JP2017022333A - レーザアニール装置及びレーザアニール方法 - Google Patents
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Description
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームが入射する位置にアニール対象物を保持し、前記アニール対象物を面内方向に移動させるステージと、
前記ステージに保持されている前記アニール対象物からの熱放射光を検出する赤外線検出器と、
前記アニール対象物から前記赤外線検出器までの前記熱放射光の経路に配置され、前記熱放射光を透過させる開状態と前記熱放射光を遮光する閉状態とのいずれかの状態を取る遮蔽機構と、
前記パルスレーザビームの各レーザパルスが立ち下がった後に、前記遮蔽機構を前記閉状態から前記開状態に切り替え、次のレーザパルスの立ち上がりまでに、前記遮蔽機構を前記開状態から前記閉状態に戻す制御装置と
を有するレーザアニール装置が提供される。
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームが入射する位置にアニール対象物を保持し、前記アニール対象物を面内方向に移動させるステージと、
前記ステージに保持されている前記アニール対象物の、前記パルスレーザビームが入射するアニール面とは反対側の非アニール面から、前記アニール対象物の内部を伝搬した後、前記パルスレーザビームのビームスポットと重ならない領域を通って、前記アニール面の上方に放射される熱放射光を検出する赤外線検出器と
を有するレーザアニール装置が提供される。
アニール対象物のアニール面にパルスレーザビームを入射させてアニールを行う工程と、
前記パルスレーザビームの各レーザパルスの立ち下がりから、次のレーザパルスの立ち上がりまでの一部の期間において、前記アニール対象物のから放射された熱放射光の光強度を検出する工程と、
検出された光強度に基づいて、前記アニール対象物の前記アニール面とは反対側の非アニール面の温度を推定する工程と
を有するレーザアニール方法が提供される。
アニール対象物のアニール面にパルスレーザビームを入射させてアニールを行う工程と、
前記アニール対象物の、前記アニール面とは反対側の非アニール面から、前記アニール対象物の内部を伝搬した後、前記パルスレーザビームのビームスポットと重ならない領域を通って、前記アニール面の上方に放射される熱放射光の光強度を検出する工程と、
検出された光強度に基づいて、前記非アニール面の温度を推定する工程と
を有するレーザアニール方法が提供される。
11 均一化光学系
12 ダイクロイックミラー
13 レンズ
14 全反射ミラー
16 レンズ
17 赤外線検出器
18 遮蔽機構
19 回転盤
19A 透過領域
19B 減衰領域
20 制御装置
21 記憶装置
25 出力装置
26 入力装置
30 アニール対象物
31 ステージ
32 パルスレーザビーム
35 熱放射光
36、36A、36B ビームスポット
37 被検査箇所
38 非アニール面
39 アニール面
51 第1のレーザ光源
52 アッテネータ
53 ビームエキスパンダ
54 ビームホモジナイザ
55 ダイクロイックミラー
56 レンズ
57 伝搬光学系
61 第2のレーザ光源
61A、61B 固体レーザ発振器
62A、62B アッテネータ
63A、63B ビームエキスパンダ
64 ミラー
65 ビームスプリッタ
66 ビームホモジナイザ
67 ダイクロイックミラー
70 検出系
71、72 ダイクロイックミラー
73 レンズ
74 表面温度検出器
75 全反射ミラー
76 1/4波長板
77 ビームスプリッタ
78 レンズ
79 反射光検出器
80 1/2波長板
81 参照用光源
82 参照光検出器
Claims (9)
- パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームが入射する位置にアニール対象物を保持し、前記アニール対象物を面内方向に移動させるステージと、
前記ステージに保持されている前記アニール対象物からの熱放射光を検出する赤外線検出器と、
前記アニール対象物から前記赤外線検出器までの前記熱放射光の経路に配置され、前記熱放射光を透過させる開状態と前記熱放射光を遮光する閉状態とのいずれかの状態を取る遮蔽機構と、
前記パルスレーザビームの各レーザパルスが立ち下がった後に、前記遮蔽機構を前記閉状態から前記開状態に切り替え、次のレーザパルスの立ち上がりまでに、前記遮蔽機構を前記開状態から前記閉状態に戻す制御装置と
を有するレーザアニール装置。 - 前記制御装置は、
前記ステージを制御して前記アニール対象物を面内方向に移動させながら、前記レーザ光源を制御して前記パルスレーザビームを出力させ、
前記パルスレーザビームの各レーザパルスが立ち下がった後、次のレーザパルスが立ち上がるまでの期間の中間点が経過した後に、前記遮蔽機構を前記閉状態から前記開状態に切り替える請求項1に記載のレーザアニール装置。 - 前記制御装置は、前記遮蔽機構が前記開状態になっている期間に受光した前記熱放射光の強度に基づいて、前記アニール対象物の温度を算出する請求項1または2に記載のレーザアニール装置。
- 前記制御装置は、前記遮蔽機構が前記開状態になっている期間に受光した前記熱放射光の強度が許容上限値を超えているか否かを判定し、前記許容上限値を超えている場合は、前記レーザ光源を制御して、前記パルスレーザビームのパルス幅を短くするとともに、ピーク強度を高くする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザアニール装置。
- 前記制御装置は、前記熱放射光の強度が前記許容上限値を超えている場合、前記レーザ光源を制御して、前記パルスレーザビームの出力を一時的に停止させ、その後、前記パルスレーザビームのパルス幅を短くするとともに、ピーク強度を高くして、前記パルスレーザビームの出力を再開する請求項4に記載のレーザアニール装置。
- 前記制御装置は、前記パルスレーザビームの出力を一時的に停止するときに、前記ステージによる前記アニール対象物の移動を停止させ、前記パルスレーザビームの出力を再開するときに、前記ステージによる前記アニール対象物の移動を再開する請求項5に記載のレーザアニール装置。
- パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームが入射する位置にアニール対象物を保持し、前記アニール対象物を面内方向に移動させるステージと、
前記ステージに保持されている前記アニール対象物の、前記パルスレーザビームが入射するアニール面とは反対側の非アニール面から、前記アニール対象物の内部を伝搬した後、前記パルスレーザビームのビームスポットと重ならない領域を通って、前記アニール面の上方に放射される熱放射光を検出する赤外線検出器と
を有するレーザアニール装置。 - アニール対象物のアニール面にパルスレーザビームを入射させてアニールを行う工程と、
前記パルスレーザビームの各レーザパルスの立ち下がりから、次のレーザパルスの立ち上がりまでの一部の期間において、前記アニール対象物のから放射された熱放射光の光強度を検出する工程と、
検出された光強度に基づいて、前記アニール対象物の前記アニール面とは反対側の非アニール面の温度を推定する工程と
を有するレーザアニール方法。 - アニール対象物のアニール面にパルスレーザビームを入射させてアニールを行う工程と、
前記アニール対象物の、前記アニール面とは反対側の非アニール面から、前記アニール対象物の内部を伝搬した後、前記パルスレーザビームのビームスポットと重ならない領域を通って、前記アニール面の上方に放射される熱放射光の光強度を検出する工程と、
検出された光強度に基づいて、前記非アニール面の温度を推定する工程と
を有するレーザアニール方法。
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2015
- 2015-07-15 JP JP2015140997A patent/JP6482421B2/ja active Active
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