JP2016520506A - 熱処理可能な被覆ガラス板 - Google Patents

Abstract

被覆ガラス板は、少なくとも次の層、すなわち、ガラス基板と、少なくとも１つの金属シリサイド及び／または金属シリサイド窒化物系の少なくとも１つの吸収層とを備え、この少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する。

Description

本発明は、低放射率（ｌｏｗ−ｅ）及び／または太陽光制御被覆を有する熱処理可能な被覆ガラス板に関する。本発明はまた、該板を製造する方法に関する。

安全特質を与えるように強化及び／または曲げられた熱処理ガラス板は、多数の適用領域、例えば、建築物または自動車両のガラス窓に必要とされる。ガラス板を熱強化及び／または曲げるために、使用されるガラスの軟化点の近傍またはそれより高い温度での熱処理によってガラス板を加工し、次いで、急冷によりそれらを強化するか、または曲げ手段の助けを借りてそれらを曲げることが必要であることは、既知である。ソーダ石灰シリカ型の標準フロートガラスに適切な温度範囲は通常、約５８０〜６９０℃であり、ガラス板は実際の強化及び／または曲げ工程の開始前に、この温度範囲に数分間維持される。

以下の説明及び特許請求の範囲での「熱処理」、「熱処理された」、及び「熱処理可能な」とは、前述したような熱曲げ及び／または強化工程、ならびに他の熱工程を指すが、その工程中に被覆ガラス板は、数分の間、例えば、最大約１０分間、約５８０〜６９０℃の範囲の温度に到達する。被覆ガラス板は、それが目立った損傷もなく熱処理を乗り切る場合、熱処理可能であると見なされるが、この熱処理により生じる典型的な損傷とは、高ヘイズ値、ピンホール、またはスポットである。

本発明の発明者らは、低放射率及び／または太陽光制御被覆の熱処理性を特徴付けるときに通常言及されるパラメータである「ヘイズ」が、それが被覆ガラス板の被覆、熱処理、加工、及び／または取り扱い中に生じ得る全ての種類の欠陥を十分には反映しないので、しばしば不十分であることを見出した。既知の熱処理可能な被覆ガラス板のうちの一部は、熱処理中のそれらの光学的特質及び特にそれらの反射色の顕著かつ明らかに目立つ変化を示す。

特定の需要を満たすためには、様々な被覆製品を種々の光及び／または伝熱値で製造できることが望ましい。この目的に対処するための一手法では、異なる製品の種類（例えば、低放射率及び太陽光制御、ならびに強化可能及び強化不可能な両方の製品）の各々に対し、共通の多層スタックまたはプラットフォームを使用し、その後、異なる厚さの吸収層をスタックの各々の中に追加することによりスタックの光学的特質を調整している。

本発明の文脈で、層が「吸収層」といわれる場合、該層は、太陽エネルギースペクトル内で測定可能な吸収を有することを意味し、その場合、該太陽エネルギースペクトルには、スペクトルの可視部分が含まれるがこれに限定はされない。

ある特定の吸収層は、先行技術で既知である。一例として、欧州特許出願第０７１８２５０Ａ２号は、銀等の機能金属製層の直上に位置する保護金属製層（例えば、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＮｂＴａ、ＴａＣｒ、またはＮｉＣｒ）を有する被覆スタックを記載している。この保護金属製層の厚さは、光透過を調節するように修正され得る。

米国特許出願第４８１６０５４Ａ号は、単一金属シリサイド機能層を有するガラスの被覆を記載し（請求項１を参照）、ＦｅＳｉ_２、ＮｉＳｉ、及びＮｉＳｉ_２の使用に特定的に言及している。他の鉄シリサイド層、または多層スタック内の金属シリサイド層の具体的な場所については言及がなされていない（これらの例は、全て単一被覆である）。

米国特許出願第２００５１９６６３２Ａ１号は、例えば、Ｚｒシリサイドの、保護層を記載している。Ｆｅ及びＮｉのシリサイドが言及されているが、特定の実施例はない（段落「００３１」を参照）。

本発明の第１の態様によれば、少なくとも次の層、すなわち、
ガラス基板と、
少なくとも１つの金属シリサイド及び／または金属シリサイド窒化物系の少なくとも１つの吸収層と、を備え、少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する、被覆ガラス板、が提供される。

本発明は、吸収層を含む多層被覆ガラス板を提供し、板の太陽エネルギー及び／または光透過率等の光学的特質が、吸収層の厚さに従って微調整されることを可能にする。本発明の配置は、比較的薄い吸収層が使用されるときであっても、高い太陽エネルギー及び／または光吸収を可能にする。より厚い吸収層は、カソードターゲットで高電力を使用する（これは高価である）、複数のカソードターゲットを使用する（これは高価で不都合である）、及び／またはライン速度を低減する（これは生産量に悪影響を及ぼす）必要があるため、製造の観点から望ましくない。

本発明の板は、熱処理前後に、低ヘイズ及び、好ましくは、比較的中性の透過または反射色を呈する（試験では、４ｍｍ厚のサンプルを６５０℃で５分間加熱した）。実際、光学的特質は、熱処理中に全体的に最小の変化しか受けず、これは当然のことながら製造の観点で有利である。

本発明の以下の検討で、反する記載がない限り、パラメータの許容範囲の上限または下限に対する代替値の開示は、該値の一方が他方よりも一層好ましいことの指示と相俟って、該代替物のより好ましい値とあまり好ましくない値との間にある、該パラメータの各中間値が、該あまり好ましくない値よりも、及び該あまり好ましくない値と該中間値との間にある各値よりも、それ自体好ましいことを暗示する記述として、解釈されるべきである。

本発明の文脈で、層が特定の材料（単数または複数）「系」と言われる場合、このことは、層が、対応する該材料（単数または複数）で主に構成されることを意味し、これは通常、少なくとも約５０ａｔ．％の該材料（単数または複数）を含むことを意味する。

少なくとも１つの吸収層は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、及び／またはアルミニウムから選択された元素の金属または金属合金のシリサイド及び／またはシリサイド窒化物系の層を備え得る。

少なくとも１つの吸収層は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ_２、Ｔｉ_５Ｓｉ_３、Ｖ_３Ｓｉ、Ｖ_２Ｓｉ、ＶＳｉ、Ｃｒ_３Ｓｉ、Ｃｒ_２Ｓｉ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉ_２、ＭｎＳｉ_２、ＦｅＳｉ_ｎ（式中、ｎは１〜９の任意の整数または端数である）、Ｆｅ_ｍＳｉ（式中、ｍは１〜９の任意の整数または端数である）、ＣｏＳｉ_２、Ｎｉ_２Ｓｉ、ＮｉＳｉ、ＮｉＳｉ_２、ＮｉＳｉ_６、ＮｉＣｒＳｉ_２、Ｚｒ_４Ｓｉ、Ｚｒ_２Ｓｉ、Ｚｒ_３Ｓｉ_２、Ｚｒ_４Ｓｉ_３、Ｚｒ_６Ｓｉ_５、ＺｒＳｉ、ＺｒＳｉ_２、ＨｆＳｉ、ＨｆＳｉ_２、Ｎｂ_２Ｓｉ、ＮｂＳｉ_２、Ｔａ_５Ｓｉ、Ｔａ_５Ｓｉ_２、Ｔａ_５Ｓｉ_３、ＴａＳｉ_２、Ｍｏ_３Ｓｉ、Ｍｏ_３Ｓｉ_２、ＭｏＳｉ_２、Ｗ_３Ｓｉ_２、ＷＳｉ_２、Ａｌ_４Ｓｉ_３、及び／もしくはＡｌＳｉ_２、ならびに／またはそれらの窒化物系の層を備え得る。

少なくとも１つの吸収層が、ＦｅＳｉ_ｎ及び／またはその窒化物系である場合、ｎは、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４の任意の整数または端数である。例えば、少なくとも１つの吸収層は、Ｆｅ_２Ｓｉ_３系であり得る。

少なくとも１つの吸収層が、Ｆｅ_ｍＳｉ及び／またはその窒化物系である場合、ｍは、例えば３等の、好ましくは２〜５、より好ましくは２〜４の任意の整数または端数である。例えば、少なくとも１つの吸収層は、Ｆｅ_３Ｓｉ系であり得る。

少なくとも１つの吸収層は、２２〜２８の原子番号を有する元素の金属または金属合金のシリサイド及び／またはシリサイド窒化物系の層を備え得る。

本発明の第２の態様によれば、少なくとも次の層、すなわち、
ガラス基板と、
Ｆｅ_２Ｓｉ_３、ＦｅＳｉ_ｎ（式中、ｎは１以上であるが２未満または２より大きいが９以下の任意の整数または端数である）、及び／もしくはＦｅ_ｍＳｉ（式中、ｍは１〜９の任意の整数または端数である）、ならびに／またはそれらの窒化物のうちの１つ以上に基づく少なくとも１つの吸収層と、
を備える、被覆ガラス板、が提供される。

本発明の第２の態様は、鉄シリサイド吸収層を含む単一または多層被覆ガラス板を提供し、板の太陽エネルギー及び／または光透過率等の、エネルギー及び／または光学的特質が、吸収層の厚さに従って微調整されることを可能にする。本発明の第２の態様の配置は、比較的薄い吸収層が使用されるときであっても、高い太陽エネルギー及び／または光吸収を可能にする。本発明の第２の態様の板はまた、熱処理の前後で、低ヘイズ及び、好ましくは、比較的中性の透過または反射色を呈する。実際、光学的特質は、熱処理中に全体的に最小の変化しか受けない。

本発明の第２の態様では、少なくとも１つの吸収層が、ＦｅＳｉ_ｎ及び／またはそれらの窒化物系である場合、ｎは、好ましくは１〜１．９５または２．０５より大きいが９以下、より好ましくは１〜１．９０または２．１０より大きいが９以下、より一層好ましくは１〜１．８または２．２より大きいが９以下、より一層好ましくは１〜１．６または２．５より大きいが９以下の、任意の整数または端数である。ｎは、好ましくは最大でも６、より好ましくは最大でも５、より一層好ましくは最大でも４である。

本発明の第２の態様では、少なくとも１つの吸収層がＦｅ_ｍＳｉ及び／またはその窒化物系である場合、ｍは、例えば３等の、好ましくは２〜５、より好ましくは２〜４の任意の整数または端数である。

本発明の第２の態様では、少なくとも１つの吸収層は、好ましくはＦｅ_２Ｓｉ_３、ＦｅＳｉ_ｎ（式中、ｎは１以上であるが２未満または２より大きいが９以下の任意の整数または端数である）、及び／もしくはＦｅ_ｍＳｉ（式中、ｍは１〜９の任意の整数または端数である）系である。試験では、これらの鉄シリサイドの薄層で被覆された板が、対応する鉄シリサイド窒化物、またはＮｉＳｉ_２もしくはＮｉＳｉＮ_ｘのはるかにより厚い層で被覆された板に匹敵する、太陽エネルギー及び／または光吸収を呈することが示された。上に詳述したように、より厚い吸収層は、カソードターゲットで高電力を使用する（これは高価である）、複数のカソードターゲットを使用する（これは高価で不都合である）及び／またはライン速度を低減する（これは生産量に悪影響を及ぼす）必要があるため、製造の観点から望ましくない。

本発明の第２の態様では、好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、Ｆｅ_２Ｓｉ_３系である。

本発明の第２の態様では、好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の少なくとも１つの層と接する。より好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する。この配置は、熱処理の前後で、低ヘイズを呈し、最も中性の透過または反射色を達成する可能性を有する点で有利である。

以下の任意選択的特徴は、任意の組み合わせ及び任意の数で、本発明の全ての態様に適用可能である。

好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、Ａｌの窒化物系の少なくとも１つの層と接する。より好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、Ａｌの窒化物系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する。

好ましくは、板は、銀系の機能層を更に備える。

好ましくは、板は、ガラス基板と銀系の機能層との間に位置する下位反射防止層を更に備える。

好ましくは、板は、銀系の機能層上に位置する上位反射防止層を更に備える。

一部の実施形態では、ガラス板は、１つより多い銀系の機能層を備える。例えば、板は、２つ、３つまたはより多い銀系の機能層を備え得る。板が、１つより多い銀系の機能層を備えるとき、各銀系の機能層は、隣接する銀系の機能層から中央反射防止層により離間され得る。１つより多い銀系の機能層を提供することにより、機能層は、介在する誘電体層（＝中央反射防止層）により離間されて、ファブリペロー干渉フィルタを形成し得、それにより、当該技術分野で周知であるように、低放射率及び／または太陽光制御被覆の光学的特質がそれぞれの適用に対して更に最適化され得る。

少なくとも１つの吸収層は、下位反射防止層内に位置し得、被覆の上位反射防止層及び／または中央反射防止層が、２つ以上の銀系の機能層を備える。好ましくは、少なくとも１つの吸収層は、上位反射防止層及び／または中央反射防止層内に位置する。これらの場所は、熱処理後に、ヘイズを最小化し、最も中性の色を提供する点で有利である。より好ましくは少なくとも１つの吸収層が、中央反射防止層内に位置する。中央反射防止層は、熱処理後の低ヘイズで中性色である点で最良の場所にある。

少なくとも１つの吸収層は、好ましくは少なくとも０．５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも２ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３ｎｍはあるが、好ましくは最大でも１２ｎｍ、より好ましくは最大でも１０ｎｍ、より一層好ましくは最大でも９ｎｍ、最も好ましくは最大でも８ｎｍの厚さを有し得る。上で詳述したように、より薄い吸収層が、多くの理由から望ましい。

Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の層（複数可）は各々独立に、好ましくは少なくとも３ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも６ｎｍ、最も好ましくは少なくとも７ｎｍはあるが、好ましくは最大でも３０ｎｍ、より好ましくは最大でも２５ｎｍ、より一層好ましくは最大でも２１ｎｍ、最も好ましくは最大でも１９ｎｍの厚さを有し得る。

少なくとも１つの銀系の機能層を備える被覆の下位反射防止層は、次の層、すなわち、
Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＴｉの酸化物、ならびに／またはＺｒの酸化物系の基層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
金属酸化物ならびに／またはＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層と、
Ｚｎの酸化物系の最上層と、
のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備え得る。

好ましくは、下位反射防止層は、少なくとも、ガラス基板から順に、
○ Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／もしくはＴｉの酸化物、ならびに／もしくはＺｒの酸化物系の基層と、
○ ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
○ Ｚｎの酸化物系の最上層と、
を備える。

下位反射防止層は、３層で上述したような順に構成され得る。

一部の実施形態では、下位反射防止層は、ガラス基板から順に、
○ Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＴｉの酸化物、ならびに／またはＺｒの酸化物系の基層と、
○ ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
○ 金属酸化物ならびに／またはＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層と、
○ Ｚｎの酸化物系の最上層と、
を備える。

下位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＴｉの酸化物、ならびに／またはＺｒの酸化物系の基層は、少なくとも５ｎｍ、好ましくは５〜６０ｎｍ、より好ましくは１０〜５０ｎｍ、より一層好ましくは２０〜４５ｎｍ、最も好ましくは３０〜４０ｎｍの厚さを有し得る。この基層は、数ある用法の中でもとりわけ、ガラス側拡散障壁として機能する。

用語「Ｓｉの（酸）窒化物」はＳｉ窒化物（ＳｉＮ_ｘ）及びＳｉ酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）の両方を包含し、用語「Ａｌの（酸）窒化物」はＡｌ窒化物（ＡｌＮ_ｘ）及びＡｌ酸窒化物（ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ）の両方を包含する。Ｓｉ窒化物、Ｓｉ酸窒化物、Ａｌ窒化物及びＡｌ酸窒化物層は、好ましくは本質的に化学量論的（例えば、Ｓｉ窒化物＝Ｓｉ_３Ｎ_４、ｘ＝１．３３）であるが、被覆の熱処理性がそのことにより悪影響を受けない限り、準化学量論的または、場合によっては、超化学量論的であり得る。下位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の基層の好ましい一組成は、本質的に化学量論的な混合窒化物Ｓｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘである。

Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金の層は、窒素及びアルゴンを含むスパッタリング雰囲中で、Ｓｉ及び／またはＡｌ系のターゲットからそれぞれ反応的にスパッタリングされ得る。Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の基層の酸素含有量は、スパッタリング雰囲気中の残留酸素または該雰囲気中の追加酸素の制御含有量に起因し得る。Ｓｉ（酸）窒化物及び／またはＡｌ（酸）窒化物の酸素含有量が、その窒素含有量より際だって低ければ、即ち、層内の原子比率Ｏ／Ｎが１より際だって小さく維持されるならば、概して好ましい。下位反射防止層の基層に対して、Ｓｉ窒化物及び／またはＡｌ窒化物を、極少酸素含有量で使用するのが、最も好ましい。この特徴は、該層の屈折率が、無酸素Ｓｉ窒化物及び／またはＡｌ窒化物の層の屈折率から際だっては異ならないことを確実にすることにより制御され得る。

下位反射防止層の基層の必須の障壁及び保護特質が失われない限り、混合Ｓｉ及び／またはＡｌターゲットを使用し、あるいは、金属または半導体をこの層のＳｉ及び／またはＡｌ成分に追加することは本発明の適用範囲内にある。ＡｌをＳｉターゲットと混合することは周知で確立されているが、その場合、他の混合ターゲットが排除されることはない。追加成分は、通常は、最大で約１０〜１５重量％の量で存在し得る。Ａｌは、通常、混合Ｓｉターゲットに約１０重量％の量で存在する。

少なくとも１つの吸収層は、下位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の基層に埋め込まれ得る。

下位反射防止層の基層は、ＴｉＯ_ｘ及び／またはＺｒＯ_ｘ系であり得、式中、ｘは１．５〜２．０である。

下位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層は、密で熱的に安定な層を提供しかつ、熱処理後のヘイズの低減に寄与することにより、熱処理中の安定性を向上させるように機能する。下位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層は、少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは０．５〜９ｎｍ、より一層好ましくは１〜８ｎｍ、より一層好ましくは１〜７ｎｍ、より一層好ましくは２〜６ｎｍ、より一層好ましくは３〜６ｎｍ、最も好ましくは３〜５ｎｍの厚さを有し得る。約８ｎｍの厚さ上限が、光干渉条件により好ましく、結果として生じる基層厚さの減少による熱処理性の低下により、これが、反射防止機能層に対する光干渉境界条件を維持するために必要であろう。

下位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の基層上に直接位置するのが好ましい。

下位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物（略記：ＺｎＳｎＯ_ｘ）系の層は、好ましくは、約１０〜９０重量％のＺｎ及び９０〜１０重量％のＳｎ、より好ましくは約４０〜６０重量％のＺｎ及び約４０〜６０重量％のＳｎ、好ましくは約５０重量％のＺｎ及びＳｎの各々、をその総金属含有量を重量％で含む。一部の好ましい実施形態では、下位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物系の層は、最大でも１８重量％のＳｎ、より好ましくは最大でも１５重量％のＳｎ、より一層好ましくは最大でも１０重量％のＳｎを含み得る。ＺｎとＳｎの酸化物系の層は、Ｏ_２の存在下で、混合ＺｎＳｎターゲットの反応性スパッタリングにより堆積され得る。

金属酸化物ならびに／またはケイ素の（酸）窒化物及び／もしくはアルミニウムの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層は、少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは０．５〜６ｎｍ、より好ましくは０．５〜５ｎｍ、より一層好ましくは０．５〜４ｎｍ、最も好ましくは０．５〜３ｎｍの厚さを有し得る。これらの好ましい厚さは、熱処理時のヘイズの更なる改善を可能にする。分離層は、堆積工程中及び引き続く熱処理中に保護を提供する。分離層は、その堆積直後に本質的に完全に酸化されるか、または、酸化物層のその後の堆積中に、それが本質的に完全酸化された層に酸化するかのいずれかである。

分離層が、ケイ素の（酸）窒化物及び／もしくはアルミニウムの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系のとき、少なくとも１つの吸収層は、分離層に埋め込まれる。

分離層は、Ｏ_２の存在下でのＴｉ系のターゲットの反応性スパッタリングにより、または後で酸化されるＴｉ系の薄層を堆積することにより、例えば、僅かに準化学量論的なチタン酸化物系のセラミックターゲット、例えばＴｉＯ_１．９８ターゲット、からの非反応性スパッタリングを用いて、本質的に化学量論的または僅かに準化学量論的な酸化物として、堆積され得る。本発明の文脈では、「本質的に化学量論的な酸化物」とは、少なくとも９５％、最大でも１０５％化学量論的な酸化物を意味し、「僅かに準化学量論的な酸化物」とは、少なくとも９５％、１００％未満化学量論的な酸化物を意味する。

分離層が金属酸化物系のとき、該分離層は、Ｔｉ、ＮｉＣｒ、ＩｎＳｎ、Ｚｒ、Ａｌ及び／またはＳｉの酸化物系の層を含む。

分離層は、その金属酸化物ならびに／またはケイ素の（酸）窒化物及び／もしくはアルミニウムの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金に加えて、次の元素、すなわち、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｉのうちの少なくとも１つのから、または、例えば、ドーパントまたはアロイアントとして使用される、これらの材料のうちの少なくとも１つに基づく合金から選択された、１つ以上の他の化学元素を更に含み得る。

Ｚｎの酸化物系の最上層は、主に、その後堆積される銀系の機能層のための成長促進層として機能する。Ｚｎの酸化物系の最上層は、最大約１０重量％（ターゲット金属含有量に関する重量％）の量のＡｌまたはＳｎ等の金属と、任意選択的に混合される。ＡｌまたはＳｎ等の該金属の通常の含有量は、約２重量％であるが、Ａｌが実際は好ましい。ＺｎＯ及び混合Ｚｎ酸化物は、成長促進層として極めて有効であることが判っており、その後堆積される銀系の機能層の所与の厚さで低シート抵抗を達成する助けになる。下位反射防止層の最上層を、Ｏ_２の存在下でＺｎターゲットから反応的にスパッタリングするか、それを、酸素を含まないかまたは、概して約５体積％以下の、少量のみ含む雰囲気中で、セラミックターゲット、例えば、ＺｎＯ：Ａｌ系、をスパッタリングすることにより堆積すれば、好ましい。Ｚｎの酸化物系の最上層は、少なくとも２ｎｍ、好ましくは２〜１５ｎｍ、より好ましくは４〜１２ｎｍ、より一層好ましくは５〜１０ｎｍ、より一層好ましくは５〜９ｎｍの厚さを有し得る。

銀系の機能層（複数可）は、低放射率及び／または太陽光制御被覆の分野で一般的であるように、何らの添加剤も無しに、銀を主成分とし得る。しかし、高透光性で低光吸収性の赤外線反射層（複数可）としてその（それらの）機能に必要な銀系の機能層（複数可）の特質がそのことにより実質的に損なわれない限り、ドープ剤、合金添加剤等を追加し、または場合によっては極薄金属または金属化合物層を追加することにより、銀系の機能層（複数可）の特質を修正することは、本発明の適用範囲内にある。

銀系の機能層の厚さは、その技術上の目的により支配される。通常の低放射率及び／または太陽光制御被覆目的では、単一銀系の層の好ましい層厚は、５〜２０ｎｍ、より好ましくは５〜１５ｎｍ、より一層好ましくは５〜１２ｎｍ、より一層好ましくは７〜１１ｎｍ、最も好ましくは８〜１０ｎｍである。そのような層厚では、熱処理後の８６％を上回る光透過率及び０．０５未満の垂直放射率が、単一銀被覆に対して容易に達成され得る。より良好な太陽光制御特質を狙うのであれば、銀系の機能層の厚さを増大させれば十分であり、または数個の離間された機能層が提供されればよい。

板が２つの銀系の機能層を備えるとき、ガラス基板から最も遠く位置する銀系の機能層は、好ましくは５〜２５ｎｍ、より好ましくは１０〜２１ｎｍ、より一層好ましくは１３〜１９ｎｍ、より一層好ましくは１４〜１８ｎｍ、最も好ましくは１５〜１７ｎｍの厚さを有し得る。

板が３つの銀系の機能層を備えるとき、ガラス基板から最も遠く位置する２つの銀系の機能層は各々独立に、好ましくは５〜２５ｎｍ、より好ましくは１０〜２１ｎｍ、より一層好ましくは１３〜１９ｎｍ、より一層好ましくは１４〜１８ｎｍ、最も好ましくは１５〜１７ｎｍの厚さを有し得る。

好ましくは、下位反射防止層内のＺｎの酸化物系の最上層は、銀系の機能層と直接接している。

中央反射防止層（複数可）は、次の層、すなわち、
Ｚｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の層と、
ＮｉＣｒの酸化物系の層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備え得る。

一部の好ましい実施形態では、各銀系の機能層は、隣接する銀系の機能層から中央反射防止層により離間され、
各中央反射防止層は、少なくとも、
Ｚｎの酸化物系の障壁層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
Ｚｎの酸化物系の最上層と、
を、中央反射防止層が間に位置する銀系の機能層のうちのガラス基板に最も近く位置する銀系の機能層から順に含む。

一部の他の好ましい実施形態では、各銀系の機能層は、隣接する銀系の機能層から中央反射防止層により離間され、
各中央反射防止層は、少なくとも、
ＮｉＣｒの酸化物系の障壁層と、
Ｚｎの酸化物系の障壁層と、
Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
Ｚｎの酸化物系の最上層と、
を、中央反射防止層が間に位置する銀系の機能層のうちのガラス基板に最も近く位置する銀系の機能層から順に含む。

少なくとも１つの吸収層は、中央反射防止層のＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の層に埋め込まれる。

ＮｉＣｒの酸化物系の層は、好ましくは少なくとも０．３ｎｍ、より好ましくは少なくとも０．４ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも０．５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも０．６ｎｍはあるが、好ましくは最大でも５ｎｍ、より好ましくは最大でも２ｎｍ、より一層好ましくは最大でも１ｎｍ、最も好ましくは最大でも０．９ｎｍの厚さを有し得る。これらの好ましい厚さは、機械的耐久性を保持しながら、堆積の更なる容易化、及びヘイズ等の光学的特性の改善を可能にする。

中央反射防止層のＺｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の層（複数可）は独立に、好ましくは少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも２ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３．５ｎｍはあるが、好ましくは最大でも１０ｎｍ、より好ましくは最大でも７ｎｍ、より一層好ましくは最大でも５ｎｍ、最も好ましくは最大でも４ｎｍの厚さを有し得る。これらの好ましい厚さは、機械的耐久性を保持しながら、堆積の更なる容易化、及びヘイズ等の光学的特性の改善を可能にする。

中央反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層は、好ましくは少なくとも５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１０ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも１３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１４ｎｍはあるが、好ましくは最大でも４０ｎｍ、より好ましくは最大でも３０ｎｍ、より一層好ましくは最大でも２５ｎｍ、最も好ましくは最大でも２１ｎｍの厚さを有し得る。

中央反射防止層のＳｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層は、好ましくは少なくとも５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１５ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも２５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３０ｎｍはあるが、好ましくは最大でも６０ｎｍ、より好ましくは最大でも５０ｎｍ、より一層好ましくは最大でも４５ｎｍ、最も好ましくは最大でも４０ｎｍの厚さを有し得る。

上位反射防止層は、次の層、すなわち、
ＮｉＣｒの酸化物系の層と、
Ｚｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の層と、
Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌ（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備え得る。

一部の好ましい実施形態では、上位反射防止層は、少なくとも
Ｚｎの酸化物系の障壁層と、
Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
を、ガラス基板から最も遠く位置する銀系の機能層から順に備える。

一部の他の好ましい実施形態では、上位反射防止層は、少なくとも
ＮｉＣｒの酸化物系の障壁層と、
Ｚｎの酸化物系の障壁層と、
Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
を、ガラス基板から最も遠く位置する銀系の機能層から順に備える。

少なくとも１つの吸収層は、上位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の層に埋め込まれ得る。

上位反射防止層のＺｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の障壁層は、好ましくは少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも２ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３．５ｎｍはあるが、好ましくは最大でも１０ｎｍ、より好ましくは最大でも７ｎｍ、より一層好ましくは最大でも５ｎｍ、最も好ましくは最大でも４ｎｍの厚さを有し得る。これらの好ましい厚さは、機械的耐久性を保持しながら、堆積の更なる容易化、及びヘイズ等の光学的特性の改善を可能にする。

障壁層が混合金属酸化物ターゲットからスパッタリングされた混合金属酸化物の層を備える場合には、堆積工程中の銀系の機能層（複数可）の優れた保護及び熱処理中の高い光学的安定性が、達成され得ることを見出した。障壁層がＺｎの酸化物系であるとき、該酸化物は、ＺｎＯ：Ａｌ等の混合金属酸化物であり得る。ＺｎＯ：Ａｌ系の層が、導電性ＺｎＯ：Ａｌターゲットからスパッタリングされる場合、良好な結果が特に達成される。ＺｎＯ：Ａｌは、完全に酸化されて、または僅かに亜酸化物であるように堆積され得る。好ましくは、ＺｎＯ：Ａｌ障壁層は、本質的に化学量論的である。金属製または９５％未満の化学量論的なＺｎＯ；Ａｌ障壁層ではなくむしろ本質的に化学量論的なＺｎＯ：Ａｌ障壁層の使用は、熱処理中の被覆物の高い光学的安定性及び熱処理中の光学的修正を小さく維持する上で効果的な助けになる。加えて、本質的に化学量論的金属酸化物系の障壁層の使用は、機械的堅牢性の点で利点を提供する。

障壁層がＮｉＣｒの酸化物系であるとき、該層は準化学量論的な酸化物として堆積されて好ましい。このことは、該層が熱処理中に酸素捕捉体／吸収体として作用することを可能にする。

銀系の機能層と直接接している障壁層の少なくとも一部分を、酸化物ターゲットの非反応性スパッタリングを用いて堆積して、銀損傷を回避するのが好ましい。

好ましくは、障壁層は、非反応性スパッタリングにより堆積される。好ましくは、障壁層は、セラミックターゲットからスパッタリングされる。本発明の文脈で、用語「非反応性スパッタリング」は、本質的に化学量論的な酸化物を提供するための低酸素雰囲気（無酸素または最大で５体積％の酸素）中での酸化物ターゲットのスパッタリングを含む。

障壁層がＴｉＯ_ｘ系である場合、ｘは１．５〜２．０であり得る。

上位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層は、好ましくは少なくとも２ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも１０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１５ｎｍはあるが、好ましくは最大でも４０ｎｍ、より好ましくは最大でも３５ｎｍ、より一層好ましくは最大でも３０ｎｍ、最も好ましくは最大でも２５ｎｍの厚さを有し得る。そのような厚さは、被覆板の機械的堅牢性の点で更なる改善を提供する。Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の該層は、好ましくは障壁層と直接接している。

Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層は、一部の場合には上位反射防止層の大部分を構成し得、安定性（熱処理中のより良好な保護）及び拡散障壁特質を提供する。該層は、好ましくは、Ｎ_２含有雰囲気中でのＳｉ、Ａｌまたは混合ＳｉＡｌターゲット、例えばＳｉ_９０Ａｌ_１０ターゲット、の反応性スパッタリングにより、Ａｌ窒化物及び／またはＳｉ窒化物層として堆積される。Ａｌの（酸）窒化物及び／またはＳｉの（酸）窒化物系の層の組成は、本質的に化学量論的Ｓｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘである。

上位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物等の、金属酸化物及び／またはＳｎの酸化物系の層は、好ましくは少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍ、より一層好ましくは少なくとも７ｎｍ、最も好ましくは少なくとも９ｎｍはあるが、好ましくは最大でも２０ｎｍ、より好ましくは最大でも１５ｎｍ、より一層好ましくは最大でも１３ｎｍ、最も好ましくは最大でも１１ｎｍの厚さを有する。そのような厚さは、被覆板の機械的堅牢性の点で更なる改善を提供する。該層がＺｎとＳｎの酸化物であるとき、好ましくは約１０〜９０重量％のＺｎ及び９０〜１０重量％のＳｎ、より好ましくは約４０〜６０重量％のＺｎ及び約４０〜６０重量％のＳｎ、好ましくは約５０重量％のＺｎ及びＳｎの各々、をその総金属含有量の重量％で含む。一部の好ましい実施形態では、上位反射防止層のＺｎとＳｎの酸化物系の該層は、最大でも１８重量％のＳｎ、より好ましくは最大でも１５重量％のＳｎ、より一層好ましくは最大でも１０重量％のＳｎを含む。該層は、Ｏ_２の存在下での混合ＺｎＳｎターゲットの反応性スパッタリングにより堆積され得、上位反射防止層の反射防止特質に寄与する。

上位反射防止層のＳｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層は、本明細書に定義付けられるように、更なる誘電体層を何ら介在することなく、上位反射防止層の金属の酸化物系の層と直接接し得る。

好ましくは、上位反射防止層の金属酸化物系の層は、ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物系の層を備える。

上位反射防止層は、２０〜６０ｎｍ、好ましくは２５〜５０ｎｍ、より好ましくは３０〜５０ｎｍ、より一層好ましくは３５〜４５ｎｍの総厚を有し得る。

保護層を、上位反射防止層の最上層（最外層）として堆積させて、機械的及び／または化学堅牢性、例えば、耐ひっかき性、を高めてもよい。該保護層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／またはＺｒの酸化物系の層であり得る。

熱処理中の光透過率上昇を低減するために、上位、中央及び下位反射防止層の全ての個々の層を、本質的に化学量論的な組成で堆積するのが好ましい。

被覆板の光学的特質を更に最適化するために、上位及び／または下位反射防止層は、低放射率及び／または太陽光制御被覆の誘電体層に対して概して既知の、特に、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ及び／もしくはＳｉの酸化物ならびに／またはＳｉ及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物、もしくはそれらの組み合わせのうちの１つ以上から選択された、好適な材料で構成される更なる部分層を含み得る。しかし、そのような更なる部分層を追加するときは、そのことにより本明細書で目標とする熱処理性が損なわれないことが確証されるべきである。

任意の更なる部分層は、その特質を修正しかつ／またはその製造を容易にする添加剤、例えば、ドープ剤または反応性スパッタリングガスの反応生成物、を含み得ることが理解される。酸化物系の層の場合、窒素をスパッタリング雰囲気に追加して、酸化物よりはむしろ酸窒化物の形成に至るようにし得る。窒化物系の層の場合、酸素をスパッタリング雰囲気に追加して、窒化物よりはむしろ酸窒化物の形成に至るようにし得る。

本発明の板の基本的な層の順序に何らかのそのような更なる部分層を追加するときには、適当な材料、構造及び厚さの選択を行うことによって、例えば、高い熱的安定性を主に目標にした特質がそのことにより顕著に損なわれることがないように、注意を払うべきである。

本発明は、被覆に対する特定の生産工程に限定されない。しかし、層のうちの少なくとも１つ、最も好ましくは全ての層、がマグネトロンカソードスパッタリングを、ＤＣモード、パルスモード、中間周波数モードまたは他の任意の好適なモードで適用されれば特に好ましく、それにより金属製または半導体ターゲットが、好適なスパッタリング雰囲気中で反応的にまたは非反応的にスパッタリングされる。スパッタリングされる材料に応じて、平面状または回転管状ターゲットが用いられ得る。

被覆工程は、被覆の反射防止層の任意の酸化物（または窒化物）層のいかなる酸素（または窒素）欠損も低く維持されて、熱処理中に光透過率及び被覆ガラス板の色の高い安定性を達成するように、好適な被覆条件を設定することにより行われるのが好ましい。

本明細書でいう光透過率値とは、概して、被覆無しで８９％の光透過率Ｔ_Ｌを有する４ｍｍ厚標準フロートガラス板を備える被覆ガラス板に関して特定される。

本発明による被覆ガラス板の熱安定性は、熱処理された被覆ガラス板が、許容不能なヘイズレベルを呈さないことが反映される。大幅なヘイズ値の増加が、熱処理中に検出された場合、被覆が損傷され始めていることを示しているであろう。

本発明の別の態様によれば、本発明に従って被覆ガラス板を組み込む複層ガラス窓が提供される。例えば、複層ガラス窓は、層状ガラスまたは絶縁ガラスであり得る。

本発明の一態様に適用可能な任意選択的特徴は、任意の組み合わせ、任意の数で使用され得ることが理解されるであろう。しかも、それらはまた、任意の組み合わせ、任意の数の本発明の他の態様のいずれかと共に使用され得る。このことは、本出願の特許請求の範囲の任意の他の特許請求の範囲に対し従属項として使用されている任意の特許請求の範囲の従属項を含むが、それらに限定されない。

読者の留意は、本明細書に関連してそれと同時にまたは先だって提出され、本明細書と共に公開される全ての書類及び文献が対象になり、それらの書類及び文献は参照により本明細書に組み込まれる。

本明細書に開示される特徴の全て（添付の任意の特許請求の範囲、要約書、及び図面を含む）、及び／またはそのように開示される任意の方法または工程の全ては、そのような特徴及び／またはステップの少なくとも一部が相互に排除し合うような組み合わせを除いて、任意の組み合わせに組み合わされ得る。

本明細書に開示される各特徴（添付の任意の特許請求の範囲、要約書、及び図面を含む）は、他に明記されない限り、同一、均等、または類似の目的に機能する代替的特徴により置き換えられ得る。したがって、他に明記されない限り、開示される各特徴は、一連の包括的な均等または類似の特徴のうちの一例に過ぎない。

本発明を、図解を与えるが限定的にはならない、以下の特定の実施形態により、更に説明する。

全ての実施例に関して、ＡＣ及び／またはＤＣマグネトロンスパッタリングデバイスを用い、適合する場合には中間周波数スパッタリングを適用して、約８９％の光透過率を有する４ｍｍ厚の標準フロートガラス板（１０ｃｍ×１０ｃｍ）上に、被覆を堆積させた。被覆に先立って、ガラスをＢｅｎｔｅｌｅｒ（ＲＴＭ）洗浄機で２回洗浄した。

ＺｎとＳｎの酸化物（ＺｎＳｎＯ_ｘ、重量比Ｚｎ：Ｓｎ≒５０：５０）の全ての誘電体層は、Ａｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気中で亜鉛−錫ターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

下位反射防止層のＺｎＯ：Ａｌ成長促進最上層は、Ａｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気中でＡｌドープＺｎターゲット（約２重量％のＡｌ含有量）からスパッタリングを行った。

全実施例での本質的に純銀（Ａｇ）で構成される機能層は、なんらの酸素も追加しない１０^−５ｍｂａｒ未満の残留酸素分圧のＡｒスパッタ雰囲中で銀ターゲットからスパッタリングを行った。

Ａｌドープ亜鉛酸化物（ＺｎＯ：：Ａｌ、ＺＡＯ）の障壁層は、酸素を追加しない純粋Ａｒスパッタ雰囲中で導電性ＺｎＯ_ｘ：Ａｌターゲットからスパッタリングを行った。

混合ケイ素アルミニウム窒化物（Ｓｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘ）の層は、残留酸素のみを含むＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気中で混合Ｓｉ_９０Ａｌ_１０ターゲットから反応的にスパッタリングを行った。
Ａｌ窒化物の層は、残留酸素のみを含むＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気中でＡｌターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

Ｆｅ_２Ｓｉ_３の層は、酸素を追加しない純粋Ａｒスパッタ雰囲気中で、ＦｅとＳｉのターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

Ｆｅ_２Ｓｉ_３Ｎ_ｘの層は、残留酸素のみを含むＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気中で、ＦｅとＳｉのターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

ＮｉＳｉ_２の層は、酸素を追加しない純粋Ａｒスパッタ雰囲気中で、ＮｉとＳｉのターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

ＮｉＳｉ_２Ｎ_ｘの層は、残留酸素のみを含むＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気中で、ＮｉとＳｉのターゲットから反応的にスパッタリングを行った。

表１：多数の比較例の被覆ガラス板及び本発明による被覆ガラス板に対するヘイズスコア、光透過率及び反射特質。式中、ＡＤ＝堆積時、ＨＴ＝熱処理後、色Ｔ＝透過時の色、色Ｒｃ＝板の被覆側から見たときの反射時の色、色Ｒｇ＝板の非被覆（ガラス）側から見たときの反射時の色、及び％Ｔ_Ｌ＝光透過率百分率。表１のデータを収集するために使用した技法を以下に示す。表１中、各実施例で、層は、示した第１の層から始まる順にガラス板上に、堆積させた。

熱処理性試験
実施例１〜２９の被覆の堆積後、Ｔ_Ｌ及び色Ｒｇを測定し、サンプルを約６５０℃で約５分間加熱した。その後、ヘイズ、Ｔ_Ｌ、色Ｔ、色Ｒｃ、及び色Ｒｇを測定した。結果を上の表１に列記する。

実施例１〜２９での被覆ガラス板の％光透過率％Ｔ_Ｌに対して記した値は、ＥＮ１４０による測定値から得た。

色特性は、確立されたＣＩＥ ＬＡＢａ^＊、ｂ^＊座標（例えば、ＷＯ２００４−０６３１１１Ａ１の［００３０］及び［００３１］を参照）を使用して測定及び報告を行った。

それぞれの中性色に対して、色特性の各々が−１５≦（ａ^＊またはｂ^＊）≦１５であることが概して好ましい。

主観可視ヘイズ採点システムを実施例に適用した。以下に説明する品質評価システムは、ＡＳＴＭ Ｄ １００３−６１に従って測定された標準ヘイズ値によっては完全に反映されない特質である、明るい光条件下での被覆の目視品質を上手く見分けるために必要であることが分かった。

評価システムは、被覆が損傷しまたは不完全な場合に局部的な色のばらつきを生じる被覆の可視欠陥のより巨視的効果を考察する（表１のヘイズスコア）。熱処理後の被覆の可視欠陥の巨視的効果（全ての実施例は熱処理前にはヘイズを呈さない）を、サンプルを明るい光下で見ることにより主観的に評価した。評価は、０（完全、無欠陥）から３（多い数のはっきり見える欠陥及び／またはスポット）を介して最高の５（濃いヘイズ、裸眼で見えることが多い）のスコアを用いた完全性採点（格付け）システムに基づいており、熱処理後の被覆ガラスサンプルの目視外観を各付ける。

目視評価は、２．５ミリオンカンデラのパワービーム（トーチ）を用いて、これを２つの直交面内（即ち、トーチを先ず水平面内で次いで垂直面内で回転させる）の（直角入射に対して）約−９０°〜約＋９０°間の入射角で、ブラックボックスの前に配置した被覆ガラス板上に向けて行った。ブラックボックスは、数個の被覆ガラスを同時に評価できるように、十分に大きいサイズを有する。観察者から被覆ガラス板を通して光ビームを向けることにより、被覆ガラス板を、観察してそれらの目視品質を上記の説明を記す際に入射角を変えることにより評価した。被覆ガラス板は、それらの被覆が観察者に向くように、ブラックボックスの前に配置した。３以上の任意のスコアを有する熱処理された被覆ガラス板は、試験で不合格であったと見なされる。

結果の概要
比較例１及び２は、本発明に要される吸収層を含まないスタックで被覆した板である。したがって、これらの２つの比較例は、他の実施例より大分高い光透過率を呈する。

実施例３及び４は、中央反射防止層のＡｌＮ_ｘ層間に埋め込まれたＦｅ_２Ｓｉ_３の層を含むスタックで被覆した板である。高い視光吸収を達成するために、Ｆｅ_２Ｓｉ_３の薄層だけは必要である。ヘイズは許容可能で、色特性は比較的中性である。

実施例５は、中央反射防止層内でＡｌＮ_ｘと接するＦｅ_２Ｓｉ_３の層を含むスタックで被覆された板である。やはり、高い視光吸収を達成するために、Ｆｅ_２Ｓｉ_３の薄層だけは必要である。ヘイズは許容可能で、色特性は比較的中性である。

実施例６及び８は、それぞれ、中央反射防止層及び上位反射防止層のＡｌＮ_ｘ層間に埋め込まれたＦｅ_２Ｓｉ_３Ｎ_ｘを含むスタックで被覆された板である。Ｆｅ_２Ｓｉ_３の層の使用で達成されるものに匹敵する可視光吸収を達成するために、より厚いＦｅ_２Ｓｉ_３Ｘ_ｘの層が必要である。

実施例７は、上位反射防止層内のＡｌＮ_ｘ層間に埋め込まれたＦｅ_２Ｓｉ_３の層を含むスタックで被覆された板である。やはり、高い視光吸収を達成するために、Ｆｅ_２Ｓｉ_３の薄層だけは必要である。ヘイズは許容可能で、色特性は概して比較的中性である。

比較例９は、中央反射防止層内のＡｇとＺＡＯの層間に位置するＮｉＳｉ_２の層を含むスタックで被覆された板である。この実施例は、許容不能なヘイズを呈している。

比較例１０は、中央反射防止層内のＡｌＺ_ｘ及びＺＡＯの層間に位置するＮｉＳｉ_２の層を含むスタックで被覆された板である。本実施例も許容不能なヘイズを呈している。

実施例１１〜１６は、中央反射防止層内のＡｌＮ_ｘ層間に埋め込まれたＮｉＳｉ_２の層を含むスタックで被覆された板である。実施例１１及び１２は、異なる厚さのＮｉＳｉ_２層を用い、実施例１３〜１６の各々は、互いに異なる厚さの２つのＡｌＮ_ｘ層間にＮｉＳｉ_２の層を埋込んでいる。全てにおいて、ヘイズは許容可能で、色特性は比較的中性である。これらの実施例は、ＡｌＮ_ｘ層の厚さは、機能性に決定的ではないことを示す。

実施例１７及び１８は、中央反射防止層内のＡｌＮ_ｘ層間に埋め込まれたＮｉＳｉ_２Ｎ_ｘを含むスタックで被覆された板である。実施例１８は、互いに異なる厚さの２つのＡｌＮ_ｘ層間にＮｉＳｉ_２Ｎ_ｘの層を埋込んでいる。ＮｉＳｉ_２の層の使用で達成されるものに匹敵する可視光吸収を達成するために、より厚いＮｉＳｉ_２Ｎ_ｘの層が必要である。ヘイズは許容可能で、色特性は概して比較的中性である点で許容可能である。

比較例１９及び２０は、上位反射防止層内に位置するＮｉＳｉ_２の層を含むスタックで被覆された板である。比較例１９では、ＮｉＳｉ_２の層がＡｇ及びＺＡＯの層間に位置し、比較例２０では、ＮｉＳｉ_２の層がＺＡＯの層間に埋め込まれている。これらの比較例の両方共、許容不能なヘイズを呈している。

実施例２１〜２３は、原子比率を変化させたＦｅ／Ｓｉの単一層で被覆された板である。これらの被覆板は、熱処理前の高光吸収、及び優れたヘイズを呈している。これらの被覆板はまた、本質的に中性色を呈し、これらのＦｅ／Ｓｉ層がそれ自体、多層被覆板の中性色性に悪影響を与えないであろうことを明示する。

実施例２４〜２９は、ＡｌＮ_ｘ層間に原子比率を変化させたＦｅ／Ｓｉの単一層で被覆された板である。これらの被覆板は、高光吸収、許容可能ヘイズ特性、及び概して本質的に中性色を呈している。

実施例３〜２０のスタック内の層の厚さは、吸収層の包含に対しては最適化されていないこと、即ち、誘電体層の厚さを変更することにより、より多い中性色値を取得し得ることは注目に値する。

本発明は、上述の実施形態の詳細事項に制限されることはない。本発明は、本明細書（任意の添付の特許請求の範囲、要約書、及び図面を含む）に開示された特徴の任意の新規な１つ、または任意の新規な組み合わせ、またはそのように開示された任意の方法または工程のステップの任意の新規な１つ、または任意の新規な組み合わせに及ぶ。

Claims (18)

1. 少なくとも次の層、すなわち、
   ガラス基板と、
   少なくとも１つの金属シリサイド及び／または金属シリサイド窒化物系の少なくとも１つの吸収層と、を備え、前記少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する、被覆ガラス板。
2. 前記少なくとも１つの吸収層は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、及び／またはアルミニウムから選択された元素の金属または金属合金のシリサイド、及び／またはシリサイド窒化物系の層を備える、請求項１に記載の前記被覆ガラス板。
3. 前記少なくとも１つの吸収層は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ_２、Ｔｉ_５Ｓｉ_３、Ｖ_３Ｓｉ、Ｖ_２Ｓｉ、ＶＳｉ、Ｃｒ_３Ｓｉ、Ｃｒ_２Ｓｉ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉ_２、ＭｎＳｉ_２、ＦｅＳｉ_ｎ（式中、ｎは１〜９の任意の整数または端数である）、Ｆｅ_ｍＳｉ（式中、ｍは１〜９の任意の整数または端数である）、ＣｏＳｉ_２、Ｎｉ_２Ｓｉ、ＮｉＳｉ、ＮｉＳｉ_２、ＮｉＳｉ_６、ＮｉＣｒＳｉ_２、Ｚｒ_４Ｓｉ、Ｚｒ_２Ｓｉ、Ｚｒ_３Ｓｉ_２、Ｚｒ_４Ｓｉ_３、Ｚｒ_６Ｓｉ_５、ＺｒＳｉ、ＺｒＳｉ_２、ＨｆＳｉ、ＨｆＳｉ_２、Ｎｂ_２Ｓｉ、ＮｂＳｉ_２、Ｔａ_５Ｓｉ、Ｔａ_５Ｓｉ_２、Ｔａ_５Ｓｉ_３、ＴａＳｉ_２、Ｍｏ_３Ｓｉ、Ｍｏ_３Ｓｉ_２、ＭｏＳｉ_２、Ｗ_３Ｓｉ_２、ＷＳｉ_２、Ａｌ_４Ｓｉ_３、及び／もしくはＡｌＳｉ_２、ならびに／またはそれらの窒化物系の層を備える、請求項１または請求項２に記載の前記被覆ガラス板。
4. 少なくとも次の層、すなわち、
   ガラス基板と、
   Ｆｅ_２Ｓｉ_３、ＦｅＳｉ_ｎ（式中、ｎは１以上であるが２未満または２より大きいが９以下の任意の整数または端数である）、及び／もしくはＦｅ_ｍＳｉ（式中、ｍは１〜９の任意の整数または端数である）、ならびに／またはそれらの窒化物のうちの１つ以上に基づく少なくとも１つの吸収層と、
   を備える、
   被覆ガラス板。
5. 前記少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の少なくとも１つの層と接する、請求項４に記載の前記被覆ガラス板。
6. 前記少なくとも１つの吸収層は、Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する、請求項５に記載の前記被覆ガラス板。
7. 前記少なくとも１つの吸収層がＦｅＳｉ_ｎ及び／またはそれらの窒化物系である場合、ｎは、１〜１．９５または２．０５より大きいが９以下、好ましくは１〜１．９０または２．１０より大きいが９以下の任意の整数または端数である、請求項４〜６のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
8. 前記少なくとも１つの吸収層は、Ａｌの窒化物系の少なくとも１つの層と接する、請求項１〜７のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
9. 前記少なくとも１つの吸収層は、Ａｌの窒化物系の２つの層間に埋め込まれ、かつそれらと接する、請求項１〜８のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
10. 前記板は、銀系の機能層を更に備える、請求項１〜９のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
11. 前記板は、
    前記ガラス基板と前記銀系の機能層との間に位置する下位反射防止層と、
    前記銀系の機能層の上に位置する上位反射防止層と、を更に備える、請求項１０に記載の前記被覆ガラス板。
12. 前記板は、１つより多い銀系の機能層を備え、各銀系の機能層は、隣接する銀系の機能層から中央反射防止層により離間される、請求項１０または請求項１１に記載の前記被覆ガラス板。
13. 前記少なくとも１つの吸収層は、前記上位反射防止層にかつ／または、請求項１２に従属する場合は、中央反射防止層内に位置する、請求項１１または請求項１２に記載の前記被覆ガラス板。
14. 前記少なくとも１つの吸収層は、少なくとも１ｎｍはあるが最大でも１０ｎｍの厚さを有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
15. Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の前記層（複数可）は各々独立に、少なくとも５ｎｍはあるが最大でも２５ｎｍの厚さを有する、請求項１〜３または５〜１４のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
16. 前記下位反射防止層は、次の層、すなわち、
    Ｓｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＴｉの酸化物、ならびに／またはＺｒの酸化物系の基層と、
    ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
    金属酸化物ならびに／またはＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層と、
    Ｚｎの酸化物系の最上層と、
    のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備え、
    前記上位反射防止層は、次の層、すなわち、
    ＮｉＣｒの酸化物系の層と、
    Ｚｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の層と、
    Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
    ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
    のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備える、請求項１１に記載の、または請求項１２〜１５が請求項１１に直接もしくは間接的に従属する場合には請求項１２〜１５のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
17. 前記中央反射防止層（複数可）は、次の層、すなわち、
    ＮｉＣｒの酸化物系の層と、
    Ｚｎの酸化物及び／またはＴｉの酸化物系の層と、
    ＺｎとＳｎの酸化物及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、
    Ｓｉの（酸）窒化物、及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系の層と、
    のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを備える、請求項１２に記載の、または請求項１３〜１６が請求項１２に直接または間接的に従属する場合には請求項１３〜１６のいずれかに記載の前記被覆ガラス板。
18. 請求項１〜１７のいずれかに記載の被覆ガラス板を組み込む複層ガラス窓。