JP2017037942A - 面実装チップバリスタ - Google Patents

Abstract

【課題】基板を燃焼させる等の危険性のない高電圧・大電流パルス用の面実装チップバリスタを提供する。
【解決手段】面実装チップバリスタの実装高さである縦方向の寸法を、実装幅である横方向の寸法よりも長くし、底部に設けた一対の脚部を含む面実装チップバリスタの全体形状を直方体とした。また、内蔵したバリスタ素子の両面に形成された電極に一対のフレーム端子を接合し、そのフレーム端子を外装材より引き出すとともに、外装材の表面および一対の脚部に沿って折り曲げる。さらに、一対のフレーム端子それぞれの先端部を一対の脚部の底面上で終端させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば、各種サージやパルスノイズから電子機器等の回路の保護に使用する面実装チップバリスタに関する。

近年、自動車、家電機器、産業機器等に使用される電子部品の使用環境の変化が目覚ましく、この種の電子部品に対して従来は要求されなかった規格の改定が行われたり、部品用途の多様化が増大している。その結果、予期せぬノイズやエネルギーの大きなパルスから脆弱な電子回路が保護されるようにするため、これらの機器に搭載される電子部品への要求が極めて厳しくなっている。さらには、硫化や結露等の環境の影響を充分に考慮し、単に初期機能だけでなく、継続的な信頼性の高い製品を提供する必要がある。

回路保護部品として使用されるバリスタは、異常電圧吸収素子からなる電子部品であって、ディスクタイプ（ラジアル部品タイプのものが多い）、面実装タイプ（チップ型）、積層（内層）タイプがあり、用途により使い分けられている。例えば、１００Ｖ〜２００Ｖ等の電源供給を受ける家庭用電源機器や周辺回路の保護、雷サージ等の高電圧・大電流のパルス用としてディスク型が使用される。一方、面実装タイプや積層タイプは、ディスクタイプよりも低電圧、低電流のパルス用として使用される。

バリスタは、高電圧・大電流タイプになるほどバルクサイズが大きくなる。これは、バルクサイズの大きいものでなければ、雷サージ等に耐えることができないからである。特許文献１は、電子機器のサージ保護用のチップバリスタとして、サージ電流耐量を向上させたチップバリスタを開示している。

特開平４−３１５４０２号公報

一方、近年における電子部品の省スペース化、小型化の進展により、高電圧・大電流パルスに対応できる面実装チップタイプのバリスタが求められているが、従来の面実装型バリスタを高電圧・大電流パルス用にバルクサイズを大きくしても、雷サージ等のパルスによりバリスタが短絡した際、部品そのものがおよそ１０００℃近くまで発熱する。このことから、特許文献１に代表される従来のバリスタは、例えば図９に示すように、その構造上、基板８０に実装されたときにバリスタ７０の底面７２が基板８０と近接し、バリスタ７０の短絡時に基板８０を燃焼させる危険性が極めて高くなるという問題がある。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板を燃焼させる等の危険性のない高電圧・大電流パルス用の面実装チップバリスタを提供することである。

上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明の面実装チップバリスタは、バリスタ素子と、そのバリスタ素子の両面それぞれに形成された電極と、これらの電極に接合された一対のフレーム端子とが絶縁性の外装材で覆われてなる面実装チップバリスタであって、前記外装材の底部両端側に一対の脚部を有し、前記一対のフレーム端子それぞれが前記外装材より引き出された後、その外装材の表面および前記一対の脚部に沿って折り曲げられ、さらに、前記一対のフレーム端子それぞれの先端部を前記一対の脚部で終端させ、当該面実装チップバリスタの実装高さである縦方向の寸法を、実装幅である横方向の寸法よりも長くして、前記一対の脚部を含む全体形状を直方体としたことを特徴とする。

例えば、前記一対のフレーム端子のうち、前記終端された先端部とは逆側の端部それぞれが、前記バリスタ素子の長手方向の中心線に対して対称となる位置で該バリスタ素子の両面を挟持していることを特徴とする。また、例えば、前記バリスタ素子は全体形状が直方体であり、その長手方向が当該面実装チップバリスタの縦方向と等しいことを特徴とする。

さらには、例えば、前記一対の脚部の対向する内側間の距離である脚部間距離は、前記バリスタ素子の長手方向における素子幅よりも小さく、前記バリスタ素子の短手方向における素子厚よりも大きいことを特徴とする。例えば、前記一対のフレーム端子のうち、前記外装材より引き出され、前記一対の脚部の底部に至る部分の高さは、当該面実装チップバリスタの前記縦方向の寸法の１／４から１／２であることを特徴とする。また、例えば、前記バリスタ素子は全体形状が直方体であることを特徴とする。

本発明によれば、バリスタの短絡時において基板を燃焼させる等の危険性を回避可能な面実装チップバリスタを提供することができる。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの外観であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た正面図、（ｃ）は、図１（ａ）を矢印Ｂ方向から見た側面図である。 図１（ｃ）における面実装チップバリスタのＣ−Ｃ’矢視断面図である。 本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの各部寸法の相互の関係について説明するための図である。 本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造工程を時系列で示すフローチャートである。 変形例１に係る、第１モールド層として不燃樹脂シリコンを充填した面実装チップバリスタの構造を示す断面図である。 変形例２に係る、第１モールド層に相当する部分を中空（空洞）にした面実装チップバリスタの断面図である。 変形例３に係る、一括モールド成形構造とした面実装チップバリスタの断面図である。 変形例４に係る、脚部間の空隙部の断面形状を変形させた例を示す図である。 従来のバリスタの構造を示す図である。

以下、本発明に係る実施の形態例について添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態例に係る面実装タイプのチップバリスタ（以降において、面実装チップバリスタという。）の外観構成を示しており、図１（ａ）は外観斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た正面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）を矢印Ｂ方向から見た側面図である。また、図２は、図１（ｃ）においてＣ−Ｃ’矢視線に沿って縦方向に切断した面実装チップバリスタの内部構造を示す断面図である。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは、バリスタ本体の上面、底面、側面とも矩形で、本体の高さＨが例えば１８ｍｍ、幅Ｗが例えば８ｍｍ、奥行きＤが例えば１２ｍｍであり、全体として直方体の外観形状を有している。よって、この面実装チップバリスタを基板等に実装した場合、縦方向の寸法（実装高さともいう）が横方向の寸法（実装幅ともいう）よりも長く、図９に示す従来のチップバリスタが平置き型であるのに対して、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは縦置き（立て置き）構造である。

図２に示すように、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１は、全体形状が直方体のバリスタ素子２を内蔵しており、バリスタ素子２は、後述するように酸化亜鉛（ＺｎＯ）に添加物を混合した組成からなる。バリスタ素子２の左右それぞれの表面（矩形の面）には電極５，７が形成され、これらの電極５，７それぞれに、図２に示すように屈曲した形状のリードフレーム端子９，１１が、例えば半田等により電気的・機械的な接続を確保できる状態で接合されている。換言すれば、リードフレーム端子９，１１が、バリスタ素子２の長手方向に引いた中心線に対して左右対称となり、電極５，７を介してバリスタ素子２を合掌する形で挟持する構造となっている。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１では、リードフレーム端子９，１１とともにバリスタ素子２、電極５，７が樹脂モールドで封止され、それらがさらに、別の樹脂モールドで覆われる構造になっている。より具体的には、面実装チップバリスタ１は、バリスタ素子２等を直接封止する第１モールド層１３と、この第１モールド層１３の周囲を覆うように形成された第２モールド層１５とからなる２重（２層）構成になっている。第２モールド層１５の底部両端側には脚部１７，１９が形成され、これらの脚部１７，１９が所定距離だけ離間させた構造（ゲタ（脚）付き構造）としたことにより、脚部１７，１９間に空隙部（空間）Ｓが形成される。この空隙部Ｓは、面実装チップバリスタ１を、例えば基板２０等に実装したとき、面実装チップバリスタ１の底部と基板との間における空間となる。

本実施の形態例に係る面実装チップバリスタ１において、外装モールドを２層構成とし、第２モールド層１５の構成時（二次工程）に脚部１７，１９を形成することで、第１モールド層（一次モールド）のみで脚部を構成する場合に比べて、素子を完全に封止することができる。また、第１モールド層１３と第２モールド層１５の材質は、基板燃焼を避ける効果を考慮して、例えば、第１、第２モールド層ともにエポキシ樹脂とする。

電極５，７に接合されたリードフレーム端子９，１１は、図２に示すように、それぞれが２層構成のモールド層（外装樹脂ともいう）より外部へ引き出された後、面実装チップバリスタの下方側に折り曲げられ、外装樹脂の表面形状に沿って下降する。リードフレーム端子９，１１それぞれの先端部分は、脚部１７，１９の底面（実装基板側の面）上で終端される。その結果、リードフレーム端子９，１１の先端部は、図１（ｂ）に示すように、外装樹脂の底部に設けた空隙部Ｓを挟んで、その空隙部Ｓの幅ｂだけ離間して対向する。図示していないが、脚部１７，１９には、リードフレーム端子９，１１それぞれの先端部分が収納される凹部がほぼリード端子の厚さで形成されている。それにより、実装基板と接する脚部底面の平坦性が確保されている。

図１（ｂ）に示されるように、面実装チップバリスタ１の脚部１７，１９を除いた底平面部ｘ（空隙部Ｓの天井部）と実装基板２０との距離（空隙部Ｓの空間距離）ａは、脚部１７，１９の高さによって決まる。ここでは、空間距離ａが例えば２ｍｍであり、脚部１７，１９の内側間の距離（空隙部Ｓの幅であり、脚部間距離ともいう。）ｂは例えば５ｍｍ、脚部１７，１９の厚さｃは例えば１．５ｍｍである。また、リードフレーム端子９，１１のうち、外装樹脂の表面形状に沿って下降する部分（図１（ｃ）に示す外部電極３）の高さであるフレーム端子高ｈは、例えば５．５ｍｍである。

ここで、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの各部寸法の相互の関係について説明する。図３に示すように、面実装チップバリスタのバリスタ素子２の短手方向の厚さである素子厚をｗ１、長手方向の幅である素子幅をｗ３、素子上に設けた電極５，７に接合したリードフレーム端子９，１１間の距離（フレーム端子間距離）をｗ２とした場合、脚部間距離ｂは、素子厚ｗ１より大きく、素子幅ｗ３より小さいという関係にある。この脚部間距離ｂは、フレーム端子間距離ｗ２とほぼ等しいか、あるいはそれよりも大きい。また、図１（ｃ）、図３に示すように、バリスタ本体の高さＨは、フレーム端子高ｈの約２倍〜４倍の高さとなっており、バリスタ本体の奥行Ｄは、フレーム端子幅ｄの約２倍〜４倍となっている。最も好ましくは、バリスタ本体の高さＨは、例えばフレーム端子高ｈの約３倍となっており、バリスタ本体の奥行きＤは、例えばフレーム端子幅ｄの約３倍である。

次に、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造プロセスについて説明する。ここでは、酸化亜鉛モールドバリスタを例にとって、その製造プロセスを説明する。

図４は、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタの製造工程を時系列で示すフローチャートである。図４のステップＳ１でバリスタ素子のバリスタ原料を調合する。例えば、バリスタ素子の材料としてメジアン平均粒径３μｍ程度の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化コバルト（ＣｏＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を、電子天秤等を使用して秤量し、混合する。

ここでは、製品化する面実装チップバリスタのバリスタ電圧に応じて、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）、酸化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃）等の粒成長抑制物質を添加する。また、焼結助剤として各種ガラスを添加する。

ステップＳ２では、最初の「粉砕・整粒工程」として、上記ステップＳ１で秤量したバリスタ原料を、ボールミル装置で１０ｍｍφのアルミナメディアを使用して、２４時間粉砕し、粒を揃える。続くステップＳ３で、整粒した材料を９００℃で熱処理し、反応性や粒径を調整する。そして、ステップＳ４で、２回目の「粉砕・整粒工程」として、上記仮焼きした材料をボールミル等で再度、粉砕し、粒を揃える。

ステップＳ５では、重合度１５００のＰＶＡ、イオン交換水を用いて、５ｗｔ％ＰＶＡ水溶液を作製し、原料に対して１５ｗｔ％のＰＶＡ水溶液を加え、乳鉢にて造粒し、造粒粉を作製する。続くステップＳ６では、ロータリープレス機等を使用して造粒粉にプレス圧１０００Ｋｇｆ／ｃｍ²を印加して直方体（側面等の形状が矩形）に成形し、プレス成形体を得る。

ステップＳ７において、上記のプレス成形体を、焼結炉を使用して１２００℃で２時間保持し、昇降温速度２００℃／ｈｒで脱バインダーおよび焼成を行う。そして、ステップＳ８で、ステップＳ７で焼成した成形体を７００℃で保持し、昇降温速度１００℃／ｈｒでアニール処理する。

ステップＳ９において、例えば、電極焼成炉を用いて電極を形成する。ここでは、上記の工程で成形されたバリスタ素子の両面に、Ａｇガラスペーストを用いて電極を印刷形成し、６００〜７００℃で焼付けを行う。そして、焼付け後に徐冷する。続くステップＳ１０で、対向させたリードフレーム端子間にバリスタ素子を挿入し、例えば、鉛フリーはんだによる半田付けによりリードフレーム端子とバリスタ素子とを接合して、固定する。

ステップＳ１１では、面実装チップバリスタのモールド成形を行う。ここでは、モールドを２重成形するため、例えば、インサート成形方式で、最初にバリスタ素子を直接封止する第１モールド層を形成し、次に、第１モールド層の周囲を覆うように第２モールド層を配する。第２モールド層を配すると同時に、第２モールド層の底部両端側において延出し、実装時に半田等により基板に固定される脚部を形成する。

ステップＳ１２において、外装樹脂より外部へ引き出されたリードフレーム端子を、その外装樹脂の表面形状に沿って折り曲げる加工（フォーミング）を行う。そして、続くステップＳ１３では、製造された面実装チップバリスタのバリスタ電圧、漏れ電流等の電気的特性を評価する。

以上説明したように、本実施の形態例に係る面実装チップバリスタは、縦方向の寸法（実装高さ）を横方向の寸法（実装幅）よりも長くした縦置き（立て置き）構造としたことで、従来の平置き型のチップバリスタに比べて、実装基板上における面実装チップバリスタの搭載面積を小さくすることができる。また、面実装チップバリスタの外装材（外装樹脂）の底部両端に、所定距離だけ離間した一対の脚部を形成した構造とすることで、面実装チップバリスタと実装基板との接触面積を最小化して、バリスタで発生した熱が直接、基板に伝導することを回避している。

このように、バリスタの搭載面積を小さくし、基板とバリスタとの接触面積を最小化したことにより、例えば、高電圧・大電流パルスによってバリスタが電気的な短絡状態になっても、基板の燃焼による焼損の発生を確実に回避でき、回路保護素子として信頼性の高いバリスタを提供できる。

さらには、面実装チップバリスタを基板等に実装した場合、その面実装チップバリスタの脚部間に形成された空隙部がバリスタの底部と基板との間に空間を形成し、その空間が空気の通り道となるので、バリスタで発生した熱を、面実装チップバリスタの底面を含む６面全面で周囲の大気に放熱でき、従来の平置き型のチップバリスタに比べて放熱の効率を大幅に改善できる。その結果、高電圧・大電流パルスによる電気的な短絡等によってバリスタが高温化しても、実装基板の表面を燃焼させることのない面実装チップバリスタを実現できる。

本願発明は、上述した実施の形態例に限定されず、種々の変形が可能である。以下、本願発明の実施の形態例の変形例について説明する。
＜変形例１＞
上記の実施の形態例に係る面実装チップバリスタでは、図２の断面図に示したように、バリスタ素子２等を直接封止するためのエポキシ樹脂からなる第１モールド層１３を設けたが、モールド材はエポキシ樹脂に限定されない。図５は、第１モールド層５３として、例えば不燃樹脂シリコンを充填した面実装チップバリスタの構造を示す断面図である。なお、他の構成部分については、図２に示す構成と同様であるため、それらの図示は省略する。

よって、第１モールド層として不燃樹脂シリコンを充填することにより、エポキシ樹脂と比較して、より燃えにくい構造とすることができ、特にバリスタの短絡時等において基板を燃焼させる危険性を大幅に低減できる。

＜変形例２＞
上記の実施の形態例および変形例１に係る面実装チップバリスタでは、バリスタ素子等を直接封止するために第１モールド層としてエポキシ樹脂あるいは不燃樹脂シリコンを充填した。これらの実施の形態例等において、短絡等の異常が発生した場合、電極５，７にリードフレーム端子９，１１を接合している半田が過熱により溶融し、エポキシ樹脂が短絡等による過熱によって溶けて高温状態となり、基板２０に達することが考えられる。

また、図９に示す従来のチップバリスタもバリスタ素子７５がモールド樹脂７６で直接封止され、リードフレーム端子７３の上にバリスタ素子７５が載置された構造を有するため、短絡等による過熱により電極７７，７９とリードフレーム端子７１，７３それぞれを接合している半田が溶融しても、下側に位置するリードフレーム端子７３とバリスタ素子７５とが一体となったまま接続状態が維持されることになる。この場合、リードフレーム端子７３が破損等により損傷しない限り、電気的な接続状態がオープン（開放状態）となりにくいので、モールド樹脂７６が短絡等による過熱によって溶け、高温状態となって基板８０上に達することになる。

そこで、変形例２では、縦置き（立て置き）構造の面実装チップバリスタにおいて、バリスタ素子等を上記のような樹脂等で充填しない構成とした。図６は、変形例２に係る面実装チップバリスタの断面図であり、ここでは、第１モールド層に樹脂等を充填せずに、第１モールド層に相当する部分６０を中空（空洞）にした構造を有する。

図６に示すバリスタにおいて短絡等の異常が発生した場合、電極５，７にリードフレーム端子９，１１を接合している半田が過熱により溶融して、リードフレーム端子９，１１の接続が緩んだ状態となる。このとき、第１モールド層に相当する部分が中空になっているので、バリスタ素子２が自身の重さ等によって面実装チップバリスタの内部で動きやすくなり、リードフレーム端子９，１１から外れて電気的および機械的な接続が断たれる。その結果、バリスタ素子２そのものが破壊に至ることがないため、基板の燃焼も回避できるとともに、面実装チップバリスタを電気的に安全にオフ状態に移行させることができる。

＜変形例３＞
上記の実施の形態例に係る面実装チップバリスタでは、バリスタ素子等を直接封止するためのエポキシ樹脂からなる第１、第２モールド層１３，１５を設けたが、モールド材はエポキシ樹脂に限定するものではなく、例えば液晶ポリマー等でもよい。また、モールド層についても、第１、第２モールド層１３，１５に分けて別々にモールド材を充填する方法に限らず、一括したモールド材を使用した構成としてもよい。

図７は、変形例３に係る面実装チップバリスタ１の断面構成を示している。変形例３では、モールド層を２層に分けずに、バリスタ素子２、リードフレーム端子９，１１等を単一のモールド材１８（例えば、液晶ポリマー樹脂）で覆う（封止する）構成とした。このように、バリスタ全体に一括したモールド材を使用したモールド成形をすることで、面実装チップバリスタのモールド成形工程の簡略化、低コスト化等が可能となる。

＜変形例４＞
本発明に係る面実装チップバリスタとして、全体形状が直方体の縦置き（立て置き）構造であり、その底部側に、所定距離離間させたゲタ（脚）付き構造の一対の脚部が形成され、それにより脚部間に空隙部（空間）が形成されるという構成要件を満たせば、上記実施の形態例等に係る面実装チップバリスタのように、脚部間の空隙部Ｓの断面形状は矩形に限定されない。

変形例４では、一対の脚部間の空隙部Ｓの断面形状として、図８（ａ）の面実装チップバリスタ１ａは、その断面形状が台形の空間Ｓ−ａを形成した例であり、図８（ｂ）の面実装チップバリスタ１ｂは、断面形状が二等辺三角形の空間Ｓ−ｂを形成した例であり、図８（ｃ）の面実装チップバリスタ１ｃは、断面形状が半円形（アーチ型）の空間Ｓ−ｃとした例を示している。いずれの例においても、面実装チップバリスタと実装基板２０との接触面積を最小化して、バリスタで発生した熱が直接、基板に伝導することを回避できる。

また、図８（ａ）〜（ｃ）に示す面実装チップバリスタにおいても、上述した実施の形態例に係る面実装チップバリスタと同様、第２モールド層（図２等に示す最外部の層）の構成時（二次工程）に一対の脚部を形成し、リードフレーム端子９，１１についても、モールド層（外装樹脂）より外部へ引き出された状態で、面実装チップバリスタの下方に折り曲げられ、外装樹脂の表面形状に沿って下降して、それぞれの先端部分が、脚部の底面上で終端される構造となっている。

さらには、この変形例４に係る面実装チップバリスタの底部に形成した脚部と、上述した実施の形態例に係る面実装チップバリスタのように断面形状が矩形の脚部と比べた場合、変形例４を構成する種々の断面形状の脚部の方が、その脚部を形成する外装樹脂の量が多い。そのため、バリスタの重心が下方側に移行するので、縦置き（立て置き）構造であっても安定し、表面実装機等で基板上にバリスタを実装する際にも転倒等が起こらず、基板への実装工程における搭載障害等を防止できる。

１ 面実装チップバリスタ
２ バリスタ素子
３ 外部電極
５，７ 電極
９，１１ リードフレーム端子
１３，５３ 第１モールド層
１５ 第２モールド層
１７，１９ 脚部
１８ モールド材
２０ 実装基板
６０ 中空（空洞）部
ａ 空間距離
ｂ 空隙部Ｓの幅（脚部間距離）
Ｄ バリスタ本体の奥行き
ｄ フレーム端子幅
Ｈ バリスタ本体の高さ
ｈ フレーム端子高
Ｓ 空隙部（空間）
ｗ１ 素子厚
ｗ２ フレーム端子間距離
ｗ３ 素子幅
ｘ 底平面部（空隙部Ｓの天井部）

Claims (6)

1. バリスタ素子と、そのバリスタ素子の両面それぞれに形成された電極と、これらの電極に接合された一対のフレーム端子とが絶縁性の外装材で覆われてなる面実装チップバリスタであって、
   前記外装材の底部両端側に一対の脚部を有し、
   前記一対のフレーム端子それぞれが前記外装材より引き出された後、その外装材の表面および前記一対の脚部に沿って折り曲げられ、さらに、前記一対のフレーム端子それぞれの先端部を前記一対の脚部で終端させ、
   当該面実装チップバリスタの実装高さである縦方向の寸法を、実装幅である横方向の寸法よりも長くして、前記一対の脚部を含む全体形状を直方体としたことを特徴とする面実装チップバリスタ。
2. 前記一対のフレーム端子のうち、前記終端された先端部とは逆側の端部それぞれが、前記バリスタ素子の長手方向の中心線に対して対称となる位置で該バリスタ素子の両面を挟持していることを特徴とする請求項１に記載の面実装チップバリスタ。
3. 前記バリスタ素子は全体形状が直方体であり、その長手方向が当該面実装チップバリスタの縦方向と等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の面実装チップバリスタ。
4. 前記一対の脚部の対向する内側間の距離である脚部間距離は、前記バリスタ素子の長手方向における素子幅よりも小さく、前記バリスタ素子の短手方向における素子厚よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の面実装チップバリスタ。
5. 前記一対のフレーム端子のうち、前記外装材より引き出され、前記一対の脚部の底部に至る部分の高さは、当該面実装チップバリスタの前記縦方向の寸法の１／４〜１／２であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の面実装チップバリスタ。
6. 前記バリスタ素子は全体形状が直方体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面実装チップバリスタ。