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  1. レーザーアブレーション・マス・サイトメーターを用いるレーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法であって、
    ルスごとに試料のアブレーションプルームを生成するために、前記試料の複数の部位にレーザービームの前記パルスを向けるステップと、
    アブレーションプルームを独自に捕捉するステップと、
    自に捕捉された各アブレーションプルームを誘導結合プラズマ(ICP)に搬送するステップと、
    記ICP内に独自に捕捉され、搬送された前記アブレーションプルームをイオン化して、マス・サイトメトリー分析のためのイオンを生成するステップと、を含み、
    前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、前記ICPに前記アブレーションプルームを搬送するよう構成されたインジェクターであって、レーザーアブレーション源内に位置付けられると共に、前記アブレーションプルームを捕捉するように構成されたインジェクター入口を有している、インジェクターを備え、
    前記インジェクター入口は、サンプリングコーンを形成し、該サンプリングコーンの狭い部分は前記インジェクター入口のアパーチャーであり、該サンプリングコーンは、前記アブレーションプルームが生成される領域に隣接して位置し、
    前記方法は、
    前記アブレーションプルームを、前記インジェクターの前記サンプリングコーンの中にもたらすための捕捉ガスフローを導入するステップと、
    前記アブレーションプルームを前記サンプリングコーンから前記ICPの方へ搬送するために前記インジェクター内に、前記捕捉ガスフローから分離した搬送ガスフローを導入するステップと
    さらに含む、レーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法。
  2. 前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、
    前記試料からアブレーションプルームを生成するためのレーザーアブレーション源と、
    前記ICPを生成するためのICP源と
    記インジェクター入口に結合されたガス入口であって、前記捕捉されたアブレーションプルームを前記ICPに搬送するために、前記ガス入口からのガスを前記インジェクター入口に通すよう構成されたガス入口と、
    さらに備えている、請求項1に記載の方法。
  3. 前記アブレーションプルームを、前記インジェクター入口を経て方向付けるのを助けるために、前記インジェクター入口と前記アブレーションプルームが生成される領域との間の領域内にガスフローを導入するステップをさらに含み、
    前記ガスフローは前記アブレーションプルームが生成される領域を横断し、かつ前記インジェクター入口に近接する前記インジェクターの内腔の中心線を横断する、請求項2に記載の方法。
  4. 前記アブレーションプルームが前記ICPに搬送されるときのアブレーションプルームの広がりは、前記インジェクター内腔の内径以内に維持される、請求項に記載の方法。
  5. 前記アパーチャーの直径は、調整可能であり、前記アブレーションプルームが前記インジェクター内に入るときに、前記アブレーションプルームに対する摂動を阻止する大きさであるか、前記アブレーションプルームの断面径に等しいか、もしくは前記断面径より大きい、請求項に記載の方法。
  6. 前記アブレーションプルームは、前記試料を含む透明ターゲットを経て向けられるレーザーパルスによって生成され、前記透明ターゲットは、前記試料が配置される透明基板を含む、請求項に記載の方法。
  7. 前記レーザービームは、フェムト秒レーザーから出る、請求項1に記載の方法。
  8. 前記試料の位置は分析中、変更され、分析中、前記レーザービームは静止したままである、請求項に記載の方法。
  9. 前記試料の位置は、分析中、固定されている、請求項に記載の方法。
  10. 前記レーザービームのパルスは、1ミクロン以下のアブレーションスポットを生成する、請求項1に記載の方法。
  11. 前記サンプリングコーンの外側の表面の円周は前記アパーチャーに向かって減少する、請求項1に記載の方法。
  12. 前記インジェクターは、プルーム物質を囲むシースフローの一部が、前記プルーム物質が前記ICP内に導入される前に廃棄される、犠牲フローの一部をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  13. レーザーアブレーション・マス・サイトメーターを用いるレーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法であって、
    パルスごとに試料のアブレーションプルームを生成するために、前記試料の複数の部位にレーザービームの前記パルスを向けるステップと、
    各アブレーションプルームを独自に捕捉するステップと、
    独自に捕捉された各アブレーションプルームを誘導結合プラズマ(ICP)に搬送するステップと、
    前記ICP内に独自に捕捉され、搬送された前記アブレーションプルームをイオン化して、マス・サイトメトリー分析のためのイオンを生成するステップと、を含み、
    前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、
    前記試料からアブレーションプルームを生成するためのレーザーアブレーション源と、
    前記ICPを生成するためのICP源と、
    前記ICPに前記アブレーションプルームを搬送するよう構成されたインジェクターであって、前記レーザーアブレーション源内に位置付けられると共に、前記アブレーションプルームを捕捉するように構成されたインジェクター入口を有している、インジェクターと、
    前記インジェクター入口に結合されたガス入口であって、前記捕捉されたアブレーションプルームを前記ICPに搬送するために、前記ガス入口からのガスを前記インジェクター入口に通すよう構成されたガス入口と、
    を備え、
    前記方法は、前記アブレーションプルームを、前記インジェクター入口を経て方向付けるのを助けるために、前記インジェクター入口と前記アブレーションプルームが生成される領域との間の領域内にガスフローを導入するステップをさらに含み、
    前記ガスフローは前記アブレーションプルームが生成される領域を横断し、かつ前記インジェクター入口に近接する前記インジェクターの内腔の中心線を横断し、
    前記方法は、前記アブレーションプルームを前記ICPの方へ搬送するために前記インジェクター内に搬送ガスフローを導入するステップを含み、
    前記ガスフローは毎分約0.1リットルで、前記搬送ガスフローは毎分約0.9リットルである、レーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法。
  14. ーザー照射を生成するよう構成されたレーザーと、
    析すべき試料を保持する透明基板、又は透明基板を受けるよう構成されたステージを有するレーザーアブレーションセルと、
    ブレーションプルームをICPに搬送するためのインジェクターであって、前記インジェクターはサンプリングコーンを含み、該サンプリングコーンはインジェクター開口部を形成する、該サンプリングコーンの狭い部分を有しているインジェクターと、
    前記インジェクター内に搬送フローを生成するための搬送ガス源と、
    前記アブレーションセル内に捕捉フローを生成するための捕捉ガス源と、
    を備る、レーザーアブレーションシステム。
  15. 前記インジェクター開口部は、前記基板のある部位のアブレーションによって、前記レーザー照射が放出される表面の下流でアブレーションプルームが形成されるように構成される、請求項14に記載のレーザーアブレーションシステム。
  16. 前記表面はレンズ又はミラーである、請求項15に記載のレーザーアブレーションシステム。
  17. 前記サンプリングコーンの外側の表面の円周は前記インジェクター開口部に向かって減少する、請求項14に記載のレーザーアブレーションシステム。
  18. 前記インジェクターは、プルーム物質を囲むシースフローの一部が、前記プルーム物質が前記ICP内に導入される前に廃棄される、犠牲フローの一部をさらに含む、請求項14に記載のレーザーアブレーションシステム。
  19. 前記レーザー、前記レーザーアブレーションセル、及び前記インジェクターは、前記レーザー照射が前記ステージ又は前記基板の片側で発生し、前記インジェクター開口部は反対側にあるよう構成される、請求項14に記載のレーザーアブレーションシステム。
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