JP2017022369A - 有機el素子 - Google Patents
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Abstract
Description
有機EL素子は、陽極および陰極の間に、少なくとも発光層が挟まれた構成を有している。そして、有機EL素子は、多くの場合、発光層にホールを供給するためのホール輸送層が陽極と発光層との間に挟まれ、発光層に電子を供給するための電子輸送層が発光層と陰極との間にさらに挟まれた構成を有している。
また、発光層内には、陽極と陰極との間に印加された電圧により電界が発生している。発光層のLUMOに注入された電子は、電界の影響を受けて発光層内を陽極に向けて移動する。一方、発光層のHOMOに注入されたホールは、電界の影響を受けて発光層内を陰極に向けて移動する。
また、発光層内の膜厚方向における発光強度の分布が鋭いピークを持つ場合あることが知られている(以下、「分布」は、特に指定のない限り、膜厚方向の分布を指すこととする)。発光強度の分布が鋭いピークを持つことは、そのピークを示す位置での有機材料の劣化が特に促進されることを意味する。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、寿命を向上させた有機EL素子を提供することを目的とする。
仮に、電子輸送層から発光層への電子の注入性がホール輸送層から発光層へのホールの注入性と同じであれば、発光層に注入されたホールの多くは、この界面近傍で蓄積されている電子と再結合する。よって、電子とホールとの両方のキャリアの注入性に差がない場合、再結合の分布はホール輸送層と発光層との界面近傍で鋭いピークを示すことになる。
注入性の違いにより単位時間あたりに発光層内に注入される電子の数は、ホールよりも少ない。そのため、移動度の違いにより電子がホール輸送層と発光層との界面近傍に蓄積されやすいことに変わりはないが、この界面近傍での電子の蓄積量が、両方のキャリアの注入性に差がない場合に比較して抑えられる。結果、この界面近傍での再結合の分布のピークが緩和される。
<第1の実施形態>
[1.有機EL素子の構成]
図1は、本実施形態に係る有機EL素子1の断面構造を模式的に示す図である。有機EL素子1は、陽極11、ホール注入層12、ホール輸送層13、発光層14、電子輸送層15、電子注入層16、および陰極17を備える。
発光層14の陽極11側には、発光層14に接してホール輸送層13が形成されている。ホール輸送層13と陽極11との間にはホール注入層12が形成されている。
発光層14の陰極17側には、発光層14に接して電子輸送層15が形成されている。電子輸送層15と陰極17との間には電子輸送層16が形成されている。
ホール輸送層13と電子輸送層15とに挟まれて、この両方に接して形成されている発光層14は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層14を形成する材料としては公知の有機材料を利用することができる。例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質や、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の燐光物質を用いることができる。
陰極17は、金属材料で形成された金属層および金属酸化物で形成された金属酸化物層の少なくとも一方を含んでいる。陰極17に含まれる金属層の膜厚は1nm〜50nm程度に薄く設定されて光透過性を有している。金属材料は光反射性の材料であるが、金属層の膜厚を50nm以下と薄くすることによって、光透過性を確保することができる。従って、発光層14からの光の一部は陰極17において反射されるが、残りの一部は陰極17を透過する。
また、陰極17は、金属層単独、または金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ITOやIZOのような金属酸化物からなる金属酸化物層を積層した積層構造としてもよい。
有機EL素子1は、ホール輸送層13、発光層14、および電子輸送層15のエネルギーバンド構造に特徴を有する。以下、各層を形成する有機材料のエネルギー準位を、それぞれの層のエネルギー準位として説明する。
図2は、有機EL素子1のエネルギーバンド構造を示すバンドダイアグラムである。本図では、ホール輸送層13、発光層14、および電子輸送層15についてのみLUMOのエネルギー準位(以下、「LUMO準位」)とHOMOのエネルギー準位(以下、「HOMO準位」)とを示し、他の層のエネルギー準位は記載を省略している。
電子輸送層15から発光層14へ電子を注入するためのエネルギー障壁(以下、「電子注入障壁Δe」)は、発光層14のLUMO準位141と電子輸送層15のLUMO準位151との差の絶対値によって規定される。本実施の形態では、電子注入障壁Δeが0.5eVである。
一般に、従来の有機EL素子では、電子注入障壁Δeがホール注入障壁Δh2よりも小さいエネルギーバンド構造を有している。例えば、特許文献2では、電子注入障壁Δeが0.06eV、ホール注入障壁Δh2が0.39eVである有機EL素子が開示されている。
Δe−Δh2≧0.3eV ・・・式(2)
また、発光層14から電子輸送層15へホールを注入するためのエネルギー障壁(以下、「ホール注入障壁Δh1」)は、発光層14のHOMO準位142と電子輸送層15のHOMO準位152との差の絶対値によって規定される。本実施の形態では、0.9eVである。
Δh1>Δh2 ・・・式(3)
また、有機EL素子1は、電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh1とが、下記式(4)の関係を満たすことを特徴とする。さらに電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh1とが、下記式(5)の関係を満たすことがより好ましい。本実施形態では、有機EL素子1のホール注入障壁Δh1が電子注入障壁Δeよりも0.4eV大きくなるように、エネルギーバンド構造が設計されている。
Δh1−Δe≧0.4eV ・・・式(5)
[2.2.T1準位]
図2では、発光層14、および電子輸送層15における最も低い励起三重項状態のエネルギー準位(以下、最も低い励起三重項状態のエネルギー準位を「T1準位」という)を、一点鎖線で示している。
T1(eml)<T1(etl) ・・・式(7)
そのため、発光層14から電子輸送層15への励起三重項状態のエネルギー移動が抑制され、無輻射失活が抑制される。
有機EL素子1の発光領域を説明する。図3は、有機EL素子1に駆動電圧が印加された後、発光までの状態を3つの段階で模式的に示す図である。本図において電子およびホールの移動度の大きさは、各キャリアに付した矢印の長さで示している。
有機EL素子1では、駆動電圧が印加されると、図3(a)に示す初期段階では、電子が電子輸送層15のLUMOにおいて発光層14へ向けて移動し、ホールがホール輸送層13のHOMOにおいて発光層14へ向けて移動する。
この結果、図3(a)に示す初期段階では、発光層14へのホールの注入速度よりも電子の注入速度が小さくなり、電子輸送層15では発光層14との界面近傍に電子が蓄積される。なお、電子およびホールのそれぞれについて「注入速度」とは、単位時間あたりに発光層へ注入されるキャリアの数を意味する。
発光層14内に注入された電子は、ホールよりも移動度が大きく、微小な時間でホール輸送層13まで移動できる。しかし、図3(c)に示すように、この状態までに多くのホールが発光層14内を電子輸送層15側へ移動している。そのため有機EL素子1では、ホール輸送層13と発光層14との界面からの幅W1が広い領域にホールが分布する。
ここで比較のために、図4を参照して、電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh2とが同じ値であるエネルギーバンド構造を有する有機EL素子の場合を説明する。電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh2とが同じ値であれば、図4(a)に示すように、駆動電圧後の初期段階でホールおよび電子が同程度の注入速度で発光層14に注入されると想定される。発光層14に注入されたホールおよび電子は、図4(b)に示すように、それぞれ電界の影響で移動するが、発光層14でのホールの移動度は、発光層14での電子の移動度に比べて小さい。
[4.実験]
[4.1.エネルギーバンド構造が寿命に及ぼす影響]
エネルギーバンド構造が互いに異なる3種類の有機EL素子を試験体として作成し、それぞれの試験体の寿命を測定した。寿命の測定には、試験体を連続駆動させ輝度が初期値より5%減少するまでの時間を用いた。
比較例1および比較例2は、図5(a)および図5(b)に示すように、ホール輸送層13のLUMO準位131およびHOMO準位132と、発光層14のLUMO準位141およびHOMO準位142とが、図2に示す実施例と同値である。
比較例1が実施例と相違するのは、図5(a)に示すように電子輸送層15を省略した構造を有し、電子注入障壁Δeが0eVである点である。そのため比較例1では、電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh2との差は、−0.2eVである。
図6(a)は寿命の測定結果を示すグラフである。本図において縦軸は、比較例1での測定値を基準値として正規化した値を示している。
電子注入障壁Δeが0.2eVのプロットは、比較例2であり、寿命が0.8であった。
電子注入障壁Δeが0.5eVのプロットは、実施例であり、寿命が17.6であった。
この結果から、実施例では、電子注入障壁Δeが大きいことによって、発光層14への電子の注入速度を十分に抑制でき、その結果、図3を用いて説明したように発光層14の発光領域が広がり、長寿命化が達成されたと考えられる。
また、電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh2との差は、比較例1、比較例2、および実施例でそれぞれ−0.2eV、0eV、および0.3eVであり、実施例において寿命の延びが顕著である。実施例では、電子注入障壁Δeとホール注入障壁Δh2との差が大きいことで、発光層14への電子の注入速度とホールの注入速度との差が大きくなったと考えられる。
[4.2.エネルギーバンド構造が発光効率に及ぼす影響]
実施例、比較例1、および比較例2のそれぞれについて発光効率を測定した。発光効率の測定には、単位電流量に対する輝度(以下、「電流効率」)を用いた。
電子注入障壁Δeが0eVのプロットは比較例1である。
電子注入障壁Δeが0.2eVのプロットは、比較例2であり、発光効率が0.73であった。
比較例1と比較例2とを比較すると、比較例2で発光効率の低下が見られる。この発光効率の低下は、電子注入障壁Δeの増大に伴い発光層14への電子注入性が低下するためであると考えられる。つまり、電子注入障壁Δeを増大させることは、有機EL素子の長寿命化に寄与するが、発光効率に対してはマイナス要因となるといえる。
図3(b)を用いて説明した発光層14への電子の注入を促進する作用は、電子注入障壁Δeよりもホール注入障壁Δh1が大きくなる程強くなる。ここで、ホール注入障壁Δh1と電子注入障壁Δeとの差は、比較例2で0.3eV、実施例で0.4eVであった。
[4.3.電子輸送層の膜厚が寿命、発光効率に及ぼす影響]
励起子は、金属層が近接していると金属層を形成する金属原子へエネルギー移動を起こし、無輻射失活する。
そこで、図2に示すエネルギーバンド構造で、電子輸送層15の膜厚が異なる3種類の有機EL素子を試験体として作成し、各試験体の寿命、および発光効率を測定した。寿命の測定には、輝度が初期値より5%減少するまでの時間を用い、発光効率の測定には、電流効率を用いた。
図7(a)は電子輸送層の膜厚の違いによる寿命の違いを示すグラフ、図7(b)は電子輸送層の膜厚の違いによる発光効率の違いを示すグラフである。何れのグラフでも縦軸は、電子輸送層15の膜厚が15nmの試験体での測定値を基準値として正規化した値を示している。
具体的には、膜厚が15nmの試験体での発光効率を基準値にして、膜厚が10nmの試験体では、発光効率が0.86であった。膜厚が5nmの試験体では、発光効率が0.24であった。
従って、図2に示すエネルギーバンド構造を採用する場合、カソード消光を抑制するために、電子輸送層15の膜厚を10nm以上に形成することが好ましい。
なお、電子輸送層15の厚膜化は、電子輸送層15における光の吸収を増大させることになる。電子輸送層15を透過する光を過度に減衰させないためには、電子輸送層15の膜厚を100nm以下に形成することが好ましい。
以上説明したように本実施形態に係る有機EL素子1は、発光層14を形成する有機材料のLUMO準位と電子輸送層15を形成する有機材料のLUMO準位との差である電子注入障壁Δeが、ホール輸送層13を形成する有機材料のHOMO準位と発光層14を形成する有機材料のHOMO準位との差であるホール注入障壁Δh2よりも大きい。
この結果、有機EL素子1では、発光層14における発光領域を、ホール輸送層13との界面近傍だけでなく、電子輸送層15側に広げることができる。発光領域が広がることにより、発光層14において有機材料の劣化が局在化することを緩和でき、有機EL素子1の長寿命化を実現することができる。
また、有機EL素子1の電子注入障壁Δeは0.5eV以上であることが好ましい。電子注入障壁Δeが0.5eVであれば、有機EL素子の十分な長寿命化が期待できる。
ホール注入障壁Δh1とホール注入障壁Δh2とがこの関係を満たす場合、発光層14から電子輸送層15へのホールの漏出を抑制でき、発光効率の向上を期待できる。
また、ホール注入障壁Δh1が、電子注入障壁Δeより0.4eV以上大きいことが好ましい。ホール注入障壁Δh1と電子注入障壁Δeとがこの関係を満たすことで、駆動電圧の上昇の抑制効果が十分に期待できる。
電子輸送層15の膜厚が10nm以上あれば、発光層14内で電子輸送層15よりの領域に励起子の分布が広がった場合にも、励起子から電子注入層16に含まれる金属層までの間隔が十分に離れる。そのため、カソード消光の発生を抑制することができる。
追加された機能層が金属および金属酸化物の何れかを含む場合には、発光層14内の励起子がこれらの機能層中の金属原子へエネルギー移動を起こすおそれがある。しかし、その場合にも、発光層14と電子輸送層15との界面から、発光層14にもっとも近い機能層までの距離を10nm以上に形成することで、エネルギー移動による励起子の無輻射失活を抑制することができる。
これらの構成では、陰極17が、発光層14と電子輸送層15との界面にもっとも近い金属層になる。よって、これらの構成でも、カソード消光の抑制のためには、発光層14と電子輸送層15との界面から陰極17までの距離を10nm以上、100nm以下の範囲で形成することが好ましい。
しかし、有機EL素子1では、電子輸送層15のT1準位T1(etl)153が発光層14のT1準位T1(eml)143よりも高い。そのため、有機EL素子1では、発光層14から電子輸送層15への励起三重項状態のエネルギー移動が防がれ、発光層14内の励起子の無輻射失活が抑制される。
第2の実施形態では、第1の実施形態で説明した有機EL素子1を基板上に複数配列して構成した有機EL表示パネル100について説明する。
[1.有機EL表示パネルの構成]
図8は、第2の実施形態に係る有機EL表示パネル100(図11参照)の部分断面図である。有機EL表示パネル100は、3つの色(赤色、緑色、青色)を発光する有機EL素子1(R)、1(G)、1(B)で構成される画素を複数備えている。図8では、その1つの青色の有機EL素子1(B)を中心としてその周辺の断面を示している。
有機EL素子1(R)と、有機EL素子1(G)と、有機EL素子1(B)は、ほぼ同様の構成を有するので、以下では、まとめて有機EL素子1として説明する。
図8に示すように、有機EL素子1は、TFT基板21、陽極11、隔壁層22、ホール注入層12、ホール輸送層13、発光層14、電子輸送層15、電子注入層16、陰極17、および封止層23を備える。なお、TFT基板21、電子輸送層15、電子注入層16、陰極17、および封止層23は、画素ごとに形成されているのではなく、有機EL表示パネル100が備える複数の有機EL素子1に共通して形成されている。
TFT基板21は、絶縁材料である基材と、TFT(Thin Film Transistor)層と、層間絶縁層とを含む。TFT層には、画素毎に駆動回路が形成されている。基材は、例えばガラス材料からなる基板である。ガラス材料としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。層間絶縁層は、樹脂材料からなり、TFT層の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。
陽極11は、TFT基板21の層間絶縁層上に形成されている。陽極11は、画素毎に個々に設けられ、コンタクトホールを通じてTFT層と電気的に接続されている。陽極11は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ITOやIZOのような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
ホール注入層12、ホール輸送層13、および発光層14は、陽極11上の開口部22a内に、この順で積層して設けられている。
隔壁層22は、例えば、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等)からなる。隔壁層22は、発光層14を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層14を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施形態では、隔壁層22は、樹脂材料からなり、隔壁層22の材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。本実施形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。
なお図8には示されないが、封止層23の上に、封止樹脂を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、ホール輸送層13、発光層14、電子輸送層15を水分および空気などから保護できる。
有機EL素子1の製造方法について、図9、および図10を参照しながら説明する。図9、および図10は、有機EL素子1の製造過程を模式的に示す断面図である。
まず、図9(a)に示すように、TFT基板21を準備する。そして、サブピクセル毎に、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で50nm〜500nmの膜厚で成膜して、図9(b)に示すように、陽極11を形成する。
そして、マスク蒸着法やインクジェットによる塗布法によって、ホール注入層12の材料を成膜し、焼成することによって、図9(d)に示すようにホール注入層12を形成する。
同様に、発光層14の材料を含むインクを塗布し、焼成(乾燥)することにより、図9(f)に示すように発光層14を形成する。
続いて、図10(c)に示すように、電子注入層16の上に、金属材料等を、真空蒸着法、スパッタ法等で成膜することにより、陰極17を形成する。
以上の工程を経ることにより、有機EL素子1が完成すると共に、複数の有機EL素子1を備えた有機EL表示パネル100ができあがる。なお、封止層23の上にカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。
図11は、有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。当図に示すように、有機EL表示装置1000は、有機EL表示パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを有している。駆動制御部200は、4つの駆動回路210〜240と制御回路250とから構成されている。
<変形例>
以上、第1の実施形態および第2の実施形態について説明したが、本発明は各実施形態に限定されることはなく、例えば以下に示すような変形例を実施することも出来る。
(変形例2)上記各実施形態における膜厚の範囲についての条件は、必ずしも開口部22aで規定されるサブピクセルの全領域で満たさなくてもよく、サブピクセルの中央部での膜厚が、上記説明における膜厚の条件を満たしていればよい。
その場合、例えば、TFT基板21の層間絶縁層上に画素電極として陰極17、および隔壁層22を形成し、開口部22a内において、陰極17の上に、電子注入層16、電子輸送層15、発光層14を順に形成し、その上に、ホール輸送層13、ホール注入層12を形成し、その上に共通電極として陽極11を形成する。
11 陽極
12 ホール注入層
13 ホール輸送層
14 発光層
15 電子輸送層
16 電子注入層
17 陰極
Claims (20)
- 陽極と、
前記陽極に対向する陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配された発光層と、
前記発光層に接して、前記発光層と前記陽極との間に配されたホール輸送層と、
前記発光層に接して、前記発光層と前記陰極との間に配された電子輸送層とを備え、
前記発光層に含まれる有機材料の最低空軌道(LUMO)準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料の最高被占有軌道(HOMO)準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも大きい
有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも0.3eV以上大きい
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも大きい
請求項1または2に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差よりも大きい
請求項3に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差よりも0.4eV以上大きい
請求項4に記載の有機EL素子。 - 前記陰極は、金属および金属酸化物の何れかを含み、
前記発光層と前記電子輸送層との界面から前記陰極までの距離が10nm以上である
請求項1から5の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 前記陰極と前記電子輸送層との間に配され、金属および金属酸化物の何れかを含む機能層をさらに備え、
前記発光層と前記電子輸送層との界面から前記機能層までの距離が10nm以上である
請求項1から6の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 前記電子輸送層に含まれる有機材料の励起三重項状態のエネルギー準位が、前記発光層に含まれる有機材料の励起三重項状態のエネルギー準位よりも高い
請求項1から7の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、0.5eV以上である
請求項1から8の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 陽極と、
前記陽極に対向し、金属および金属酸化物の何れかを含む陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配された発光層と、
前記発光層に接して、前記発光層と前記陽極との間に配されたホール輸送層と、
前記発光層に接して、前記発光層と前記陰極との間に配された電子輸送層とを備え、
前記発光層に含まれる有機材料の最低空軌道(LUMO)準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、0.5eV以上であり、
前記発光層と前記電子輸送層との界面から前記陰極までの距離が10nm以上である
有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料の最高被占有軌道(HOMO)準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも大きい
請求項10に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも0.3eV以上大きい
請求項11に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記ホール輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位との差よりも大きい
請求項10から12の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差よりも大きい
請求項13に記載の有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる有機材料のHOMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のHOMO準位との差が、前記発光層に含まれる有機材料のLUMO準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差よりも0.5eV以上大きい
請求項14に記載の有機EL素子。 - 前記陰極と前記電子輸送層との間に配され、金属および金属酸化物の何れかを含む機能層をさらに備え、
前記発光層と前記電子輸送層との界面から前記機能層までの距離が10nm以上である
請求項10から15の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 前記電子輸送層に含まれる有機材料の励起三重項状態のエネルギー準位が、前記発光層に含まれる有機材料の励起三重項状態のエネルギー準位よりも高い
請求項10から16の何れか1項に記載の有機EL素子。 - 陽極と、
前記陽極に対向する陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配された発光層と、
前記発光層に接して、前記発光層と前記陰極との間に配された電子輸送層とを備え、
前記発光層に含まれる有機材料の最低空軌道(LUMO)準位と前記電子輸送層に含まれる有機材料のLUMO準位との差が、0.5eV以上である
有機EL素子。 - 請求項1から18の何れか1項に記載の有機EL素子が、基板の表面に複数形成された有機EL表示パネル。
- 請求項1から請求項18の何れか1項に記載の有機EL素子が、フレキシブル基板上に複数形成された有機EL表示パネル。
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