JP2010056320A - サーミスタ - Google Patents

サーミスタ Download PDF

Info

Publication number
JP2010056320A
JP2010056320A JP2008220106A JP2008220106A JP2010056320A JP 2010056320 A JP2010056320 A JP 2010056320A JP 2008220106 A JP2008220106 A JP 2008220106A JP 2008220106 A JP2008220106 A JP 2008220106A JP 2010056320 A JP2010056320 A JP 2010056320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead wires
thermistor
portions
insulating
interval
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008220106A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5262448B2 (ja
Inventor
Satoshi Kato
敏 加藤
Hirokazu Kobayashi
寛和 小林
Kazuo Sato
和男 佐藤
Tsuneki Tanaka
常喜 田中
Takuto Horii
拓人 堀井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2008220106A priority Critical patent/JP5262448B2/ja
Priority to US12/493,807 priority patent/US7969278B2/en
Priority to DE102009033718A priority patent/DE102009033718A1/de
Priority to CN2009101715320A priority patent/CN101661818B/zh
Publication of JP2010056320A publication Critical patent/JP2010056320A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5262448B2 publication Critical patent/JP5262448B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008Thermistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/02Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/034Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

【課題】リード線の露出した端部に対しリード線間の間隔を拡げるように外力を作用させた場合にガラスにクラックが生じることを防ぐと共に、一対のリード線が短絡することを防ぐことが可能なサーミスタを提供すること。
【解決手段】第1及び第2のリード線11,13は、互いの間隔が第1の間隔とされた第1の部分11b,13b、互いの間隔が第1の間隔より大きい第2の間隔とされた第2の部分11c,13c、及び、第1及び第2の部分11b,11c,13b,13cの間において互いの間隔が第1の間隔から第2の間隔に変化している第3の部分11d,13dを含んでいる。絶縁部20は、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを一体に覆うと共に、第1及び第2のリード線11,13の第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを第1及び第2のリード線11,13毎に覆っている。
【選択図】図4

Description

本発明は、サーミスタに関する。
サーミスタとして、サーミスタ素体と、サーミスタ素体に配置された一対の電極と、端部が一対の電極にそれぞれ接続されている一対のリード線と、を備えているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載のサーミスタでは、サーミスタ素体、一対の電極、及び一対のリード線における端部を含む一部が、ガラスにより封止されている。
特開平11−83641号公報
しかしながら、特許文献1に記載されたサーミスタでは、以下のような問題点を有している。すなわち、リード線の露出した端部に対しリード線間の間隔を拡げるように外力を作用させると、各リード線におけるガラスから露出した領域の根元部分やガラスに応力が作用し、ガラスにクラックが生じる懼れがある。また、一対のリード線間が電気的に絶縁されていないため、一対のリード線が互いに接触して短絡する懼れがある。一対のリード線が長くなる場合には、短絡の発生がより一層顕著となる。
本発明は、リード線の露出した端部に対しリード線間の間隔を拡げるように外力を作用させた場合にガラスにクラックが生じることを防ぐと共に、一対のリード線が短絡することを防ぐことが可能なサーミスタを提供することを目的とする。
本発明に係るサーミスタは、サーミスタ素体と、サーミスタ素体に配置された第1及び第2の電極と、端部が第1の電極に接続されている第1のリード線と、端部が第2の電極に接続されている第2のリード線と、サーミスタ素体、第1及び第2の電極、及び第1及び第2のリード線の端部を少なくとも封止し、ガラスからなる封止部と、電気絶縁性を有する材料からなり、第1及び第2のリード線の封止部から露出する部分を覆う絶縁部と、を備え、第1及び第2のリード線は、互いに間隔を有して配置されると共に、前記端部から伸び且つ互いの間隔が第1の間隔とされた第1の部分、互いの間隔が第1の間隔より大きい第2の間隔とされた第2の部分、及び、第1及び第2の部分の間において互いの間隔が第1の間隔から第2の間隔に変化している第3の部分をそれぞれ含んでおり、絶縁部は、第1及び第2のリード線の第1の部分を一体に覆うと共に、第1及び第2のリード線の第2及び第3の部分を第1及び第2のリード線毎に覆っていることを特徴とする。
本発明に係るサーミスタでは、絶縁部が、第1及び第2のリード線の第1の部分を一体に覆うと共に、第1及び第2のリード線の第2及び第3の部分を第1及び第2のリード線毎に覆っている。このため、第1及び第2のリード線の露出した端部に対し互いの間隔を拡げるように外力を作用させた場合に、絶縁部における第2及び第3の部分を覆っている夫々の部分には応力が作用するものの、当該部分は全体的に撓るように変形する。絶縁部における第2及び第3の部分を覆っている部分がそれぞれ全体的に撓るように変形することにより、作用した応力が分散且つ吸収される。この結果、絶縁部における第1及び第2のリード線の第1の部分を覆っている部分に応力が集中するのが抑制され、当該部分にクラックが生じるのを防ぐことができる。また、絶縁部における第2及び第3の部分を覆っている部分から露出するリード線の根元部分への応力の集中も抑制され、リード線の根元部分や当該根元部分近傍の絶縁部が変形するのを防ぐこともできる。したがって、ガラスからなる封止部には応力が作用するようなことはなく、封止部にクラックが生じることを防ぐことができる。
本発明では、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁部が、互いの間隔が第2の間隔に拡げられている第2の部分まで第1及び第2のリード線を覆っているので、第1及び第2のリード線が互いに直接接触するようなことはなく、第1及び第2のリード線が短絡することを防ぐことができる。
好ましくは、絶縁部の表面には、複数の凸部が配置されている。
ところで、サーミスタは、絶縁部の少なくとも一部及び封止部がケース内に密封された状態で用いられることがある。サーミスタ(封止部及び絶縁部)のケース内への密封は、サーミスタをケース内に配置した状態で当該ケース内に樹脂を充填することにより行なわれる。この場合、絶縁部とケースの内壁とにより樹脂が充填されない空間が形成されることがあり、サーミスタを密封できない懼れがある。しかしながら、絶縁部の表面に複数の凸部が配置されていることにより、ケースの内壁と絶縁部との間に間隙が形成されるため、ケース内に空間が形成されることなく樹脂が充填される。この結果、サーミスタを確実に密封することができる。
好ましくは、絶縁部及び複数の凸部は、樹脂からなる。この場合、絶縁部及び凸部の加工性が向上し、絶縁部及び凸部を所望の形状に成形することが容易となる。
本発明によれば、リード線の露出した端部に対しリード線間の間隔を拡げるように外力を作用させた場合にガラスにクラックが生じることを防ぐと共に、一対のリード線が短絡することを防ぐことが可能なサーミスタを提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1〜図3を参照して、本実施形態に係るサーミスタの構成を説明する。図1は、本実施形態に係るサーミスタを示す斜視図である。図2は、本実施形態に係るサーミスタを示す平面図である。図3は、本実施形態に係るサーミスタを示す側面図である。図4は、本実施形態に係るサーミスタの断面構成を示す図である。
サーミスタ1は、図1〜4に示すように、サーミスタ素子3、第1のリード線11、第2のリード線13、封止部15、及び、絶縁部20を備えている。
サーミスタ素子3は、例えば温度が高くなると抵抗が低くなる特性を有する、いわゆるNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスタ素子である。サーミスタ素子3は、サーミスタ素体5、第1の電極7、及び第2の電極8を有している。
サーミスタ素体5は、金属酸化物(例えば、Mn,Co,Ni,Fe,Al等の酸化物)の焼結体であり、略直方体状に形成されている。第1の電極7と第2の電極8とは、サーミスタ素体5の両端面に配置されており、サーミスタ素体5と電気的に接続されている。第1及び第2の電極7,8は、金属(例えば、Au,Ag,Pd又はAg−Pd合金等)からなる。
第1のリード線11と第2のリード線13とは、互いに間隔を有して配置されている。第1及び第2のリード線11,13は、導電材料(例えば、Ni,Cu,Co,Fe)からなる。第1のリード線11の一端部11aと第2のリード線13の一端部13aとは、接合電極9により被覆されている。第1のリード線11の一端部11aは、接合電極9を介して、第1の電極7に電気的に接続されている。第2のリード線13の一端部13aは、接合電極9を介して、第2の電極8に電気的に接続されている。接合電極9は、金属(例えば、Au,Ag,Pd又はAg−Pd合金等)からなる。
第1のリード線11は、一端部11aから伸びる第1の部分11bと、第2の部分11cと、第3の部分11dと、を含んでいる。第2のリード線13は、一端部13aから伸びる第1の部分13bと、第2の部分13cと、第3の部分13dと、を含んでいる。第1の部分11bと第1の部分13bとは、互いの間隔が第1の間隔に設定されており、略平行である。第2の部分11cと第2の部分13cとは、互いの間隔が第1の間隔より大きい第2の間隔に設定されており、略平行である。第3の部分11dと第3の部分13dとは、第1の部分11b,13bと第2の部分11c,13cとの間において、互いの間隔が第1の間隔から第2の間隔に徐々に変化するように設定されている。本実施形態では、第1の間隔は0.6mm程度に設定され、第2の間隔は4mm程度に設定されている。
封止部15は、ガラスからなり、第1及び第2のリード線11,13が伸びる方向を長軸方向とされた楕円球状をなしている。封止部15は、サーミスタ素体5と、第1及び第2の電極7,8と、第1及び第2のリード線11,13の一端部11a,13aとを気密的に封止している。封止部15を構成するガラスは、例えばガラス転移温度が400〜700℃程度であるガラスである。
絶縁部20は、電気絶縁性を有する材料(例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、若しくはアクリル系樹脂、又はこれらを複合した樹脂材料等)からなり、第1及び第2のリード線11,13における封止部15から露出する部分を覆っている。詳細には、絶縁部20は、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを一体に覆うと共に、第1及び第2のリード線11,13の第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを第1及び第2のリード線11,13毎に覆っている。これにより、絶縁部20は、第1及び第2のリード線11,13の第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを覆っている部分が、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分から二股状に分かれた形状を呈する。
絶縁部20は、封止部15と接している。第1及び第2のリード線11,13の他端部11e,13eは、絶縁部20から露出している。
絶縁部20は、各リード線11,13に垂直な平面で切断したときの断面が矩形形状を呈している。すなわち、絶縁部20は、その外表面として、第1及び第2のリード線11,13を含む平面に略平行な第1及び第2の面20a,20bと、第1及び第2の面20a,20bを連結するように伸びる第3〜第5の面20c〜20eと、を有している。
絶縁部20における第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分の表面には、複数の凸部23が配置されている。詳細には、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分の第1〜第4の面20a〜20dに、凸部23が配置されている。凸部23は、各面20a〜20dに複数(本実施形態では、2つ)ずつ設けられている。各凸部23は、電気絶縁性を有する材料(例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、若しくはアクリル系樹脂、又はこれらを複合した樹脂材料等)からなり、絶縁部20と一体に形成されている。
本実施形態では、第1の面20aに配置されている凸部23は、第1及び第2のリード線11,13が伸びる方向において、第2の面20bに配置されている凸部23と同じ位置に配置されている。第3の面20cに配置されている凸部23は、第1及び第2のリード線11,13が伸びる方向において、第4の面20dに配置されている凸部23と同じ位置に配置されている。第1及び第2の面20a,20bに配置されている凸部23は、第1及び第2のリード線11,13が伸びる方向において、第3及び第4の面20c,20dに配置されている凸部23と異なる位置に配置されている。
続いて、本実施形態に係るサーミスタ1の製造方法について説明する。
まず、サーミスタ素体5の原料粉末をボールミル等により湿式混合して、所望の組成比率にて混合された原料混合物を調製する。この原料混合物を乾燥した後、800〜1200℃程度で仮焼成を行い、仮焼成物を得る。得られた仮焼成物を、再びボールミル等により湿式粉砕する。そして、この粉砕物にバインダ(例えば、ポリビニルアルコール(PVA)等)を加え、顆粒に造粒した後、加圧成形する。次に、成形体に脱バインダ処理及び本焼成を行った後、放冷し、所定寸法に切断してサーミスタ素体5を得る。
次に、得られたサーミスタ素体5の両端面に、Auを主成分とする導電性ペーストを、例えば転写法により塗布し、焼き付けて第1及び第2の電極7,8を形成する。そして、第1及び第2のリード線11,13の一端部11a,13aを、例えばAuとバインダ(例えば、ポリビニルアルコール(PVA)等)とを含む導電性ペーストによって被覆した後、対応する電極7,8に接触させる。その後、導電性ペーストの脱バインダ処理を行う。
次に、サーミスタ素体5と、第1及び第2の電極7,8と、第1及び第2のリード線11,13の一端部11a,13aをガラス管に挿入し、ガラス管を加熱することによって気密封止を行う。本実施形態では、例えば気密封止を大気中で行う。気密封止は、N,Ar,He等の不活性雰囲気で行ってもよい。加熱により溶融したガラス管は、リード線11,13が伸びる方向を長軸方向とされた楕円球状をなす封止部15を形成する。
この加熱により、第1及び第2のリード線11,13の一端部11a,13aに、導電性ペーストに含まれたAuからなる接合電極9が形成されると共に、各電極7,8と接合電極9とが結合する。
次に、絶縁部20を形成する。絶縁部20の成形には、例えば射出成形法を用いることができる。射出成型法では、絶縁部20及び凸部23に対応するキャビティを有する金型を用意し、封止部15と第1及び第2のリード線11,13の他端部とが型から露出するように、第1及び第2のリード線11,13の第1〜第3の部分11b,11c,11d,13b,13c,13dを型のキャビティ内に配置する。そして、キャビティ内に樹脂を充填して、充填した樹脂を硬化する。これにより、絶縁部20及び凸部23が形成される。以上により、サーミスタ1が得られる。
以上のように、本実施形態では、絶縁部20が、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを一体に覆うと共に、第1及び第2のリード線11,13の第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを第1及び第2のリード線11,13毎に覆っている。このため、第1及び第2のリード線11,13の露出した他端部11e,13eに対し互いの間隔を拡げるように外力を作用させた場合に、絶縁部20における第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを覆っている夫々の部分には応力が作用するものの、当該部分は全体的に撓るように変形する。
絶縁部20における第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを覆っている部分がそれぞれ全体的に撓るように変形することにより、作用した応力が分散且つ吸収される。この結果、絶縁部20における第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分に応力が集中するのが抑制され、当該部分にクラックが生じるのを防ぐことができる。また、絶縁部20における第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを覆っている部分から露出するリード線11,13の根元部分への応力の集中も抑制され、リード線11,13の根元部分や当該根元部分近傍の絶縁部20(第2及び第3の部分11c,11d,13c,13dを覆っている部分)が変形するのを防ぐこともできる。したがって、封止部15には応力が作用するようなことはなく、封止部15にクラックが生じることを防ぐことができる。
本実施形態では、絶縁部20が、第2の部分11c,13cまで第1及び第2のリード線11,13を覆っているので、第1及び第2のリード線11,13の露出している部分が互いに直接接触することが回避され、第1及び第2のリード線11,13が短絡することを防ぐことができる。
本実施形態では、絶縁部20及び各凸部23は樹脂からなっている。この場合、絶縁部20及び凸部23の加工性が向上し、絶縁部20及び凸部23を所望の形状に成形することが容易となる。
サーミスタ1は、使用形態によっては、図5及び図6に示すように、絶縁部20の少なくとも一部(本実施形態においては、第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分)及び封止部15がケース30内に密封された状態で用いられることがある。この場合、絶縁部20におけるケース30内に位置する部分及び封止部15は、樹脂31により、ケース30内に密封される。図5では、ケース30及び樹脂31を断面にて示し、ハッチングを付している。
絶縁部20における第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分及び封止部15を樹脂31によりケース30内に密封するために、サーミスタ1をケース30内に配置した状態でケース30内に樹脂材料を充填し、充填した樹脂材料を硬化させる。この場合、ケース30内でのサーミスタ1の位置によっては、絶縁部20とケース30の内壁とにより樹脂材料が充填されない空間が形成されることがあり、サーミスタ1(封止部15)を適切に密封できない懼れが生じる。サーミスタ1(封止部15)が適切に密封されていないと、サーミスタ素子3に適切に熱が伝導されない。また、上記空間内への水分等の浸入により、サーミスタ1の絶縁性が低下する懼れもある。
しかしながら、本実施形態では、絶縁部20における第1及び第2のリード線11,13の第1の部分11b,13bを覆っている部分の表面に凸部23が配置されているので、ケース30の内壁と絶縁部20との間に間隙が形成されることとなり、ケース30内全体に樹脂材料が充填され、樹脂31が存在しない空間が形成されるのを防ぐことができる。この結果、サーミスタ1を確実に密封することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
絶縁部20の表面に配置される凸部23の位置や数は、上述した実施形態における位置に限られない。例えば、図7及び図8に示すように、絶縁部20の第1〜第4の面20a〜20dにおいて同じ位置に凸部23が配置されていてもよい。また、例えば、図9及び図10に示すように、第3及び第4の面20c,20dに位置する凸部23は、第1及び第2のリード線11,13が伸びる方向において、すべて異なる位置に配置されていてもよい。
各凸部23は、絶縁部20と一体に形成されている必要はなく、絶縁部20と各凸部23とは別体に形成されていてもよい。
本実施形態に係るサーミスタを示す斜視図である。 本実施形態に係るサーミスタを示す平面図である。 本実施形態に係るサーミスタを示す側面図である。 本実施形態に係るサーミスタの断面構成を示す図である。 本実施形態に係るサーミスタの一使用形態を示す図である。 本実施形態に係るサーミスタの一使用形態を示す図である。 本実施形態に係るサーミスタの変形例を示す平面図である。 本実施形態に係るサーミスタの変形例を示す側面図である。 本実施形態に係るサーミスタの更なる変形例を示す平面図である。 本実施形態に係るサーミスタの更なる変形例を示す側面図である。
符号の説明
1…サーミスタ、5…サーミスタ素体、7…第1の電極、8…第2の電極、11…第1のリード線、11a…一端部、11b…第1の部分、11c…第2の部分、11d…第3の部分、11e…他端部、13…第2のリード線、13a…一端部、13b…第1の部分、13c…第2の部分、13d…第3の部分、13e…他端部、15…封止部、20…絶縁部、20a…第1の面、20b…第2の面、20c…第3の面、20d…第4の面、20e…第5の面、23…凸部。

Claims (3)

  1. サーミスタ素体と、
    前記サーミスタ素体に配置された第1及び第2の電極と、
    端部が前記第1の電極に接続されている第1のリード線と、
    端部が前記第2の電極に接続されている第2のリード線と、
    前記サーミスタ素体、前記第1及び第2の電極、及び前記第1及び第2のリード線の前記端部を少なくとも封止し、ガラスからなる封止部と、
    電気絶縁性を有する材料からなり、前記第1及び第2のリード線の前記封止部から露出する部分を覆う絶縁部と、を備え、
    前記第1及び第2のリード線は、互いに間隔を有して配置されると共に、前記端部から伸び且つ互いの間隔が第1の間隔とされた第1の部分、互いの間隔が前記第1の間隔より大きい第2の間隔とされた第2の部分、及び、前記第1及び第2の部分の間において互いの間隔が前記第1の間隔から前記第2の間隔に変化している第3の部分をそれぞれ含んでおり、
    前記絶縁部は、前記第1及び第2のリード線の前記第1の部分を一体に覆うと共に、前記第1及び第2のリード線の前記第2及び第3の部分を前記第1及び第2のリード線毎に覆っていることを特徴とするサーミスタ。
  2. 前記絶縁部の表面には、複数の凸部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載のサーミスタ。
  3. 前記絶縁部及び前記複数の凸部は、樹脂からなることを特徴とする請求項2に記載のサーミスタ。
JP2008220106A 2008-08-28 2008-08-28 サーミスタ Active JP5262448B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008220106A JP5262448B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 サーミスタ
US12/493,807 US7969278B2 (en) 2008-08-28 2009-06-29 Thermistor
DE102009033718A DE102009033718A1 (de) 2008-08-28 2009-07-22 Thermistor
CN2009101715320A CN101661818B (zh) 2008-08-28 2009-08-28 热敏电阻

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008220106A JP5262448B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 サーミスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010056320A true JP2010056320A (ja) 2010-03-11
JP5262448B2 JP5262448B2 (ja) 2013-08-14

Family

ID=41606328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008220106A Active JP5262448B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 サーミスタ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7969278B2 (ja)
JP (1) JP5262448B2 (ja)
CN (1) CN101661818B (ja)
DE (1) DE102009033718A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8303173B2 (en) * 2007-10-29 2012-11-06 Smiths Medical Asd, Inc. Dual potting temperature probe
CN109073480B (zh) * 2018-02-13 2022-07-05 株式会社芝浦电子 温度传感器、传感器元件以及温度传感器的制造方法
DE102020116018A1 (de) * 2020-06-17 2021-12-23 Tdk Electronics Ag Sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60151102U (ja) * 1984-03-19 1985-10-07 株式会社村田製作所 リ−ド線付き電気素子
JPH08153601A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JPH1183641A (ja) * 1997-09-08 1999-03-26 Kurabe Ind Co Ltd ガラス封止型サーミスタ
JPH11273911A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Mitsubishi Materials Corp ガラス封止型サーミスタ及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243968A (en) * 1979-04-25 1981-01-06 Robertshaw Controls Company Temperature sensing unit, parts therefor and methods of making the same
US4591839A (en) * 1982-05-20 1986-05-27 Gulf & Western Manufacturing Company System for detecting low liquid level and probe therefor
US5748656A (en) * 1996-01-05 1998-05-05 Cymer, Inc. Laser having improved beam quality and reduced operating cost
DE10111336B4 (de) * 2001-03-08 2008-02-14 Heraeus Electro-Nite International N.V. Sensor, insbesondere Temperatur-Sensor, mit einem Messwiderstand
JP2003302292A (ja) * 2002-02-07 2003-10-24 Denso Corp センサおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60151102U (ja) * 1984-03-19 1985-10-07 株式会社村田製作所 リ−ド線付き電気素子
JPH08153601A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JPH1183641A (ja) * 1997-09-08 1999-03-26 Kurabe Ind Co Ltd ガラス封止型サーミスタ
JPH11273911A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Mitsubishi Materials Corp ガラス封止型サーミスタ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101661818A (zh) 2010-03-03
US20100052842A1 (en) 2010-03-04
CN101661818B (zh) 2012-05-23
DE102009033718A1 (de) 2010-03-04
US7969278B2 (en) 2011-06-28
JP5262448B2 (ja) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103098150B (zh) 表面安装压敏电阻
JP5076200B2 (ja) センサ素子を備える電気コンポーネント、および電気コンポーネントの製造方法
US10575404B2 (en) Electronic component
JP6228532B2 (ja) サーミスタ
KR20180027639A (ko) 센서 소자 및 센서 소자를 조립하는 방법
JPH04333295A (ja) 電歪効果素子およびその製造方法
JP5233400B2 (ja) バリスタ
JP5262448B2 (ja) サーミスタ
JP6495740B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP5163057B2 (ja) サーミスタ
US20140204503A1 (en) Electrical device
JP6978509B2 (ja) 接合構造体、半導体パッケージおよび半導体装置
CN105374483A (zh) 集成保险丝的电阻器组件
US20130300533A1 (en) Ceramic Multilayered Component and Method for Producing a Ceramic Multilayered Component
JP2008305824A (ja) 固体電解コンデンサ
US8274357B2 (en) Varistor having ceramic case
US10325744B2 (en) Hollow fuse body with notched ends
EP2896944B1 (en) Temperature sensor and manufacturing method for temperature sensor
JP5296823B2 (ja) 樹脂成形品及びその製造方法
JP2013197127A (ja) サーミスタ素子
JP6732416B2 (ja) 面実装チップバリスタ
JP2014154830A (ja) サーミスタ素子及びその製造方法
JP6927850B2 (ja) 接合構造および半導体パッケージ
JP2023098547A (ja) チップバリスタ
JP6150593B2 (ja) チップ抵抗器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110408

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5262448

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150