JP2016522942A - 高性能でかつ低コストのフラッシュ変換層のためのシステムおよび方法 - Google Patents
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- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7203—Temporary buffering, e.g. using volatile buffer or dedicated buffer blocks
Abstract
Description
20 ホストデバイス
22 システムオンチップ(SoC)
24、52、202 プロセッサ
26、32、54 通信コントローラ
28、30、38、58、64 メモリまたは記憶装置
34 通信リンク(ホストバス)
36、40、62、66 通信リンク
40 記憶装置バス
50 フラッシュメモリデバイス
56 マイクロコントローラ
60 メモリインターフェース
68 FTLテーブル
70 FTLテーブルのコピー
200 モバイルデバイス
204 タッチスクリーンコントローラ
206 内部メモリ
208 無線信号トランシーバ
210 アンテナ
212 タッチスクリーンパネル
214 スピーカ
218 周辺デバイス接続ポート
220 ハウジング
300 FTLホストキャッシュ初期化方法
500 フラッシュメモリデバイスからの読出し操作
600 フラッシュメモリデバイスへの書込み操作
Claims (60)
- フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)の性能を高くするための方法であって、
前記フラッシュメモリデバイスによってホストデバイスの揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスのFTLテーブルのコピーを記憶するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るステップと、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップと
を含む方法。 - 前記ホストデバイスから、前記フラッシュメモリデバイス内の前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るステップと、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記フラッシュメモリデバイスから前記ホストデバイスに返すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスから、前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスで受け取るステップと、
前記ホストデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ホストデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリを細分割するステップであって、細分割のサイズが前記FTLテーブルのサイズに基づくステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を受け取るステップと
をさらに含み、前記FTLテーブルのコピーを記憶するステップが、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するステップを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続する通信バスをバス支配するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスの中に、論理アドレスの読出し操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記読出し操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記論理アドレスに対応する物理アドレスを決定するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスのメモリの前記物理アドレスに記憶されているデータを検索するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記データを前記ホストデバイスに返すステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスによって、論理アドレスの書込み操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによってデータを前記フラッシュメモリデバイスのメモリの物理アドレスに書き込むステップと、
前記データが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリに対してなされた変更に対応させるために、前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって前記フラッシュメモリデバイスのSRAMを読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリ内の自由記憶空間の位置を示す前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルの前記コピーの記憶が完了したことを示す通知を前記ホストデバイスに送るステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッシュメモリデバイスによって、スケジュール、利用可能な資源および書込み操作の完了からなるグループから選択されるパラメータに基づいて、前記FTLの前記コピーを使用して前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルを更新するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ホストデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスが前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ホストデバイス内で、前記FTLテーブルの前記コピーの記憶完了通知を前記フラッシュメモリデバイスから受け取るステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- システムに前記システムのフラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)の性能を高くさせるように構成されたプロセッサ実行可能ソフトウェア命令をその上に記憶した非一時的プロセッサ可読記憶媒体であって、操作が、
前記フラッシュメモリデバイスによってホストデバイスの揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスのFTLテーブルのコピーを記憶するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るステップと、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップと
を含む、非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、
前記ホストデバイスから、前記フラッシュメモリデバイス内の前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るステップと、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記フラッシュメモリデバイスから前記ホストデバイスに返すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスから、前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスで受け取るステップと、
前記ホストデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するステップと
をさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、
前記ホストデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリを細分割するステップであって、細分割のサイズが前記FTLテーブルのサイズに基づくステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を受け取るステップと
をさらに含む操作を実施させるように構成され、前記FTLテーブルのコピーを記憶するステップが、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するステップを含む、請求項14に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続する通信バスをバス支配するステップを含むように操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
- 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスの中に、論理アドレスの読出し操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記読出し操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記論理アドレスに対応する物理アドレスを決定するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスのメモリの前記物理アドレスに記憶されているデータを検索するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記データを前記ホストデバイスに返すステップと
を含むように操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスによって、論理アドレスの書込み操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによってデータを前記フラッシュメモリデバイスのメモリの物理アドレスに書き込むステップと、
前記データが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリに対してなされた変更に対応させるために、前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るステップと
を含むように操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項18に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記フラッシュメモリデバイスのSRAMを読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリ内の自由記憶空間の位置を示す前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項18に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。 - 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルの前記コピーの記憶が完了したことを示す通知を前記ホストデバイスに送るステップをさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
- 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記フラッシュメモリデバイスによって、スケジュール、利用可能な資源および書込み操作の完了からなるグループから選択されるパラメータに基づいて、前記FTLの前記コピーを使用して前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルを更新するステップをさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
- 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記ホストデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスが前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するステップをさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
- 前記記憶されるプロセッサ実行可能ソフトウェア命令が、前記システムに、前記ホストデバイス内で、前記FTLテーブルの前記コピーの記憶完了通知を前記フラッシュメモリデバイスから受け取るステップをさらに含む操作を実施させるように構成される、請求項13に記載の非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
- ホストデバイスであって、
揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに結合された第1のプロセッサと
を備えるホストデバイスと、
前記ホストデバイスに結合されたフラッシュメモリデバイスであって、
論理アドレスと物理アドレスとの間の変換に使用するためのフラッシュ変換層(FTL)テーブルを記憶するように構成されたフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに結合された第2のプロセッサであって、
前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルのコピーを記憶するステップと、
前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るステップと、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップと
を含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される第2のプロセッサと
を備えるフラッシュメモリデバイスと
を備えるシステム。 - 前記第2のプロセッサが、
前記ホストデバイスから、前記フラッシュメモリデバイス内の前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るステップと、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記フラッシュメモリデバイスから前記ホストデバイスに返すステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成され、
前記第1のプロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスから、前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスで受け取るステップと、
前記ホストデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される
請求項25に記載のシステム。 - 前記第1のプロセッサが、
前記ホストデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリを細分割するステップであって、細分割のサイズが前記FTLテーブルのサイズに基づくステップをさらに含む操作であって、
前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するステップが、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーを前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に記憶するステップを含む
操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成され、
前記第2のプロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を受け取るステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される
請求項26に記載のシステム。 - 前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続する通信バスをさらに備え、
前記第2のプロセッサが、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが前記通信バスをバス支配するステップを含むように操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される
請求項25に記載のシステム。 - 前記第2のプロセッサが、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスの中に、前記論理アドレスの読出し操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記読出し操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを決定するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスの前記フラッシュメモリの前記物理アドレスに記憶されているデータを検索するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記データを前記ホストデバイスに返すステップと
を含むようにプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。 - 前記第2のプロセッサが、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記論理アドレスの書込み操作要求を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作を開始するステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによってデータを前記フラッシュメモリデバイスの前記フラッシュメモリの前記物理アドレスに書き込むステップと、
前記データが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリデバイスの前記フラッシュメモリに対してなされた変更に対応させるために、前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るステップと
を含むようにプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。 - 前記第2のプロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項30に記載のシステム。 - 前記フラッシュメモリデバイスが前記第2のプロセッサに結合されたSRAMをさらに備え、
前記第2のプロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記フラッシュメモリデバイスの前記SRAMを読み出すステップと、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスの前記フラッシュメモリ内の自由記憶空間の位置を示す前記物理アドレスを決定するステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される
請求項30に記載のシステム。 - 前記第2のプロセッサが、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルの前記コピーの記憶が完了したことを示す通知を前記ホストデバイスに送るステップをさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。
- 前記第2のプロセッサが、前記フラッシュメモリデバイスによって、スケジュール、利用可能な資源および書込み操作の完了からなるグループから選択されるパラメータに基づいて、前記FTLの前記コピーを使用して前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルを更新するステップをさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。
- 前記第1のプロセッサが、前記ホストデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスが前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するステップをさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。
- 前記第1のプロセッサが、前記ホストデバイス内で、前記FTLテーブルの前記コピーの記憶完了通知を前記フラッシュメモリデバイスから受け取るステップをさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項25に記載のシステム。
- フラッシュメモリデバイスと、
前記フラッシュメモリデバイスによってホストデバイスの揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)テーブルのコピーを記憶するための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るための手段と、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段と
を備えるシステム。 - 前記ホストデバイスから、前記フラッシュメモリデバイス内の前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るための手段と、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記フラッシュメモリデバイスから前記ホストデバイスに返すための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスから、前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスで受け取るための手段と、
前記ホストデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するための手段と
をさらに備える、請求項37に記載のシステム。 - 前記ホストデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリを細分割するための手段であって、細分割のサイズが前記FTLテーブルのサイズに基づく手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を受け取るための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を受け取るための手段と
をさらに備え、前記FTLテーブルのコピーを記憶するための手段が、前記フラッシュメモリデバイスによって前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するための手段を備える、請求項38に記載のシステム。 - 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段が、前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続する通信バスをバス支配するための手段をさらに備える、請求項37に記載のシステム。
- 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段が、
前記フラッシュメモリデバイスの中に、論理アドレスの読出し操作要求を前記ホストデバイスから受け取るための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記読出し操作を開始するための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記論理アドレスに対応する物理アドレスを決定するための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスのメモリの前記物理アドレスに記憶されているデータを検索するための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記データを前記ホストデバイスに返すための手段と
を備える、請求項37に記載のシステム。 - 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段が、
前記フラッシュメモリデバイスによって、論理アドレスの書込み操作要求を前記ホストデバイスから受け取るための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作を開始するための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによってデータを前記フラッシュメモリデバイスのメモリの物理アドレスに書き込むための手段と、
前記データが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリに対してなされた変更に対応させるために、前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るための手段と
をさらに備える、請求項37に記載のシステム。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを決定するための手段と
をさらに備える、請求項42に記載のシステム。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって前記フラッシュメモリデバイスのSRAMを読み出すための手段と、
前記フラッシュメモリデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスの前記メモリ内の自由記憶空間の位置を示す前記物理アドレスを決定するための手段と
をさらに備える、請求項42に記載のシステム。 - 前記フラッシュメモリデバイスによって、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルの前記コピーの記憶が完了したことを示す通知を前記ホストデバイスに送るための手段をさらに備える、請求項37に記載のシステム。
- 前記フラッシュメモリデバイスによって、スケジュール、利用可能な資源および書込み操作の完了からなるグループから選択されるパラメータに基づいて、前記FTLの前記コピーを使用して前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルを更新するための手段をさらに備える、請求項37に記載のシステム。
- 前記ホストデバイスによって、前記フラッシュメモリデバイスが前記ホストデバイスの前記揮発性メモリ内への前記FTLテーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するための手段をさらに備える、請求項37に記載のシステム。
- 前記ホストデバイス内で、前記FTLテーブルの前記コピーの記憶完了通知を前記フラッシュメモリデバイスから受け取るための手段をさらに備える、請求項37に記載のシステム。
- ホストデバイスに結合するように構成されたフラッシュメモリデバイスであって、
論理アドレスと物理アドレスとの間の変換に使用するためのフラッシュ変換層(FTL)テーブルを含むデータを記憶するように構成されたフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに結合されたプロセッサであって、
前記ホストデバイスの揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)テーブルのコピーを記憶するステップと、
前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るステップと、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップと
を含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成されるプロセッサと
を備えるフラッシュメモリデバイス。 - 前記プロセッサが、
前記ホストデバイスから、前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るステップと、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスに返すステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成され、
前記プロセッサが、前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーを前記ホストデバイスの揮発性メモリに記憶するステップが、前記ホストデバイスによって前記プロセッサに対して識別された前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの細分割の区分に前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するステップを含むように操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成される
請求項49に記載のフラッシュメモリデバイス。 - 通信バスが前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続し、
前記プロセッサが、
前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を前記ホストデバイスから受け取るステップと、
前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を前記ホストデバイスから受け取るステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成され、
前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが前記通信バスをバス支配するステップを含む
請求項50に記載のフラッシュメモリデバイス。 - 前記プロセッサが、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするステップが、
前記ホストデバイスからの前記論理アドレスの読出し操作要求および書込み操作要求のうちの1つに応答して、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリから前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すステップと、
読出し操作要求に応答して、前記論理アドレスに対応する前記フラッシュメモリの前記物理アドレスに記憶されているデータを前記ホストデバイスに返すステップと、
書込み操作要求に応答して、前記論理アドレスに対応する前記フラッシュメモリデバイスの前記物理アドレスにデータが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリに対してなされた変更に対応させるために、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶されている前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むステップと、
前記書込み操作要求に応答して、前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るステップと
を含むようにプロセッサ実行可能命令を使用して構成される、請求項49に記載のフラッシュメモリデバイス。 - ホストデバイスに結合するように構成されたフラッシュメモリデバイスであって、
前記ホストデバイスの揮発性メモリに前記フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)テーブルのコピーを記憶するための手段と、
前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記FTLテーブルの前記コピーへのアクセスを受け取るための手段と、
読出し操作および書込み操作のうちの少なくとも1つの部分として、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶された前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段と
を備えるフラッシュメモリデバイス。 - 前記ホストデバイスから、前記FTLテーブルのサイズに対する問合せを受け取るための手段と、
前記FTLテーブルの前記サイズを前記ホストデバイスに返すための手段と
をさらに備え、前記フラッシュメモリデバイスの前記FTLテーブルの前記コピーを前記ホストデバイスの揮発性メモリに記憶するための手段が、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの細分割の区分に前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するための手段を備える、請求項53に記載のフラッシュメモリデバイス。 - 前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス読出し特権を前記ホストデバイスから受け取るための手段と、
前記FTLテーブルの前記コピーが記憶される前記ホストデバイスの前記揮発性メモリの前記細分割の区分に対する直接メモリアクセス書込み特権を前記ホストデバイスから受け取るための手段と
をさらに備え、前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段が、前記フラッシュメモリデバイスと前記ホストデバイスの前記揮発性メモリとを通信接続する通信バスをバス支配するための手段を備える、請求項54に記載のフラッシュメモリデバイス。 - 前記FTLテーブルの前記コピーにアクセスするための手段が、
前記ホストデバイスからの論理アドレスの読出し操作要求および書込み操作要求のうちの1つに応答して、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリから前記FTLテーブルの前記コピーの少なくとも一部を読み出すための手段と、
読出し操作要求に応答して、前記論理アドレスに対応するフラッシュメモリの物理アドレスに記憶されているデータを前記ホストデバイスに返すための手段と、
書込み操作要求に応答して、前記論理アドレスに対応する前記フラッシュメモリデバイスの前記物理アドレスにデータが書き込まれると、前記FTLテーブルの前記コピーを更新して前記フラッシュメモリに対してなされた変更に対応させるために、前記ホストデバイスの前記揮発性メモリに記憶されている前記FTLテーブルの前記コピーに書き込むための手段と、
前記書込み操作要求に応答して、前記書込み操作の完了通知を前記ホストデバイスに送るための手段と
を備える、請求項53に記載のフラッシュメモリデバイス。 - フラッシュメモリデバイスに結合するように構成されたホストデバイスであって、
揮発性メモリと、
前記ホストデバイスの前記揮発性メモリを通信接続し、前記ホストデバイスに結合されると前記フラッシュメモリデバイスに通信するように構成された通信バスと、
前記揮発性メモリおよび前記通信バスに結合されたプロセッサと
を備え、前記プロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスが前記揮発性メモリ内への前記フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)テーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するステップと、
前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するために前記揮発性メモリの一部を割り当てるステップと、
前記揮発性メモリの一部に対する前記通信バスを介した直接メモリアクセス読出しおよび書込み特権を前記フラッシュメモリデバイスに許容するステップと
を含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成されるホストデバイス。 - 前記プロセッサが、
前記フラッシュメモリデバイスに記憶されている前記FTLテーブルのサイズを前記フラッシュメモリデバイスに問い合わせるステップと、
前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するステップと
をさらに含む操作を実施するプロセッサ実行可能命令を使用して構成され、
前記揮発性メモリの一部を割り当てるステップが、前記FTLテーブルの前記サイズに基づいて前記揮発性メモリの一部のサイズを決定するステップを含む
請求項57に記載のホストデバイス。 - フラッシュメモリデバイスに結合するように構成されたホストデバイスであって、
前記フラッシュメモリデバイスが前記ホストデバイスの揮発性メモリ内への前記フラッシュメモリデバイスのフラッシュ変換層(FTL)テーブルのコピーのホストキャッシングをサポートするかどうかを決定するための手段と、
前記FTLテーブルの前記コピーを記憶するために前記揮発性メモリの一部を割り当てるための手段と、
前記揮発性メモリの一部に対する直接メモリアクセス読出しおよび書込み特権を前記フラッシュメモリデバイスに許容するための手段と
を備えるホストデバイス。 - 前記フラッシュメモリデバイスに記憶されている前記FTLテーブルのサイズを前記フラッシュメモリデバイスに問い合わせるための手段と、
前記揮発性メモリがすべての前記FTLテーブルを記憶することができるかどうかを決定するための手段と
をさらに備え、
前記揮発性メモリの一部を割り当てるための手段が、前記FTLテーブルの前記サイズに基づいて前記揮発性メモリの一部のサイズを決定するための手段を備える
請求項59に記載のホストデバイス。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
JP2016513995A Active JP6190045B2 (ja) | 2013-05-13 | 2014-05-09 | 高性能でかつ低コストのフラッシュ変換層のためのシステムおよび方法 |
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021508879A (ja) * | 2017-12-29 | 2021-03-11 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 追加専用記憶デバイスを使用するデータベース管理のためのシステム及び方法 |
JP2022522437A (ja) * | 2019-04-30 | 2022-04-19 | 長江存儲科技有限責任公司 | コントローラ、機器および方法 |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150139718A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리를 제어하는 컨트롤러 및 그것을 포함하는 반도체 장치 |
US9563382B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-02-07 | Sandisk Technologies Llc | Methods, systems, and computer readable media for providing flexible host memory buffer |
US9507722B2 (en) * | 2014-06-05 | 2016-11-29 | Sandisk Technologies Llc | Methods, systems, and computer readable media for solid state drive caching across a host bus |
US10007442B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-06-26 | Sandisk Technologies Llc | Methods, systems, and computer readable media for automatically deriving hints from accesses to a storage device and from file system metadata and for optimizing utilization of the storage device based on the hints |
US10228854B2 (en) | 2014-08-20 | 2019-03-12 | Sandisk Technologies Llc | Storage devices and methods for optimizing use of storage devices based on storage device parsing of file system metadata in host write operations |
US10268584B2 (en) * | 2014-08-20 | 2019-04-23 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive host memory buffer (HMB) caching using unassisted hinting |
US9851901B2 (en) | 2014-09-26 | 2017-12-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Transfer of object memory references in a data storage device |
US10101918B2 (en) | 2015-01-21 | 2018-10-16 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for generating hint information associated with a host command |
US10007433B2 (en) * | 2015-01-21 | 2018-06-26 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for performing adaptive host memory buffer caching of transition layer tables |
KR20160120004A (ko) * | 2015-04-07 | 2016-10-17 | 삼성전자주식회사 | 시스템 온-칩 및 이를 포함하는 전자 기기 |
CN106155579A (zh) * | 2015-04-27 | 2016-11-23 | 广明光电股份有限公司 | 固态硬盘动态储存转换层数据的方法 |
CN106293493A (zh) * | 2015-05-18 | 2017-01-04 | 广明光电股份有限公司 | 固态硬盘模块动态储存转换层的方法 |
US10055236B2 (en) * | 2015-07-02 | 2018-08-21 | Sandisk Technologies Llc | Runtime data storage and/or retrieval |
US10452556B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-10-22 | Toshiba Memory Corporation | Memory device and information processing device |
TWI553478B (zh) * | 2015-09-23 | 2016-10-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 能夠使用外部揮發性記憶體的裝置以及能夠釋放內部揮發性記憶體的裝置 |
CN106557271B (zh) * | 2015-09-30 | 2019-08-20 | 合肥沛睿微电子股份有限公司 | 能够使用外部挥发性记忆体的装置以及能够释放内部挥发性记忆体的装置 |
US10452594B2 (en) * | 2015-10-20 | 2019-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Nonvolatile logic memory for computing module reconfiguration |
TWI556100B (zh) * | 2015-10-26 | 2016-11-01 | 點序科技股份有限公司 | 快閃記憶體裝置及其交錯存取方法 |
CN105353989B (zh) | 2015-11-19 | 2018-12-28 | 华为技术有限公司 | 存储数据访问方法及相关的控制器、设备、主机和系统 |
US20170177497A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-22 | Qualcomm Incorporated | Compressed caching of a logical-to-physical address table for nand-type flash memory |
US9927997B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-03-27 | Sandisk Technologies Llc | Methods, systems, and computer readable media for automatically and selectively enabling burst mode operation in a storage device |
US10331203B2 (en) | 2015-12-29 | 2019-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Compute through power loss hardware approach for processing device having nonvolatile logic memory |
US10114743B2 (en) * | 2016-04-06 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Inc. | Memory erase management |
US10157004B2 (en) | 2016-04-14 | 2018-12-18 | Sandisk Technologies Llc | Storage system and method for recovering data corrupted in a host memory buffer |
US10474374B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for storage device latency/bandwidth self monitoring |
CN109074318B (zh) * | 2016-05-31 | 2023-07-04 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 用于执行转换层表的自适应主机存储器缓冲区高速缓存的系统和方法 |
US10521118B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-12-31 | Sandisk Technologies Llc | Methods, systems, and computer readable media for write classification and aggregation using host memory buffer (HMB) |
US10503635B2 (en) * | 2016-09-22 | 2019-12-10 | Dell Products, Lp | System and method for adaptive optimization for performance in solid state drives based on segment access frequency |
CN107870867B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-12-14 | 北京忆芯科技有限公司 | 32位cpu访问大于4gb内存空间的方法与装置 |
CN107870870B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-12-14 | 北京忆芯科技有限公司 | 访问超过地址总线宽度的内存空间 |
US10853233B2 (en) * | 2016-10-18 | 2020-12-01 | Toshiba Memory Corporation | Reconstruction of address mapping in a host of a storage system |
CN108121664A (zh) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置以及其操作方法 |
TWI627531B (zh) * | 2016-11-28 | 2018-06-21 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置以及其操作方法 |
US10956346B1 (en) * | 2017-01-13 | 2021-03-23 | Lightbits Labs Ltd. | Storage system having an in-line hardware accelerator |
KR20180121733A (ko) * | 2017-04-28 | 2018-11-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US10558393B2 (en) * | 2017-10-20 | 2020-02-11 | Qualcomm Incorporated | Controller hardware automation for host-aware performance booster |
JP2019079464A (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-23 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US10409726B2 (en) | 2017-10-30 | 2019-09-10 | Micron Technology, Inc. | Dynamic L2P cache |
KR102384759B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2022-04-11 | 삼성전자주식회사 | 호스트 메모리 버퍼를 사용하기 위해 호스트 장치와 속성 정보를 공유하는 스토리지 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치 |
US11294440B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-04-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Peripheral device configurations by host systems |
US10459844B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-10-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Managing flash memory read operations |
TWI679538B (zh) * | 2018-03-31 | 2019-12-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存系統之控制單元以及邏輯至物理映射表更新方法 |
WO2019209707A1 (en) | 2018-04-23 | 2019-10-31 | Micron Technology, Inc. | Host logical-to-physical information refresh |
US10884920B2 (en) | 2018-08-14 | 2021-01-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Metadata-based operations for use with solid state devices |
US11249664B2 (en) * | 2018-10-09 | 2022-02-15 | Western Digital Technologies, Inc. | File system metadata decoding for optimizing flash translation layer operations |
US11340810B2 (en) | 2018-10-09 | 2022-05-24 | Western Digital Technologies, Inc. | Optimizing data storage device operation by grouping logical block addresses and/or physical block addresses using hints |
KR20200046264A (ko) | 2018-10-24 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 호스트 메모리 버퍼를 이용하는 데이터 스토리지 장치 및 그 동작 방법 |
KR102599176B1 (ko) | 2018-11-14 | 2023-11-08 | 삼성전자주식회사 | 호스트 메모리 버퍼를 사용하는 스토리지 장치 및 그것의 메모리 관리 방법 |
CN111367830B (zh) * | 2018-12-06 | 2023-11-14 | 北京忆恒创源科技股份有限公司 | 主机参与的重建ftl表的方法及其存储设备 |
KR20200069889A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 컨트롤러, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR20200088635A (ko) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 |
KR20200143871A (ko) | 2019-06-17 | 2020-12-28 | 삼성전자주식회사 | 스토리지를 포함하는 전자 장치 및 그의 스토리지 이용 방법 |
KR20210068699A (ko) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
CN111177033A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-05-19 | 河南文正电子数据处理有限公司 | 一种固态硬盘的使用方法 |
KR20220080254A (ko) * | 2020-12-07 | 2022-06-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 컨트롤러 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6014724A (en) * | 1995-10-27 | 2000-01-11 | Scm Microsystems (U.S.) Inc. | Flash translation layer block indication map revision system and method |
JP2001243110A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Tdk Corp | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリへのアクセス方法 |
US6484218B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-11-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving direct memory access performance |
JP2004288150A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュファイルシステム |
US20050138464A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-06-23 | Chong Pohsoon | Scratch fill using scratch tracking table |
US20100312947A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Nokia Corporation | Apparatus and method to share host system ram with mass storage memory ram |
US20110296088A1 (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Sandisk Il Ltd. | Memory management storage to a host device |
US20120179859A1 (en) * | 2011-01-11 | 2012-07-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile memory apparatus performing ftl function and method for controlling the same |
JP2012198811A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | メモリシステム、不揮発性記憶装置及びその制御方法 |
JP2012243287A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
US20140136765A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Eun Chu Oh | Memory system comprising nonvolatile memory device and related read method |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4199519B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-12-17 | パナソニック株式会社 | メモリ管理装置及びメモリ管理方法 |
US6981123B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-12-27 | Seagate Technology Llc | Device-managed host buffer |
TW200832440A (en) | 2007-01-25 | 2008-08-01 | Genesys Logic Inc | Flash memory translation layer system |
KR101663667B1 (ko) | 2009-02-03 | 2016-10-07 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 주소 매핑에 의한 데이터 관리 방법 및 장치 |
US8219776B2 (en) | 2009-09-23 | 2012-07-10 | Lsi Corporation | Logical-to-physical address translation for solid state disks |
EP2264602A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-22 | Gemalto SA | Memory device for managing the recovery of a non volatile memory |
CN102201259A (zh) * | 2010-03-24 | 2011-09-28 | 建兴电子科技股份有限公司 | 非易失性存储器的平均抹写方法 |
KR20110121897A (ko) | 2010-05-03 | 2011-11-09 | 삼성전자주식회사 | 사용자 장치 및 그것의 프로그램 페일 처리 방법 |
US8806112B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-08-12 | Lsi Corporation | Meta data handling within a flash media controller |
KR101856506B1 (ko) | 2011-09-22 | 2018-05-11 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 데이터 쓰기 방법 |
CN102541760B (zh) * | 2012-01-04 | 2015-05-20 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 基于固态硬盘的计算机系统 |
US9213632B1 (en) * | 2012-02-29 | 2015-12-15 | Marvell International Ltd. | Systems and methods for data storage devices to use external resources |
US9116820B2 (en) * | 2012-08-28 | 2015-08-25 | Memory Technologies Llc | Dynamic central cache memory |
US9329991B2 (en) * | 2013-01-22 | 2016-05-03 | Seagate Technology Llc | Translation layer partitioned between host and controller |
US9122588B1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-01 | Virident Systems Inc. | Managing asymmetric memory system as a cache device |
-
2013
- 2013-05-13 US US13/892,433 patent/US9575884B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-09 WO PCT/US2014/037531 patent/WO2014186232A1/en active Application Filing
- 2014-05-09 EP EP14730327.5A patent/EP2997459B1/en not_active Not-in-force
- 2014-05-09 CN CN201480026743.4A patent/CN105378642A/zh active Pending
- 2014-05-09 BR BR112015028634A patent/BR112015028634A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2014-05-09 JP JP2016513995A patent/JP6190045B2/ja active Active
- 2014-05-09 KR KR1020157033238A patent/KR20160006709A/ko active IP Right Grant
- 2014-05-13 TW TW103116876A patent/TWI556099B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6014724A (en) * | 1995-10-27 | 2000-01-11 | Scm Microsystems (U.S.) Inc. | Flash translation layer block indication map revision system and method |
US6484218B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-11-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving direct memory access performance |
JP2001243110A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Tdk Corp | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリへのアクセス方法 |
JP2004288150A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュファイルシステム |
US20050138464A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-06-23 | Chong Pohsoon | Scratch fill using scratch tracking table |
US20100312947A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Nokia Corporation | Apparatus and method to share host system ram with mass storage memory ram |
US20110296088A1 (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Sandisk Il Ltd. | Memory management storage to a host device |
US20120179859A1 (en) * | 2011-01-11 | 2012-07-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile memory apparatus performing ftl function and method for controlling the same |
JP2012198811A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | メモリシステム、不揮発性記憶装置及びその制御方法 |
JP2012243287A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
US20140136765A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Eun Chu Oh | Memory system comprising nonvolatile memory device and related read method |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021508879A (ja) * | 2017-12-29 | 2021-03-11 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 追加専用記憶デバイスを使用するデータベース管理のためのシステム及び方法 |
US11461296B2 (en) | 2017-12-29 | 2022-10-04 | Huawei Cloud Computing Technologies Co., Ltd. | Systems and methods for database management using append-only storage devices |
JP7329518B2 (ja) | 2017-12-29 | 2023-08-18 | ファーウェイ クラウド コンピューティング テクノロジーズ カンパニー リミテッド | 追加専用記憶デバイスを使用するデータベース管理のためのシステム及び方法 |
US11921684B2 (en) | 2017-12-29 | 2024-03-05 | Huawei Cloud Computing Technologies Co., Ltd. | Systems and methods for database management using append-only storage devices |
JP2022522437A (ja) * | 2019-04-30 | 2022-04-19 | 長江存儲科技有限責任公司 | コントローラ、機器および方法 |
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