JP2017032799A - 半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、並びに、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017032799A JP2017032799A JP2015152922A JP2015152922A JP2017032799A JP 2017032799 A JP2017032799 A JP 2017032799A JP 2015152922 A JP2015152922 A JP 2015152922A JP 2015152922 A JP2015152922 A JP 2015152922A JP 2017032799 A JP2017032799 A JP 2017032799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- substrate
- laminated
- resin
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 972
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 119
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 61
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 306
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 306
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 73
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 69
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 52
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 230000009471 action Effects 0.000 description 31
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00278—Lenticular sheets
- B29D11/00307—Producing lens wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00365—Production of microlenses
- B29D11/00375—Production of microlenses by moulding lenses in holes through a substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
- G02B3/0068—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between arranged in a single integral body or plate, e.g. laminates or hybrid structures with other optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0075—Arrays characterized by non-optical structures, e.g. having integrated holding or alignment means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B30/00—Camera modules comprising integrated lens units and imaging units, specially adapted for being embedded in other devices, e.g. mobile phones or vehicles
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置において、所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝が形成された基板が積層されている。本技術は、例えば、各層に貫通孔が形成され、貫通孔の内側にレンズが配置されている積層レンズ構造体や、積層レンズ構造体と受光素子とを一体化したカメラモジュール、画素基板と制御基板が積層された固体撮像装置等に適用できる。
【選択図】図55
Description
1.カメラモジュールの第1の実施の形態
2.カメラモジュールの第2の実施の形態
3.カメラモジュールの第3の実施の形態
4.カメラモジュールの第4の実施の形態
5.カメラモジュールの第5の実施の形態
6.第4の実施の形態のカメラモジュールの詳細構成
7.カメラモジュールの第6の実施の形態
8.カメラモジュールの第7の実施の形態
9.レンズ付き基板の詳細構成
10.レンズ付き基板の製造方法
11.レンズ付き基板どうしの接合
12.カメラモジュールの第8及び第9の実施の形態
13.カメラモジュールの第10の実施の形態
14.カメラモジュールの第11の実施の形態
15.他の構造と比較した本構造の効果
16.各種の変形例
17.電子機器への適用例
18.イメージセンサの使用例
図1は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第1の実施の形態を示す図である。
図9は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第2の実施の形態を示す図である。
図10は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第3の実施の形態を示す図である。
図11は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第4の実施の形態を示す図である。
図12は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第5の実施の形態を示す図である。
次に、図13を参照して、図11に示した第4の実施の形態に係るカメラモジュール1Dの詳細構成について説明する。
次に、レンズ付き基板41aのレンズ樹脂部82aを例に、レンズ樹脂部82の形状について説明する。
(1) 担体基板81の厚さが、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、担体基板81の厚さが、下層のレンズ付き基板41の方が厚い。
(2) レンズ付き基板41に備わる貫通孔83の開口幅が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、貫通孔83の開口幅が、下層のレンズ付き基板41の方が大きい。
(3) レンズ付き基板41に備わるレンズ部91の直径が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、レンズ部91の直径が、下層のレンズ付き基板41のレンズ部91の方が大きい。
(4) レンズ付き基板41に備わるレンズ部91の厚さが、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、レンズ部91の厚さが、下層のレンズ付き基板41のレンズ部91の方が厚い。
(5) レンズ付き基板41に備わるレンズ間の距離が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。
(6) レンズ付き基板41に備わるレンズ樹脂部82の体積が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で、異なる。例えば、レンズ樹脂部82の体積が、下層のレンズ付き基板41のレンズ樹脂部82の方が大きい。
(7) レンズ付き基板41に備わるレンズ樹脂部82の材料が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。
図16は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第6の実施の形態を示す図である。
図17は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第7の実施の形態を示す図である。
次に、レンズ付き基板41の詳細構成について説明する。
次に、図19乃至図29を参照して、レンズ付き基板41の製造方法を説明する。
担体基板81Wの貫通孔83は、担体基板81Wをウェットエッチングにより、エッチングすることによって形成することができる。具体的には、担体基板81Wをエッチングする前に、担体基板81Wの非開口領域がエッチングされることを防ぐためのエッチングマスクが、担体基板81Wの表面に形成される。エッチングマスクの材料には、例えばシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの絶縁膜が用いられる。エッチングマスクは、エッチングマスク材料の層を担体基板81Wの表面に形成し、この層に貫通孔83の平面形状となるパターンを開口することで、形成される。エッチングマスクが形成された後、担体基板81Wをエッチングすることにより、担体基板81Wに貫通孔83が形成される。
また、貫通孔83形成のエッチングには、上述したウェットエッチングではなく、ドライエッチングを用いることも可能である。
次に、図23を参照して、基板状態のレンズ付き基板41Wの製造方法について説明する。
図19のBに示したように、貫通孔83の平面形状は、例えば四角形などの多角形であっても良い。
(1)レンズ部91の外周に配置した腕部101の長さは、四角形の辺方向と対角線方向とで同じである。
(2)腕部101の外側に配置し、貫通孔83a側壁まで延在する脚部102の長さは、四角形の辺方向の脚部102の長さよりも対角線方向の脚部102の長さの方を、長くしている。
(1)レンズ部91の外周に配置した脚部102の長さを、貫通孔83aの四角形の4つの辺に沿って、一定にしている。
(2)上記(1)の構造を実現するために、腕部101の長さは、四角形の辺方向の腕部の長さよりも対角線方向の腕部の長さの方を、長くしている。
(1)貫通孔83の側壁は、段付き部221を備える段付き形状である。
(2)レンズ樹脂部82の担持部92の脚部102が、貫通孔83の側壁上方に配置されるだけでなく、貫通孔83に備わる段付き部221の上にも、レンズ付き基板41の平面方向に延在している。
(1)レンズ部91の外周に配置した腕部101の長さは、四角形の辺方向と対角線方向とで同じである。
(2)腕部101の外側に配置し、貫通孔83aの側壁まで延在する脚部102の長さは、四角形の辺方向の脚部102の長さよりも、対角線方向の脚部102の長さが長い。
次に、複数のレンズ付き基板41が形成された基板状態のレンズ付き基板41Wどうしの直接接合について説明する。
図34は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第8の実施の形態を示す図である。
図36は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第10の実施の形態を示す図である。
図37は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第11の実施の形態を示す図である。
積層レンズ構造体11は、レンズ付き基板41どうしを直接接合により固着させた構造(以下、本構造という。)である。本構造の作用及び効果について、レンズが形成されたレンズ付き基板のその他の構造と比較して説明する。
図38は、本構造と比較するための第1の基板構造(以下、比較構造例1という。)であって、特開2011−138089号公報(以下、比較文献1という。)において図14(b)として開示されたウエハレベル積層構造の断面図である。
図39は、本構造と比較するための第2の基板構造(以下、比較構造例2という。)であって、特開2009−279790号公報(以下、比較文献2という。)において図5(a)として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例2である図39のレンズアレイ基板1041が開示されている比較文献2では、レンズ1053となる樹脂1054の作用として、以下のことが開示されている。
図41は、本構造と比較するための第3の基板構造(以下、比較構造例3という。)であって、特開2010−256563号公報(以下、比較文献3という。)において図1として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例3である図41のレンズアレイ基板1081が開示されている比較文献3では、レンズ1093となる樹脂1094の作用として、以下のことが開示されている。
図43は、本構造と比較するための第4の基板構造(以下、比較構造例4という。)であって、上述した比較文献2において図6として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例4である図43のレンズアレイ基板1121が開示されている比較文献2では、レンズ1143となる樹脂1144の作用として、以下のことが開示されている。
図45は、本構造と比較するための第5の基板構造(以下、比較構造例5という。)であって、上述した比較文献2において図9として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例5である図45のレンズアレイ基板1161が開示されている比較文献2では、レンズ1173となる樹脂1174の作用として、以下のことが開示されている。
比較構造例2乃至5において樹脂がもたらす作用についてまとめると、次のようになる。
(1)当該レンズアレイ基板の上面において当該レンズアレイ基板に作用する力の方向および大きさと、
(2)当該レンズアレイ基板の下面において当該レンズアレイ基板に作用する力の方向および大きさと、
の相対関係の影響を受ける。
そこで、例えば、図48のAに示されるように、レンズアレイ基板1211の上面に配置する光硬化性樹脂1212の層及び面積と、レンズアレイ基板1211の下面に配置する光硬化性樹脂1212の層及び面積とを、同一にするレンズアレイ基板構造が考えられる。このレンズアレイ基板構造を、本構造と比較するための第6の基板構造(以下、比較構造例6という。)と呼ぶ。
ところで、実際には、カメラモジュールに組み込まれる積層レンズ構造体を構成するレンズ付き基板の形状は全て同じではない。より具体的には、積層レンズ構造体を構成する複数のレンズ付き基板どうしは、例えば、レンズ付き基板の厚さや貫通孔の大きさが異なっていたり、貫通孔に形成されるレンズの厚みや形状、体積などが異なる場合がある。さらに言えば、レンズ付き基板の上面及び下面に形成される光硬化性樹脂の膜厚なども、各レンズ付き基板で異なる場合もある。
図51は、第8の基板構造(以下、比較構造例8という。)としての、3枚のレンズ付き基板の積層で構成される積層レンズ構造体の断面図である。この積層レンズ構造体では、図48で示した比較構造例6と同様に、各レンズ付き基板の上面及び下面に配置された光硬化性樹脂の層及び面積が同一に形成されているものとする。
図53は、本構造を採用した3枚のレンズ付き基板1361乃至1363からなる積層レンズ構造体1371を示す図である。
上述した各実施の形態のその他の変形例について、以下説明する。
まず、図55乃至図58を参照して、第1のチッピング対策方法について説明する。
次に、図56乃至図58を参照して、積層レンズ構造体1401の製造方法について説明する。なお、以下、主にチッピング対策と関係する工程について説明する。説明を省略した工程は、基本的に上述した工程と同様である。
次に、図59乃至図62を参照して、第2のチッピング対策方法について説明する。
次に、図60乃至図62を参照して、積層レンズ構造体1501の製造方法について説明する。なお、以下、主にチッピング対策と関係する工程について説明する。説明を省略した工程は、基本的に上述した工程と同様である。
次に、図63乃至図66を参照して、第3のチッピング対策方法について説明する。
次に、図64乃至図66を参照して、積層レンズ構造体1601の製造方法について説明する。
次に、積層レンズ構造体1601の製造方法の変形例について説明する。
上述したカメラモジュール1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像装置を用いる電子機器に組み込んだ形で使用することが可能である。
図72は、カメラモジュール1として構成されたイメージセンサを使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝が形成された基板が積層されている
半導体装置。
(2)
前記パターン内に貫通孔が形成され、
前記貫通孔の内側にレンズが配置され、
前記溝は、前記貫通孔の周囲を囲んでいる
前記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記貫通孔の傾斜角と前記溝の傾斜角が等しい
前記(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記貫通孔及び前記溝は、ウェットエッチングにより形成される
前記(3)に記載の半導体装置。
(5)
各前記基板は、直接接合により接合されている
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の半導体装置。
(6)
前記直接接合は、プラズマ接合である
前記(5)に記載の半導体装置。
(7)
複数の基板において、ダイシングラインにより囲まれる領域の内側に、所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
半導体装置の製造方法。
(8)
所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝が形成された基板が積層されている半導体装置を
備える電子機器。
(9)
複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
半導体装置の製造方法。
(10)
各前記基板において、前記ダイシングラインにより囲まれた領域内に貫通孔を形成し、
各前記貫通孔の内側にレンズを形成し、
前記レンズが形成された複数の前記基板を接合することにより積層する
前記(9)に記載の半導体装置の製造方法。
(11)
前記貫通孔と前記溝の加工を同時に行う
前記(10)に記載の半導体装置の製造方法。
(12)
ウェットエッチングにより前記貫通孔と前記溝を形成する
前記(11)に記載の半導体装置の製造方法。
(13)
前記基板の厚さ及び前記ダイシングラインの幅に基づいて、前記溝の数及び幅を調整する
前記(12)に記載の半導体装置の製造方法。
(14)
前記溝とアライメントマークの加工を同時に行う
前記(9)乃至(13)のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(15)
各前記基板は、直接接合により接合されている
前記(9)乃至(14)のいずかに記載の半導体装置。
(16)
前記直接接合は、プラズマ接合である
前記(15)に記載の半導体装置。
(17)
複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
ことにより製造される半導体装置。
(18)
複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
ことにより製造される半導体装置を
備える電子機器。
Claims (18)
- 所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝が形成された基板が積層されている
半導体装置。 - 前記パターン内に貫通孔が形成され、
前記貫通孔の内側にレンズが配置され、
前記溝は、前記貫通孔の周囲を囲んでいる
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記貫通孔の傾斜角と前記溝の傾斜角が等しい
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記貫通孔及び前記溝は、ウェットエッチングにより形成される
請求項3に記載の半導体装置。 - 各前記基板は、直接接合により接合されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記直接接合は、プラズマ接合である
請求項5に記載の半導体装置。 - 複数の基板において、ダイシングラインにより囲まれる領域の内側に、所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
半導体装置の製造方法。 - 所定の回路又は部品からなるパターンの周囲を囲む溝が形成された基板が積層されている半導体装置を
備える電子機器。 - 複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
半導体装置の製造方法。 - 各前記基板において、前記ダイシングラインにより囲まれた領域内に貫通孔を形成し、
各前記貫通孔の内側にレンズを形成し、
前記レンズが形成された複数の前記基板を接合することにより積層する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記貫通孔と前記溝の加工を同時に行う
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - ウェットエッチングにより前記貫通孔と前記溝を形成する
請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の厚さ及び前記ダイシングラインの幅に基づいて、前記溝の数及び幅を調整する
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝とアライメントマークの加工を同時に行う
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 各前記基板は、直接接合により接合されている
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記直接接合は、プラズマ接合である
請求項15に記載の半導体装置。 - 複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
ことにより製造される半導体装置。 - 複数の基板のダイシングラインに溝を形成し、
複数の前記基板を接合することにより積層し、
積層した前記基板を前記ダイシングラインに沿って個片化する
ことにより製造される半導体装置を
備える電子機器。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015152922A JP6967830B2 (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
PCT/JP2016/003372 WO2017022193A1 (en) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | Lens substrate, semiconductor device, and electronic apparatus |
EP16751674.9A EP3328623B1 (en) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | Lens substrate, manufacturing method and electronic apparatus |
CN201680043359.4A CN108025515B (zh) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | 透镜基板、半导体装置的制造方法以及电子设备 |
CN202011288671.4A CN112526653A (zh) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | 透镜基板 |
CN202011286104.5A CN112526652B (zh) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | 透镜基板 |
KR1020177037878A KR20180034343A (ko) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | 렌즈 기판, 반도체 장치, 및 전자 기기 |
US15/747,302 US10690814B2 (en) | 2015-07-31 | 2016-07-19 | Lens substrate, semiconductor device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015152922A JP6967830B2 (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017032799A true JP2017032799A (ja) | 2017-02-09 |
JP6967830B2 JP6967830B2 (ja) | 2021-11-17 |
Family
ID=56686859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015152922A Active JP6967830B2 (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10690814B2 (ja) |
EP (1) | EP3328623B1 (ja) |
JP (1) | JP6967830B2 (ja) |
KR (1) | KR20180034343A (ja) |
CN (3) | CN112526652B (ja) |
WO (1) | WO2017022193A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020152782A1 (ja) * | 2019-01-22 | 2020-07-30 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用撮像装置の製造方法、内視鏡用撮像装置、および、内視鏡 |
WO2021059623A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 日本電気硝子株式会社 | レンズ部材及びレンズユニット並びにレンズ部材及びレンズユニットの製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017143092A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | ソニー株式会社 | ガラスインタポーザモジュール、撮像装置、および電子機器 |
TWI770034B (zh) * | 2016-08-15 | 2022-07-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 積層透鏡構造體、相機模組及積層透鏡構造體之製造方法 |
CN110087870B (zh) * | 2017-01-26 | 2022-03-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 层叠透镜结构、其制造方法和电子设备 |
JP6851838B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-03-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層レンズ構造体、カメラモジュール、および、電子機器 |
JP6987518B2 (ja) | 2017-01-26 | 2022-01-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
TWI701473B (zh) * | 2019-09-11 | 2020-08-11 | 大立光電股份有限公司 | 成像鏡頭模組、相機模組及電子裝置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0577577A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Hitachi Ltd | 印刷マスク |
JP2006140404A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007049066A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体ウェハ、並びに、半導体チップおよびその製造方法 |
JP2008172025A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP2010204635A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | レンズアレイ |
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2014006329A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Konica Minolta Inc | ウエハレンズの製造方法及び撮像レンズ |
JP2014110279A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218520A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Eastern Co Ltd | ビルドアップ基板およびその製造方法 |
EP1543564A2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package |
JP2004226872A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | カメラモジュール及びその製造方法 |
JP2005268752A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Canon Inc | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ |
US20070221613A1 (en) | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Gutsche Martin U | Structure for stopping mechanical cracks in a substrate wafer, use of the structure and a method for producing the structure |
US8013289B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-09-06 | Ether Precision, Inc. | Lens array block for image capturing unit and methods of fabrication |
US20090159200A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Heptagon Oy | Spacer element and method for manufacturing a spacer element |
US8416514B2 (en) * | 2008-01-08 | 2013-04-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lens unit, lens assembly, camera module, method of fabricating camera module and lens assembly, method of fabricating optic member, and apparatus of fabricating optic member |
KR100969987B1 (ko) * | 2008-01-10 | 2010-07-15 | 연세대학교 산학협력단 | 광학패키지 웨이퍼스케일 어레이 및 그 제조방법 |
JP2009186686A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Sharp Corp | カメラモジュール及びその製造方法 |
JP2009279790A (ja) | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Sharp Corp | レンズ及びその製造方法、並びに、レンズアレイ、カメラモジュール及びその製造方法、電子機器 |
JP4764942B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP4764941B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP4768060B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP5047243B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-10-10 | シャープ株式会社 | 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP2010204632A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | ウェハレベルレンズアレイの製造方法、ウェハレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット |
JP2010256563A (ja) | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Sharp Corp | レンズアレイおよび当該レンズアレイの製造方法、並びに、その利用 |
CN101890817B (zh) * | 2009-05-22 | 2013-11-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 压印成型透镜阵列的方法 |
JPWO2011010739A1 (ja) | 2009-07-23 | 2013-01-07 | 佐藤 一雄 | 微細構造体の製造方法 |
KR101648540B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2016-08-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼-레벨 렌즈 모듈 및 이를 구비하는 촬상 장치 |
JP2011048303A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Sharp Corp | 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 |
JP5118674B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 |
TW201109164A (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-16 | E Pin Optical Industry Co Ltd | Stacked disk-shaped optical lens array, stacked lens module and their method of manufacturing thereof |
US8357996B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-01-22 | Cree, Inc. | Devices with crack stops |
JP2011138089A (ja) | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Fujifilm Corp | ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット |
JP2011180292A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | レンズアレイ |
JP5533339B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 光電変換装置とそのパッケージ構造、並びに光電変換装置の製造方法 |
JP2013001091A (ja) | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 光学素子の製造方法 |
US8810933B2 (en) * | 2011-06-30 | 2014-08-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lens unit, manufacturing method of the same, and camera module including the same |
JP5709680B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2015-04-30 | 株式会社沖データ | レンズアレイ、レンズユニット、ledヘッド、露光装置、画像形成装置、及び読取装置 |
JPWO2013168811A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2016-01-07 | コニカミノルタ株式会社 | 撮像装置、レンズアレイ積層体、及び、その製造方法 |
CN104253188A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管元件的制造方法 |
CN104319337A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-28 | 杨晓丽 | 无基板的led器件及其制造方法 |
CN104796588B (zh) * | 2015-03-10 | 2018-11-27 | 南昌欧菲光电技术有限公司 | 摄像头模组 |
JP6660115B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2020-03-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | レンズ付き基板、及び、積層レンズ構造体の製造方法 |
JP2017032797A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2015
- 2015-07-31 JP JP2015152922A patent/JP6967830B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-19 KR KR1020177037878A patent/KR20180034343A/ko unknown
- 2016-07-19 CN CN202011286104.5A patent/CN112526652B/zh active Active
- 2016-07-19 CN CN201680043359.4A patent/CN108025515B/zh active Active
- 2016-07-19 WO PCT/JP2016/003372 patent/WO2017022193A1/en active Application Filing
- 2016-07-19 EP EP16751674.9A patent/EP3328623B1/en active Active
- 2016-07-19 US US15/747,302 patent/US10690814B2/en active Active
- 2016-07-19 CN CN202011288671.4A patent/CN112526653A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0577577A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Hitachi Ltd | 印刷マスク |
JP2006140404A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007049066A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体ウェハ、並びに、半導体チップおよびその製造方法 |
JP2008172025A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP2010204635A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | レンズアレイ |
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2014006329A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Konica Minolta Inc | ウエハレンズの製造方法及び撮像レンズ |
JP2014110279A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020152782A1 (ja) * | 2019-01-22 | 2020-07-30 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用撮像装置の製造方法、内視鏡用撮像装置、および、内視鏡 |
CN113272707A (zh) * | 2019-01-22 | 2021-08-17 | 奥林巴斯株式会社 | 内窥镜用摄像装置的制造方法、内窥镜用摄像装置和内窥镜 |
WO2021059623A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 日本電気硝子株式会社 | レンズ部材及びレンズユニット並びにレンズ部材及びレンズユニットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108025515B (zh) | 2020-11-17 |
US10690814B2 (en) | 2020-06-23 |
EP3328623A1 (en) | 2018-06-06 |
CN112526652A (zh) | 2021-03-19 |
KR20180034343A (ko) | 2018-04-04 |
CN112526652B (zh) | 2023-01-17 |
WO2017022193A1 (en) | 2017-02-09 |
CN108025515A (zh) | 2018-05-11 |
EP3328623B1 (en) | 2020-12-09 |
JP6967830B2 (ja) | 2021-11-17 |
CN112526653A (zh) | 2021-03-19 |
US20180246258A1 (en) | 2018-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6859263B2 (ja) | カメラモジュールおよび電子機器 | |
JP6764578B2 (ja) | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2017032797A (ja) | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 | |
KR102074046B1 (ko) | 렌즈부착 기판, 적층 렌즈 구조체, 카메라 모듈 및 제조 장치 및 방법 | |
JP6967830B2 (ja) | 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 | |
JP6619174B2 (ja) | 製造装置および方法 | |
JP6670565B2 (ja) | 積層レンズ構造体の製造方法及び型 | |
JP6660115B2 (ja) | レンズ付き基板、及び、積層レンズ構造体の製造方法 | |
JP2018120115A (ja) | Afモジュール、カメラモジュール、および、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160831 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190924 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200521 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200521 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200603 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20200609 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20200828 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20200901 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20201013 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210525 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210823 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210907 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20210928 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20211026 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20211026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6967830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |