との間における空間となる。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１において、外装モールドを２層構成とし、第２モールド層１５の構成時（二次工程）に脚部１７，１９を形成することで、完全に素子を封止することができる。また、第１モールド層１３と第２モールド層１５の材質は、基板燃焼を避ける効果を考慮して、例えば、第１、第２モールド層ともにエポキシ樹脂とする。

電極５，７に接合されたリードフレーム端子９，１１は、図２に示すように、それぞれが２層構成のモールド層（外装樹脂ともいう）より外部へ引き出された後、面実装チップバリスタの下方側に折り曲げられ、外装樹脂の表面形状に沿って下降する。リードフレーム端子９，１１それぞれの先端部分は、脚部１７，１９の底面（実装基板側の面）上で終端される。その結果、リードフレーム端子９，１１の先端部は、図１（ｂ）に示すように、外装樹脂の底部に設けた空隙部Ｓを挟んで、その空隙部Ｓの幅ｂだけ離間して対向する。

図１（ｂ）に示されるように、面実装チップバリスタ１の脚部１７，１９を除いた底平面部ｘ（空隙部Ｓの天井部）と実装基板２０との距離（空隙部Ｓの空間距離）ａは、脚部１７，１９の高さとその実装基板側の面に配されたリードフレーム端子９，１１の先端部分における厚さとによって決まる。ここでは、空間距離ａが例えば２ｍｍであり、脚部１７，１９の内側間の距離（空隙部Ｓの幅であり、脚部間距離ともいう。）ｂは例えば５ｍｍ、脚部１７，１９の厚さｃは例えば１．５ｍｍである。

リードフレーム端子９，１１のうち、外装樹脂の表面形状に沿って下降する部分（図１（ｃ）に示す外部電極３）の高さであるフレーム端子高ｈは、例えば５．５ｍｍである。よって、フレーム端子高ｈ（外部電極３の高さ）は、外装材（バリスタ本体）の高さＨの１／４〜１／２であり、フレーム端子幅ｄ（外部電極３の幅）は、脚部１７，１９の奥行き幅（バリスタ本体の奥行きＤ）の１／４〜１／２である。最も好ましくは、フレーム端子高ｈ（外部電極３の高さ）は、外装材（バリスタ本体）の高さＨのほぼ１／３であり、フレーム端子幅ｄ（外部電極３の幅）は、脚部１７，１９の奥行き幅（バリスタ本体の奥行きＤ）のほぼ１／３である。

次に、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタのリードフレーム端子等の構造上の特徴について詳細に説明する。図３は、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタにおけるバリスタ素子、電極、およびリードフレーム端子の相互の位置関係等を含む構造を詳細に説明するための図である。図３に示すように、バリスタ素子２の左右両面に電極５，７を形成する際、それらの電極５，７の各端部２１ａ〜２１ｄが、バリスタ素子２の縁部２ａ，２ｂよりも、距離ｅだけ（例えば、１ｍｍ以上）内側に位置するように形成する。

リードフレーム端子９，１１は、電極５，７に接合された部分である接合部９ａ，１１ａと、この接合部９ａ，１１ａの一方端から立ち上がり、外装１５（図３では省略）の外部へ突き出る立ち上がり部９ｂ，１１ｂと、これらの立ち上がり部９ｂ，１１ｂと連接して外装の外部から下方側に折り曲がり、外装表面に沿って脚部の底部まで延びてバリスタの外部電極３となる外部電極部９ｃ，１１ｃとからなる。リードフレーム端子９，１１は同じ形状を有し、バリスタ素子２の主両面に、バリスタ素子２の長手方向の中心線に対して対称となる位置に接合される。

電極５，７に接合された接合部９ａ，１１ａの一方端（立ち上がり部９ｂ，１１ｂに接続する部分）は、電極５，７の端部２１ｃ，２１ｄよりも、距離ｆだけ（例えば、１ｍｍ以上）内側の位置にある。リードフレーム端子９，１１の立ち上がり部９ｂ，１１ｂは、この位置より、電極５，７の面方向に対して、後述する角度をなして屈曲して立ち上がり、外装の外部へ突き出るまで延びる。この立ち上がり部分９ｂ，１１ｂは、図３に示すように折れ曲がるリードフレーム端子９，１１の中間屈曲部分ともいえる。

なお、図３に示すように、リードフレーム端子９，１１の接合部９ａ，１１ａの上記一方端とは逆の端部（ここでは、他方端という）と、電極５，７の端部２１ａ，２１ｂとの距離ｇを、上記の距離ｆよりも大きくする。これは、リードフレーム端子９，１１の接合部９ａ，１１ａの他方端を、電極５，７の端部２１ａ，２１ｂに達するように配置すると、外部からの応力等により電極５，７がバリスタ素子２から剥離し易くなるので、それを防止するためである。この距離ｇを確保するため、リードフレーム端子９，１１の接合部９ａ，１１ａの他方端を、例えば、図３において一点鎖線Ｅで示すバリスタ素子２の長手方向の中央部近傍に位置決めをする。

次に、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタにおけるリードフレーム端子９，１１の中間部分の屈曲角度、すなわち、立ち上がり部９ｂ，１１ｂと、電極５，７の面方向とのなす角度（立ち上がり角度、フレーム引き出し角度ともいう）について説明する。図４は、リードフレーム端子９，１１の立ち上がり部９ｂ，１１ｂが、電極５，７より立ち上がる角度を説明するための図である。

上述したように、接合部９ａ，１１ａの一方端は、電極５，７の端部２１ｃ，２１ｄよりも距離ｆだけ内側に位置するので、リードフレーム端子９，１１の立ち上がり部９ｂ，１１ｂは、電極５，７の端部２１ｃ，２１ｄよりも、距離ｆだけ内側の位置において、バリスタ素子２から遠ざかる方向に屈曲して立ち上がる。ここでは、図４に示す立ち上がり部９ｂ，１１ｂと電極５，７の面方向とのなす角度θに対する、リードフレーム端子９，１１と電極５，７間におけるリーク電流（表面リーク）の発生の有無、およびリードフレーム端子９，１１と電極５，７との接合強度の劣化の有無を評価した。この良否判定の結果を表１に示す。

なお、図４において、点線で示す立ち上がり部９ｂ，１１ｂは、立ち上がり角度θ₁（フレーム引き出し角度）が４０°の場合を示し、実線で示す立ち上がり部９ｂ，１１ｂは、立ち上がり角度θ₂（フレーム引き出し角度）が９０°の場合を示している。

上記の評価には、以下のバリスタを使用した。すなわち、評価サンプルのバリスタ電圧は４７０Ｖ、製品形状は１４ｍｍφ相当の角型バリスタ素子にＡｇ電極（Ａｇメタル部分：５５％、ホウ珪酸ガラスその他：４５％）を形成し、モールド材として液晶ポリマー（ＬＣＰ）を使用した。また、リードフレームとバリスタ素子とを鉛フリー半田で接合した。評価サンプル数は、条件毎（フレーム引き出し角度θ毎）に２０個とした。

表１において、×印は、表面リークの発生、あるいは接合強度の劣化があったことを意味し、○印は、表面リークの発生と接合強度の劣化のいずれもない、良判定を得たことを指している。サンプル評価の結果（表１）から、リードフレーム端子の立ち上がり部９ｂ，１１ｂと電極５，７とのなす角度（フレーム引き出し角度）θは、６０°〜９０°の範囲が望ましいことが判明した。

次に、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造プロセスについて説明する。ここでは、酸化亜鉛モールドバリスタを例にとって、その製造プロセスを説明する。

図５は、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造工程を時系列で示すフローチャートである。図５のステップＳ１でバリスタ素子のバリスタ原料を調合する。例えば、バリスタ素子の材料としてメジアン平均粒径３μｍ程度の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化コバルト（ＣｏＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を、電子天秤等を使用して秤量し、混合する。

ここでは、製品化する面実装チップバリスタのバリスタ電圧に応じて、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）、酸化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃）等の粒成長抑制物質を添加する。また、焼結助剤として各種ガラスを添加する。

ステップＳ２では、最初の「粉砕・整粒工程」として、上記ステップＳ１で秤量したバリスタ原料を、ボールミル装置で１０ｍｍφのアルミナメディアを使用して、２４時間粉砕し、粒を揃える。続くステップＳ３で、整粒した材料を９００℃で熱処理し、反応性や粒径を調整する。そして、ステップＳ４で、２回目の「粉砕・整粒工程」として、上記仮焼きした材料をボールミル等で再度、粉砕し、粒を揃える。

ステップＳ５では、重合度１５００のＰＶＡ、イオン交換水を用いて、５ｗｔ％ＰＶＡ水溶液を作製し、原料に対して１５ｗｔ％のＰＶＡ水溶液を加え、乳鉢にて造粒し、造粒粉を作製する。続くステップＳ６では、ロータリープレス機等を使用して造粒粉にプレス圧１０００Ｋｇｆ／ｃｍ²を印加して直方体（側面等の形状が矩形）に成形し、プレス成形体を得る。

ステップＳ７において、上記のプレス成形体を、焼結炉を使用して１２００℃で２時間保持し、昇降温速度２００℃／ｈｒで脱バインダーおよび焼成を行う。そして、ステップＳ８で、ステップＳ７で焼成した成形体を７００℃で保持し、昇降温速度１００℃／ｈｒでアニール処理する。

ステップＳ９において、例えば、電極焼成炉を用いて電極を形成する。ここでは、上記の工程で成形されたバリスタ素子の両面に、Ａｇガラスペーストを用いて電極を印刷形成し、６００〜７００℃で焼付けを行う。そして、焼付け後に徐冷する。続くステップＳ１０で、対向させたリードフレーム端子間にバリスタ素子を挿入し、例えば、鉛フリーはんだによる半田付けによりリードフレーム端子とバリスタ素子とを接合して、固定する。

ステップＳ１１では、面実装チップバリスタのモールド成形を行う。ここでは、モールドを２重成形するため、例えば、インサート成形方式で、最初にバリスタ素子を直接封止する第１モールド層を形成し、次に、第１モールド層の周囲を覆うように第２モールド層を配する。第２モールド層を配すると同時に、第２モールド層の底部両端側において延出し、実装時に半田等により基板に固定される脚部を形成する。

ステップＳ１２において、外装樹脂より外部へ引き出されたリードフレーム端子を、その外装樹脂の表面形状に沿って折り曲げる加工（フォーミング）を行う。そして、続くステップＳ１３では、製造された面実装チップバリスタのバリスタ電圧、漏れ電流等の電気的特性を評価する。

以上説明したように、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは、そのリードフレーム端子のうち、バリスタ素子上に形成された電極に接合される接合部の一方端を、電極の端部よりも内側に位置させ、さらに、この接合部の一方端から立ち上がるとともにバリスタの外装材の外部へ突き出るまで延びる立ち上がり部を、電極の面方向に対して所定の角度をなすように屈曲させて立ち上がらせ、外装の外部へ突き出るまで延した構造を有する。

このようにリードフレーム端子の立ち上がり部を、電極の端部よりも内側であって、バリスタ素子から遠ざかる方向に立ち上がらせ、そのままバリスタ外装の外部へ突き出るまで延ばすことで、バリスタ全体を小型化しても、従来のバリスタのようにリードフレーム端子がバリスタ素子に沿った位置に配置されることがない。そのため、電極とリードフレーム端子とを離間できるので、高電圧パルス等が突入しても、電極とリードフレーム端子間、バリスタ素子とリードフレーム端子間等におけるリーク電流の発生を回避でき、バリスタによる回路保護機能を全うできるという効果がある。

また、面実装チップバリスタの脚部間に形成された空隙部がバリスタの底部と基板との間に空間を形成し、空気の通り道となるので、バリスタで発生した熱を、面実装チップバリスタの底面を含む６面全面で周囲の大気に放熱でき、従来の平置き型のチップバリスタに比べて放熱の効率を改善できる。その結果、短絡等によってバリスタが高温化しても、実装基板の表面を燃焼させることのない面実装チップバリスタを実現できる。

１ 面実装チップバリスタ
２ バリスタ素子
３ 外部電極
５，７ 電極
９，１１ リードフレーム端子
９ａ，１１ａ 接合部
９ｂ，１１ｂ 立ち上がり部
９ｃ，１１ｃ 外部電極部
１３ 第１モールド層
１５ 第２モールド層
１７，１９ 脚部
２０ 実装基板
２１ａ〜２１ｄ 電極端部
ａ 空間距離
ｂ 空隙部Ｓの幅（脚部間距離）
Ｄ バリスタ本体の奥行き
ｄ フレーム端子幅
Ｈ バリスタ本体の高さ
ｈ フレーム端子高
Ｓ 空隙部（空間）
ｘ 底平面部（空隙部Ｓの天井部）

Claims (8)

1. バリスタ素子と、そのバリスタ素子の両面それぞれに形成された電極と、これらの電極に接合された一対のフレーム端子とが絶縁性の外装材で覆われてなる面実装チップバリスタであって、
   前記一対のフレーム端子各々が、前記電極に接合される接合部と、この接合部の一方端から立ち上がって前記外装材の外部へ突き出る立ち上がり部と、この立ち上がり部と連接しながら前記外装材に沿って底部まで延びる外部電極部とからなり、
   前記一対のフレーム端子は、前記接合部と前記立ち上がり部と前記外部電極部とが一体となって、前記バリスタ素子の長手方向の中心線に対して線対称となる位置に配されることを特徴とする面実装チップバリスタ。
2. 前記立ち上がり部が前記外装材の外部へ延びる方向と前記電極の面方向とのなす角度が６０°以上であることを特徴とする請求項１に記載の面実装チップバリスタ。
3. 前記立ち上がり部が前記接合部の一方端から立ち上がる位置は、前記電極の一方端部よりも内側にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の面実装チップバリスタ。
4. 前記接合部の一方端と前記電極の一方端部間の距離は、前記接合部の他方端と前記電極の他方端部間の距離よりも短いことを特徴とする請求項３に記載の面実装チップバリスタ。
5. 前記電極の一方端部が前記バリスタ素子の一方端部よりも内側に位置し、かつ、前記電極の他方端部が前記バリスタ素子の他方端部よりも内側に位置するように前記電極を前記バリスタ素子の上に形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の面実装チップバリスタ。
6. 前記外装材の底部両端側に一対の脚部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面実装チップバリスタ。
7. 前記外部電極部は、前記外装材の１／４〜１／２の高さを有し、前記一対の脚部の奥行き幅の１／４〜１／２の幅を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の面実装チップバリスタ。
8. 前記バリスタ素子は全体形状が直方体であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の面実装チップバリスタ。