JP2017028177A - 電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、形状自由度が高く、磁性シートの上に導体層を有するような積層構造であっても、従来よりも全体の厚みを薄くすることが可能な、電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板を提供することを主たる目的とする。【解決手段】 無接点充電方式の機器等に用いられる電磁波シールド積層材の構成を、軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、前記支持層の上に絶縁層を有し、前記絶縁層の上に導体層を有する構成とすることにより、上記課題を解決する。【選択図】 図１

Description

本発明は、無接点充電方式の機器等に用いられ、電磁誘導によって生じる電磁波が電子回路等に及ぼす影響を抑制する、電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板に関するものである。

従来、携帯電話等のモバイル機器に内蔵される二次電池の充電は、二次電池の端子部と外部の充電器の端子部とを接触させ、通電することにより行われていた。
一方、近年においては、例えば、スマートフォンや電動歯ブラシ等の機器に内蔵される二次電池の充電は、ワイヤレスで電力供給する無接点充電方式によるものが増えている。
この無接点充電方式としては、外部の送電コイルと、機器に内蔵された受電コイルとの間で生じる電磁誘導により、至近距離間で送受電する電磁誘導方式が広く用いられている。

そして、充電される側の機器の受電コイルと電子回路等の間には、電磁波干渉抑制等の目的で、シート状の磁性材料で構成された磁性シートを設けることが行われている（例えば、特許文献１）。上記のような磁性シートとしては、フェライト焼結体が広く用いられている。

また、図９に示すように、磁性シート１０１の一面に、接着剤層１０２を介して、コイル状アンテナ１０４を形成した基材１０３を貼り合わせた構成の非接触充電装置用アンテナシート１００も提案されている（例えば、特許文献２）。

特開２０１４−３０４９号公報 特開２０１５−５０２６１号公報

ここで、上記のフェライト焼結体は磁気特性に優れるものの、セラミックスであるため、複雑な外形加工には不向きである。例えば、特許文献１の記載においては、所定の外形を得るために、フェライト焼結体を打ち抜きで外形加工している。すなわち、従来のフェライト焼結体から構成される磁性シートにおいては、形状自由度が低いという課題がある。

また、図９に示すような、非接触充電装置用アンテナシート１００においては、磁性シート１０１とコイル状アンテナ１０４との間に、接着剤層１０２と基材１０３が存在するため、非接触充電装置用アンテナシート１００の全体の厚みが厚くなってしまうという課題がある。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、形状自由度が高く、磁性シートの上に導体層や回路パターンを有するような積層構造であっても、従来よりも全体の厚みを薄くすることが可能な、電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板を提供することを主たる目的とする。
なお、本発明は、無接点充電に限らず、ＮＦＣ（Near Field Communication）アンテナをはじめ、幅広い用途が期待されるものである。

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、前記支持層の上に絶縁層を有し、前記絶縁層の上に導体層を有することを特徴とする電磁波シールド積層材である。

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記支持層の厚みが、１５μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド積層材である。

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記軟磁性を有する金属が、フェライト系ステンレス鋼であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド積層材である。

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記絶縁層の厚みが、４μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電磁波シールド積層材である。

また、本発明の請求項５に係る発明は、前記絶縁層が、ポリイミドを含む材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電磁波シールド積層材である。

また、本発明の請求項６に係る発明は、軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、前記支持層の上に絶縁層を有し、前記絶縁層の上に回路パターンを有することを特徴とする電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項７に係る発明は、前記絶縁層の外縁の少なくとも一部が、前記支持層の外縁よりも外側に突出していることを特徴とする請求項６に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項８に係る発明は、前記支持層が開口部を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項９に係る発明は、前記支持層が厚みの異なる段差部を有することを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項１０に係る発明は、前記絶縁層が開口部を有することを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項１１に係る発明は、前記絶縁層の前記開口部に、導電材が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項１２に係る発明は、軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、前記支持層の上に第１の絶縁層を有し、前記第１の絶縁層の上に第１の回路パターンを有し、前記第１の絶縁層の上、および、前記第１の回路パターンの上に、第２の絶縁層を有し、前記第２の絶縁層が開口部を有し、前記開口部に導電材が形成されていることを特徴とする電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項１３に係る発明は、前記第２の絶縁層の上に第２の回路パターンを有し、前記第２の回路パターンの上に、保護層を有することを特徴とする請求項１２に記載の電磁波シールド回路基板である。

また、本発明の請求項１４に係る発明は、前記第１の絶縁層の外縁の少なくとも一部が、前記支持層の外縁よりも外側に突出していることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の電磁波シールド回路基板である。

本発明によれば、形状自由度が高く、磁性シートの上に導体層や回路パターンを有するような積層構造であっても、従来よりも厚みを薄くすることが可能な、電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板を提供することができる。

本発明に係る電磁波シールド積層材について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第１の実施形態について示す断面図 図２に続く、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第１の実施形態について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第２の実施形態について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第３の実施形態について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第４の実施形態について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第５の実施形態について示す断面図 本発明に係る電磁波シールド回路基板の第６の実施形態について示す断面図 従来のアンテナシートについて示す断面図

＜電磁波シールド積層材＞
まず、本発明に係る電磁波シールド積層材について説明する。
図１は、本発明に係る電磁波シールド積層材の一例について示す断面図である。
図１に示すように、電磁波シールド積層材１０は、無接点充電方式の機器等に用いられる電磁波シールド積層材であって、支持層１１の上に、絶縁層１２、導体層１３が順次積層された構成を有している。

ここで、支持層１１は軟磁性を有する金属から構成されている。
それゆえ、この金属に応じたエッチング液を用いて容易にエッチング加工を施すことができる。このエッチング加工は、複雑な平面形状の加工を可能とするのみならず、厚み方向の自由な加工も可能とするものである。例えば、ハーフエッチングにより、支持層１１に厚みの異なる段差部を形成することもできる。

また、電磁波シールド積層材１０は、絶縁層１２を介して、支持層１１と導体層１３を積層した３層構造であるため、図７に示すような、接着剤層１０２および基材１０３を有する４層構造の非接触充電装置用アンテナシート１００に比べて、全体の厚みを薄くすることができる。

また、絶縁層を介して、金属支持層と導体層を積層した３層構造の積層材は、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に使われるサスペンション用フレキシャー基板の製造に用いられる積層材（３層材とも呼ばれる。例えば、特開２０１１−２１０３４７号公報）と同様の構成であるため、この積層材（３層材）を製造する技術を利用して、電磁波シールド積層材１０を製造することが可能である。

ここで、サスペンション用フレキシャー基板の製造に用いられる積層材（３層材）においては、金属支持層を構成する金属は、典型的には、軟磁性を有しないステンレス鋼である。一方、電磁波シールド積層材１０の支持層１１は、軟磁性を有する金属から構成されるが、この軟磁性を有する金属として、例えばフェライト系ステンレス鋼を用いることができる。
そして、電磁波シールド積層材１０の支持層１１を、フェライト系ステンレス鋼から構成した場合には、従来のサスペンション用フレキシャー基板用の積層材（３層材）と同様に、酸系エッチング液でエッチング加工が可能である。

なお、図１（ａ）に示す電磁波シールド積層材１０においては、その基本構成として、支持層１１、絶縁層１２、導体層１３が順次積層された３層構造の形態を示しているが、本発明においては、この形態に限らず、支持層１１、絶縁層１２、導体層１３の各層の間には、別の層が設けられていても良い。例えば、絶縁層１２と導体層１３の間には、導体層１３をメッキ形成するための、シード層が設けられていても良い。

また、導体層１３の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層等が設けられていても良い。保護層の材料には、例えば、ソルダーレジスト等を用いることができる。同様に、支持層１１の上（図１においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

以下、電磁波シールド積層材１０を構成する支持層１１、絶縁層１２、導体層１３について説明する。

［支持層］
まず、支持層１１について説明する。支持層１１は軟磁性を有する金属から構成されており、電磁波シールド積層材１０が搭載される機器において、例えば、無接点充電を例にとると、受電コイルと電子回路等の間の電磁波干渉を抑制するように作用するものである。

支持層１１の厚みは、所望の磁気特性を確保できる限り、薄い方が好ましい。電磁波シールド積層材１０の全体の厚みを、より薄くできるからである。本発明においては、機器が必要とするシールド特性から適宜厚みを変更することが可能であり、例えば、１５μｍ以上３００μｍ以下の範囲とすることができる。

支持層１１を構成する軟磁性を有する金属の磁気特性としては、上記のような電磁波干渉抑制効果を奏するものであれば良く、例えば、比透磁率（真空の透磁率との比）が７５０〜１８００であることが好ましく、保磁力としては、１０^-3Ａ／ｍ〜１０Ａ／ｍであれば用いることができ、好ましくは１０^-2Ａ／ｍ〜１０Ａ／ｍであり、より好ましくは１Ａ／ｍ〜１０Ａ／ｍである。
磁束密度は、０Ｔ〜２Ｔであれば用いることができ、好ましくは０．８Ｔ〜２Ｔであり、より好ましくは１．２Ｔ〜２Ｔである。

支持層１１を構成する軟磁性を有する金属としては、上記のような磁気特性や厚みの条件を満たすものであることが好ましい。また、エッチング液等で加工できるものであることが好ましい。このような金属として、例えば、フェライト系ステンレス鋼を好適に挙げることができる。
フェライト系ステンレス鋼は、主成分である鉄（Ｆｅ）に、主に炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）を添加したものであり、添加物としては、他に、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、リン（Ｐ）等を挙げることができる。
より具体的には、例えば、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３４、ＳＵＳ４４７、ＳＵＳ３２９、ＳＵＳ４４４を、支持層１１を構成する軟磁性を有する金属として用いることができる。

［絶縁層］
次に、絶縁層１２について説明する。絶縁層１２は、支持層１１の上に形成されるものであり、絶縁層１２の上に形成される導体層１３と支持層１１とを電気的に絶縁するものである。
絶縁層１２の厚みは、所望の絶縁性を確保できる限り、薄い方が好ましい。電磁波シールド積層材１０の全体の厚みを、より薄くできるからである。本発明においては、機器が必要とする電気特性から適宜厚みを変更することが可能であり、例えば、４μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。
絶縁層１２の材料としては、所望の絶縁性を確保でき、薄く形成できるものが好ましい。このような材料として、例えば、ポリイミド等を挙げることができる。なお、絶縁層１２の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。

［導体層］
次に、導体層１３について説明する。
導体層１３は、主に、後述する電磁波シールド回路基板の回路パターンを形成するためのものである。この回路パターンには、コイル状アンテナを含む各種アンテナパターンも含まれる。
また、導体層１３は、低周波の電磁波を遮蔽するためのシールド層として作用させるものであってもよい。
導体層１３の材料としては、回路パターンを形成する場合には、所望の導電性を有するものであれば用いることができ、例えば、銅（Ｃｕ）を好適に挙げることができる。
また、シールド層として作用させる場合には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。
導体層１３の厚みは、回路パターンを形成する場合やシールド層として作用させる場合のそれぞれにおいて、所望の導電性や遮蔽性を確保できる限り、薄い方が好ましい。本発明においては、機器が必要とする電気特性等から適宜厚みを変更することが可能であり、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。

＜電磁波シールド回路基板＞
次に、本発明に係る電磁波シールド回路基板について説明する。

（第１の実施形態）
図２及び図３は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第１の実施形態の一例について示す断面図である。
例えば、図２（ａ）に示すように、電磁波シールド回路基板２０Ａは、軟磁性を有する金属から構成される支持層１１の上に絶縁層１２が形成されており、絶縁層１２の上に回路パターン２１が形成されている構成を有している。この回路パターン２１は、アンテナパターンも含むものである。

上記のように、支持層１１は軟磁性を有する金属から構成されている。
それゆえ、この金属に応じたエッチング液を用いて容易にエッチング加工を施すことができる。このエッチング加工は、複雑な平面形状の加工を可能とするのみならず、厚み方向の自由な加工も可能とするものである。例えば、ハーフエッチングにより、支持層１１に厚みの異なる段差部を形成することもできる。

また、電磁波シールド回路基板２０Ａは、絶縁層１２を介して、支持層１１と導体層１３を積層した３層構造であるため、図７に示すように、接着剤層１０２および基材１０３を有する４層構造の非接触充電装置用アンテナシート１００に比べて、全体の厚みを薄くすることができる。

電磁波シールド回路基板２０Ａの製造方法としては、例えば、上記の電磁波シールド積層材１０を準備し、電磁波シールド積層材１０の導体層１３をパターン状にエッチング加工して、回路パターン２１を形成する方法を、好適に挙げることができる。
例えば、電磁波シールド積層材１０の導体層１３の材料として、銅（Ｃｕ）が用いられている場合には、塩化鉄系エッチング液により、回路パターン２１を形成することができる。

また、本発明においては、回路パターン２１を電解メッキ法により形成しても良い。この場合は、例えば、軟磁性を有する金属から構成される支持層１１の上に絶縁層１２が形成された積層材を準備し、まず、絶縁層１２の上にシード層として金属薄膜層を形成し、その上に、回路パターン形成用のレジストパターンを形成し、これをメッキ液に浸漬させ、上記シード層に給電して、回路パターン２１をメッキ形成する。

なお、図２（ａ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ａにおいては、その基本構成として、支持層１１、絶縁層１２、回路パターン２１が順次積層された３層構造の形態を示しているが、本発明においては、この形態に限らず、支持層１１、絶縁層１２、回路パターン２１の各層の間には、別の層が設けられていても良い。例えば、絶縁層１２と回路パターン２１の間には、回路パターン２１をメッキ形成するための、シード層が設けられていても良い。

また、図２（ｂ）に示すように、回路パターン２１の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層１４等が設けられていても良い。
例えば、図２（ｂ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｂにおいては、図中右側の回路パターン２１の上面及び側面を覆うように保護層１４が形成されている。
ここで、図中左側の回路パターン２１の上面の一部には、保護層１４が形成されておらず、この開口部から回路パターン２１の上面の一部が露出している。
例えば、電磁波シールド回路基板２０Ｂにおいては、保護層１４を露光、現像することで、上記のように、保護層１４に開口部を設けて所望の箇所の回路パターン２１を露出させることができ、所望の箇所に狭ピッチ（例えば０．４ｍｍ）の部品を実装することが可能となる。
保護層１４の材料には、例えば、ソルダーレジスト等を用いることができる。
なお図示はしないが、同様に、支持層１１の上（図２においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

本発明において、電磁波シールド回路基板の外縁の形態は、例えば、図３（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｃのように、絶縁層１２の外縁が支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態であることが好ましい。この場合、絶縁層１２の外縁の全てが支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態であっても良いし、また、絶縁層１２の外縁の一部が支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。
金属から構成される支持層１１が周辺部材に物理的に衝突することによって、周辺部材を傷付けてバリや異物を発生させてしまう不具合を抑制できるからである。

本発明においては、絶縁層１２を残しつつ、支持層１１を所望の形態にエッチングできるため、図３（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｃのように、絶縁層１２の外縁が支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態も、容易に製造することができる。
また、本発明においては、絶縁層１２を所望の形態にエッチングできるため、絶縁層１２の外縁の所望の箇所のみが、支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態も、容易に製造することができる。

なお、本発明において、電磁波シールド回路基板の外縁の形態は、例えば、図３（ｄ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｄのように、支持層１１と絶縁層１２の外縁が一致する形態であっても良く、また、例えば、図３（ｅ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｅのように、支持層１１の外縁が絶縁層１２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。この場合、支持層１１の外縁の全てが絶縁層１２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良いし、また、支持層１１の外縁の一部が絶縁層１２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。

上述のように、本発明においては、支持層１１、絶縁層１２を、それぞれ所望の形態にエッチングできるため、図３（ｄ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｄのように、支持層１１と絶縁層１２の外縁が一致する形態であっても、図３（ｅ）に示す電磁波シールド回路基板２０Ｅのように、絶縁層１２の外縁が支持層１１の外縁よりも外側に突出する形態であっても、容易に製造することができる。

以下、本発明に係る電磁波シールド回路基板の他の実施形態について説明する。

（第２の実施形態）
図４は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第２の実施形態の一例について示す断面図である。例えば、図４（ａ）に示すように、電磁波シールド回路基板３０Ａにおいては、支持層１１に開口部３１が形成されている。

上記のように、支持層１１は軟磁性を有する金属から構成されている。それゆえ、本発明に係る電磁波シールド回路基板においては、支持層１１を構成する金属に応じたエッチング液を用いたエッチング加工により、支持層１１の所望の位置に所望のサイズの開口部３１を形成することができる。
例えば、支持層１１がフェライト系ステンレス鋼から構成されている場合には、酸系エッチング液によるエッチング加工で開口部３１を形成することができる。

また、本実施形態においては、支持層１１に形成される開口部は、開口側（図４において下側）が底側（図４において上側）よりも面積が大きくなるようなテーパー形状を有していても良い。例えば、図４（ｂ）に示す電磁波シールド回路基板３０Ｂにおいては、図中の角度θが鋭角となるように開口部３２が支持層１１に形成されている。
このようなテーパー形状を有する開口部３２は、エッチング液を用いて支持層１１をエッチング加工することにより、形成することができる。
エッチング液を用いて加工することにより、バリの発生を抑制し、他部材の汚染を防ぐことができる。

また、本実施形態においても、回路パターン２１の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層１４等が設けられていても良い。例えば、図４（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板３０Ｃにおいては、図中右側の回路パターン２１の上面及び側面を覆うように保護層１４が形成されている。
ここで、図中左側の回路パターン２１の上面の一部には、保護層１４が形成されておらず、この開口部から回路パターン２１の上面の一部が露出している。
例えば、電磁波シールド回路基板３０Ｃにおいては、保護層１４を露光、現像することで、上記のように、保護層１４に開口部を設けて所望の箇所の回路パターン２１を露出させることができ、所望の箇所に狭ピッチ（例えば０．４ｍｍ）の部品を実装することが可能となる。
保護層１４を露光、現像することで、狭ピッチ（例えば０．４ｍｍ）の部品を実装することが可能となる。保護層１４の材料には、例えば、ソルダーレジスト等を用いることができる。
なお図示はしないが、同様に、支持層１１の上（図４においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

（第３の実施形態）
図５は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第３の実施形態の一例について示す断面図である。例えば、図５（ａ）に示すように、電磁波シールド回路基板４０Ａにおいては、支持層１１に厚みの異なる段差部４１が形成されている。

上記のように、支持層１１は軟磁性を有する金属から構成されている。それゆえ、本発明に係る電磁波シールド回路基板においては、支持層１１を構成する金属に応じたエッチング液を用いたハーフエッチング加工により、支持層１１の所望の位置に所望のサイズの段差部４１を形成することができる。
例えば、支持層１１がフェライト系ステンレス鋼から構成されている場合には、酸系エッチング液によるハーフエッチング加工で段差部４１を形成することができる。

また、本実施形態においても、上記の第２の実施形態と同様に、支持層１１に形成される段差部は、開口側（図５において下側）が底側（図５において上側）よりも面積が大きくなるようなテーパー形状を有していても良い。例えば、図５（ｂ）に示す電磁波シールド回路基板４０Ｂにおいては、テーパー形状を有する段差部４２が支持層１１に形成されている。
このような形態は、エッチング液を用いて支持層１１をハーフエッチング加工することにより、形成することができる。そして、エッチング液を用いて加工することにより、バリの発生を抑制し、他部材の汚染を防ぐことができる。

また、本実施形態においても、回路パターン２１の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層１４等が設けられていても良い。例えば、図５（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板４０Ｃにおいては、図中右側の回路パターン２１の上面及び側面を覆うように保護層１４が形成されている。
ここで、図中左側の回路パターン２１の上面の一部には、保護層１４が形成されておらず、この開口部から回路パターン２１の上面の一部が露出している。
例えば、電磁波シールド回路基板４０Ｃにおいては、保護層１４を露光、現像することで、上記のように、保護層１４に開口部を設けて所望の箇所の回路パターン２１を露出させることができ、所望の箇所に狭ピッチ（例えば０．４ｍｍ）の部品を実装することが可能となる。
保護層１４を露光、現像することで、狭ピッチ（例えば０．４ｍｍ）の部品を実装することが可能となる。保護層１４の材料には、例えば、ソルダーレジスト等を用いることができる。
なお図示はしないが、同様に、支持層１１の上（図５においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

（第４の実施形態）
図６は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第４の実施形態の一例について示す断面図である。例えば、図６（ａ）に示すように、電磁波シールド回路基板５０Ａにおいては、絶縁層１２に開口部５１が形成されている。
例えば、絶縁層１２がポリイミドから構成されている場合には、アルカリ系エッチング液によるエッチング加工で開口部５１を形成することができる。

また、本実施形態においては、図６（ｂ）に示すように、開口部５１から露出する支持層１１が、僅かにエッチングされていても良い（この僅かなエッチングを、マイクロエッチングと呼ぶ）。
このマイクロエッチングを施すことにより、例えば、開口部５１に導電材を形成する際に、該導電材と支持層１１との密着性を向上させることができる。例えば、酸系エッチング液によるハーフエッチング加工により、このマイクロエッチングを施すことができる。

また、本実施形態においても、上記の各実施形態と同様に、回路パターン２１の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層１４等が設けられていても良い。例えば、図６（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板５０Ｃにおいては、図中右側の回路パターン２１の上面及び側面を覆うように保護層１４が形成されている。また、保護層１４は所望の箇所に開口部を有していても良い。
なお図示はしないが、同様に、支持層１１の上（図６においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

（第５の実施形態）
図７は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第５の実施形態の一例について示す断面図である。例えば、図７（ａ）に示すように、電磁波シールド回路基板６０Ａにおいては、絶縁層１２の開口部に導電材６１が形成されている。そして、導電材６１は、回路パターン２１及び支持層１１と接触している。
導電材６１を構成する材料としては、導電性を有する物であれば用いることができるが、例えば、銅（Ｃｕ）、Ｎｉ（ニッケル）等を挙げることができる。また、導電材６１の形成方法としては、例えば、電解めっき法を挙げることができる。
例えば、このような構成とすることで、支持層１１を回路パターン２１のグランド配線として利用することができる。

また、本実施形態においては、図７（ｂ）に示す電磁波シールド回路基板６０Ｂのように、支持層１１がマイクロエッチングされており、このマイクロエッチングされた部分にも導電材６１が形成されていても良い。
この図７（ｂ）に示す形態の電磁波シールド回路基板６０Ｂは、例えば、図６（ｂ）に示す電磁波シールド回路基板５０Ｂの開口部５１に導電材６１を形成することで製造することができる。そして、支持層１１に、上記のマイクロエッチングを施すことにより、導電材６１と支持層１１との密着性を向上させることができる。

また、本実施形態においても、例えば、図７（ｃ）に示す電磁波シールド回路基板６０Ｃのように、上記の各実施形態と同様に、回路パターン２１や導電材６１の上には、腐食等による劣化を防止する目的等で、保護層１４等が設けられていても良い。また、保護層１４は所望の箇所に開口部を有していても良い。
なお図示はしないが、同様に、支持層１１の上（図７においては支持層１１の下側）にも保護層等が設けられていても良い。

（第６の実施形態）
図８は、本発明に係る電磁波シールド回路基板の第６の実施形態の一例について示す断面図である。
上記の第１〜第５の実施形態（図２〜７）においては、回路が単層構造の形態を例示したが、本発明においては、これに限定されず、回路を多層構造にすることも可能である。
例えば、図８に示すように、電磁波シールド回路基板７０においては、軟磁性を有する金属から構成される支持層７１の上に第１の絶縁層７２が形成されており、第１の絶縁層７２の上に第１の回路パターン７３が形成されており、第１の絶縁層７２の上、および、第１の回路パターン７３の上に、第２の絶縁層７４が形成されており、第２の絶縁層７４には開口部が形成されており、この開口部に導電材７５が形成されている。
さらに、電磁波シールド回路基板７０においては、第２の絶縁層７４の上に第２の回路パターン７６が形成されており、第２の回路パターン７６の上に保護層７７が形成されている。

電磁波シールド回路基板７０のように、多層構造の回路パターンを形成するには、例えば、支持層７１、第１の絶縁層７２、第１の回路パターン７３が順次形成された積層構造体の上に、第２の絶縁層７４を形成し、第２の絶縁層７４の所望の箇所にレーザーを当てて開口部を形成した後に銅メッキを施し、形成されたメッキ層を所望のパターンにエッチング加工することで、第２の回路パターン７６や導電材７５を形成することが可能である。
なお、上記の第２の絶縁層７４を形成する工程以降の工程を、繰り返し施すことで、回路パターンの層をさらに増やすことも可能となる。
その後は、上記の第１〜第５の実施形態と同様にして、保護層７７を形成することができる。

ここで、図８に示す電磁波シールド回路基板７０においては、回路パターンを２層有する形態を例示したが、本実施形態においては、この形態に限定されず、より多くの回路パターンが積層された多層構造としても良い。

また、支持層７１、第１の絶縁層７２、第１の回路パターン７３、第２の絶縁層７４、第２の回路パターン７６の各層の間には、別の層が設けられていても良い。例えば、第２の絶縁層７４と第２の回路パターン７６の間には、第２の回路パターン７６をメッキ形成するための、シード層が設けられていても良い。

第１の絶縁層７２、第２の絶縁層７４の材料としては、所望の絶縁性を確保でき、薄く形成できるものが好ましく、例えば、ポリイミド等を挙げることができる。なお、第１の絶縁層７２、第２の絶縁層７４の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。

第１の回路パターン７３、第２の回路パターン７６の材料としては、所望の導電性を有するものであれば用いることができ、例えば、銅（Ｃｕ）を好適に挙げることができる。

なお、支持層７１や保護層７７の材料としては、上記の第１〜第５の実施形態において説明した、支持層１１や保護層１４と同じものを用いることができる。

また、本実施形態においても、図３（ｃ）に示す第１の実施形態における電磁波シールド回路基板２０Ｃと同様に、電磁波シールド回路基板７０の外縁の形態は、第１の絶縁層７２の外縁が支持層７１の外縁よりも外側に突出する形態であることが好ましい。
金属から構成される支持層１１が周辺部材に物理的に衝突することによって、周辺部材を傷付けてバリや異物を発生させてしまう不具合を抑制できるからである。

この場合、第１の絶縁層７２の外縁の全てが支持層７１の外縁よりも外側に突出する形態であっても良いし、また、第１の絶縁層７２の外縁の一部が支持層７１の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。

なお、本実施形態においても、電磁波シールド回路基板の外縁の形態は、図３（ｄ）に示す第１の実施形態における電磁波シールド回路基板２０Ｄと同様に、支持層７１と第１の絶縁層７２の外縁が一致する形態であっても良く、また、図３（ｅ）に示す第１の実施形態における電磁波シールド回路基板２０Ｅと同様に、支持層７１の外縁が第１の絶縁層７２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。この場合、支持層７１の外縁の全てが第１の絶縁層７２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良いし、また、支持層７１の外縁の一部が第１の絶縁層７２の外縁よりも外側に突出する形態であっても良い。

以上、本発明に係る電磁波シールド積層材および電磁波シールド回路基板について、それぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

１０ 電磁波シールド積層材
１１ 支持層
１２ 絶縁層
１３ 導体層
１４ 保護層
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ 電磁波シールド回路基板
２１ 回路パターン
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ 電磁波シールド回路基板
３１、３２ 開口部
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ 電磁波シールド回路基板
４１、４２ 段差部
５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ 電磁波シールド回路基板
５１ 開口部
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ 電磁波シールド回路基板
６１ 導電材
７０ 電磁波シールド回路基板
７１ 支持層
７２ 第１の絶縁層
７３ 第１の回路パターン
７４ 第２の絶縁層
７５ 導電材
７６ 第２の回路パターン
７７ 保護層
１００ 非接触充電装置用アンテナシート
１０１ 磁性シート
１０２ 接着剤層
１０３ 基材
１０４ コイル状アンテナ

Claims (14)

1. 軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、
   前記支持層の上に絶縁層を有し、
   前記絶縁層の上に導体層を有することを特徴とする電磁波シールド積層材。
2. 前記支持層の厚みが、１５μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド積層材。
3. 前記軟磁性を有する金属が、フェライト系ステンレス鋼であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド積層材。
4. 前記絶縁層の厚みが、４μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電磁波シールド積層材。
5. 前記絶縁層が、ポリイミドを含む材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電磁波シールド積層材。
6. 軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、
   前記支持層の上に絶縁層を有し、
   前記絶縁層の上に回路パターンを有することを特徴とする電磁波シールド回路基板。
7. 前記絶縁層の外縁の少なくとも一部が、前記支持層の外縁よりも外側に突出していることを特徴とする請求項６に記載の電磁波シールド回路基板。
8. 前記支持層が開口部を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電磁波シールド回路基板。
9. 前記支持層が厚みの異なる段差部を有することを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の電磁波シールド回路基板。
10. 前記絶縁層が開口部を有することを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の電磁波シールド回路基板。
11. 前記絶縁層の前記開口部に、導電材が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電磁波シールド回路基板。
12. 軟磁性を有する金属から構成される支持層を有し、
    前記支持層の上に第１の絶縁層を有し、
    前記第１の絶縁層の上に第１の回路パターンを有し、
    前記第１の絶縁層の上、および、前記第１の回路パターンの上に、第２の絶縁層を有し、
    前記第２の絶縁層が開口部を有し、
    前記開口部に導電材が形成されていることを特徴とする電磁波シールド回路基板。
13. 前記第２の絶縁層の上に第２の回路パターンを有し、
    前記第２の回路パターンの上に、保護層を有することを特徴とする請求項１２に記載の電磁波シールド回路基板。
14. 前記第１の絶縁層の外縁の少なくとも一部が、前記支持層の外縁よりも外側に突出していることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の電磁波シールド回路基板。
    
    
    

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