JP6927850B2 - 接合構造および半導体パッケージ - Google Patents
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体との間に介在している接合材とを備え、前記金属端子の前記端部と前記線路導体との接合界面に沿って空隙が位置している。
置されている。この、基板5の第1面5a側で、上記構成の接合構造Cを介して金属端子1の端部1aと線路導体2とが互いに接合されている。
)(図示せず)で封止されれば、いわゆるTO(Transistor Outline)−CAN型の半導体パッケージ10が形成される。半導体素子が光半導体素子であるときには、光信号の入出力用の開口を有する金属ケースが用いられる。
ものであるときには、チタン、クロム、タンタル、ニオブ、ニッケル−クロム合金、窒化タンタル等の密着金属層をさらに含むものでもよい。密着金属層は、絶縁板6と薄膜層との間に位置し、線路導体2の絶縁板6に対する密着性を向上させる機能を有する。
〜5μm程度に設定される。また、密着金属層の厚みは、絶縁板6に対する密着性の向上および内部応力の抑制等を考慮して、0.01〜0.2μm程度に設定される。なお、線路導体
2は、密着金属層と薄膜層との間に、両者の相互拡散を抑制する拡散抑制層をさらに含んでいてもよい。拡散抑制層は、例えば、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、チタン−タングステン合金等の金属材料により形成することができる。拡散抑制層の厚みは、例えば上記の相互拡散の抑制および線路導体2における電気抵抗の抑制等を考慮して、約0.05〜1μmに設定される。
結合に加えて、有機成分の重合体による接合の作用を含んでいてもよい。上記バインダ成分を含有するペーストによる接合の温度は、例えば約200〜300℃に設定される。
3が存在している部分以外の部分は、例えば空隙であり、金属粒子3の充填の割合が大きいほど空隙の割合が小さい。したがって、接合材3における金属粒子の充填の密度を大きくするほど、接合材3の抵抗率を小さくすることができる。
約2.4×10−8Ω・mである。このような抵抗率の差を利用して、接合材3の抵抗率を調
整することができる。この場合、個々の金属粒子における銀の含有率を調整してもよく、複数の金属粒子における銀粒子の個数の割合を調整してもよい。
量の銅または金等の他の成分を含有するものでもよい。また、金属粒子の全部が銀粒子でなくてもよく、例えば銀粒子と銅粒子の両方が金属粒子に含まれていてもかまわない。
用する重力等の外力の大きさおよび向き等の条件を適宜調整すればよい。
9は、空隙4に面する金属端子1の表面のほぼ全面に沿って位置しているものであってもよいし、接合材3が接している金属端子1の表面に位置していてもよい。このような薄層9が存在することにより、水分の付着による金属端子1の腐食等の可能性を効果的に低減することができる。
属端子1と線路導体2との接合を行なうようにすればよい。このときの熱で接合材3中の銀等の成分が金属端子1の端部1a表面に沿って濡れ拡がり、薄層9を形成する。
する接合強度も向上させることができる。また、この例においても、接合材3と金属端子1の端部1a(先端部)との間に空隙4が位置しているため、空隙4部分における熱応力の緩和が容易である。したがって、接合材3を介した線路導体2と金属端子1との接合強度および接続信頼性の向上に有効な接合構造Cとすることができる。
接合し、順次直列に接続された金属端子、接合材および線路導体からなる伝送路における抵抗およびインピーダンス整合をシミュレーション解析した。
1a・・端部
2・・線路導体
3・・接合材
4・・空隙
5・・基板
5a・・第1面
5b・・第2面
5c・・貫通孔
6・・絶縁板
7・・サブマウント
8・・接地端子
9・・薄層
10・・半導体パッケージ
H・・封止材
Claims (5)
- 端部を有する金属端子と、
該金属端子の前記端部が位置している線路導体と、
銀を含有する金属粒子を含んでいるとともに、前記金属端子の前記端部と前記線路導体との間に介在している接合材とを備え、
前記金属端子の前記端部と前記線路導体との接合界面に沿って空隙が位置している接合構造。 - 前記接合材が、互いに接合した銀粒子を含んでいる請求項1記載の接合構造。
- 前記金属端子が、前記線路導体から離れた先端を有しており、
前記接合材が前記金属端子の前記先端において外側に凸状である請求項1または請求項2記載の接合構造。 - 前記接合材の体積抵抗率が、5〜10μΩ・cmである請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の接合構造。
- 第1面および該第1面と反対側の第2面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に位置する線路導体と、
前記基板の前記第2面から前記第1面にかけて貫通しており、前記第1面側に端部を有する金属端子と、
金属粒子を含んでおり、前記金属端子の前記端部と前記線路導体との間に介在している接合材とを備えており、
前記金属端子の前記端部と前記線路導体との間に、請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の接合構造を有している半導体パッケージ。
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JP2017208061A JP6927850B2 (ja) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 接合構造および半導体パッケージ |
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- 2017-10-27 JP JP2017208061A patent/JP6927850B2/ja active Active
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