JP2016528782A - マイクロ波集積回路(mmic)電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
110 分配器
120 ベース増幅器
130 ピーキング増幅器
140 インピーダンスインバータ
150 出力結合ノード
160 負荷整合
Claims (36)
- マイクロ波集積回路(MMIC)であって、
基板と、
電力増幅器と、
を備え、前記電力増幅器は、
入力RF信号を受け取るように構成された入力部を有する、前記基板上の電力分配器回路と、
前記電力分配器回路の第1の出力部に結合された入力部を有する、前記基板上のベース増幅器と、
前記電力分配器回路の第2の出力部に結合された入力部と、出力結合ノードに結合された出力部とを有する、前記基板上のピーキング増幅器と、
前記ベース増幅器の前記出力部を前記出力結合ノードに結合する、前記基板上のインピーダンスインバータ回路と、
前記出力結合ノードに結合された入力部と、外部負荷に結合されるように構成された出力部とを有する、前記基板上の負荷整合回路と、
を含む、
ことを特徴とするMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、前記出力結合ノードを前記負荷に整合させるよりも、前記ベース増幅器及び前記ピーキング増幅器の負荷の最適化を優先する、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記出力結合ノードにおけるインピーダンスは、実質的に50オームと異なる、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、前記ベース増幅器の出力部と前記出力結合ノードとの間に結合された少なくとも1つの集中定数インダクタを含む、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記少なくとも1つの集中定数インダクタは、スパイラルインダクタを含む、
請求項4に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、前記出力結合ノードとバイアスノードとの間に結合された少なくとも1つのコンデンサを含む、
請求項4に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、
前記ベース増幅器の出力部に結合された第1の端子を有する第1の伝送線セグメントと、
前記第1の伝送線セグメントの第2の端子に結合された第1の端子を有するスパイラルインダクタと、
前記スパイラルインダクタの第2の端子に結合された第1の端子と、前記出力結合ノードに結合された第2の端子とを有する第2の伝送線セグメントと、
前記スパイラルインダクタの第2の端子及び前記第2の伝送線セグメントの第1の端子に結合された第1の端子を有する第3の伝送線セグメントと、
前記第3の伝送線セグメントの第2の端子に結合された第1の端子と、バイアスノードに結合された第2の端子とを有するコンデンサと、
を含む、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記ベース増幅器は、第1のIII族窒化物系トランジスタを含み、前記ピーキング増幅器は、第2のIII族窒化物系トランジスタを含む、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記第1及び第2のIII族窒化物系トランジスタは、それぞれの第1及び第2の窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含む、
請求項8に記載のMMIC。 - 前記第1のGaN HEMTは、約2mm〜約3mmの範囲のゲート周辺部を有し、前記第2のGaN HEMTは、約4mm〜約6mmの範囲のゲート周辺部を有する、
請求項9に記載のMMIC。 - 前記ベース増幅器の前記出力部は、前記第1のGaN HEMTのドレインを含み、前記ピーキング増幅器の前記出力部は、前記第2のGaN HEMTのドレインを含む、
請求項9に記載のMMIC。 - 少なくとも約10Wの平均出力と、約2.5GHz〜約2.7GHzの周波数範囲における少なくとも約15dBの利得とを提供するように構成される、
請求項1に記載のMMIC。 - 前記基板は、約15mm2未満の面積を有し、前記MMICは、少なくとも約10Wの平均出力を提供するように構成される、
請求項1に記載のMMIC。 - 入力RF信号を受け取るように構成された入力部と、前記電力分配器回路の前記入力部に結合された出力部とを有する、前記基板上の入力ドライバ回路をさらに備える、
請求項1に記載のMMIC。 - モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)であって、
基板と、
電力増幅器と、
を備え、前記電力増幅器は、
入力RF信号を受け取るように構成された入力部を有する、前記基板上の電力分配器回路と、
前記電力分配器回路の第1の出力部に結合された入力部を有する、前記基板上のベース増幅器と、
前記電力分配器回路の第2の出力部に結合された入力部と、出力結合ノードに結合された出力部とを有する、前記基板上のピーキング増幅器と、
前記ベース増幅器の前記出力部と前記出力結合ノードとの間に結合された、前記ベース増幅器の前記出力部を前記出力結合ノードに結合する集中定数インダクタと、前記出力結合ノードとバイアスノードとの間に結合されたコンデンサとを含む、前記基板上のインピーダンスインバータ回路と、
を含む、
ことを特徴とするMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、前記集中定数インダクタと直列に結合された伝送線セグメントをさらに含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、
前記ベース増幅器の前記出力部を前記集中定数インダクタに結合する第1の伝送線セグメントと、
前記集中定数インダクタを前記出力結合ノードに結合する第2の伝送線セグメントと、
をさらに含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、前記少なくとも1つのコンデンサと直列に結合された伝送線セグメントをさらに含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記インピーダンスインバータ回路は、
前記ベース増幅器の前記出力部に結合された第1の端子と、前記集中定数インダクタの第1の端子に結合された第2の端子とを有する第1の伝送線セグメントと、
前記集中定数インダクタの第2の端子と前記出力結合ノードとの間に結合された第2の伝送線セグメントと、
前記集中定数インダクタの前記第2の端子に結合された第1の端子と、前記コンデンサに結合された第2の端子とを有する第3の伝送線セグメントと、
を含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記コンデンサは、第1のコンデンサを含み、前記バイアスノードは、第1のバイアスノードを含み、前記MMICは、負荷整合回路をさらに備え、該負荷整合回路は、
前記出力結合ノードに結合された第1の端子を有する第4の伝送線セグメントと、
前記第4の伝送線セグメントの第2の端子に結合された第1の端子と、外部負荷に結合されるように構成された第2の端子とを有する第2のコンデンサと、
前記第2のコンデンサの前記第1の端子と、前記第4の伝送線セグメントの前記第2の端子とに結合された第1の端子を有する第5の伝送線セグメントと、
前記第5の伝送線セグメントの第2の端子とバイアスノードとの間に結合された第3のコンデンサと、
を含む、
請求項19に記載のMMIC。 - 前記集中定数インダクタは、スパイラルインダクタを含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記出力結合ノードに結合された入力部と、外部負荷に結合されるように構成された出力部とを有する、前記基板上の負荷整合回路をさらに備える、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記コンデンサは、第1のコンデンサを含み、前記バイアスノードは、第1のバイアスノードを含み、前記負荷整合回路は、
前記出力結合ノードに結合された第1の端子を有する第1の伝送線セグメントと、
前記第1の伝送線セグメントの第2の端子に結合された第1の端子と、外部負荷に結合されるように構成された第2の端子とを有する第2のコンデンサと、
前記第1のコンデンサの前記第1の端子と、前記第1の伝送線セグメントの前記第2の端子とに結合された第1の端子を有する第2の伝送線セグメントと、
前記第2の伝送線セグメントの第2の端子と第2のバイアスノードとの間に結合された第3のコンデンサと、
を含む、
請求項22に記載のMMIC。 - 前記ベース増幅器は、第1のIII族窒化物系トランジスタを含み、前記ピーキング増幅器は、第2のIII族窒化物系トランジスタを含む、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記第1及び第2のIII族窒化物系トランジスタは、それぞれの第1及び第2の窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含む、
請求項24に記載のMMIC。 - 前記第1のGaN HEMTは、約2mm〜約3mmの範囲のゲート周辺部を有し、前記第2のGaN HEMTは、約4mm〜約6mmの範囲のゲート周辺部を有する、
請求項25に記載のMMIC。 - 前記ベース増幅器の前記出力部は、前記第1のGaN HEMTのドレインを含み、前記ピーキング増幅器の前記出力部は、前記第2のGaN HEMTのドレインを含む、
請求項25に記載のMMIC。 - 少なくとも約10Wの平均出力と、約2.5GHz〜約2.7GHzの周波数範囲における少なくとも約15dBの利得とを提供するように構成される、
請求項15に記載のMMIC。 - 前記基板は、約15mm2未満の面積を有し、前記MMICは、少なくとも約10Wの平均出力を提供するように構成される、
請求項15に記載のMMIC。 - 外部負荷整合回路に結合された請求項15に記載のMMICを備える、
ことを特徴とするシステム。 - 入力RF信号を受け取るように構成された入力部と、前記電力分配器回路の前記入力部に結合された出力部とを有する、前記基板上の入力ドライバ回路をさらに備える、
請求項15に記載のMMIC。 - マイクロ波集積回路(MMIC)であって、
基板と、
前記基板上のドハティ増幅器と、
前記ドハティ増幅器の出力結合ノードに結合された入力部と、外部負荷に結合されるように構成された出力部とを有する、前記基板上の負荷整合回路と、
を備えることを特徴とするMMIC。 - 前記ドハティ増幅器は、前記出力結合ノードに結合された少なくとも1つの集中定数インダクタを有するインピーダンスインバータ回路を含む、
請求項32に記載のMMIC。 - 前記出力結合ノードにおける出力インピーダンスは、実質的に50オームと異なる、
請求項32に記載のMMIC。 - 少なくとも約10Wの平均出力と、約2.5GHz〜約2.7GHzの周波数範囲における少なくとも約15dBの利得とを提供するように構成される、
請求項32に記載のMMIC。 - 前記基板は、約15mm2未満の面積を有し、前記MMICは、少なくとも約10Wの平均出力を提供するように構成される、
請求項32に記載のMMIC。
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