JP2017037181A - 光変調装置 - Google Patents

Abstract

【課題】位相変調器に与えられるバイアス電圧を迅速に設定することを目的とする。【解決手段】入力信号およびバイアス電圧に応じて光を変調する変調部１４と、バイアス電圧を設定するバイアス設定部２０と、バイアス電圧にパイロット信号を含ませるパイロット信号生成部（３２Ｉ，３２Ｑ）と、変調部１４の出力光からパイロット信号を検出するパイロット信号検出器１８と、を備える。変調部１４は、印加電圧の変化に対して周期的に出力光の大きさが変化する特性を有し、バイアス設定部２０は、パイロット信号とパイロット信号検出器１８による検出値との極性の関係、および、バイアス電圧の変化に対する検出値の変化を示す特性に基づいて探索開始電圧を決定し、探索開始電圧を基準としてバイアス電圧を変化させながら、検出値が目標条件を満たすときの適切バイアス電圧を探索し、バイアス電圧を適切バイアス電圧に設定する。【選択図】図１

Description

本発明は、光変調装置に関し、特に、入力信号およびバイアス電圧に応じて光を変調する装置に関する。

光によって情報を伝送する光通信システムが広く用いられている。光通信システムは、光ファイバによって接続された光送信機および光受信機を備える。光送信機は、ディジタル信号によって光を変調して光信号を生成し、その光信号を光ファイバに送信する。光受信機は、光ファイバから受信された光信号に対して復調処理を施してディジタル信号を抽出する。

光送信機は、ディジタル信号によって光を変調する光変調装置を備える。光変調装置には、２つの位相変調器を備えるものがある。各位相変調器には個別に信号電圧が与えられ、各位相変調器を通過する光が受ける位相変化量が、各信号電圧に応じて変化する。ＱＰＳＫ変調信号を出力する光変調装置の場合、信号電圧がハイ電圧であるときとロー電圧であるときとで、位相回転量がπだけ異なるものが位相変調器として用いられる。光変調装置は、２つの位相変調器のうち一方から出力される光の位相をπ／２だけ遅らせた上で、各位相変調器の出力を合成し、ＱＰＳＫ変調された光信号を出力する。

上記のような位相変調器としては、例えば、マッハツェンダ変調器がある。マッハツェンダ変調器にはバイアス電圧が与えられ、バイアス電圧に信号電圧を加えた電圧に応じて出力信号の大きさおよび位相が定まる。バイアス電圧の大きさが適切でない場合には、信号電圧によって光信号を変調する際の精度が低下する。そこで、特許文献１および２に示されているように、マッハツェンダ変調器に与えられるバイアス電圧を制御する技術が考えられている。

特開２００７−２０８４７２号公報 国際公開２０１４／０４１６２９号パンフレット

マッハツェンダ変調器等の位相変調器では、バイアス電圧の変化に対し出力信号の大きさおよび位相が複雑に変化する場合が多い。そのため、従来の技術では、バイアス電圧を適切に設定するために長時間を要する場合があった。

本発明は、位相変調器に与えられるバイアス電圧を迅速に設定することを目的とする。

本発明は、入力信号およびバイアス電圧に応じて光を変調する変調部と、前記バイアス電圧を設定するバイアス設定部と、前記バイアス電圧にパイロット信号を含ませるパイロット信号生成部と、前記変調部の出力光から前記パイロット信号を検出する検出部と、を備え、前記変調部は、印加電圧の変化に対して周期的に前記出力光の大きさが変化する特性を有し、前記バイアス設定部は、前記パイロット信号と前記検出部による検出値との極性の関係、および、前記バイアス電圧の変化に対する前記検出値の変化を示す特性に基づいて探索開始電圧を決定し、前記探索開始電圧を基準として前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値が目標条件を満たすときの適切バイアス電圧を探索し、前記バイアス電圧を前記適切バイアス電圧に設定する、ことを特徴とする。

望ましくは、前記バイアス設定部は、第１の刻み幅で前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値の大きさが極大値となるときの極大バイアス電圧を探索し、前記極大バイアス電圧、および、前記バイアス電圧に対する前記出力光の周期に基づいて、前記探索開始電圧を決定し、前記第１の刻み幅よりも小さい第２の刻み幅で前記探索開始電圧から前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値の大きさが極小値となるときの前記バイアス電圧を探索する。

本発明によれば、位相変調器に与えられるバイアス電圧を迅速に設定することができる。

光変調装置を示す図である。 マッハツェンダ変調器の出力特性を示す図である。 出力特性およびモニタ特性を示す図である。 出力特性およびモニタ特性を示す図である。 ポインタ電圧を求める処理の例を説明する図である。

図１には、本発明の実施形態に係る光変調装置が示されている。光変調装置は、例えば、光通信システムの光送信機に用いられる。光変調装置は、光源１０から出力された光に対し時間経過と共に変化する２桁のディジタル信号によってＱＰＳＫ変調を施し、ＱＰＳＫ変調が施された光を光ファイバ１６に出力する。

角周波数ω、時間ｔおよび初期位相角φによって光の位相角を（ωｔ＋φ）と表した場合、ＱＰＳＫ変調方式では、２桁の入力ディジタル値に光の初期位相角φが対応付けられる。例えば、ディジタル値、（００）、（０１）、（１０）、および（１１）に対し、それぞれ、初期位相角φとしてπ／４，３π／４，５π／４、および７π／４が対応付けられる。

光変調装置は、光源１０、同相ドライバ１２Ｉ、直交ドライバ１２Ｑ、変調部１４、パイロット信号検出器１８、およびバイアス設定部２０を備える。光源１０は、変調部１４に光を出力する。同相ドライバ１２Ｉおよび直交ドライバ１２Ｑのそれぞれには、１桁のディジタル信号が入力される。同相ドライバ１２Ｉは、ディジタル値「１」および「０」に対し、それぞれ、ハイ電圧Ｖｄおよびロー電圧−Ｖｄを対応付けた同相ディジタル信号を変調部１４に出力する。直交ドライバ１２Ｑは、ディジタル値「１」および「０」に対し、それぞれ、ハイ電圧Ｖｄおよびロー電圧−Ｖｄを対応付けた直交ディジタル信号を変調部１４に出力する。変調部１４は、光源１０から出力された光に対し、同相ディジタル信号および直交ディジタル信号によってＱＰＳＫ変調を施す。

変調部１４は、第１マッハツェンダ変調器２２、第２マッハツェンダ変調器２４（以下、第１ＭＺ変調器２２、第２ＭＺ変調器２４という。）、π／２遅延器２６、および合成器２８を備える。光源１０から入力された光は、第１ＭＺ変調器２２および第２ＭＺ変調器２４に分配される。

第１ＭＺ変調器２２には、バイアス設定部２０から出力されたＩチャネルバイアス電圧が与えられる。Ｉチャネルバイアス電圧が適切な電圧に設定されている場合、第１ＭＺ変調器２２は、同相ディジタル信号がハイ電圧Ｖｄであるときとロー電圧−Ｖｄであるときとで、自らを通過する光の位相回転量をπだけ異なるものとする。すなわち、第１ＭＺ変調器２２は、同相ディジタル信号に応じて位相を回転させた光を合成器２８に出力する。

第２ＭＺ変調器２４には、バイアス設定部２０から出力されたＱチャネルバイアス電圧が与えられる。Ｑチャネルバイアス電圧が適切な電圧に設定されている場合、第２ＭＺ変調器２４は、直交ディジタル信号がハイ電圧Ｖｄであるときとロー電圧−Ｖｄであるときとで、自らを通過する光の位相回転量をπだけ異なるものとする。すなわち、第２ＭＺ変調器２４は、直交ディジタル信号に応じて位相を回転させた光をπ／２遅延器２６に出力する。π／２遅延器２６は、第２ＭＺ変調器２４から出力された光の位相をπ／２だけ遅らせて合成器２８に出力する。合成器２８は、第１ＭＺ変調器２２およびπ／２遅延器２６から出力された光を合成し、光ファイバ１６に出力する。

このような光変調装置の構成によれば、光源１０から出力された光に対し、同相ディジタル信号および直交ディジタル信号によってＱＰＳＫ変調が施され、その光が光ファイバ１６に送信される。

なお、第２ＭＺ変調器２４とπ／２遅延器２６の順序を入れ換えてもよい。すなわち、光源１０から発せられた光がπ／２遅延器２６に入力され、π／２遅延器２６によってπ／２だけ位相が遅らされた光が第２ＭＺ変調器２４に入力され、第２ＭＺ変調器２４から合成器２８に位相変調後の光が出力されてもよい。

バイアス設定部２０が実行する処理の概要について説明する。バイアス設定部２０は、第１ＭＺ変調器２２および第２ＭＺ変調器２４のそれぞれに対し個別にバイアス電圧を設定する。第１ＭＺ変調器２２に対してＩチャネルバイアス電圧を設定する場合には、調整下にあるＩチャネルバイアス電圧ＢＩにパイロット信号ＰＩを加算した電圧を、調整用Ｉチャネルバイアス電圧として第１ＭＺ変調器２２に出力する。パイロット信号ＰＩは、例えば、光の周波数より低い基本周波数を有する矩形波、正弦波等の波形を有する周期信号である。

第２ＭＺ変調器２４に対してＱチャネルバイアス電圧を設定する場合には、調整下にあるＱチャネルバイアス電圧ＢＱにパイロット信号ＰＱを加算した電圧を、調整用Ｑチャネルバイアス電圧として第２ＭＺ変調器２４に出力する。パイロット信号ＰＱは、パイロット信号ＰＩと同様、光の周波数より低い基本周波数を有する矩形波、正弦波等の波形を有する周期信号である。

各バイアス電圧の設定は、時間経過と共に値がランダムに変化するディジタル信号が、同相ドライバ１２Ｉおよび直交ドライバ１２Ｑの各入力端子に入力された状態で行われる。

パイロット信号検出器１８は、パイロット信号を検出する検出部として機能する。すなわち、パイロット信号検出器１８は、変調部１４の出力光に含まれるパイロット信号の交流成分を検出し、その検出値を示すモニタ信号をバイアス設定部２０に出力する。バイアス設定部２０は、モニタ信号を用いて後述のバイアス設定処理を実行し、Ｉチャネルバイアス電圧およびＱチャネルバイアス電圧を設定する。

バイアス設定部２０の構成および処理について具体的に説明する。バイアス設定部２０は、制御部３０、Ｉチャネルバイアス生成部３４Ｉ、Ｉチャネルパイロット信号生成部３２Ｉ、加算器３６Ｉ、Ｑチャネルバイアス生成部３４Ｑ、Ｑチャネルパイロット信号生成部３２Ｑ、および加算器３６Ｑを備える。

Ｉチャネルバイアス生成部３４Ｉは、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを加算器３６Ｉに出力する。Ｉチャネルパイロット信号生成部３２Ｉは、パイロット信号ＰＩを加算器３６Ｉに出力する。加算器３６Ｉは、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩおよびパイロット信号ＰＩを加算して得られた調整用Ｉチャネルバイアス電圧を第１ＭＺ変調器２２に出力する。

Ｑチャネルバイアス生成部３４Ｑは、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱを加算器３６Ｑに出力する。Ｑチャネルパイロット信号生成部３２Ｑは、パイロット信号ＰＱを加算器３６Ｑに出力する。加算器３６Ｑは、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱおよびパイロット信号ＰＱを加算して得られた調整用Ｑチャネルバイアス電圧を第２ＭＺ変調器２４に出力する。

図２には、マッハツェンダ変調器の出力特性が示されている。出力特性は、マッハツェンダ変調器への印加電圧に対する出力光レベルを表す。出力光レベルは印加電圧の変化に対して周期的に変化する。図２に示される例では、出力特性の電圧周期は２ＶＰである。ここでは、第１ＭＺ変調器のバイアス電圧の設定について説明するが、第２ＭＺ変調器のバイアス電圧の設定においても同様の処理が実行される。

図２における２つの極大点ＧＬおよび極大点ＧＨの間にある極小点ＳにＩチャネルバイアス電圧ＢＩを設定することで、ディジタル信号の値「１」および「０」に対し、出力光のレベルが均等となる。すなわち、同相ディジタル信号のハイ電圧Ｖｄ、同相ディジタル信号のロー電圧−Ｖｄに対し、極小点Ｓよりも電圧Ｖｄだけプラス側の点Ａがディジタル値「１」に対応し、極小点Ｓよりも電圧Ｖｄだけマイナス側の点Ｂがディジタル値「０」に対応する。極小点Ｓに対して出力特性が左右対称であるため、各ディジタル値に対し出力光のレベルが均等となる。そこで、極小点Ｓに対応する印加電圧がＩチャネルバイアス電圧ＢＩの目標値とされる。

図３（ａ）には、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩが極小点Ｓからずれた場合における点Ａおよび点Ｂが示されている。ただし、この図には、同相ディジタル信号の振れ幅Ｈ＝２Ｖｄが、出力特性の周期２ＰＶと等しい場合が示されている。周期２ＰＶに対する振れ幅Ｈの比率Ｈ／（２ＰＶ）は変調率と称され、この場合の変調率は１００％である。なお、図２に示されている出力特性上の点Ａおよび点Ｂは、変調率が８０％の場合について各ディジタル値に対応する点を示したものである。

図３（ｂ）には、変調率が１００％である場合における、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対するモニタ信号のレベルが示されている。このモニタ信号レベルは、モニタ信号の絶対値、自乗値等の時間平均値に極性を付加したものである。モニタ信号レベルは、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが同一極性の場合に正極性となり、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが逆極性の場合に負極性となる。バイアス設定処理において第１ＭＺ変調器に印加される調整用Ｉチャネルバイアス電圧は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩにパイロット信号ＰＩを加えた電圧である。そのため、図３（ａ）の矢印で示されているように、点Ａおよび点Ｂはパイロット信号ＰＩに応じて出力特性に沿って振動する。したがって、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対して検出されるモニタ信号は、点Ａの振動に応じた出力光の変動値と、点Ｂの振動に応じた出力光の変動値とを併せた値となる。図３（ｂ）に示されているモニタ信号レベルの特性（以下、モニタ特性という。）は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを変化させた場合の各値に対し、モニタ信号レベルを対応付けたものである。

図３（ｂ）に示されているように、モニタ信号レベルはＩチャネルバイアス電圧ＢＩの変化に対して周期２ＶＰで変化する。モニタ信号レベルは、極小点Ｓに対応する点Ｑで０となり、モニタ特性は点Ｑの左右で極性が異なる奇対称な特性となる。したがって、モニタ信号が０となるように、あるいは、０に近づくようにＩチャネルバイアス電圧ＢＩを設定することで、Ｉチャネルバイアス電圧が適切に設定され得る。

モニタ信号レベルの極性は変調率によって異なる。すなわち、変調率が５０％よりも大きい場合と、変調率が５０％未満である場合とでは極性が逆となる。変調率が５０％である場合にはモニタ信号レベルが０となるため、本発明を用いることは困難である。図４（ｂ）には、図４（ａ）の出力特性と共に、複数の異なる変調率についてのモニタ特性が示されている。特性４０−１，４０−２，４０−３，および４０−４は、それぞれ、変調率が１００％、７５％、２５％および０％の場合のモニタ特性である。図４（ａ）に示される出力特性に対し、図４（ｂ）に示されるようなモニタ特性が得られることは、例えば、特許文献２に記載されている。

バイアス設定処理について図１を参照して説明する。制御部３０は、第１ＭＺ変調器２２および第２ＭＺ変調器２４について個別にバイアス電圧を設定する。また、制御部３０は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩおよびＱチャネルバイアス電圧ＢＱのそれぞれを個別に設定する。ここでは、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対する処理について説明する。

Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを設定する場合、制御部３０は、Ｉチャネルパイロット信号生成部３２Ｉを制御してパイロット信号ＰＩを出力させる（パイロット信号ＰＩをオンにする）。また、制御部３０は、Ｑチャネルパイロット信号生成部３２Ｑを制御して、パイロット信号ＰＱを遮断状態にする（パイロット信号ＰＱをオフにする）。

制御部３０は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを第１の刻み幅で変化させながら、モニタ信号を参照し、モニタ信号レベルの絶対値が極大となるときのＩチャネルバイアス電圧ＢＩをポインタ電圧として求める。ポインタ電圧は、第１の刻み幅よりも小さい第２の刻み幅でＩチャネルバイアス電圧ＢＩを変化させる際の微小探索開始電圧を求めるための電圧である。

ポインタ電圧を求める処理は、次のようにして行われてもよい。制御部３０は、第１の刻み幅間隔で予め定められたＮ個のＩチャネルバイアス電圧ＢＩのそれぞれについてモニタ信号レベルの絶対値を取得する。制御部３０は、求められたモニタ信号レベルの絶対値のうち、最も大きいものに対応するＩチャネルバイアス電圧ＢＩをポインタ電圧として求める。

図５（ｂ）には、図５（ａ）の出力特性と共に、電圧範囲幅がＶＲである探索範囲Ｒにおいて、第１の刻み幅ＶＲ／８で、電圧Ｖ１〜Ｖ９のそれぞれについて、モニタ信号レベルを取得する例が示されている。この場合、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩが電圧Ｖ２であるときにモニタ信号レベルの絶対値が極大となり、電圧Ｖ２がポインタ電圧として求められる。探索範囲Ｒは、例えば、モニタ特性の周期の半分の周期ＶＰとする。探索範囲Ｒ内にモニタ信号レベルの絶対値が極大となる電圧が存在する可能性が高いという条件の下、電圧範囲幅ＶＲを半周期ＶＰより狭くしてもよい。

第２の刻み幅でＩチャネルバイアス電圧ＢＩを変化させる処理について説明する。上述のように、出力特性の極小点Ｓよりも低電圧側の半周期では、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが同一極性となる。一方、極小点Ｓよりも高電圧側の半周期では、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが逆極性となる。したがって、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが同一極性である場合には、そのときのＩチャネルバイアス電圧ＢＩよりも高電圧側に出力特性の極小点Ｓがあり、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが逆極性である場合には、そのときのＩチャネルバイアス電圧ＢＩよりも低電圧側に出力特性の極小点Ｓがあることとなる。

そこで、制御部３０は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩをポインタ電圧に設定し、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが同一極性であるか逆極性であるかを判別する。この判別は、モニタ信号レベルの極性に基づいて行われてもよい。そして、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが同一極性である場合には、ポインタ電圧より４分の１周期ＶＰ／２だけ高い電圧を微小探索開始電圧として設定し、パイロット信号ＰＩとモニタ信号とが逆極性である場合には、ポインタ電圧より半周期ＶＰ／２だけ低い電圧を微小探索開始電圧として設定する。

制御部３０は、モニタ信号を参照しながら、微小探索開始電圧から第２の刻み幅でＩチャネルバイアス電圧ＢＩを変化させて、モニタ信号が目標条件を満たすときのＩチャネルバイアス電圧ＢＩを適切バイアス電圧として求める。モニタ信号に対する目標条件は、第２の刻み幅においてモニタ信号の大きさが極小値となるという条件、例えば、モニタ信号が０または０を中心とした誤差範囲内の値となるという条件である。すなわち、制御部３０は、モニタ信号を参照しながら、微小探索開始電圧から第２の刻み幅でＩチャネルバイアス電圧ＢＩを変化させて、モニタ信号が０となるＩチャネルバイアス電圧ＢＩを適切バイアス電圧として求める。あるいは、制御部３０は、モニタ信号の０からのずれが誤差範囲内の値となるＩチャネルバイアス電圧ＢＩを適切バイアス電圧として求める。ここで、第２の刻み幅は上述の第１の刻み幅よりも小さい刻み幅である。適切バイアス電圧を求める計算方法には、ニュートン法等の非線形方程式の解法が用いられてもよい。

制御部３０は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを適切バイアス電圧に設定し、Ｉチャネルパイロット信号生成部３２Ｉを制御してパイロット信号ＰＩをオフにし、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩについてのバイアス設定処理を終了する。

制御部３０は、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対する処理と同様の処理によって、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱについても適切バイアス電圧を求め、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱを適切バイアス電圧に設定する。

このような処理によれば、第１の刻み幅でポインタ電圧が探索され、ポインタ電圧に基づいて微小探索開始電圧が求められた後、微小探索開始電圧を基準として第１の刻み幅よりも小さい第２の刻み幅で適切バイアス電圧が探索される。第１の刻み幅を大きくする程、ポインタ電圧を探索する処理がより迅速に行われる。さらに、パイロット信号とモニタ信号との極性の関係を用いることで、ポインタ電圧に基づき適切な微小探索開始電圧が求められる。これによって、適切バイアス電圧が迅速に求められる。また、第２の刻み幅を小さくする程、より高精度に適切バイアス電圧が求められる。

なお、上記では、２つのパイロット信号生成部を用いる例について説明したが、パイロット信号生成部は１つであってもよい。この場合、１つのパイロット信号生成部から出力されるパイロット信号が、加算器３６Ｉまたは加算器３６Ｑのうち一方に選択的に出力され、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対する処理とＱチャネルバイアス電圧ＢＱに対する処理が個別に実行される。

また、上記では、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩに対する処理と、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱに対する処理を個別に実行する処理について説明した。パイロット信号ＰＩの周波数と、パイロット信号ＰＱの周波数とを異ならせることで、Ｉチャネルバイアス電圧ＢＩを設定する処理と、Ｑチャネルバイアス電圧ＢＱを設定する処理を同時に実行してもよい。

１０ 光源、１２Ｉ 同相ドライバ、１２Ｑ 直交ドライバ、１４ 変調部、１６ 光ファイバ、１８ パイロット信号検出器、２０ バイアス設定部、２２ 第１ＭＺ変調器、２４ 第２ＭＺ変調器、２６ π／２遅延器、２８ 合成器、３０ 制御部、３２Ｉ Ｉチャネルパイロット信号生成部、３２Ｑ Ｑチャネルパイロット信号生成部、３４Ｉ Ｉチャネルバイアス生成部、３４Ｑ Ｑチャネルバイアス生成部、３６Ｉ，３６Ｑ 加算器。

Claims (2)

1. 入力信号およびバイアス電圧に応じて光を変調する変調部と、
   前記バイアス電圧を設定するバイアス設定部と、
   前記バイアス電圧にパイロット信号を含ませるパイロット信号生成部と、
   前記変調部の出力光から前記パイロット信号を検出する検出部と、を備え、
   前記変調部は、
   印加電圧の変化に対して周期的に前記出力光の大きさが変化する特性を有し、
   前記バイアス設定部は、
   前記パイロット信号と前記検出部による検出値との極性の関係、および、前記バイアス電圧の変化に対する前記検出値の変化を示す特性に基づいて探索開始電圧を決定し、
   前記探索開始電圧を基準として前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値が目標条件を満たすときの適切バイアス電圧を探索し、
   前記バイアス電圧を前記適切バイアス電圧に設定する、
   ことを特徴とする光変調装置。
2. 請求項１に記載の光変調装置において、
   前記バイアス設定部は、
   第１の刻み幅で前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値の大きさが極大値となるときの極大バイアス電圧を探索し、
   前記極大バイアス電圧、および、前記バイアス電圧に対する前記出力光の周期に基づいて、前記探索開始電圧を決定し、
   前記第１の刻み幅よりも小さい第２の刻み幅で前記探索開始電圧から前記バイアス電圧を変化させながら、前記検出値の大きさが極小値となるときの前記バイアス電圧を探索する、
   ことを特徴とする光変調装置。

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