JP2016529835A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）セルにおいて、
   第１の電極を持つセルフロアと、
   前記第１の電極に対向する第２の電極を持ち、音響エネルギの送信又は受信中に振動するセル膜と、
   外面及び前記セル膜に対向する内面を持ち、前記セル膜に重なる音響レンズと、
   を有し、
   前記音響レンズが、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）の少なくとも１つの層を有する、ＣＭＵＴセル。
2. 前記音響レンズが、
   （ｉ）防湿バリア層、
   （ｉｉ）接着材料の層、
   （ｉｉｉ）無線周波数シールドとして機能するように結合された導電性材料の層、
   （ｉｖ）音響波集束層、
   （ｖ）前記外面として配置された耐久性外面層、
   の少なくとも１つを有する、請求項１に記載のＣＭＵＴセル。
3. 前記音響レンズが、少なくとも１つの液体の層を有する、請求項２に記載のＣＭＵＴセル。
4. 前記ポリジメチルシキロサンの層が、硬化及び未硬化ＰＤＭＳの一方である、請求項３に記載のＣＭＵＴセル。
5. 前記ポリジメチルシキロサンの層が、前記セル膜と接触する、請求項４に記載のＣＭＵＴセル。
6. 前記音響レンズが、少なくとも１つのゲルの層を有する、請求項１に記載のＣＭＵＴセル。
7. 前記ゲルの層が、シリコーンゲルである、請求項５に記載のＣＭＵＴセル。
8. 前記防湿バリア層が、ポリイミド、マイラー、ポリエチレン又はパリレンの１つから作成される、請求項２又は３のいずれか一項に記載のＣＭＵＴセル。
9. ポリイミド又はポリエチレンの一方から作成され、前記外面として配置された耐久性外面層を有する、請求項３及び５のいずれか一項に記載のＣＭＵＴセル。
10. 前記音響レンズが、前記外面に配置されたポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡＸ）で作られた層を有する、請求項１及び２のいずれか一項に記載のＣＭＵＴセル。
11. 酸化シリコンから作成された前記接着材料の層を有する、請求項３に記載のＣＭＵＴセル。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のＣＭＵＴセルを有する超音波撮像システム。