JP2015091180A - 絶縁電源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】１次側コイル６１ａ〜６４ａから周囲に伝播する磁界を好適に低減させることのできる絶縁電源装置を提供する。【解決手段】第１〜第４のトランス６１〜６４を例にして説明すると、これらトランス６１〜６４のうち、基板の第１面の正面視において隣り合うトランスのそれぞれを対象トランスとする。対象トランスのそれぞれを構成する１次側コイルに電流が流れている状態において、隣り合う対象トランスのそれぞれを構成する１次側コイルの端部が互いに向かい合うように、かつ互いに向かい合う上記端部のうち一方が磁束の入口側となり、他方が磁束の出口側となるように、第１〜第４のトランス６１〜６４を基板に設ける。【選択図】 図９

Description

本発明は、直流電源に接続可能な１次側コイル、及び電圧供給対象に対して駆動用電圧を供給可能な２次側コイルを有するトランスであって、基板に設けられたトランスを複数備える絶縁電源装置に関する。

従来、下記特許文献１に見られるように、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）に駆動用電圧を供給するための絶縁電源装置が知られている。詳しくは、この電源装置は、複数のトランスと、複数のトランスのそれぞれを構成する１次側コイル及び直流電源の間を導通状態又は遮断状態とすべく操作されるトランジスタと、制御回路とを備えている。ここで、上記制御回路は、複数のトランスのうちいずれか１つのトランスを構成する２次側コイルの出力電圧に基づいて、トランジスタを操作する。

特開平１１−１７８３５６号公報

ところで、絶縁電源装置を構成する複数のトランス、及び制御回路等は、基板に設けられている。ここで、トランジスタがオン操作されて複数のトランスのそれぞれの１次側コイルに電流が流れている場合、１次側コイルは、磁界の発生源となる。ここで、発生する磁界が強くなると、磁界の発生に起因したノイズが増大する。この場合、絶縁電源装置が誤作動する懸念がある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、１次側コイルから周囲へと伝播する磁界を好適に低減させることのできる絶縁電源装置を提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明は、直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６１ａ〜７４ａ；６１ａ〜６５ａ，６９ａ〜７１ａ，７４ａ〜７６ａ）、及び電圧供給対象（Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃）に対して駆動用電圧を供給可能な２次側コイル（６１ｂ〜７４ｂ；６１ｂ〜６５ｂ，６９ｂ〜７１ｂ，７４ｂ〜７６ｂ）を有するトランスであって、基板（１１８）に設けられたトランス（６１〜７４；６１〜６５，６９〜７１，７４〜７６）を複数備え、複数の前記トランスのうち少なくとも一対のトランスであって、前記基板の板面の正面視において隣り合うトランスである対象トランスのそれぞれは、前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに電流が流れている状態において、隣り合う前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルの端部が互いに向かい合うように、かつ互いに向かい合う前記端部のうち一方が磁束の入口側となり、他方が磁束の出口側となるように、前記基板に設けられている絶縁電源装置である。

上記発明では、上記対象トランスのそれぞれを上記態様にて基板に設けている。これは、隣り合う対象トランスの間に発生する磁界を打ち消すことを狙った構成である。こうした構成によれば、１次側コイルから周囲へと伝播する磁界を好適に低減させることができる。これにより、磁界に起因したノイズを低減させることができ、ひいては絶縁電源装置の誤作動を回避することができる。

第１の実施形態にかかるモータ制御システムの全体構成図。 同実施形態にかかる半導体モジュールの構成を示す斜視図。 同実施形態にかかる半導体モジュールの内部構成を示す図。 同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。 同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。 同実施形態にかかるＩＧＢＴ駆動回路を示す図。 同実施形態にかかるトランスの平面図。 同実施形態にかかる基板の第１面の平面図。 同実施形態にかかる磁界打消し効果を説明するための図。 同実施形態にかかる基板の第１面のフォトカプラ実装位置を示す図。 第２の実施形態にかかる基板の第２面のフォトカプラ実装位置を示す図。 第３の実施形態にかかる基板の第１面の平面図。 第４の実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。 同実施形態にかかる基板の第１面の平面図。 第５の実施形態にかかる基板の第１面の平面図。

（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる絶縁電源装置を車載主機として回転機及びエンジンを備えるハイブリッド車に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１に示すように、モータ制御システムは、第１のモータジェネレータ１０、第２のモータジェネレータ２０、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２、昇圧コンバータ３０、及び制御装置４０を備えている。第１のモータジェネレータ１０及び第２のモータジェネレータ２０は、図示しない動力分割機構を介して駆動輪や車載主機としてのエンジンに連結されている。第１のモータジェネレータ１０は、「発電用回転機」に相当し、第１のインバータ１２に接続されている。第１のモータジェネレータ１０は、車載主機であるエンジンのクランク軸に初期回転を付与するスタータ機能や、車載機器に給電する機能、さらには高電圧バッテリ５０及び第２のモータジェネレータ２０のうち少なくとも一方に給電する機能を有する発電機等の役割を果たす。

一方、第２のモータジェネレータ２０は、「主機回転機」に相当し、第２のインバータ２２に接続されている。第２のモータジェネレータ２０は、車載主機等の役割を果たす。

第１のインバータ１２及び第２のインバータ２２は、３相インバータであり、昇圧コンバータ３０を介して高電圧バッテリ５０に接続されている。ちなみに、高電圧バッテリ５０としては、例えば、リチウムイオン２次電圧やニッケル水素２次電池を用いることができる。なお、本実施形態において、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０のそれぞれが「電力変換回路」に相当する。また、第１のインバータ１２が「発電用電力変換回路」に相当し、第２のインバータ２２が「走行用電力変換回路」に相当する。

昇圧コンバータ３０は、コンデンサ３２、リアクトル３４、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎを備えている。詳しくは、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎは、互いに直列接続されている。上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎの直列接続体は、コンデンサ３２に並列接続され、上記直列接続体の接続点は、リアクトル３４を介して高電圧バッテリ５０の正極端子に接続されている。昇圧コンバータ３０は、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのオン操作（閉操作）及びオフ操作（開操作）によって、高電圧バッテリ５０の出力電圧（例えば２８８Ｖ）を所定の電圧（例えば「６５０Ｖ」）を上限として昇圧する機能を有する。

第１のインバータ１２は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ（￥＝Ｕ，Ｖ，Ｗ）、及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎの直列接続体を３組備えている。一方、第２のインバータ２２は、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎの直列接続体を３組備えている。

ちなみに、本実施形態では、上記スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃（＃＝ｐ，ｎ）として、電圧制御形の半導体スイッチング素子が用いられ、より具体的には、ＩＧＢＴが用いられている。そして、スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃には、フリーホイールダイオードＤｃ＃，Ｄ１￥＃，Ｄ２￥＃が逆並列に接続されている。

また、本実施形態において、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ及び第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用スイッチング素子」に相当する。さらに、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用スイッチング素子」に相当する。

上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｐ、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｎ、及び上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎの温度を検出する昇圧感温ダイオードは、モジュール化されて昇圧モジュールＭｃを構成している。

また、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｐ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｎ、及び第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの温度を検出する第１の￥相上，下アーム感温ダイオードは、モジュール化されて第１の￥相モジュールＭ１￥を構成している。

さらに、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｐ、第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｎ、及び第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎの温度を検出する第２の￥相上，下アーム感温ダイオードは、モジュール化されて第２の￥相モジュールＭ２￥を構成している。

上記モジュールの構成について、図２及び図３を用いて、第１の￥相モジュールＭ１￥を例にして説明する。

第１の￥相モジュールＭ１￥は、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎ、フリーホイールダイオードＤ１￥ｐ，Ｄ１￥ｎ、及び第１の￥相上，下アーム感温ダイオードＳＤ１￥ｐ，ＳＤ１￥ｎを内蔵した本体部５１と、本体部５１から突出した複数の制御端子と、本体部５１から突出した複数のパワー端子とを備えている。複数の制御端子は、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎのゲート端子Ｇｐ，Ｇｎ、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎのケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎ、第１の￥相上，下アーム感温ダイオードＳＤ１￥ｐ，ＳＤ１￥ｎのアノード端子Ａｐ，Ａｎ、及び第１の￥相上，下アーム感温ダイオードＳＤ１￥ｐ，ＳＤ１￥ｎのカソード端子Ｋｐ，Ｋｎを含む。ここで、ケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎとは、スイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの出力端子（エミッタ）と同電位の端子である。

パワー端子は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのコレクタに短絡されるコレクタ端子ＴＣ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのエミッタに短絡されるエミッタ端子ＴＥ、並びに第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのエミッタ及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのコレクタの接続点に短絡された接続端子ＴＡを含む。

本体部５１は、扁平な直方体形状をなしている。本体部５１の対向する一対の表面のうち一方の面には、この表面から垂直に突出するように複数の制御端子が設けられている。また、他方の面には、この表面から垂直に突出するようにパワー端子が設けられている。

先の図１に戻り、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのコレクタ端子ＴＣ同士は接続されている。また、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのエミッタ端子ＴＥは、高電圧バッテリ５０の負極端子に接続されている。

第１の￥相モジュールＭ１￥の接続端子ＴＡは、第１のモータジェネレータ１０の￥相に接続されている。一方、第２の￥相モジュールＭ２￥の接続端子ＴＡは、第２のモータジェネレータ２０の￥相に接続されている。他方、昇圧モジュールＭｃの接続端子ＴＡは、リアクトル３４の両端のうち、高電圧バッテリ５０の正極端子が接続された側とは反対側に接続されている。

制御装置４０は、「直流電源」としての低電圧バッテリ４２を電源とし、マイコンを主体として構成されている。制御装置４０は、第１，第２のモータジェネレータ１０，２０の制御量（トルク）をその指令値（以下、指令トルクＴｒｑ＊）に制御すべく、第１，第２のインバータ１２，２２や昇圧コンバータ３０を操作する。詳しくは、制御装置４０は、第１のインバータ１２を構成するスイッチング素子Ｓ１￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ１￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ１￥＃の駆動回路に対して出力する。また、制御装置４０は、第２のインバータ２２を構成するスイッチング素子Ｓ２￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ２￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ２￥＃の駆動回路に対して出力する。さらに、制御装置４０は、昇圧コンバータ３０を構成するスイッチング素子Ｓｃ＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇｃ＃を生成してスイッチング素子Ｓｃ＃の駆動回路に対して出力する。

なお、以下の説明において、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎを駆動する駆動回路を上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと称し、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎを駆動する駆動回路を第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎと称すこととする。また、第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎを駆動する駆動回路を第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎと称すこととする。

さらに、本実施形態において、駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用駆動回路」に相当し、駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎ，Ｄｒ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用駆動回路」に相当する。すなわち、上アーム用駆動回路は、上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設け、下アーム用駆動回路は、下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。

ちなみに、上アーム用操作信号ｇｃｐ，ｇ１￥ｐ，ｇ２￥ｐと、対応する下アーム用操作信号ｇｃｎ，ｇ１￥ｎ，ｇ２￥ｎとは、互いに相補的な信号となっている。すなわち、上アーム用スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐと、対応する下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎとは、交互にオン状態とされる。

低電圧バッテリ４２（補機バッテリともいう）は、その出力電圧が高電圧バッテリ５０の出力電圧よりも低い蓄電池（例えば鉛蓄電池）である。

インターフェース４４は、高電圧バッテリ５０、第１，第２のインバータ１２，２２、昇圧コンバータ３０及び第1，第２のモータジェネレータ１０，２０を備える高電圧システムと、低電圧バッテリ４２及び制御装置４０を備える低電圧システムとの間を電気的に絶縁しつつ、これらシステム間の信号の伝達を行う機能を有する。本実施形態において、インターフェース４４は、フォトカプラを備えている。なお、本実施形態において、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬと、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨとは相違している。特に、本実施形態では、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨが高電圧バッテリ５０の負極端子の電位に設定され、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬが高電圧バッテリ５０の正極端子の電位及び負極端子の電位との中央値である車体電位に設定されている。

続いて、図４及び図５を用いて、各スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃を駆動する駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃に対して駆動用電圧を供給する絶縁電源装置について説明する。

本実施形態では、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０を、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組（「第１の電力変換回路」に相当）と、第２のインバータ２２（「第２の電力変換回路」に相当）とに分ける。そして、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組に対応して第１の電源ＩＣ５２を設け、第２のインバータ２２に対応して第２の電源ＩＣ５４を設ける。そして、第１の電源ＩＣ５２によって上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと、第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎとに供給される駆動用電圧を制御し、第２の電源ＩＣ５４によって第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎに供給される駆動用電圧を制御する。

まず、図４に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を示す。

図４に示す絶縁電源装置は、第１〜第８のトランス６１〜６８、第１〜第８のダイオード８１ａ〜８８ａ、第１〜第８のコンデンサ８１ｂ〜８８ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第１の電圧制御用スイッチング素子１００）及び第１の平滑コンデンサ１０２を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第１〜第８のコンデンサ８１ｂ〜８８ｂ及び第１の平滑コンデンサ１０２として、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第５〜第８のトランス６５〜６８のそれぞれが「下アーム用トランス」に相当する。さらに、図４には、第２のトランス６２の備える端子Ｔ１ｐ，Ｔ１ｎ，Ｔ２ｐ，Ｔ２ｎが記載されているが、これら端子については、後に詳述する。

上アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第１のトランス６１は、上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに対して駆動用電圧を供給し、第２のトランス６２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐに対して駆動用電圧を供給する。また、第３のトランス６３は、第１のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｐに対して駆動用電圧を供給し、第４のトランス６４は、第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。

一方、下アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第５のトランス６５は、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎに対して駆動用電圧を供給し、第６のトランス６６は、第１のＵ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎに対して駆動用電圧を供給する。また、第７のトランス６７は、第１のＶ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｎに対して駆動用電圧を供給し、第８のトランス６８は、第１のＷ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。

低電圧バッテリ４２の正極端子は、第１〜第８のトランス６１〜６８を構成する第１〜第８の１次側コイル６１ａ〜６８ａの並列接続体と、第１の電圧制御用スイッチング素子１００とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第１の電圧制御用スイッチング素子１００は、自身がオン操作されることにより、第１〜第８の１次側コイル６１ａ〜６８ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第１の電圧制御用スイッチング素子１００を含む閉回路を形成可能なように設けられている。

各駆動回路には、各トランスからダイオード及びコンデンサを介して電圧が供給される。ここで、第１のトランス６１を例にして説明すると、第１のトランス６１を構成する第１の２次側コイル６１ｂは、第１のダイオード８１ａ及び第１のコンデンサ８１ｂを介して上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに接続されている。

第１の電源ＩＣ５２は、１つの集積回路であり、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第１の電圧制御用スイッチング素子１００をオンオフ操作する。本実施形態では、第１の電源ＩＣ５２及び第１の電圧制御用スイッチング素子１００を備えて第１の電源制御部ＣＴ１が構成されている。なお、本実施形態では、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１として、第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐの印加電圧の検出値を用いた。この検出値は、実際には、高電圧システム及び低電圧システム間を電気的に絶縁しつつ信号伝達が可能なフォトカプラ等によって第１の電源ＩＣ５２に伝達される。

ちなみに、第１，第５のトランス６１，６５の巻数比（２次側コイルの巻数を１次側コイルの巻数で除算した値）は、第２〜第４のトランス６２〜６４及び第６〜第８のトランス６６〜６８の巻数比よりも大きく設定されている。これは、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎをオン状態に切り替えるための上，下アーム昇圧スイッチング素子のゲートに供給すべき充電電流が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃をオン状態に切り替えるための第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲートに供給すべき充電電流よりも大きく設定されているためである。すなわち、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのゲート充電電荷量Ｑｇ（Gate charge capacity）が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲート充電電荷量Ｑｇよりも大きく設定されているためである。

続いて、図５に、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置を示す。

図５に示す絶縁電源装置は、第９〜第１４のトランス６９〜７４、第９〜第１４のダイオード８９ａ〜９４ａ、第９〜第１４のコンデンサ８９ｂ〜９４ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第２の電圧制御用スイッチング素子１０４）及び第２の平滑コンデンサ１０６を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第９〜第１４のコンデンサ８９ｂ〜９４ｂ及び第２の平滑コンデンサ１０６として、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第９〜第１１のトランス６９〜７１のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第１２〜第１４のトランス７２〜７４のそれぞれが「下アーム用トランス」に相当する。

上アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第９のトランス６９は、第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに対して駆動用電圧を供給し、第１０のトランス７０は、第２のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｐに対して駆動用電圧を供給し、第１１のトランス７１は、第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。

一方、下アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第１２のトランス７２は、第２のＵ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎに対して駆動用電圧を供給し、第１３のトランス７３は、第２のＶ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｎに対して駆動用電圧を供給し、第１４のトランス７４は、第２のＷ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。

低電圧バッテリ４２の正極端子は、第９〜第１４のトランス６９〜７４を構成する第９〜第１４の１次側コイル６９ａ〜７４ａの並列接続体と、第２の電圧制御用スイッチング素子１０４とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第２の電圧制御用スイッチング素子１０４は、自身がオン操作されることにより、第９〜第１４の１次側コイル６９ａ〜７４ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第２の電圧制御用スイッチング素子１０４を含む閉回路を形成可能なように設けられている。

各駆動回路には、各トランスからダイオード及びコンデンサを介して電圧が供給される。ここで、第９のトランス６９を例にして説明すると、第９のトランス６９を構成する第９の２次側コイル６９ｂは、第９のダイオード８９ａ及び第９のコンデンサ８９ｂを介して第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに接続されている。

第２の電源ＩＣ５４は、１つの集積回路であり、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第２の電圧制御用スイッチング素子１０４をオンオフ操作する。本実施形態では、第２の電源ＩＣ５４及び第２の電圧制御用スイッチング素子１０４を備えて第２の電源制御部ＣＴ２が構成されている。また、本実施形態では、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２として、第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐの印加電圧の検出値を用いている。この検出値は、実際には、高電圧システム及び低電圧システム間を電気的に絶縁しつつ信号伝達が可能なフォトカプラ等によって第２の電源ＩＣ５４に伝達される。

ここで、本実施形態では、第１〜第１４の１次側コイル６１ａ〜７４ａの巻数は、互いに同一に設定されている。コイル６１ｂ〜６８ｂの巻数と同一に設定されている。これにより、第１〜第１４の１次側コイル６１ａ〜７４ａのインダクタンスＬは、互いに同一とされている。これは、１次側コイルから伝播する磁束の低減効果を高めることを狙ったものである。この効果については、後述する。

続いて、図６を用いて、本実施形態にかかる駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の詳細について説明する。本実施形態では、これら駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の構成が基本的には同一である。このため、駆動回路の構成について、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐを例にして説明する。

第２のダイオード８２ａ及び第２のコンデンサ８２ｂの接続点は、図６に示す第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第１の端子Ｔ１に接続されている。一方、第２の２次側コイル６２ｂ及び第２のコンデンサ８２ｂの接続点は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第２の端子Ｔ２に接続されている。

第１の端子Ｔ１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、充電用スイッチング素子１０８）、充電用抵抗体１１０、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第３の端子Ｔ３を介して、ゲート端子Ｇｐに接続されている。また、ゲート端子Ｇｐは、第３の端子Ｔ３、放電用抵抗体１１２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、放電用スイッチング素子１１４）、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第４の端子Ｔ４を介して、ケルビンエミッタ端子ＫＥｐに接続されている。さらに、第２の端子Ｔ２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐ内において、第４の端子Ｔ４に短絡されている。

第１の￥相上アーム感温ダイオードＳＤ１Ｕｐのアノード端子Ａｐ，カソード端子Ｋｐは、第６の端子Ｔ６，第７の端子Ｔ７を介して駆動制御部１１６に取り込まれる。上記感温ダイオードＳＤ１Ｕｐに対して図示しない定電流電源から定電流が供給されることにより、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐの実際の温度（以下、素子温度）が高いほど、感温ダイオードＳＤ１Ｕｐの端子間電圧が低くなるような上記端子間電圧が駆動制御部１１６に取り込まれる。

第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐは、駆動制御部１１６を備えている。駆動制御部１１６は、制御装置４０からインターフェース４４を構成する第１のフォトカプラ４４ａを介して入力される操作信号ｇ１Ｕｐに基づき、充電用スイッチング素子１０８及び放電用スイッチング素子１１４の操作による充電処理及び放電処理を交互に行うことで第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。詳しくは、充電処理は、操作信号ｇ1Ｕｐがオン操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１１４をオフ操作し、また、充電用スイッチング素子１０８をオン操作する処理である。一方、放電処理は、操作信号ｇ１Ｕｐがオフ操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１１４をオン操作に切り替え、また、充電用スイッチング素子１０８をオフ操作に切り替える処理である。これにより、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。

駆動制御部１１６は、また、ローカルシャットダウン処理を行う。この処理は、感温ダイオードＳＤ１Ｕｐの端子間電圧から算出された素子温度が閾値温度を超えたと判断された場合、スイッチング素子Ｓ１Ｕｐが過熱状態であるとしてスイッチング素子Ｓ１Ｕｐの駆動を強制的に停止させる処理である。

駆動制御部１１６は、さらに、ローカルシャットダウン処理が行われた場合、スイッチング素子Ｓ１Ｕｐに異常が生じている旨をフェール信号ＦＬとして、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第８の端子Ｔ８と、インターフェース４４を構成する第２のフォトカプラ４４ｂとを介して、制御装置４０に伝達する処理も行う。

駆動制御部１１６は、加えて、上記素子温度を時比率信号（Ｄｕｔｙ信号ＤＳ）に変換して制御装置４０に伝達する処理を行う。ここで、Ｄｕｔｙ信号ＤＳは、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第９の端子Ｔ９と、インターフェース４４を構成する第３のフォトカプラ４４ｃを介して、制御装置４０に伝達される。

続いて、図７を用いて、モジュールＭｃ，Ｍ１￥，Ｍ２￥とともに基板１１８に実装される第１〜第１４のトランス６１〜７４の構成について説明する。本実施形態では、これらトランス６１〜７４の構成が同一である。このため、これらトランス６１〜７４について、主に、第２のトランス６２を例にして説明する。なお、図７は、第２のトランス６２の平面図である。

図示されるように、第２のトランス６２は、基板１１８の板面の正面視において矩形状をなしている。第２のトランス６２は、第２の１次側コイル６２ａ及び第２の２次側コイル６２ｂに加えて、「入力端子」としての入力側正極端子Ｔ１ｐ、「出力端子」としての入力側負極端子Ｔ１ｎ、出力側正極端子Ｔ２ｐ、出力側負極端子Ｔ２ｎ、並びに第２の１次側コイル６２ａ及び第２の２次側コイル６２ｂがボビンを介して巻回された図示しないコアを有している。入力側正極端子Ｔ１ｐは、第２の１次側コイル６２ａの一端に接続され、入力側負極端子Ｔ１ｎは、第２の１次側コイル６２ａの他端に接続されている。入力側正極端子Ｔ１ｐは、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続され、入力側負極端子Ｔ１ｎは、第１の電圧制御用スイッチング素子１００のドレインに接続されている。また、出力側正極端子Ｔ２ｐは、第２のダイオード８２ａのアノードに接続され、出力側負極端子Ｔ２ｎは、第２の２次側コイル６２ｂ及び第２のコンデンサ８２ｂの接続点に接続されている。

ここで、本実施形態において、第１〜第１４のトランス６１〜７４のそれぞれは、入力側正極端子Ｔ１ｐから入力側負極端子Ｔ１ｎに向かって１次側コイルの巻方向が互いに同一となるように構成されている。特に本実施形態では、これらトランス６１〜７４のそれぞれにおいて、１次側コイルに電流が流れている場合、１次側コイルの両端のうち入力側正極端子Ｔ１ｐ側の端部が磁束の入口となり、入力側負極端子Ｔ１ｎ側の端部が磁束の出口となるように上記巻方向が設定されている。

続いて、図８を用いて、基板１１８におけるトランス等の配置手法について説明する。なお、図８では、トランスの備える出力側正極端子Ｔ２ｐ及び出力側負極端子Ｔ２ｎ等の図示を省略している。

図示されるように、基板１１８は、矩形状をなす多層基板であり、一対の外層（第１面、及び第１面の裏面である第２面）と、一対の外層で挟まれた複数の内層とを有している。昇圧上アーム接続部Ｔｃｐ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ（以下、第１の上アーム用接続部）は、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶように基板１１８に設けられている。また、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐ（￥＝Ｕ，Ｖ，Ｗ）は、基板１１８の板面に平行な面において延びる方向であって、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向と直交する方向における基板１１８の中央部に設けられている。

一方、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ（以下、第２の上アーム用接続部）は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に並ぶように基板１１８に設けられている。また、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐは、基板１１８の板面に平行な面において延びる方向であって、これら接続部Ｔ２￥ｐが並ぶ方向と直交する方向における基板１１８の中央部に設けられている。そして、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐと、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとは、基板１１８の第１面の正面視において、直列に設けられている。

昇圧下アーム接続部Ｔｃｎ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ（以下、第１の下アーム用接続部）は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。また、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎは、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐと並列に設けられている。また、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎ（以下、第２の下アーム用接続部）は、基板１１８の第１面の正面視において、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。また、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎは、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐと並列に設けられている。そして、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎと、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとは、基板１１８の第１面の正面視において、直列に設けられている。

昇圧上，下アーム接続部Ｔｃｐ，Ｔｃｎには、基板１１８の第２面側から昇圧モジュールＭｃが取り付けられることにより、昇圧モジュールＭｃのゲート端子Ｇｐ，Ｇｎが接続されている（図３参照）。また、第１の￥相上，下アーム接続部Ｔ１￥ｐ，Ｔ１￥ｎには、基板１１８の第２面側から第１の￥相モジュールＭ１￥が取り付けられることにより、第１の￥相モジュールＭ１￥のゲート端子Ｇｐ，Ｇｎが接続されている。さらに、第２の￥相上，下アーム接続部Ｔ２￥ｐ，Ｔ２￥ｎには、基板１１８の第２面側から第２の￥相モジュールＭ２￥が取り付けられることにより、第２の￥相モジュールＭ２￥のゲート端子Ｇｐ，Ｇｎが接続されている。これにより、各スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃のゲート，エミッタと、対応する各駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃の第３の端子Ｔ３，第４の端子Ｔ４とが接続されることとなる。

第１の電源制御部ＣＴ１に対応する第１〜第４のトランス６１〜６４は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐに対して、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとは反対側の領域に設けられている。第１〜第４のトランス６１〜６４は、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。

なお、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐと、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６１〜６４との間の領域には、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１￥ｐが、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に設けられている。

第１の電源制御部ＣＴ１は、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６１〜６４に対して、一列に並ぶ第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第１〜第４のトランス６１〜６４は、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第１の電源制御部ＣＴ１と向かい合うように設けられている。

第１の電源制御部ＣＴ１に対応する第５〜第８のトランス６５〜６８は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎに対して、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとは反対側の領域に設けられている。第５〜第８のトランス６５〜６８は、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。ここで、第５〜第８のトランス６５〜６８は、基板１１８の第１面の正面視において、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとは反対側を向くように設けられている。

なお、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎと、一列に並ぶ第５〜第８のトランス６５〜６８との間の領域には、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎが、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎが並ぶ方向に一列に設けられている。

一方、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する第９〜第１１のトランス６９〜７１は、基板１１８の第１面の正面視において、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐに対して、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎとは反対側の領域に設けられている。第９〜第１１のトランス６９〜７１は、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。

なお、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐと、一列に並ぶ第９〜第１１のトランス６９〜７１との間の領域には、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒ２￥ｐが、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐが並ぶ方向に一列に設けられている。

第２の電源制御部ＣＴ２は、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第９〜第１１のトランス６９〜７１に対して、一列に並ぶ第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第９〜第１１のトランス６９〜７１は、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第２の電源制御部ＣＴ２と向かい合うように設けられている。

第２の電源制御部ＣＴ２に対応する第１２〜第１４のトランス７２〜７４は、基板１１８の第１面の正面視において、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎに対して、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐとは反対側の領域に設けられている。第１２〜第１４のトランス７２〜７４は、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。ここで、第１２〜第１４のトランス７２〜７４は、基板１１８の第１面の正面視において、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎとは反対側を向くように設けられている。

なお、基板１１８の第１面の正面視において、一列に並ぶ第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎと、一列に並ぶ第１２〜第１４のトランス７２〜７４との間の領域には、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒ２￥ｎが、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎが並ぶ方向に一列に設けられている。

低電圧バッテリ４２は、基板１１８の第１面の正面視において、第１，第２の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐ，Ｔ２￥ｐに対して、第１，第２の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎ，Ｔ２￥ｎとは反対側の領域に設けられている。本実施形態では、特に、第１の電源制御部ＣＴ１及び第２の電源制御部ＣＴ２の間に低電圧バッテリ４２が設けられている。

第１〜第８のトランス６１〜６８の入力側正極端子Ｔ１ｐ同士と、低電圧バッテリ４２の正極端子とは、基板１１８に形成された第１の配線パターンＬ１（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第１の配線パターンＬ１は、基板１１８の第１面の正面視において、低電圧バッテリ４２の正極端子から、第１の領域、第２の領域及び第３の領域を通って、第５〜第８のトランス６５〜６８の入力側正極端子Ｔ１ｐまで延びるように形成されている。ここで、第１の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６１〜６４とに挟まれた領域のことである。また、第２の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐのうち、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向において基板１１８の一辺（図中、低電圧バッテリ４２の位置を基板１１８の上側とした場合における基板１１８の左側の一辺）に最も近い昇圧上アーム接続部Ｔｃｐと、上記一辺とで挟まれる領域のことである。さらに、第３の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第５〜第８のトランス６５〜６８に対して、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとは反対側の領域のことである。

第１の領域において、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれの入力側正極端子Ｔ１ｐと低電圧バッテリ４２の正極端子とが第１の配線パターンＬ１によって接続されている。第３の領域において、第５〜第８のトランス６５〜６８のそれぞれの入力側正極端子Ｔ１ｐと低電圧バッテリ４２の正極端子とが第１の配線パターンＬ１によって接続されている。

なお、第１〜第５のトランス６１〜６４の入力側負極端子Ｔ１ｎ同士は、基板１１８に設けられた第２の配線パターンＬ２（図中破線にて記載）によって接続されている。

一方、第９〜第１４のトランス６９〜７４の入力側正極端子Ｔ１ｐ同士と、低電圧バッテリ４２の正極端子とは、基板１１８に形成された第３の配線パターンＬ３（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第３の配線パターンＬ３は、基板１１８の第１面の正面視において、低電圧バッテリ４２の正極端子から、第４の領域、第５の領域及び第６の領域を通って、第１２〜第１４のトランス７２〜７４の入力側正極端子Ｔ１ｐまで延びるように形成されている。ここで、第４の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２と、一列に並ぶ第９〜第１１のトランス６９〜７１とに挟まれた領域のことである。また、第５の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第２の上アーム用接続部Ｔ２￥ｐのうち、これら接続部Ｔ２￥ｐが並ぶ方向において基板１１８の一辺（図中、基板１１８の右側の一辺）に最も近い第２のＷ相上アーム接続部Ｔ２Ｗｐと、上記一辺とで挟まれる領域のことである。さらに、第６の領域とは、基板１１８の第１面の正面視において、第１２〜第１４のトランス７２〜７４に対して、第２の下アーム用接続部Ｔ２￥ｎとは反対側の領域のことである。

第４の領域において、第９〜第１１のトランス６９〜７１のそれぞれの入力側正極端子Ｔ１ｐと低電圧バッテリ４２の正極端子とが第３の配線パターンＬ３によって接続されている。第６の領域において、第１２〜第１４のトランス７２〜７４のそれぞれの入力側正極端子Ｔ１ｐと低電圧バッテリ４２の正極端子とが第３の配線パターンＬ３によって接続されている。

なお、第９〜第１４のトランス６９〜７４の入力側負極端子Ｔ１ｎ同士は、基板１１８に設けられた第４の配線パターンＬ４（図中破線にて記載）によって接続されている。

ちなみに、本実施形態において、第１の配線パターンＬ１及び第２の配線パターンＬ２のそれぞれは、基板１１８の互いに異なる内層に形成されている。このため、図８において、第１の配線パターンＬ１及び第２の配線パターンＬ２の交差部分が存在するが、この交差部分においてこれら配線パターンＬ１，Ｌ２が電気的に接続されているわけではない。このことは、第３の配線パターンＬ３及び第４の配線パターンＬ４についても同様である。

第１の平滑コンデンサ１０２は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の領域であってかつ、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６１〜６４の中央付近に設けられている。第１の平滑コンデンサ１０２の上述した設置手法は、後述する磁界打消し効果を高めるために採用した。つまり、上記配置手法により、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれの入力側正極端子Ｔ１ｐと、第１の平滑コンデンサ１０２とを接続する配線パターンの長さのばらつきを抑制することができる。このため、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれと第１の平滑コンデンサ１０２とを接続する配線パターンの抵抗値のばらつきを抑制することができる。これにより、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれを構成する１次側コイルに流れる電流値のばらつきを抑制でき、ひいては第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれの１次側コイルが発生する磁界の強さのばらつきを抑制することができる。

なお、第２の平滑コンデンサ１０６は、磁界打消し効果を高めるべく、基板１１８の第１面の正面視において、第４の領域であってかつ、一列に並ぶ第９〜第１１のトランス６９〜７１の中央付近に設けられている。

ここで、本実施形態では、図９に示すように、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれを、基板１１８の第１面の正面視において、第１〜第４の１次側コイル６１ａ〜６４ａの中心軸線Ｌα（１次側コイルの長手方向に延びる無限の長さの軸線）が第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐの並ぶ方向に一致するように基板１１８に設けている。特に本実施形態では、第１〜第４の１次側コイル６１ａ〜６４ａのそれぞれの中心軸線Ｌαが一致するように、第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれを基板１１８に設けた。なお、図９は、先の図８のうち第１〜第４のトランス６１〜６４付近の拡大図である。

こうした構成によれば、第１のトランス６１及び第２のトランス６２を「対象トランス」として機能させることができる。これにより、第１の１次側コイル６１ａの両端のうち入力側正極端子Ｔ１ｐの端部に流れ込もうとする磁束と、第２の１次側コイル６２ａの両端のうち入力側負極端子Ｔ１ｎ側から周囲に流れようとする磁束とが打ち消し合おうとする磁界打消し効果が得られる。このため、第１，第２の１次側コイル６１ａ，６２ａから発生する磁界のうち、これら１次側コイル６１ａ，６２ａが対向する側から周囲へと伝播する磁界を好適に低減させることができる。

本実施形態では、第２のトランス６２及び第３のトランス６３、並びに第３のトランス６３及び第４のトランス６４についても対象トランスとして機能させることができる。また、第５〜第８のトランス６５〜６８のうち隣り合うトランス、第９〜第１１のトランス６９〜７１のうち隣り合うトランス、及び第１２〜第１４のトランス７２〜７４のうち隣り合うトランスについても対象トランスとして機能させることができる。

上述した磁界の低減効果により、磁界が低減されたトランス間にインターフェース４４を構成するフォトカプラ４４ａ〜４４ｃを設けることができる。これについて、図１０を用いて説明する。なお、図１０は、先の図８のうち第１〜第３のトランス６１〜６３付近の拡大図である。

図示されるように、基板１１８の第１面の正面視において、第１のトランス６１及び第２のトランス６２の間、並びに第２のトランス６２及び第３のトランス６３の間にフォトカプラを設けることができる。なお、図１０では、トランス間に設けるフォトカプラとして、第１のフォトカプラ４４ａを例示した。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

（１）第１の電源ＩＣ５２が制御主体となる絶縁電源装置において、上アーム用トランスである第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれを、これらトランス６１〜６４のそれぞれを構成する第１〜第４の１次側コイル６１ａ〜６４ａに電流が流れている状態において、第１〜第４のトランス６１〜６４のうち隣り合うトランスのそれぞれを構成する１次側コイルの端部が互いに入力側正極端子Ｔ１ｐ側及び入力側負極端子Ｔ１ｎとなるように、基板１１８に設けた。このため、第１〜第４の１次側コイル６１ａ〜６４ａから周囲に伝播する磁界を好適に低減させることができる。これにより、トランスの周囲を磁気シールドで囲うことなく、磁界に起因したノイズを低減させることができ、ひいては絶縁電源装置の誤作動を回避することができる。

特に、本実施形態では、基板１１８の第１面の正面視において第１〜第４のトランス６１〜６４のそれぞれを構成する１次側コイル６１ａ〜６４ａの中心軸線Ｌαを互いに一致させたことが、第１〜第４のトランス６１〜６４のうち隣り合うトランス間における磁界打消し効果を高め、１次側コイルから周囲に伝播する磁界の低減効果を大きくすることに寄与している。

なお、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置を構成する第９〜第１１のトランス６９〜７１についても、同様な磁界低減効果を得ることができる。

（２）第１の電源ＩＣ５２が制御主体となる絶縁電源装置において、下アーム用トランスである第５〜第８のトランス６５〜６８のそれぞれを、基板１１８の第１面の正面視において、これらトランス６５〜６８のそれぞれを構成する１次側コイル６５ａ〜６８ａの中心軸線Ｌαが互いに一致するように基板１１８に設けた。このため、第５〜第８の１次側コイル６５ａ〜６８ａから周囲に伝播する磁界を好適に低減させることができる。なお、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置を構成する第１２〜第１４のトランス７２〜７４についても、同様な磁界低減効果を得ることができる。

（３）第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置において、第１〜第４のトランス６１〜６４及び低電圧バッテリ４２のそれぞれを、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐに対して第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとは反対側の領域に設けた。また、第５〜第９のトランス６５〜６９のそれぞれを、基板１１８の第１面の正面視において、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎに対して第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとは反対側の領域に設けた。こうした構成では、下アーム用トランスを構成する１次側コイルに電流を供給するための第１の配線パターンＬ１が長くなる。このため、低電圧バッテリ４２、第１の配線パターンＬ１、１次側コイル、第２の配線パターンＬ２及び第１の電圧制御用スイッチング素子１００を備えるループ回路が大きくなり、上記ループ回路を磁束が通過することに起因したノイズが生じやすい。したがって、上記ループ回路が大きくなりやすい本実施形態は、磁界打消し効果を奏することのできる構成を採用するメリットが大きい。なお、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置についても同様である。

（４）昇圧コンバータ３０を構成する第１のトランス６１と、第１のインバータ１２を構成する第２のトランス６２とを隣り合うように配置した。また、昇圧コンバータ３０を構成する第５のトランス６５と、第１のインバータ１２を構成する第６のトランス６６とを隣り合うように配置した。このため、第１のトランス６１及び第２のトランス６２、並びに第５のトランス６５及び第６のトランス６６のそれぞれについて、磁界打消し効果を得ることができる。これにより、基板１１８上において、磁界の打消し効果を奏することのできる面積を拡大することができる。

特に、本実施形態では、１次側コイルが互いに並列接続される構成において、昇圧コンバータ３０及び第１のインバータ１２のそれぞれを構成する１次側コイルへの通電を、共通の電源制御部である第１の電源制御部ＣＴ１によって制御した。これは、例えば、第１の１次側コイル６１ａの磁束発生タイミングと、第２の１次側コイル６２ａの磁束発生タイミングとを同期させることを狙ったものである。こうした構成によれば、磁界打消し効果を高めることができる。

なお、上述した効果は、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置についても同様である。

（５）第１〜第３のフォトカプラ４４ａ〜４４ｃを、基板１１８の第１面の正面視において、隣り合う対象トランスの間に設けた。こうした構成によれば、素子温度、フェール信号ＦＬ、及び操作信号ｇｃ＃，ｇ１￥＃，ｇ２￥＃の伝達精度が低下する等、第１〜第３のフォトカプラ４４ａ〜４４ｃの誤作動を回避することができる。

（６）第１〜第８の１次側コイル６１ａ〜６８ａを互いに並列接続し、第９〜第１４の１次側コイル６９ａ〜７４ａを互いに並列接続した。そして、第１〜第１４の１次側コイル６１ａ〜７４ａのインダクタンスＬを互いに同一の値に設定した。これにより、１次側コイルに電流が流れている場合において、隣り合う１次側コイルで発生する磁界の強さを近づけることができる。このため、磁界打消し効果を高めることができる。

（７）第１の平滑コンデンサ１０２及び第２の電圧制御用スイッチング素子１０４を先の図８に示した態様で配置した。こうした構成によれば、磁界打消し効果を高めることができる。

（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、図１１に示すように、第１〜第３のフォトカプラ４４ａ〜４４ｃの配置位置を、基板１１８の第２面側（裏側）とする。ここで、図１１は、先の図８において、第１〜第３のトランス６１〜６３付近を基板１１８の第２面側から見た図である。こうした構成のため、本実施形態では、基板１１８の第１面において、隣り合う対象トランスの間にフォトカプラ等の電子部品が実装されていない。

以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図１２に、本実施形態にかかる基板１１８の平面図を示す。なお、図１２において、先の図８に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

図示されるように、本実施形態では、第４のトランス６４及び第９のトランス６９を磁界打消し効果が得られるように近づけて基板１１８に設けるとともに、第８のトランス６８及び第１２のトランス７２を磁界打消し効果が得られるように近づけて基板１１８に設けた。

以上説明した本実施形態によれば、上記第１の実施形態で得られる効果に加えて、第１のインバータ１２を構成する第４，第８のトランス６４，６８と、第２のインバータ２２を構成する第９，第１２のトランス６９，７２との間についても、磁界打消し効果を得ることができる。

（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、第１の￥相下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｎのそれぞれに対して共通の下アーム用トランスによって駆動用電圧を供給する。また、第２のＵ，Ｖ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎのそれぞれに対して共通の下アーム用トランスによって駆動用電圧を供給する。本実施形態では、第２のＵ，Ｖ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎのそれぞれに対して駆動用電圧を供給するトランスを第１５のトランス７５と称し、第１の￥相下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｎのそれぞれに対して駆動用電圧を供給するトランスを第１６のトランス７６と称すこととする。

ここで、図１３を用いて、共通の下アーム用トランスの構成について、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置を例にして説明する。なお、図１３において、先の図５に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

図示されるように、第１５のトランス７５は、第１５の１次側コイル７５ａ及び第１５の２次側コイル７５ａを備えている。第１５のトランス７５は、第１５のダイオード９５ａ及び第１５のコンデンサ９５ｂを介して、第２のＵ，Ｖ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎに対して駆動用電圧を供給する。

図１４に、本実施形態にかかる基板１１８の平面図を示す。なお、図１４において、先の図８に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

図示されるように、本実施形態では、第７，第８のトランス６７，６８が除去されるとともに、第６のトランス６６に代えて、第１６のトランス７６が設けられている。また、第１２のトランス７２が除去されるとともに、第１３のトランス７３に代えて、第１５のトランス７５が設けられている。

以上説明した本実施形態によれば、下アーム用トランスのうち、第５，第１６のトランス６５，７６の間と、第１４，第１５のトランス７４，７５との間については、磁界打消し効果を得ることができる。

（第５の実施形態）
以下、第５の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、基板１１８におけるトランス等の配置位置を変更する。

図１５に、本実施形態にかかる基板１１８の平面図を示す。なお、図１５において、先の図８に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。また、本実施形態において、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置と、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置とは、基本的には同一構成である。このため、本実施形態では、主に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を例にして説明する。

図示されるように、基板１１８の第１面の正面視において、基板１１８の中央部には、第１の電源制御部ＣＴ１及び第２の電源制御部ＣＴ２が並ぶように設けられている。また、基板１１８の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが基板１１８の端部に一列に並ぶように設けられている。また、基板１１８の第１面の正面視において、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎが、第１の電源制御部ＣＴ１を挟んで第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとは反対側の基板１１８の端部に一列に並ぶように設けられている。

第１〜第４のトランス６１〜６４は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとで挟まれる領域に、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように、かつ第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に設けられている。ここで、第１〜第４のトランス６１〜６４は、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第１の電源制御部ＣＴ１と向かい合うように設けられている。

なお、上記挟まれる領域において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１￥ｐは、第１〜第４のトランス６１〜６４と、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐとの間に、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐが並ぶ方向に一列に設けられている。

第５〜第８のトランス６５〜６８は、基板１１８の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとで挟まれる領域に、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように、かつ第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎが並ぶ方向に一列に設けられている。ここで、第５〜第８のトランス６５〜６８は、入力側正極端子Ｔ１ｐ及び入力側負極端子Ｔ１ｎが第１の電源制御部ＣＴ１と向かい合うように設けられている。

なお、上記挟まれる領域において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎは、第５〜第８のトランス６５〜６８と、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎとの間に、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎが並ぶ方向に一列に設けられている。

また、本実施形態において、第１，第２の平滑コンデンサ１０２，１０６は、図示しないが、上記第１の実施形態の（７）の効果を得られるように基板１１８の第１面に設けられている。

詳しくは、第１の平滑コンデンサ１０２は、基板１１８の第１面の正面視において、第１〜第４のトランス６１〜６４と第１の電源制御部ＣＴ１とに挟まれる領域であってかつ、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６１〜６４の中央付近に設けられている。また、第２の平滑コンデンサ１０６は、基板１１８の第１面の正面視において、第９〜第１１のトランス６９〜７１と第２の電源制御部ＣＴ２とに挟まれる領域であってかつ、一列に並ぶ第９〜第１１のトランス６９〜７１の中央付近に設けられている。

ちなみに、本実施形態では、先の図２及び図３に示したモジュールではなく、各スイッチング素子Ｓｃ￥，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃のそれぞれが各別に内蔵されたモジュールを用いることとなる。

以上説明した本実施形態によれば、上記第１の実施形態の（１），（２），（４）〜（７）の効果を得ることはできる。

（その他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

・「下アーム用トランス」としては、上記第４の実施形態に例示したものに限らない。例えば、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０を構成する全ての下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎのそれぞれについての共通のトランスであってもよい。また、例えば、第２のインバータ２２を構成する全ての下アーム用スイッチング素子Ｓ２￥ｎのそれぞれについての共通のトランスであってもよい。

・上記各実施形態では、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する全ての上アーム用トランス６１〜６４の組を対象トランスとしたがこれに限らない。例えば、第１のトランス６１及び第２のトランス６２等、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する一部の上アーム用トランスを対象トランスとしてもよい。なお、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用トランスについても同様である。また、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上，下アーム用トランスについても同様である。

・上記各実施形態では、隣り合う対象トランスのそれぞれを構成する１次側コイルの中心軸線を一致させたがこれに限らない。例えば、磁界打消し効果が得られるのであれば、隣り合う中心軸線同士のなす角度が１８０°以外である等、中心軸線を一致させなくてもよい。

・上記第１の実施形態において、例えば、第２のトランス６２及び第３のトランス６３間のみを対象トランスとする等、上アーム用トランスの一部を対象トランスとしてもよい。この場合であっても、例えば、第２の１次側コイル６２ａ及び第３の１次側コイル６３ａから周囲に伝播する磁界を低減させることはできる。

・「平滑コンデンサ」の配置手法としては、上記第１の実施形態の図８に例示したものに限らない。例えば、図８において、第１の平滑コンデンサ１０２を、基板１１８の第１面の正面視において、第３の領域であってかつ、一列に並ぶ下アーム用トランスである第５〜第８のトランス６５〜６８の中央付近に設けてもよい。

・上記第１の実施形態において、第１〜第１４の１次側コイル６１ａ〜７４ａのうち、一部の隣り合う対象トランスについて、１次側コイルのインダクタンスを同一に設定してもよい。この場合であっても、インダクタンスが同一に設定された１次側コイルを構成部品とする隣り合う対象トランスについては、磁界打消し効果を高めることはできる。

・上記第１の実施形態において、例えば、第１〜第８のトランス６１〜６８のそれぞれを構成する１次側コイルが直列接続される構成を採用してもよい。

・上記各実施形態において、先の図１に示したモータ制御システムから昇圧コンバータ３０を除去してもよい。この場合、第１のインバータ１２が「第１の電力変換回路」に相当することとなる。

・モータ制御システムとしては、２モータ制御システムに限らず、１モータ制御システムであってもよい。この場合、第１のモータジェネレータ１０及び第１のインバータ１２の組、並びに第２のモータジェネレータ２０及び第２のインバータ２２の組のうちいずれか１組と、昇圧コンバータ３０とを先の図１に示したモータ制御システムから除去することとなる。

・「絶縁伝達素子」としては、フォトカプラ等の光絶縁伝達素子に限らず、パルストランス等の磁気絶縁伝達素子であってもよい。

・「電圧供給対象」としては、スイッチング素子に限らず、例えばモータジェネレータの電気角を検出するレゾルバの励磁用回路であってもよい。

・「電力変換回路」としては、昇圧コンバータや３相インバータに限らない。例えば、ハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路等、他の電力変換回路であってもよい。また、「電力変換回路」を構成する「上アーム用スイッチング素子」及び「下アーム用スイッチング素子」としては、ＩＧＢＴに限らず、例えばＭＯＳＦＥＴであってもよい。

４２…低電圧バッテリ、６１〜７４…第１〜第１４のトランス。

Claims (13)

1. 直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６１ａ〜７４ａ；６１ａ〜６５ａ，６９ａ〜７１ａ，７４ａ〜７６ａ）、及び電圧供給対象（Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃）に対して駆動用電圧を供給可能な２次側コイル（６１ｂ〜７４ｂ；６１ｂ〜６５ｂ，６９ｂ〜７１ｂ，７４ｂ〜７６ｂ）を有するトランスであって、基板（１１８）に設けられたトランス（６１〜７４；６１〜６５，６９〜７１，７４〜７６）を複数備え、
   複数の前記トランスのうち少なくとも一対のトランスであって、前記基板の板面の正面視において隣り合うトランスである対象トランスのそれぞれは、前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに電流が流れている状態において、隣り合う前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルの端部が互いに向かい合うように、かつ互いに向かい合う前記端部のうち一方が磁束の入口側となり、他方が磁束の出口側となるように、前記基板に設けられている絶縁電源装置。
2. 上アーム用スイッチング素子（Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐ）及び下アーム用スイッチング素子（Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎ）の直列接続体を備える電力変換回路（１２，２２，３０）に適用され、
   前記電力変換回路は、複数の前記直列接続体の並列接続体を備え、
   前記電圧供給対象は、前記上アーム用スイッチング素子及び前記下アーム用スイッチング素子であり、
   前記トランスは、前記上アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な上アーム用トランス（６１〜６４，６９〜７１；６１〜６４，６９〜７１）、及び前記下アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な下アーム用トランス（６５〜６８，７２〜７４；６５，７４〜７６）であり、
   複数の前記上アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の上アーム用接続部（Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐ，Ｔ２￥ｐ）であって、前記基板の板面の正面視において一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記上アーム用接続部と、
   複数の前記下アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の下アーム用接続部（Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎ，Ｔ２￥ｎ）であって、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記下アーム用接続部と、
   をさらに備え、
   前記対象トランスのそれぞれは、前記基板の板面の正面視において、前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルの長手方向が複数の前記上アーム用接続部及び前記下アーム用接続部の並ぶ方向に一致するように、前記基板に設けられている請求項１記載の絶縁電源装置。
3. 複数の前記トランスのそれぞれは、前記１次側コイルの一端に接続されてかつ前記直流電源の正極端子側に接続される入力端子（Ｔ１ｐ）と、前記１次側コイルの他端に接続されてかつ前記直流電源の負極端子側に接続される出力端子（Ｔ１ｎ）とを有し、
   複数の前記トランスのそれぞれは、前記入力端子から前記出力端子に向かって巻方向が互いに同一となるように構成され、
   前記対象トランスのそれぞれは、前記基板の板面の正面視において、隣り合う前記対象トランスの一方の前記入力端子と他方の前記出力端子とが隣り合うように、前記基板に設けられている請求項２記載の絶縁電源装置。
4. 前記下アーム用トランスは、複数であり、また、複数の前記下アーム用スイッチング素子のうち少なくとも２つについての共通のトランスを含み、
   前記対象トランスは、複数の前記下アーム用トランスである請求項２又は３記載の絶縁電源装置。
5. 前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに前記直流電源の電圧を印加すべくオンオフ操作される電圧制御用スイッチング素子（１００，１０４）と、
   前記基板に設けられ、前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記直流電源を接続する配線パターン（Ｌ１，Ｌ３）と、
   をさらに備え、
   前記電圧制御用スイッチング素子は、自身がオン操作されることにより、前記直流電源、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する複数の前記１次側コイル、前記配線パターン、並びに前記電圧制御用スイッチング素子を含む閉回路を形成可能なように設けられ、
   一列に並ぶ複数の前記上アーム用接続部と、一列に並ぶ複数の前記下アーム用接続部とは、前記基板の板面の正面視において、並列に設けられ、
   前記上アーム用トランス及び前記直流電源のそれぞれは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部に対して複数の前記下アーム用接続部とは反対側の領域に設けられ、
   前記下アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部に対して複数の前記上アーム用接続部とは反対側の領域に設けられている請求項２〜４のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
6. 前記電圧制御用スイッチング素子、及び前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作する集積回路（５２，５４）を有し、前記基板に設けられた電源制御部（ＣＴ１，ＣＴ２）をさらに備え、
   前記電力変換回路は、複数であり、
   前記電源制御部は、複数の前記電力変換回路を２つに分けた場合のそれぞれに対応して個別に設けられた第１の電源制御部（ＣＴ１）及び第２の電源制御部（ＣＴ２）を含み、
   前記第１の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部（Ｔｃｐ，Ｔ１￥ｐ）と、前記第２の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部（Ｔ２￥ｐ）とは、前記基板の板面の正面視において、直列に設けられ、
   前記第１の電源制御部に対応する複数の前記下アーム用接続部（Ｔｃｎ，Ｔ１￥ｎ）と、前記第２の電源制御部に対応する複数の前記下アーム用接続部（Ｔ２￥ｎ）とは、前記基板の板面の正面視において、直列に設けられ、
   前記対象トランスは、
   前記第１の電源制御部に対応する全ての前記上アーム用トランスの組、及び前記第１の電源制御部に対応する全ての前記下アーム用トランスの組のうち少なくとも一方の組と、
   前記第２の電源制御部に対応する全ての前記上アーム用トランスの組、及び前記第２の電源制御部に対応する全ての前記下アーム用トランスの組のうち少なくとも一方の組と、を含む請求項５記載の絶縁電源装置。
7. 前記対象トランスは、
   前記第１の電源制御部に対応する前記トランスのうち、前記第２の電源制御部に対応する前記トランスと隣り合うトランスと、
   前記第２の電源制御部に対応する前記トランスのうち、前記第１の電源制御部に対応する前記トランスと隣り合うトランスと、を含む請求項６記載の絶縁電源装置。
8. 複数の前記電力変換回路は、車載主機としての主機回転機（２０）に接続された走行用電力変換回路（２２）と、車載バッテリ（５０）及び前記主機回転機のうち少なくとも一方に電力を供給すべく発電する発電用回転機（１０）に接続された発電用電力変換回路（１２）と、を含み、
   複数の前記電力変換回路を２つに分けた場合のそれぞれを第１の電力変換回路（１２，３０）及び第２の電力変換回路（２２）とし、
   前記第１の電力変換回路は、前記発電用電力変換回路を含み、
   前記第２の電力変換回路は、前記走行用電力変換回路を含み、
   前記第１の電源制御部は、前記第１の電力変換回路を制御対象とし、
   前記第２の電源制御部は、前記第２の電力変換回路を制御対象とする請求項６又は７記載の絶縁電源装置。
9. 前記基板に設けられ、前記直流電源及び前記１次側コイルの間に介在して前記直流電源の出力電圧を平滑化する平滑コンデンサ（１０２，１０６）をさらに備え、
   前記平滑コンデンサは、前記基板の板面の正面視において、一列に並ぶ複数の前記対象トランスの中央付近に設けられている請求項２〜８のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
10. 前記上アーム用トランスは、複数であり、また、複数の前記上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられ、
    前記下アーム用トランスは、複数であり、また、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられ、
    前記対象トランスは、複数の前記上アーム用トランス及び複数の前記下アーム用トランスである請求項２〜９のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
11. 前記基板は、第１の領域と、前記第１の領域とは基準電位の異なる第２の領域とを有し、
    前記基板に設けられ、前記第１の領域及び前記第２の領域の間を電気的に絶縁しつつ、前記第１の領域から前記第２の領域へと信号を伝達する絶縁伝達素子（４４ａ〜４４ｃ）をさらに備え、
    前記絶縁伝達素子は、前記基板の板面の正面視において、隣り合う前記対象トランスの間に設けられている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
12. 複数の前記トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルは、互いに並列接続されている請求項１〜１１のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
13. 隣り合う前記対象トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルのインダクタンスは、互いに同一の値に設定されている請求項１２記載の絶縁電源装置。

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