JP2016521919A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板の上方に設けられ、１つ以上の電極を有するＭＥＭＳデバイスと、
   １つ以上の電極のうち少なくとも１つと接続した第１ポリ抵抗器と、
   第１ポリ抵抗器を包囲するｎ井戸と、
   ｎ井戸と接続したＲＦグランドシールドとを備える、ＭＥＭＳ ＤＶＣ。
2. 第１ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
3. 第１ポリ抵抗器は、ＭＥＭＳデバイスの第１電極と接続している請求項２記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
4. ＭＥＭＳデバイスの第２電極と接続している第２ポリ抵抗器をさらに備える請求項１記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
5. ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、あるいは、
   ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器を包囲する第１ｎ井戸と、第２ポリ抵抗器を包囲する第２ｎ井戸とを含む、請求項４記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
6. 第２ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項５記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
7. ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、
   ＭＥＭＳ ＤＶＣはさらに、ｎ井戸とは区別されるが、これと接続している表面注入領域を備え、
   表面注入領域は、第１ポリ抵抗器と第２ポリ抵抗器との間に延びている請求項６記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
8. ＲＦグランドシールドは、第１ポリ抵抗器とＭＥＭＳデバイスとの間に設けられる請求項１記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
9. ｎ井戸は、
   ＲＦグランドシールドと接続したｎ井戸コンタクトと、
   第１ポリ抵抗器の下方に、基板内に埋め込まれたｎ井戸と、
   ｎ井戸と第１ポリ抵抗器との間で接続されたＮ＋接続部とを含む、請求項１記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
10. ＭＥＭＳデバイスの第２電極と接続された第２ポリ抵抗器をさらに備える請求項９記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
11. ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、あるいは、
    ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器を包囲する第１ｎ井戸と、第２ポリ抵抗器を包囲する第２ｎ井戸とを含む、請求項１０記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
12. ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、
    ＭＥＭＳ ＤＶＣはさらに、ｎ井戸とは区別されるが、これと接続している表面注入領域を備え、
    表面注入領域は、第１ポリ抵抗器と第２ポリ抵抗器との間に延びている請求項１１記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
13. 第１ポリ抵抗器は、第１端部および第２端部を有し、
    第１端部は、ＭＥＭＳデバイスの電極と接続される請求項１２記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
14. 第２ポリ抵抗器は、第１端部および第２端部を有し、
    第１端部は、ＭＥＭＳデバイスの他の電極と接続される請求項１３記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
15. 第１ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１４記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
16. 第２ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１５記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
17. 基板と、
    基板の上方に設けられ、ＲＦ電極、および１つ以上の他の電極を有するＭＥＭＳデバイスと、
    基板とＭＥＭＳデバイスとの間に設けられ、ＭＥＭＳデバイスと接続したポリ抵抗器と、
    ＭＥＭＳデバイスとポリ抵抗器との間に設けられたＲＦグランドシールドと、
    基板とポリ抵抗器との間に設けられ、ＲＦグランドシールドと接続したｐ井戸コンタクトと、
    ｐ井戸コンタクトと接続し、基板とポリ抵抗器との間に設けられた、絶縁されたｐ井戸であって、ｐ井戸コンタクトおよび絶縁されたｐ井戸はポリ抵抗器を包囲する、絶縁されたｐ井戸と、
    基板とポリ抵抗器との間に設けられ、ＲＦグランドシールドと接続したｎ井戸コンタクトと、
    ｎ井戸コンタクトと接続し、基板と絶縁ｐ井戸との間に設けられたｎ井戸であって、ｎ井戸コンタクトおよびｎ井戸は、ｐ井戸コンタクトおよび絶縁ｐ井戸を包囲する、ｎ井戸とを備える、ＭＥＭＳ ＤＶＣ。
18. ポリ抵抗器と接続された波形コントローラをさらに備える請求項１７記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
19. ｎ井戸と接続され、絶縁されたｐ井戸の下方に設けられた深いｎ井戸をさらに備え、
    深いｎ井戸およびｎ井戸は、ｐ井戸を基板から絶縁している請求項１８記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。
20. ポリ抵抗器は、ＭＥＭＳデバイスの１つ以上の他の電極のうちの電極と接続される請求項１８記載のＭＥＭＳ ＤＶＣ。