JP2017028192A - 窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 - Google Patents
窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017028192A JP2017028192A JP2015147570A JP2015147570A JP2017028192A JP 2017028192 A JP2017028192 A JP 2017028192A JP 2015147570 A JP2015147570 A JP 2015147570A JP 2015147570 A JP2015147570 A JP 2015147570A JP 2017028192 A JP2017028192 A JP 2017028192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- nitride ceramic
- substrate
- break line
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
【解決手段】窒化珪素セラミックス集合基板12の周囲に耳部11を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板1から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部17とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法であって、前記窒化珪素セラミックス集合基板12と耳部11を分割するための、スクライブ孔形成工程と、貫通孔形成工程とを備え、前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークライン13を形成し、前記貫通孔形成工程は、前記前記辺ブレークラインの交差する角部に前記辺ブレークラインと傾斜する方向に貫通孔による角ブレークライン14を形成する。
【選択図】図1
Description
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するための、スクライブ孔形成工程と、貫通孔形成工程とを備え、
前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記貫通孔形成工程は、前記辺ブレークラインの交差する角部に前記辺ブレークラインと傾斜する方向に貫通孔による角ブレークラインを形成することを特徴とする。
前記耳部分割工程は、前記辺ブレークラインで、窒化珪素セラミックス焼結基板を耳部と窒化珪素セラミックス集合基板とに分割することを特徴とする。
面取り面における凹面部のピッチが、側面における凹面部のピッチよりも小さいことを特徴とする。
窒化珪素セラミックスを形成する為の原料において、主原料に窒化珪素粉末を用い、焼結助剤に2質量%のMgO及び3質量%のY2O3を用いて、作製したシート成形体を窒素雰囲気中にて最高温度1850℃保持時間5時間で焼結して、厚さ0.32mm、縦150mm及び横200mmで矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板1を作製した。炭酸ガスレーザを用いて、窒化珪素セラミックス焼結基板1の外縁10から内側の位置に外縁10に沿ってスクライブ孔13aによる辺ブレークライン13を形成した(スクライブ孔形成工程)。スクライブ孔13aは、基板表面において最大径が50μm、深さが150μm、ピッチが100μmであり、図1(1a)に示すようにスクライブ孔13aによる辺ブレークライン13を四辺の各々に沿って形成した。耳部11の幅は5mmとした。
レーザのビームスポットの直径=0.07mm
加工速度=15mm/s
スリットの突出長L1=0.7mm
スリットの全長=4.2mm
基板表面におけるスリット幅=0.10mm
図1のスリット14を図3のスリット24に変更したこと以外は、実施例1と同様にした。スリット24は、スリットの突出長L1=0mmとして、スリット14の全長を短くしたものである。得られた窒化珪素セラミックス焼結基板を撓ませて、辺ブレークライン13で割って窒化珪素セラミックス集合基板と耳部に分割すると、窒化珪素セラミックス集合基板の面取り面に隣接する側面(レーザ加工面及び破断面)において、この例でも亀裂及び割れの発生はなかった。また、面取り面における複数の凹面部のピッチは、側面における複数の凹面部のピッチよりも小さいものとなっていた。ただし、窒化珪素セラミックス集合基板12において側面の面取り面近傍に公差を超えるバリが形成される割合が2%となった。バリが形成されなかった窒化珪素セラミックス集合基板に銅の回路板及び銅の放熱板を複数組形成し、分割することで、実施例1と同様の回路基板を得た。実施例2ではバリが形成される割合が2%となった(歩留り98%)が、問題とならない範囲である。
実施例3は、図1のスリット14を図4(4a)の貫通孔による角ブレークライン34に変更し、スクライブ孔13aのピッチを変更した。他の条件は、実施例1と同様にした。すなわち、窒化珪素セラミックス焼結基板1の面に、1列に並ぶように複数個のスクライブ孔13aを形成することで辺ブレークライン13とした。辺ブレークライン13の交差する角部において、辺ブレークライン13と45°傾斜する方向に、間隔をおいてレーザスポットを照射して、図4(4b)に示すように複数個の貫通孔34aによる角ブレークライン34を形成した。ここでは、L2=L1とした。貫通孔34aのピッチ、すなわち、ビームスポットを照射するピッチを150μmとした。スクライブ孔13aによる辺ブレークライン13は、ビームスポットを照射するピッチを200μmとした。
図5の(5a)で示すように、図1のスリットに代えてスクライブ孔(未貫通孔)による角ブレークライン114(孔深さ等の条件はスクライブ孔の辺ブレークライン13及び113と同じ)を斜めに形成したこと(すなわち、スリット形成工程を面取り用スクライブ孔形成工程に変更したこと)以外は、実施例1と同様にした。
図6の(6a)で示すように、スリット形成工程を行わないこと以外は、実施例1と同様にした。
11:耳部、12:窒化珪素セラミックス集合基板、
13:辺ブレークライン、13a:スクライブ孔、
13b:側面の凹面部、13c:側面、
14:スリット、14’:角ブレークライン、
14a:貫通孔、14b:面取り面の凹面部、14c:面取り面、
15:三角形状の角部、
16:銅の回路板、 17:縁部、
18,18´:第2のブレークライン、
19:セラミックス基板部、 20:回路基板、
24:スリット、
34:角ブレークライン、34a:貫通孔、
34b:面取り面の凹面部、34c:面取り面、
101:窒化珪素セラミックス焼結基板、 111:耳部、
112,112’:窒化珪素セラミックス集合基板、
113:辺ブレークライン、113a:スクライブ孔、
114:角ブレークライン、 115:三角形状の角部、
134:亀裂、 136:亀裂、
201:窒化珪素セラミックス焼結基板、 211:耳部、
212:窒化珪素セラミックス集合基板、
213:辺ブレークライン、213a:スクライブ孔、
238:割れた角部
Claims (7)
- 窒化珪素セラミックス集合基板の周囲に耳部を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法であって、
前記窒化珪素セラミックス集合基板と耳部を分割するための、スクライブ孔形成工程と、貫通孔形成工程とを備え、
前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークラインを形成し、
前記貫通孔形成工程は、前記辺ブレークラインの交差する角部に前記辺ブレークラインと傾斜する方向に貫通孔による角ブレークラインを形成することを特徴とする窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。 - 前記角ブレークラインは前記耳部側に突出して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記角ブレークラインは、前記耳部に突出した突出長が前記貫通孔の形成に用いたレーザのビームスポット直径より大きく、且つ3.5mm未満であることを特徴とする請求項2に記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記角ブレークラインは複数個の貫通孔を連結してなるスリットであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記角ブレークラインの貫通孔及び前記辺ブレークラインのスクライブ孔は断続的に複数個形成されており、前記角ブレークラインの貫通孔のピッチは前記辺ブレークラインのスクライブ孔のピッチよりも小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法に、さらに耳部分割工程を加えることで窒化珪素セラミックス集合基板を製造する方法であって、
前記耳部分割工程は、前記辺ブレークラインで、窒化珪素セラミックス焼結基板を耳部と窒化珪素セラミックス集合基板とに分割することを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板の製造方法。 - 回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部とを有し、角部に面取りを有する矩形の窒化珪素セラミックス集合基板であって、
面取り面における複数の凹面部のピッチが、側面における複数の凹面部のピッチよりも小さいことを特徴とする窒化珪素セラミックス集合基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015147570A JP6587205B2 (ja) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015147570A JP6587205B2 (ja) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017028192A true JP2017028192A (ja) | 2017-02-02 |
JP6587205B2 JP6587205B2 (ja) | 2019-10-09 |
Family
ID=57950703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015147570A Active JP6587205B2 (ja) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6587205B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021048164A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法 |
JP2021116199A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板及びパワーモジュール |
WO2021200867A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 窒化ケイ素板及びその製造方法、複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
WO2021200878A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 窒化アルミニウム板及びその製造方法、複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
EP3939760A4 (en) * | 2019-03-15 | 2022-05-04 | Denka Company Limited | PROCESS FOR PRODUCTION OF A NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198905A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール |
JP2012043923A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多数個取り配線基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-07-27 JP JP2015147570A patent/JP6587205B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198905A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール |
JP2012043923A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多数個取り配線基板の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3939760A4 (en) * | 2019-03-15 | 2022-05-04 | Denka Company Limited | PROCESS FOR PRODUCTION OF A NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL |
JP2021048164A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法 |
JP7484109B2 (ja) | 2019-09-17 | 2024-05-16 | 株式会社プロテリアル | 窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法及び回路基板の製造方法 |
JP2021116199A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板及びパワーモジュール |
JP7455594B2 (ja) | 2020-01-24 | 2024-03-26 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板及びパワーモジュール |
WO2021200867A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 窒化ケイ素板及びその製造方法、複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
WO2021200878A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | デンカ株式会社 | 窒化アルミニウム板及びその製造方法、複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6587205B2 (ja) | 2019-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6587205B2 (ja) | 窒化珪素セラミックス集合基板及びその製造方法、並びに窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法 | |
JP7426971B2 (ja) | 窒化珪素系セラミックス集合基板 | |
JP7208161B2 (ja) | 低アモルファス相を有するセラミック-金属基板 | |
JP2008198905A (ja) | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール | |
WO2012046640A1 (ja) | 多数個取り配線基板およびその製造方法 | |
JP2009252971A (ja) | 金属セラミックス接合基板及びその製造方法及び金属セラミックス接合体 | |
WO2018173921A1 (ja) | セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置 | |
CN115884952A (zh) | 制造金属陶瓷基板的方法和借助其制造的金属陶瓷基板 | |
US20220161366A1 (en) | Method of manufacturing nitride ceramic substrate and nitride ceramic base material | |
JP2008198635A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2013175667A (ja) | 多数個取りセラミック回路基板 | |
JP7490934B2 (ja) | 回路基板の製造方法及び回路基板 | |
JP2005101164A (ja) | 回路板の製造方法及び回路板 | |
JP4843755B2 (ja) | 回路基板材料の製造方法 | |
TWI636719B (zh) | 結合金屬與陶瓷基板的製造方法 | |
JP7484109B2 (ja) | 窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法及び回路基板の製造方法 | |
JP4154303B2 (ja) | 回路基板材料の製造方法 | |
JP5388697B2 (ja) | 多数個取り回路基板、回路基板、及びそれを用いたモジュール | |
JP2005294668A (ja) | 金属−セラミックス接合基板及びその製造方法 | |
JPH0755490B2 (ja) | セラミックスの精密加工方法 | |
JP2021048328A (ja) | 窒化珪素セラミックス焼結基板及びその製造方法、窒化珪素セラミックス集合基板、並びに回路基板の製造方法 | |
JP2019067854A (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6587205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |