JP2017021901A - 点灯装置及びそれを用いた照明器具 - Google Patents

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Abstract

【課題】高密度実装を実現しつつ雑音端子電圧を低減させた点灯装置及びそれを用いた照明器具を提供する。
【解決手段】第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1電流が第1インダクタ11に流れることにより発生する磁束と第2電流が第2インダクタ12に流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように基板6の表面に並べて実装されている。また、第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるように巻線112,122の巻き方向がそれぞれ設定されている。そして、スイッチング素子13は、基板6の表面において第1インダクタ11及び第2インダクタ12が並ぶ方向である配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に実装されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、点灯装置及びそれを用いた照明器具に関し、より詳細には、光源に点灯電力を供給する点灯装置及びそれを用いた照明器具に関する。
従来、直流電源と、直流電源の出力電圧を変換するチョッパ回路とを備えた電源装置(点灯装置)が提供されている(例えば特許文献1参照)。直流電源は、交流電源と、整流器とを有する。チョッパ回路は、スイッチング素子と、出力フィルタコンデンサと、トランスと、第3のインダクタとを有する。
トランスは、磁気結合した第1のインダクタと、第2のインダクタと、ダイオードとを含む。第3のインダクタは、インダクタンスの等しい2つの第4のインダクタにより構成され、2つの第4のインダクタは、互いに直列に接続されている。
2つの第4のインダクタは、それぞれドラム型コアに巻線が形成された構造を有し、基板上に近接して配置されている。各ドラム型コアには、電流の流れる方向が互いに逆方向となるように巻線が巻かれている。その結果、2つの第4のインダクタに生じる磁束の方向も互いに逆方向となり、磁束が打ち消し合う。そして、磁束が打ち消し合うことにより2つの第4のインダクタ近傍の磁束が弱まり、2つの第4のインダクタの磁束に起因する電磁雑音(電磁ノイズ)が減少する。
特開2015−65775号公報
ところで、上述の特許文献1記載の電源装置は、スイッチング素子によりスイッチングされた電流を平滑化する機能を、出力フィルタコンデンサとともに実現する2つの第4のインダクタを近接配置したものである。つまり、上述の特許文献1記載の電源装置は、別々の機能を実現する複数のインダクタを近接配置したものではなかった。
また、上述の特許文献1記載の電源装置では、隣り合う2つの第4のインダクタ間のスペースに他の電子部品が実装されておらず、高密度実装を実現したものではなかった。
本発明は上記課題に鑑みてなされており、高密度実装を実現しつつ雑音端子電圧を低減させた点灯装置及びそれを用いた照明器具を提供することを目的とする。
本発明の点灯装置は、少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板とを備え、前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、前記スイッチング素子は、前記基板の表面において前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向における前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間に実装されていることを特徴とする。
また、本発明の点灯装置は、少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板と、前記第1インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第1コイル端子と、前記第2インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第2コイル端子とを備え、前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、前記一対の第1コイル端子及び前記一対の第2コイル端子は、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向と直交する方向における前記基板の一端部に実装されていることを特徴とする。
また、本発明の点灯装置は、少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板とを備え、前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向における前記第1インダクタの外形寸法がL1、前記配列方向における前記第2インダクタの外形寸法がL2、前記配列方向における前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間隔がL3である場合、L3<L1及びL3<L2を満たしていることを特徴とする。
本発明の照明器具は、上記の点灯装置と、前記点灯装置から供給される点灯電力により点灯する光源とを備えていることを特徴とする。
本発明の点灯装置は、高密度実装を実現しつつ雑音端子電圧を低減させることができる。
本発明の照明器具は、高密度実装を実現しつつ雑音端子電圧を低減させることができる。
本発明の実施形態に係る照明器具の施工状態を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る点灯装置の回路図である。 本発明の実施形態に係る点灯装置においてインダクタ及びスイッチング素子の基板への実装状態を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る点灯装置において後方から見たインダクタを模式的に表した平面図である。 従来の点灯装置においてインダクタに流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る点灯装置においてインダクタに流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る別の点灯装置の回路図である。 本発明の実施形態に係る別の点灯装置においてインダクタに流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の点灯装置の回路図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の点灯装置においてインダクタに流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。
本発明の実施形態に係る点灯装置及び照明器具について、図面を参照しながら具体的に説明する。ただし、以下に説明する構成は、本発明の一例に過ぎず、本発明は下記の実施形態に限定されない。したがって、この実施形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
本実施形態の照明器具100は、図1に示すように、天井材9の埋込孔91を通して天井裏に設置される天井埋込型の照明器具(例えばダウンライト)であり、点灯装置10と、発光部20と、器具本体30とを備える。
器具本体30は、例えばアルミダイカスト製品であって、一面(図1の下面)が開口する有底円筒状に形成されており、天井材9の埋込孔91を通して天井材9に埋め込まれる。この器具本体30の内部には、複数(本実施形態では3個)のLED(発光ダイオード)202が実装された基板201が収納されており、器具本体30の開口端縁には、LED202からの光を拡散させる光拡散板203が取り付けられている。
ここに、本実施形態では、LED202により光源が構成され、LED202が実装された基板201及び光拡散板203により発光部20が構成される。
本実施形態の照明器具100は、図1に示すように、器具本体30に収納された発光部20と点灯装置10とが間隔を空けて配置されており、点灯装置10と発光部20との間は、一対のコネクタ8を介して電源線7により電気的に接続されている。
次に、本実施形態の点灯装置10について、図2に示す回路図を参照しながら具体的に説明する。点灯装置10は、コンバータ回路1と、整流回路2と、フィルタ回路3と、制御回路4とを備える。これらの回路は、後述する基板6の表面又は裏面に実装される。
整流回路2は、例えば4つのダイオードにより構成されたダイオードブリッジからなる。整流回路2の出力端子間には、整流回路2より出力される脈流電圧を直流電圧に平滑化するコンデンサ14が電気的に接続されている。
フィルタ回路3は、例えば交流電源5より電源ラインに混入した高周波成分をカットするローパスフィルタからなり、上記高周波成分が整流回路2に入力されないように遮断する。
制御回路4は、例えばマイクロコンピュータからなり、外部より入力される調光信号の調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号を生成し、生成したPWM信号を後述のコンバータ回路1のスイッチング素子13に出力する。スイッチング素子13は、制御回路4からのPWM信号に従ってオン/オフが切り換えられる。
コンバータ回路1は、例えばSEPIC(Single Ended Primary Inductor Converter)回路からなり、第1インダクタ11と、第2インダクタ12と、スイッチング素子13と、コンデンサ14〜16と、ダイオード17とを有する。
第1インダクタ11の一方(巻き始め側)の端部a1は、整流回路2の高圧側の出力端子に電気的に接続され、第1インダクタ11の他方(巻き終わり側)の端部a2は、コンデンサ15の一端に電気的に接続されている。
コンデンサ15の他端は、ダイオード17のアノードに電気的に接続され、ダイオード17のカソードは、コンデンサ16のプラス極に電気的に接続されている。コンデンサ16のマイナス極は、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
スイッチング素子13は、例えばNチャネル型のMOSFETからなる。スイッチング素子13のドレインは、第1インダクタ11とコンデンサ15との接続点に電気的に接続され、スイッチング素子13のソースは、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。また、スイッチング素子13のゲートは、制御回路4に電気的に接続されている。
第2インダクタ12の一方(巻き終わり側)の端部a3は、コンデンサ15とダイオード17との接続点に電気的に接続され、第2インダクタ12の他方(巻き始め側)の端部a4は、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。そして、コンデンサ16の両端間には、発光部20(LED202)が電気的に接続されている。
次に、この点灯装置10の動作について図2を参照しながら説明する。制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオンになると、コンデンサ14の蓄積エネルギーによりコンデンサ14→第1インダクタ11→スイッチング素子13→コンデンサ14の経路(図2の矢印b1)で電流I1が流れる。これにより、第1インダクタ11に電気エネルギーが蓄積される。
またこのとき、コンデンサ15の蓄積エネルギーによりコンデンサ15→スイッチング素子13→第2インダクタ12→コンデンサ15の経路(図2の矢印b2)で電流I2が流れる。これにより、第2インダクタ12に電気エネルギーが蓄積される。
制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオフになると、第1インダクタ11の蓄積エネルギーにより第1インダクタ11→コンデンサ15→ダイオード17→コンデンサ16→第1インダクタ11の経路(図2の矢印b3)で電流I3が流れる。
またこのとき、第2インダクタ12の蓄積エネルギーにより第2インダクタ12→ダイオード17→コンデンサ16→第2インダクタ12の経路(図2の矢印b4)で電流I4が流れる。
そして、上述の動作を繰り返し行うことによりコンデンサ16に直流電圧が発生し、この直流電圧により発光部20のLED202に電流が流れて発光する。ここに、本実施形態では、電流I1が第1電流であり、電流I2が第2電流である。
図3は、第1インダクタ11、第2インダクタ12及びスイッチング素子13の基板6への実装状態を示す平面図である。なお、以下の説明では特に断りがない限り、図3に示す向きにおいて上下左右の各方向を規定し、上下方向及び左右方向のそれぞれと直交する方向(図3の紙面に垂直な方向)を前後方向(手前側が前側)と規定する。ただし、これらの方向は点灯装置10の使用形態を限定する趣旨ではない。
第1インダクタ11は、前後方向を軸方向とする円筒形状の筒状部111aと、筒状部111aの前後方向における両端にそれぞれ取り付けられた矩形平板状の一対の鍔部111bとで構成された合成樹脂製のボビン111を有する。
ボビン111の筒状部111aには、例えば銅線からなる巻線112が巻かれている。また、ボビン111の鍔部111bの上端部には、巻線112の両端にそれぞれ電気的に接続された一対の第1コイル端子114が左右方向に並べて設けられている。このボビン111は、上下方向から見た形状がE字状に形成された一対のコア113により前後方向における両側から挟み込まれ、これにより第1インダクタ11が組み立てられる。
なお、第2インダクタ12は、第1インダクタ11と同様の構成を有しており、各構成要素に付した符号が異なっているだけであるから、ここでは説明を省略する。
これらの第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、基板6の左右方向(長手方向)において間隔L3を開けた状態で基板6の表面(前面)に実装される。また、基板6の左右方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間には、スイッチング素子13が実装される。ここに、本実施形態では、基板6の左右方向が第1インダクタ11及び第2インダクタ12が並ぶ方向、すなわち配列方向である。
上述のように、基板6の表面において、上記配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間にスイッチング素子13を実装することで、高密度実装を実現することができる。
また、図3に示すように、一対の第1コイル端子114及び一対の第2コイル端子124は、上記配列方向と直交する方向、すなわち上下方向における基板6の一端部(上端部)に実装されている。これにより、上下方向における基板6の両側にコイル端子を実装する場合に比べて、基板6の上下方向の外形寸法を小さくすることができる。
さらに、図3に示すように、上記配列方向(左右方向)における第1インダクタ11の外形寸法L1は間隔L3より大きく、かつ、上記配列方向における第2インダクタ12の外形寸法L2も間隔L3より大きくなっている。その結果、第1インダクタ11に生じる磁束と第2インダクタ12に生じる磁束とを互いに干渉させることができる。
図4は、後方から見た第1インダクタ11及び第2インダクタ12を模式的に表した平面図である。第1インダクタ11は、巻線112が後方から見て反時計回り(図4の矢印c1の向き)に巻かれており、6番ピンが巻き始め、10番ピンが巻き終わりになっている。一方、第2インダクタ12は、巻線122が後方から見て反時計回り(図4の矢印c1の向き)に巻かれており、10番ピンが巻き始め、6番ピンが巻き終わりになっている。
ところで、従来の点灯装置は、図2の点灯装置10と比べて、第1インダクタ11の巻線112の巻き始めの位置と巻き終わりの位置とが逆になっている。つまり、従来の点灯装置では、第1インダクタ11においても、10番ピンが巻き始め、6番ピンが巻き終わりになっている。なお、それ以外の構成及び動作については図2の点灯装置10と同様である。
図5は、従来の点灯装置において、第1インダクタ11及び第2インダクタ12に流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。なお、図5では図示を簡略化するために、スイッチング素子13の図示を省略している。また、図6、図8及び図10についても同様である。
第1インダクタ11では、反時計回り(図5の矢印d1の向き)の電流が巻線112に流れ、これにより後方から前方へ向かう向きの磁束が生じる(図5の記号e1参照)。また、第2インダクタ12では、反時計回り(図5の矢印d2の向き)の電流が巻線122に流れ、これにより後方から前方へ向かう向きの磁束が生じる(図5の記号e2参照)。
その結果、左右方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に生じる第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに強め合うことになり、これらの磁束により生じる雑音端子電圧が増加することになる。
図6は、本実施形態の点灯装置10において、第1インダクタ11及び第2インダクタ12に流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。
第1インダクタ11では、時計回り(図6の矢印d3の向き)の電流が巻線112に流れ、これにより前方から後方へ向かう向きの磁束が生じる(図6の記号e3参照)。また、第2インダクタ12では、反時計回り(図6の矢印d4の向き)の電流が巻線122に流れ、これにより後方から前方へ向かう向きの磁束が生じる(図7の記号e4参照)。
その結果、左右方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に生じる第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消し合うことになり、これらの磁束により生じる雑音端子電圧を低減することができる。そのため、第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に配置されたスイッチング素子13への磁束の影響を低減することができる。
図7は、本実施形態の別の点灯装置10の回路図である。図2の点灯装置10では、コンバータ回路1がSEPIC回路からなる場合を例示したが、図7の点灯装置10では、コンバータ回路1がCuk回路からなる場合を例示している。なお、それ以外の構成については図2の点灯装置10と同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
点灯装置10は、コンバータ回路1と、整流回路2と、フィルタ回路3と、制御回路4とを備える。コンバータ回路1は、例えばCuk回路からなり、第1インダクタ11と、第2インダクタ12と、スイッチング素子13と、コンデンサ14〜16と、ダイオード17とを有する。
第1インダクタ11の一方(巻き始め側)の端部a1は、整流回路2の高圧側の出力端子に電気的に接続され、第1インダクタ11の他方(巻き終わり側)の端部a2は、コンデンサ15の一端に電気的に接続されている。
コンデンサ15の他端は、第2インダクタ12の一方(巻き終わり側)の端部a3に電気的に接続され、第2インダクタ12の他方(巻き始め側)の端部a4は、コンデンサ16のマイナス極に電気的に接続されている。コンデンサ16のプラス極は、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
スイッチング素子13は、例えばNチャネル型のMOSFETからなる。スイッチング素子13のドレインは、第1インダクタ11とコンデンサ15との接続点に電気的に接続され、スイッチング素子13のソースは、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。また、スイッチング素子13のゲートは、制御回路4に電気的に接続されている。
コンデンサ15と第2インダクタ12との接続点には、ダイオード17のアノードが電気的に接続され、ダイオード17のカソードは、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
次に、点灯装置10の動作について図7を参照しながら説明する。制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオンになると、コンデンサ14の蓄積エネルギーによりコンデンサ14→第1インダクタ11→スイッチング素子13→コンデンサ14の経路(図7の矢印b1)で電流I1が流れる。これにより、第1インダクタ11に電気エネルギーが蓄積される。
またこのとき、コンデンサ15の蓄積エネルギーによりコンデンサ15→スイッチング素子13→コンデンサ16→第2インダクタ12→コンデンサ15の経路(図7の矢印b5)で電流I2が流れる。これにより、第2インダクタ12に電気エネルギーが蓄積される。
制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオフになると、第1インダクタ11の蓄積エネルギーにより第1インダクタ11→コンデンサ15→ダイオード17→コンデンサ14→第1インダクタ11の経路(図7の矢印b6)で電流I3が流れる。
またこのとき、第2インダクタ12の蓄積エネルギーにより第2インダクタ12→ダイオード17→コンデンサ16→第2インダクタ12の経路(図7の矢印b7)で電流I4が流れる。
そして、上述の動作を繰り返し行うことによりコンデンサ16に直流電圧が発生し、この直流電圧により発光部20のLED202に電流が流れて発光する。
図8は、図7の点灯装置10において、第1インダクタ11及び第2インダクタ12に流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。
第1インダクタ11では、時計回り(図8の矢印d5の向き)の電流が巻線112に流れ、これにより前方から後方へ向かう向きの磁束が生じる(図8の記号e5参照)。また、第2インダクタ12では、反時計回り(図8の矢印d6の向き)の電流が巻線122に流れ、これにより後方から前方へ向かう向きの磁束が生じる(図8の記号e6参照)。
その結果、左右方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に生じる第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消し合うことになり、これらの磁束により生じる雑音端子電圧を低減することができる。そのため、第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に配置されたスイッチング素子13への磁束の影響を低減することができる。また、基板6の表面において、上記配列方向(左右方向)における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間にスイッチング素子13を実装することで、高密度実装を実現することができる。
図9は本実施形態のさらに別の点灯装置10の回路図である。図2の点灯装置10では、コンバータ回路1がSEPIC回路からなる場合を例示したが、図9の点灯装置10では、コンバータ回路1がZeta回路からなる場合を例示している。なお、それ以外の構成については図2の点灯装置10と同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
点灯装置10は、コンバータ回路1と、整流回路2と、フィルタ回路3と、制御回路4とを備える。コンバータ回路1は、例えばZeta回路からなり、第1インダクタ11と、第2インダクタ12と、スイッチング素子13と、コンデンサ14〜16と、ダイオード17とを有する。
ここに、第1インダクタ11は、従来の点灯装置同様に、巻線112が後方から見て反時計回り(図4の矢印c1の向き)に巻かれており、10番ピンが巻き始め、6番ピンが巻き終わりになっている。
スイッチング素子13は、例えばNチャネル型のMOSFETからなる。スイッチング素子13のドレインは、整流回路2の高圧側の出力端子に電気的に接続され、スイッチング素子13のソースは、コンデンサ15の一端に電気的に接続されている。また、スイッチング素子13のゲートは、制御回路4に電気的に接続されている。
コンデンサ15の他端は、第2インダクタ12の一方(巻き終わり側)の端部a3に電気的に接続され、第2インダクタ12の他方(巻き始め側)の端部a4は、コンデンサ16のプラス極に電気的に接続されている。コンデンサ16のマイナス極は、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
第1インダクタ11の一方(巻き終わり側)の端部a2は、スイッチング素子13とコンデンサ15との接続点に電気的に接続され、第1インダクタ11の他方(巻き始め側)の端部a1は、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
第2インダクタ12とコンデンサ15との接続点には、ダイオード17のカソードが電気的に接続され、ダイオード17のアノードは、整流回路2の低圧側の出力端子に電気的に接続されている。
次に、点灯装置10の動作について図9を参照しながら説明する。制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオンになると、コンデンサ14の蓄積エネルギーによりコンデンサ14→スイッチング素子13→第1インダクタ11→コンデンサ14の経路(図9の矢印b1)で電流I1が流れる。これにより、第1インダクタ11に電気エネルギーが蓄積される。
またこのとき、コンデンサ14,15の蓄積エネルギーによりコンデンサ14,15→第2インダクタ12→コンデンサ16→コンデンサ14,15の経路(図9の矢印b8)で電流I2が流れる。これにより、第2インダクタ12に電気エネルギーが蓄積される。
制御回路4からのPWM信号によりスイッチング素子13がオフになると、第1インダクタ11の蓄積エネルギーにより第1インダクタ11→ダイオード17→コンデンサ15→第1インダクタ11の経路(図9の矢印b9)で電流I3が流れる。
またこのとき、第2インダクタ12の蓄積エネルギーにより第2インダクタ12→コンデンサ16→ダイオード17→第2インダクタ12の経路(図9の矢印b10)で電流I4が流れる。
そして、上述の動作を繰り返し行うことによりコンデンサ16に直流電圧が発生し、この直流電圧により発光部20のLED202に電流が流れて発光する。
図10は、図9の点灯装置10において、第1インダクタ11及び第2インダクタ12に流れる電流と当該電流により生じる磁束との関係を示す平面図である。
第1インダクタ11では、時計回り(図10の矢印d7の向き)の電流が巻線112に流れ、これにより前方から後方へ向かう向きの磁束が生じる(図10の記号e7参照)。また、第2インダクタ12では、反時計回り(図10の矢印d8の向き)の電流が巻線122に流れ、これにより後方から前方へ向かう向きの磁束が生じる(図10の記号e8参照)。
その結果、左右方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に生じる第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消し合うことになり、これらの磁束により生じる雑音端子電圧を低減することができる。そのため、第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に配置されたスイッチング素子13への磁束の影響を低減することができる。また、基板6の表面において、上記配列方向(左右方向)における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間にスイッチング素子13を実装することで、高密度実装を実現することができる。
なお、本実施形態では、コンバータ回路1がSEPIC回路、Cuk回路又はZeta回路からなる場合について例示したが、コンバータ回路1はこれらの回路に限らない。すなわち、少なくとも第1インダクタ11、第2インダクタ12及びスイッチング素子13を有し、第1インダクタ11及び第2インダクタ12を介してスイッチング素子13に同時に電流が流れるようになっていれば、他の回路であってもよい。
また、本実施形態では、天井埋込型の照明器具を例に説明したが、例えば天井材9の表面に取り付けられる天井取付型の照明器具や、壁面に取り付けられる壁面取付型の照明器具などであってもよい。
以上説明したように、本実施形態の点灯装置10は、コンバータ回路1と、基板6とを備える。コンバータ回路1は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12を有する。基板6は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12が実装される。コンバータ回路1は、スイッチング素子13がオンになると、第1インダクタ11を介してスイッチング素子13に第1電流(電流I1)が流れ、かつ、第2インダクタ12を介してスイッチング素子13に第2電流(電流I2)が流れるように構成されている。第2電流は第1電流と同じ向きである。第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1電流が第1インダクタ11に流れることにより発生する磁束と第2電流が第2インダクタ12に流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように基板6の表面に並べて実装されている。また、第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるように巻線112,122の巻き方向がそれぞれ設定されている。そして、スイッチング素子13は、基板6の表面において第1インダクタ11及び第2インダクタ12が並ぶ方向である配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間に実装されている。
上述の構成によれば、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるので、これらの磁束により生じる雑音端子電圧を低減することができる。また、基板6の表面において、上記配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間にスイッチング素子13を実装することで、高密度実装を実現することができる。
また、本実施形態の点灯装置10のように、一対の第1コイル端子114と、一対の第2コイル端子124とをさらに備えているのが好ましい。一対の第1コイル端子114は、第1インダクタ11の巻線112の両端にそれぞれ電気的に接続される。一対の第2コイル端子124は、第2インダクタ12の巻線122の両端にそれぞれ電気的に接続される。そして、一対の第1コイル端子114及び一対の第2コイル端子124は、上記配列方向と直交する方向における基板6の一端部に実装されている。
上述の構成によれば、上記配列方向と直交する方向における両側にコイル端子を配置する場合に比べて、上記配列方向と直交する方向における基板6の外形寸法を小さくすることができる。
また、本実施形態の点灯装置10のように、L3<L1及びL3<L2を満たしているのが好ましい。L1は上記配列方向における第1インダクタ11の外形寸法、L2は上記配列方向における第2インダクタ12の外形寸法、L3は上記配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間隔である。
上述の構成によれば、上述のような寸法関係に設定することで第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とを互いに干渉させることができる。
また、本実施形態の点灯装置10は、コンバータ回路1と、基板6と、一対の第1コイル端子114と、一対の第2コイル端子124とを備える。コンバータ回路1は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12を有する。基板6は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12が実装される。一対の第1コイル端子114は、第1インダクタ11の巻線112の両端にそれぞれ電気的に接続される。一対の第2コイル端子124は、第2インダクタ12の巻線122の両端にそれぞれ電気的に接続される。コンバータ回路1は、スイッチング素子13がオンになると、第1インダクタ11を介してスイッチング素子13に第1電流(電流I1)が流れ、かつ、第2インダクタ12を介してスイッチング素子13に第2電流(電流I2)が流れるように構成されている。第2電流は第1電流と同じ向きである。第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1電流が第1インダクタ11に流れることにより発生する磁束と第2電流が第2インダクタ12に流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように基板6の表面に並べて実装されている。また、第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるように巻線112,122の巻き方向がそれぞれ設定されている。そして、一対の第1コイル端子114及び一対の第2コイル端子124は、第1インダクタ11及び第2インダクタ12が並ぶ方向である配列方向と直交する方向における基板6の一端部に実装されている。
上述の構成によれば、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるので、これらの磁束によって生じる雑音端子電圧を低減することができる。また、上記配列方向と直交する方向における両側にコイル端子を配置する場合に比べて、上記配列方向と直交する方向における基板6の外形寸法を小さくすることができる。
また、本実施形態の点灯装置10は、コンバータ回路1と、基板6とを備える。コンバータ回路1は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12を有する。基板6は、少なくともスイッチング素子13、第1インダクタ11及び第2インダクタ12が実装される。コンバータ回路1は、スイッチング素子13がオンになると、第1インダクタ11を介してスイッチング素子13に第1電流(電流I1)が流れ、かつ、第2インダクタ12を介してスイッチング素子13に第2電流(電流I2)が流れるように構成されている。第2電流は第1電流と同じ向きである。第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1電流が第1インダクタ11に流れることにより発生する磁束と第2電流が第2インダクタ12に流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように基板6の表面に並べて実装されている。また、第1インダクタ11及び第2インダクタ12は、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるように巻線112,122の巻き方向がそれぞれ設定されている。この点灯装置10では、L3<L1及びL3<L2を満たしている。L1は第1インダクタ11及び第2インダクタ12が並ぶ方向である配列方向における第1インダクタ11の外形寸法である。また、L2は上記配列方向における第2インダクタ12の外形寸法である。さらに、L3は上記配列方向における第1インダクタ11と第2インダクタ12との間隔である。
上述の構成によれば、上述のような寸法関係に設定することで第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とを互いに干渉させることができる。また、第1インダクタ11による磁束と第2インダクタ12による磁束とが互いに打ち消されるので、これらの磁束によって生じる雑音端子電圧を低減することができる。
本発明の照明器具100は、上述の点灯装置10と、点灯装置10から供給される点灯電力により点灯する光源(LED202)とを備えている。
上述の構成によれば、点灯装置10を用いることによって、高密度実装を実現しつつ雑音端子電圧を低減させた照明器具100を提供することができる。
1 コンバータ回路
6 基板
10 点灯装置
11 第1インダクタ
12 第2インダクタ
13 スイッチング素子
100 照明器具
112,122 巻線
114 第1コイル端子
124 第2コイル端子
202 LED(光源)
I1 電流(第1電流)
I2 電流(第2電流)
L1 第1インダクタの外形寸法
L2 第2インダクタの外形寸法
L3 第1インダクタと第2インダクタとの間隔

Claims (6)

  1. 少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板とを備え、
    前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、
    前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、
    前記スイッチング素子は、前記基板の表面において前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向における前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間に実装されていることを特徴とする点灯装置。
  2. 前記第1インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第1コイル端子と、前記第2インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第2コイル端子とをさらに備え、
    前記一対の第1コイル端子及び前記一対の第2コイル端子は、前記配列方向と直交する方向における前記基板の一端部に実装されていることを特徴とする請求項1記載の点灯装置。
  3. 前記配列方向における前記第1インダクタの外形寸法がL1、前記配列方向における前記第2インダクタの外形寸法がL2、前記配列方向における前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間隔がL3である場合、L3<L1及びL3<L2を満たしていることを特徴とする請求項1又は2記載の点灯装置。
  4. 少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板と、前記第1インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第1コイル端子と、前記第2インダクタの巻線の両端にそれぞれ電気的に接続される一対の第2コイル端子とを備え、
    前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、
    前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、
    前記一対の第1コイル端子及び前記一対の第2コイル端子は、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向と直交する方向における前記基板の一端部に実装されていることを特徴とする点灯装置。
  5. 少なくともスイッチング素子、第1インダクタ及び第2インダクタを有するコンバータ回路と、少なくとも前記スイッチング素子、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが実装される基板とを備え、
    前記コンバータ回路は、前記スイッチング素子がオンになると、前記第1インダクタを介して前記スイッチング素子に第1電流が流れ、かつ、前記第2インダクタを介して前記スイッチング素子に前記第1電流と同じ向きの第2電流が流れるように構成されており、
    前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記第1電流が前記第1インダクタに流れることにより発生する磁束と前記第2電流が前記第2インダクタに流れることにより発生する磁束とが互いに干渉するように前記基板の表面に並べて実装され、かつ、前記第1インダクタによる磁束と前記第2インダクタによる磁束とが互いに打ち消されるように巻線の巻き方向がそれぞれ設定されており、
    前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが並ぶ方向である配列方向における前記第1インダクタの外形寸法がL1、前記配列方向における前記第2インダクタの外形寸法がL2、前記配列方向における前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間隔がL3である場合、L3<L1及びL3<L2を満たしていることを特徴とする点灯装置。
  6. 請求項1〜5の何れか1項に記載の点灯装置と、前記点灯装置から供給される点灯電力により点灯する光源とを備えていることを特徴とする照明器具。
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