JP2022030017A - 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
有機EL素子を発光素子として使用するためには、発光の始状態となる励起子の生成が不可欠である。したがって、従来、正孔輸送層から発光層への正孔注入性と電子輸送層から発光層への電子注入性を高め、発光層内のキャリア密度を向上させて電子とホールの再結合確率を高めている。また、発光層内のキャリア密度をさらに向上させる構成として、発光層から電子輸送層への正孔漏出と発光層から正孔輸送層への電子漏出を抑制することができるように、電子輸送層のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)準位、および/または、正孔輸送層のLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位を調整した機能層を選定する。このような構成により、発光層内のキャリア密度を向上させて電子と正孔の再結合確率を高めることができるからである。また、発光効率の向上のためには、単に発光層内のキャリア密度を向上させるだけでなく、電子とホールとのバランス調整も重要である。
本開示の一態様に係る有機EL素子は、陽極と、発光層と、中間層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、前記中間層の前記発光層側に接して配される電子注入制御層をさらに備え、前記中間層と前記電子注入制御層との界面にトラップサイトが形成され、前記トラップサイトのトラップ準位は前記中間層に含まれる機能性材料の最低空軌道(LUMO)準位より35meV以上低く、前記トラップサイトの密度は、前記中間層における電子密度の0.1%以上であることを特徴とする。
以下、実施の形態に係る有機EL素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
図1は、本実施の形態に係る有機EL素子1の断面構造を模式的に示す図である。有機EL素子1は、陽極13、正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17、電子注入制御層18、電子輸送層19、電子注入層20、および、陰極21を備える。本実施の形態において、電子輸送層19は本発明の中間層に相当する。
陽極13は、層間絶縁層12上に形成されている。陽極13は、画素ごとに設けられる画素電極として形成され、層間絶縁層12に設けられたコンタクトホールを通じてTFT層112と電気的に接続されている。
正孔注入層15は、陽極13から発光層17へのホール(正孔)の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層15は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔注入材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。正孔注入層15は蒸着膜で形成されていてもよい。正孔注入層15は、例えば、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの導電性ポリマー材料、あるいは、Ag、Mo、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる。
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入されたホールを発光層17へ輸送する機能を有する。正孔輸送層16は、例えば、塗布膜であり、具体的には、正孔輸送材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、正孔輸送層16は蒸着膜で形成されていてもよい。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
発光層17は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層中でのホールと電子の再結合位置は分布を持つため、発光層膜厚は再結合分布幅よりも大きいことが好ましく、実施の一態様において、発光層17の膜厚は30nm以上である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は40nm以上である。また、一般に発光材料の移動度は電荷輸送材料の移動度に比べて小さく、発光層膜厚を薄く設計することが素子の駆動電圧低減に寄与するため、実施の一態様において、発光層17の膜厚は80nm以下である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は120nm以下である。
電子注入制御層18は、発光層17から電子注入制御層18へのホールの流出を制限するとともに、電子注入制御層18から発光層17への電子の注入を制御する機能を有する。発光層17から電子注入制御層18へのホールの流出を制限する機能は、後述のエネルギーバンド構造の設計により実現される。
電子輸送層19は、陰極21からの電子を、電子注入制御層18を経て発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層19は、電子輸送性が高い有機材料からなる。電子輸送層19は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子輸送層19に用いられる有機材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入層20は、陰極21から供給される電子を発光層17側へと注入する機能を有する。電子注入層20は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子注入層20は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または、希土類金属等から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。なお、ドープ金属は、金属単体に限られず、フッ化物(例えば、NaF)やキノリニウム錯体(例えば、Alq3、Liq)など化合物としてドープされてもよい。実施の形態では、LiがLiqとしてドープされている。ドープ金属としては、例えば、アルカリ金属に該当するリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、フランシウム(Fr)、アルカリ土類金属に該当するカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ラジウム(Ra)、希土類金属に該当するイットリウム(Y)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等である。
陰極21は、光透過性の導電性材料からなり、電子注入層20上に形成されている。陰極21は、各有機EL素子の陽極13に共通して対向する、共通対向電極として形成される。
有機EL素子1は基板11上に形成される。基板11は、絶縁材料である基材111からなる。あるいは、絶縁材料である基材111上に配線層112を形成してもよい。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。配線層112を構成する材料としては、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属材料、窒化ガリウム、ガリウム砒素などの無機半導体材料、アントラセン、ルブレン、ポリパラフェニレンビニレンなどの有機半導体材料等が挙げられ、これらを複合的に用いて形成したTFT(Thin Film Transistor)層としてもよい。
有機EL素子1は、発光層17、電子注入制御層18、および、電子輸送層19のエネルギーバンド構造に特徴を有する。なお、説明の簡略化のために、「層のエネルギー準位」と記載するが、これは、当該層を形成する有機材料のエネルギー準位を略記したものである。なお、複数の種類の材料からなる層については、電子および/またはホールの輸送を担っている代表的な有機材料のエネルギー準位を「層のエネルギー準位」として表記する。
陰極21側から発光層17へ電子を注入するためのエネルギー障壁が、陰極21から発光層17までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陽極13側の層と陰極21側の層とのLUMO準位の差に起因する。以下、隣り合う2つの層の界面において陰極21側から陽極13側へ電子を注入するためのエネルギー障壁を「電子注入障壁」という。
一方、陽極13から発光層17を経て陰極21側へホールを注入するためのエネルギー障壁が、陽極13から第2電子輸送層19までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陰極21側の層と陽極13側の層とのHOMO準位の差に起因する。以下、隣り合う2つの層の界面において陽極13側から陰極21側へホールを注入するためのエネルギー障壁を「ホール注入障壁」という。
Hg(etl1)≧0.4eV …式(2)
[3.構成がもたらす効果]
[3.1 電子注入特性とホール注入特性の温度依存性]
以下、実施例の一部のみを採用した比較例のそれぞれに係る、印加電圧と電流密度との関係およびその温度依存性を示す。図3は、比較例1、比較例2、比較例3のそれぞれに係る、温度ごとの、印加電圧と電流密度との関係を示すグラフである。また、図4は、比較例1、比較例2、比較例3のそれぞれに係る、温度ごとの印加電圧と電流密度との関係を、電流密度と変化率との関係で表記したものであり、温度による影響(キャリア密度向上に起因する導電率上昇)を除いてキャリア注入度の電圧依存性のみを示したものである。
図5(a)は、実施例および実施例のシミュレーションそれぞれに係る、印加電圧と電流密度との関係およびその温度依存性を示す。実施例については、実測値をプロットして印加電圧と電流密度との関係とを示している。一方、実施例のシミュレーションについては、電子輸送層19と電子注入制御層18との間に、深さEt=50meVのトラップ準位を有するトラップサイトが、1×1011個/cm3だけ存在すると仮定して、電子の分布をシミュレートした結果を印加電圧と電流密度との関係として示したものである。図5(a)に示すように、シミュレーション結果と実測値との乖離は少なく、シミュレーションが実施例の内部状態を再現している可能性の高いことが示されている。
上記トラップサイトにより電子注入性の温度依存性が低下することは、以下のように考えられる。
Et≧50meV …式(4)
また、電子輸送層19と電子注入制御層18との界面に蓄積する蓄積電荷Qが大きい場合には、トラップが十分に機能しないと考えられる。蓄積電荷Qが大きい場合には、図6(b)に示されるように、蓄積電荷Qによってトラップサイトが占有される確率が高まるため、トラップサイトを経由せず電子輸送層19のLUMO準位から電子注入制御層18のLUMO準位に直接遷移する電子の割合が増加する。すなわち、蓄積電荷Qによってトラップサイトが占有されることにより、トラップサイトによる電子注入性の制御効果が抑制される。トラップサイトの密度は、電子輸送層19の電子密度の0.1%以上であることが好ましい。例えば、電子輸送層19の電子密度が1×1014個/cm3である場合には、1×1011個/cm3以上であることが好ましい。さらに、蓄積電荷Qは小さいことが好ましい。ここで、電子輸送層19の誘電率をε19、伝導度をσ19、電子注入制御層18の誘電率をε18、伝導度をσ18としたとき、蓄積電荷QはΔΤ(=ε19/σ19-ε18/σ18)に比例する(マクスウェル・ワグナー効果)。したがって、ΔΤはより小さいことが好ましく、従来材料の1/2以下が好ましい。
ここで、発光層における発光中心について説明する。発光中心とは、以下に説明する発光のピークとなる代表位置を指す。発光ピークの位置は、発光材料の励起子が集中する位置であり、一般に、発光層の陰極側の界面と、発光層の陽極側の界面との、いずれか一方、または、両方である。発光層におけるホールの移動度が電子の移動度より十分に高い場合、ホールは発光層の陰極側の界面まで移動する一方で、電子は発光層の陰極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陰極側の界面付近で集中的に生成する。一方、発光層における電子の移動度がホールの移動度より十分に高い場合、電子は発光層の陽極側の界面まで移動する一方で、ホールは発光層の陽極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陽極側の界面付近で集中的に生成する。また、発光層におけるホールの移動度と電子の移動度との関係によっては、励起子が、発光層の陰極側の界面付近と陽極側の界面付近の双方で集中的に生成することもある。一般には、励起子が集中的に生成した位置が、そのまま発光ピークの位置となる。
有機EL素子の製造方法について、図面を用いて説明する。図7(a)~図10(c)は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図11は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
まず、図7(a)に示すように、基材111上にTFT層112を成膜して基板11を形成する(図11のステップS10)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により成膜することができる。
次に、図7(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する(図11のステップS31)。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図7(d)に示すように、画素電極材料層130をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極として陽極13を形成する(図11のステップS32)。この陽極13は、各有機EL素子の陽極として機能する。
次に、図7(e)に示すように、陽極13および層間絶縁層12上に、隔壁14の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層140を形成する。隔壁材料層140は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を陽極13上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される(図11のステップS41)。そして、隔壁材料層140にパターン露光と現像を行うことで隔壁14を形成し(図8(a)、図11のステップS42)、隔壁14を焼成する。これにより、発光層17の形成領域となる開口部14aが規定される。隔壁14の焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で60分間行う。
次に、図8(b)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔注入層15の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズルから吐出して開口部14a内の陽極13上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔注入層15を形成する(図11のステップS50)。
次に、図8(c)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド402のノズルから吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図11のステップS60)。
次に、図9(a)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド403のノズルから吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(図11のステップS70)。
次に、図9(b)に示すように、発光層17および隔壁14上に、電子注入制御層18を形成する(図11のステップS80)。電子注入制御層18と電子輸送層19との界面に、電子輸送層19のLUMO準位より50meV以上低い電子トラップ準位が、動作中における電子輸送層19の電子密度の0.1%以上存在する。したがって、トラップ準位が生成しやすいよう、電子注入制御層18と電子輸送層19との間で結晶格子が不整合であるよう、電子注入制御層18の材料を選択することが好ましい。また、電子輸送層19の誘電率をε19、伝導度をσ19、電子注入制御層18の誘電率をε18、伝導度をσ18としたとき、ΔΤ(=ε19/σ19-ε18/σ18)が小さくなるよう、特に、従来材料の1/2以下となるよう、電子注入制御層18の材料を選択することが好ましい。
次に、図9(c)に示すように、電子注入制御層18上に、電子輸送層19を形成する(図11のステップS90)。電子注入制御層18と電子輸送層19との界面に、電子輸送層19のLUMO準位より50meV以上低い電子トラップ準位が、動作中における電子輸送層19の電子密度の0.1%以上存在する。したがって、トラップ準位が生成しやすいよう、電子注入制御層18と電子輸送層19との間で結晶格子が不整合であるよう、電子輸送層19の材料を選択することが好ましい。また、電子輸送層19の誘電率をε19、伝導度をσ19、電子注入制御層18の誘電率をε18、伝導度をσ18としたとき、ΔΤ(=ε19/σ19-ε18/σ18)が小さくなるよう、特に、従来材料の1/2以下となるよう、電子輸送層19の材料を選択することが好ましい。
次に、図10(a)に示すように、電子輸送層19上に、電子注入層20を形成する(図11のステップS100)。電子注入層20は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図10(b)に示すように、電子注入層20上に、陰極21を形成する(図11のステップS110)。陰極21は、ITO、IZO、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、陰極21は、各有機EL素子の陽極に共通して対向する陰極として機能する。
最後に、図10(c)に示すように、陰極21上に、封止層22を形成する(図11のステップS120)。封止層22は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。なお、SiON、SiNなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
図12は、有機EL表示パネル100を備えた有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図12に示すように、有機EL表示装置1000は、有機EL表示パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210~240と、制御回路250とから構成されている。
(1)上記実施の形態では、発光層17、電子注入制御層18、電子輸送層19、電子注入層20の順に積層されるとしたが、層の種類や積層順はこれに限られない。例えば、発光層17と電子注入制御層18との間にホールブロック層40など他の中間層が存在してもよいし、電子輸送層19が発光層17と電子注入制御層18との間に存在してもよい。例えば、図13(a)のバンドダイアグラムに示すように、発光層17、ホールブロック層40、電子輸送層19、電子注入制御層18、電子注入層20のように積層してもよい。この場合、電子注入層20と電子注入制御層18との間に電子注入障壁が存在し、かつ、電子注入層20のLUMO準位より35meV以上低い、または、50meV以上低い、トラップ準位を持つトラップサイトが、電子注入層20の電子密度の0.1%以上の密度で存在していることが好ましい。なお、発光層17と電子注入制御層18との間には任意の中間層が存在してよく、また、一つも中間層がないとしてもよい。同様に、電子注入制御層18の陰極側に接する中間層は電子輸送層19、電子注入層20に限らず、(i)当該中間層のLUMO準位が電子注入制御層18のLUMO準位より低い、(ii)電子注入制御層18と当該中間層との間に、当該中間層のLUMO準位より35meV以上低い、または、50meV以上低い、トラップ準位を持つトラップサイトが、当該中間層の電子密度の0.1%以上の密度で存在する、の条件を満たす中間層であれば、任意の中間層であってよい。なお、電子のトンネリングを防ぐため、電子注入制御層18と当該中間層の膜厚は、いずれも、1nm以上であることが好ましい。
13 陽極
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 電子注入制御層
19 電子輸送層
20 電子注入層
21 陰極
100 有機EL表示パネル
1000 有機EL表示装置
Claims (10)
- 陽極と、発光層と、中間層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記中間層の前記発光層側に接して配される電子注入制御層をさらに備え、
前記中間層と前記電子注入制御層との界面にトラップサイトが形成され、
前記トラップサイトのトラップ準位は前記中間層に含まれる機能性材料の最低空軌道(LUMO)準位より35meV以上低く、
前記トラップサイトの密度は、前記中間層における電子密度の0.1%以上である
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記トラップ準位は前記中間層に含まれる機能性材料の最低空軌道(LUMO)準位より50meV以上低い
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記電子注入制御層の膜厚は1nm以上である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。 - 前記中間層の膜厚は1nm以上である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記電子注入制御層は前記発光層と接しており、
前記電子注入制御層に含まれる機能性材料のLUMO準位は、前記発光層に含まれる機能性材料のLUMO準位より高く、かつ、前記中間層に含まれる機能性材料のLUMO準位より高い
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記電子注入制御層に含まれる機能性材料の最高被占有軌道(HOMO)準位は、前記発光層に含まれる機能性材料のHOMO準位より低い
ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。 - 前記電子注入制御層の前記発光層側に接して配される第2中間層をさらに備え、
前記電子注入制御層に含まれる機能性材料のLUMO準位は、前記第2中間層に含まれる機能性材料のLUMO準位より高く、かつ、前記中間層に含まれる機能性材料のLUMO準位より高い
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の有機EL素子を基板上に複数備える
有機EL表示パネル。 - 陽極と、中間層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記中間層の前記発光層側に接して配される正孔注入制御層をさらに備え、
前記中間層と前記正孔注入制御層との界面にトラップサイトが形成され、
前記トラップサイトのトラップ準位は前記中間層に含まれる機能性材料のHOMO準位より35meV以上高く、
前記トラップサイトの密度は、前記中間層における正孔密度の0.1%以上である
ことを特徴とする有機EL素子。 - 基板を準備し、
前記基板の上方に陽極を形成し、
前記陽極の上方に発光層を形成し、
前記発光層の上方に電子注入制御層を形成し、
前記電子注入制御層上に中間層を形成し、
前記中間層の上方に陰極を形成する有機EL素子の製造方法であって、
前記電子注入制御層と前記中間層との界面に、前記中間層に含まれる機能性材料の最低空軌道(LUMO)準位より35meV以上低い準位を有するトラップサイトを、前記中間層における電子密度の0.1%以上の密度で形成する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
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JP2020133703A JP2022030017A (ja) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 |
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