JP6588894B2 - 熱処理可能な被覆ガラス板 - Google Patents

Description

本発明は、太陽制御被覆を有する熱処理可能な被覆ガラス板に関する。本発明は、該板を組み込む多重グレージングにも関する。

安全特性を与えるために強化され、かつ／または曲げられた熱処理されたガラス板は、例えば、建築用グレージングまたは自動車用グレージングなど、多数の用途領域に必要とされている。ガラス板を熱的に強化し、かつ／またはそれを曲げるために、使用されるガラスの軟化点の近くまたはそれを上回る温度での熱処理によりガラス板を加工し、次いで急速冷却によってそれらを強化するか、または曲げ手段を活用してそれらを曲げることのいずれかが必要であることは既知である。ソーダ石灰シリカ系の標準フロートガラスの関連温度範囲は、典型的には約５８０〜６９０℃であり、ガラス板は、実際の強化及び／または曲げプロセスを開始する前に、数分間この温度範囲内に維持される。

以下の説明及び特許請求の範囲の「熱処理」、「熱処理された」、及び「熱処理可能な」は、先に述べたような熱による曲げ及び／または強化プロセス、ならびに被覆ガラス板が数分の期間、例えば最大約１０分間、約５８０〜６９０℃の範囲内の温度に達するその他の熱によるプロセスを指す。被覆ガラス板は、致命的な損傷なく熱処理に耐え抜いた場合に、熱処理可能であると見なされ、熱処理によっもたらされる典型的な損傷とは、高いヘイズ値、小さい穴、または染みである。

特定の要求を満たすためには、様々な光透過値及び／または伝熱値を有する幅広い被覆ガラス板を製造することができることが望ましい。この目標に取り組むための１つのアプローチは、異なる製品種類（例えば、低放射及び太陽制御、ならびに熱処理可能な製品及び加熱処理不可能な製品の両方）のそれぞれに対して共通の多層スタックまたはプラットフォームを使用し、次いで異なる厚さの少なくとも１つの吸収層をスタックのそれぞれに追加することによってスタックの光学特性を調整することである。

本発明の文脈において、層が「吸収層」であると言われる場合、その層は、スペクトルの可視域を含むがそれに限定されない、太陽エネルギースペクトル内での測定可能な吸収量を有することを意味する。したがって、そのような吸収層は、被覆ガラス板を通した太陽エネルギー伝達を制御（減少）するという一般目的に役立ち得る。

ある特定の吸収層は、当該技術分野において既知である。例えば、欧州特許第ＥＰ ０７１８２５０ Ａ２号は、銀などの機能金属層の上に直接位置する保護金属層（例えば、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＮｂＴａ、ＴａＣｒ、またはＮｉＣｒ）を有する被覆スタックについて記載する。保護金属層の厚さは、光透過を調節するために修正され得る。

国際特許第ＷＯ２００８／０７５１０７ Ａ１号は、好ましくは銀系機能層の真上及び真下の両方に、窒化タングステンバリア層を吸収層として使用することについて記載する。十分なバリア及び太陽制御機能を達成するために、窒化タングステンＷＮ_ｘ（ｘ＜１）を備えるバリア層は、少なくとも約２ｎｍの厚さを有するべきである。バリア層が最小限の厚さを有しなければならない（バリア層が、その後の誘電体層を反応被覆する間、銀系層を反応性プラズマから適切に保護するため）ということは、実現され得る光学特性に関して完全な自由がないように窒化タングステン層の厚さを制限することを意味する。さらには、窒化タングステン系バリア層の銀系層への接着性は、他のバリア層の接着性よりも低いことが分かっている。被覆スタックの個々の層間の低接着性は、例えば熱処理中、被覆スタックの層間剥離を引き起こし得る。

国際特許第ＷＯ２００９／０６７２６３ Ａ１号は、吸収バリア層で保護され得る少なくとも２つの銀層を有する被覆について記載する。吸収バリア層は、幅広い材料より選択され得るが、ＮｉＣｒが好ましい。ＮｉＣｒ系吸収層は、熱処理中に酸化し、それによってその光学特性を著しく変化させる傾向がある。

国際特許第ＷＯ２００９／００１１４３ Ａ１号は、吸収層が、低放射及び／または太陽制御被覆スタックの反射防止層の一部であるＡｌ（オキシ）窒化物層内に組み込まれている被覆ガラス板について開示する。この吸収層は、金属窒化物、好ましくはＮｉＣｒ、タングステン、またはそれらの窒化物を含み得る。そのような配置は、スタックの複雑性を増大させる。

例えばＡｌ及び／またはＳｉの（オキシ）窒化物の保護層内に窒化タングステン系吸収層を組み入れる必要なしに、光学特性が変化しないように熱処理時に熱的に安定しており、実現され得る光学特性に関してより大きな柔軟性を可能にし、かつバリア層の銀系層へのより良好な接着性を可能にする、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層を組み込む太陽制御被覆を提供することが望ましいであろう。

本発明の第一の態様に従って、少なくとも以下の層、
ガラス基板と、
下方反射防止層と、
銀系機能層と、
少なくとも１つのさらなる反射防止層と、を順に備える被覆ガラス板であって、さらなる反射防止層が、少なくとも以下の層、
少なくとも１つのバリア層と、
少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層と、
少なくとも１つの誘電体層とを順に備える、被覆ガラス板が提供される。

本発明は、太陽エネルギー及び／または光透過などの板の光学特性を吸収層の厚さに従って微調整することを可能にする、窒化タングステン系吸収層を含む多層被覆ガラス板を提供する。本発明の配置は、比較的薄い吸収層が使用されるときにさえ、太陽エネルギー及び／または光の高吸収を可能にする。

本発明の板は、低ヘイズ及び安定性、具体的には熱処理前後に（本試験では、６ｍｍ厚の試料を６１０℃で５分間加熱した）比較的中性の透過及び反射色を示し得る。実際、光学特性は全体としては、熱処理中に微小変化を受け得、それは製造の視点から見れば有利である。これらの被覆ガラス板は、具体的には、熱処理によって引き起こされる反射色の変更を示し得、それは、熱処理された被覆ガラス板及び熱処理されていない被覆ガラス板が、被覆ガラス板において不可避の製造ばらつきより著しく大きい反射色の差がなく互いに隣接してはめられるほどの小ささである。驚くべきことに、Ａｌ及びＳｉ（オキシ）窒化物の保護層内に吸収層を組み入れることなしに、これらの利益を達成することができる、すなわち、窒化タングステン層がＮｉＣｒＯｘなどの酸化層と接触していても、依然として熱処理中に安定した光学特性を有することができるということが分かった。さらには、本発明の特定の配置は、実現され得る光学特性（例えば、色特性）に関してより大きな柔軟性を可能にし、少なくとも１つのバリア層に加えて窒化タングステン系吸収層を、それがそのようなバリア層（複数可）によって下位銀系機能層から離間されるように提供することによって、窒化タングステンよりも銀系層へのより良好な接着性を有するバリア層の使用を可能にする。

少なくとも１つのバリア層は、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＣｒ、ならびに／またはそれらの酸化物及び／または窒化物系のものであり得る。

所与の反射防止層内に位置する少なくとも１つのバリア層は、好ましくは、少なくとも０．５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも５ｎｍ、好ましくは最大で１２ｎｍ、より好ましくは最大で１０ｎｍ、さらにより好ましくは最大で８ｎｍ、最も好ましくは最大で７ｎｍの全厚を有し得る。これらの好まれる厚さは、機械的耐久性を維持しつつ、ヘイズなどの光学特性の堆積及び改善をさらに容易にすることができる。少なくとも１つのバリア層が反射防止層内に位置しつつ、該バリア層は、該反射防止層の反射防止特性に著しく寄与しないように十分に薄い全厚を有することが好まれる。

少なくとも１つの誘電体層は、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系誘電体層、ならびに／または、Ｚｎ及びＳｎ酸化物などの、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／またはＮｂのうちの１つ以上の酸化物などの金属酸化物系誘電体層を備え得る。

好ましくは、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層は、下位バリア層と直接接触して位置する（すなわち、下位バリア層は、少なくとも１つの吸収層よりもガラス基板の近くに位置する）。好ましくは、該下位バリア層は、下位最上バリア層である。本発明の文脈において、バリア層に関して「最上」という用語の使用は、ガラス基板から最も遠くに位置する所与の反射防止層の特定のバリア層を意味する。

好ましくは、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層は、上位誘電体層と直接接触して位置する（すなわち、少なくとも１つの吸収層は、上位誘電体層よりもガラス基板の近くに位置する）。

好ましい実施形態において、上位誘電体層は、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系のものである。該上位誘電体層がＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系のものであるとき、好ましくは、少なくとも１つの吸収層と直接接触する下位層は、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系のものではない。

好ましくは、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層は、下位最上バリア層及び上位誘電体層の両方と直接接触して位置する。この配置は、最低ヘイズを示し、かつ熱処理前後に最も中性の透過及び反射色を達成する可能性を有するという点で有益である。

ガラス基板から最も遠くに位置するさらなる反射防止層は、「上方反射防止層」と呼ばれる。好ましくは、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層は、上方反射防止層内に位置する。この位置は、所与の被覆スタックの光透過及び／またはエネルギー伝達特性が吸収層の厚さの修正によって様々であるとしても、板がほぼ同じ外観を示すことができるように、観測者によって判断されるガラス側の反射色への吸収層の影響を最小限にするため、有利である。さらには、この位置は、実現され得る光学特性に関して、吸収層が他の反射防止層内に位置する場合と比較してより大きな柔軟性を提供する。

いくつかの実施形態において、本板は、１つの銀系機能層のみを備える。これらの実施形態において、唯一のさらなる反射防止層は、上方反射防止層である。

他の実施形態において、本板は、１つより多くの銀系機能層を備える。例えば、本板は、２つ、３つ、またはそれ以上の銀系機能層を備え得る。本板が１つより多くの銀系機能層を備えるとき、各銀系機能層は、中央反射防止層によって隣接する銀系機能層から離間されてファブリーペロー干渉フィルタを形成し、それによって太陽制御被覆の光学特性は、当該技術分野において周知のように、それぞれの用途のためにさらに最適化され得る。

本板が１つより多くの銀系機能層を備える実施形態において、少なくとも１つのさらなる反射防止層は、機能的に、上に定義されるような中央反射防止層及び／または上方反射防止層であり得る。したがって、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層は、上方反射防止層内、及び／または１つより多くの銀系機能層を備える被覆の少なくとも１つの中央反射防止層内に位置し得る。

各吸収層は、好ましくは、少なくとも０．５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも２ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３ｎｍ、好ましくは最大で２５ｎｍ、より好ましくは最大で１５ｎｍ、さらにより好ましくは最大で８ｎｍ、最も好ましくは最大で５ｎｍの厚さを有し得る。

各窒化タングステン系吸収層は、例えば、窒化タングステン吸収層をタングステンターゲットからスパッタするときに十分な窒素を供給することによって、好ましくは、本質的に化学量論的な窒化物として堆積する。しかしながら、本発明は、そのような本質的に化学量論的な窒化タングステン層に限定されない。

下方反射防止層は、以下の層、
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系誘電体層、
Ｔｉ酸化物及び／またはＺｒ酸化物系誘電体層、
Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、
ならびにＺｎ酸化物系誘導体上層、のうちの１つ以上を備え得る。

好ましくは、下方反射防止層は、ガラス基板から順に、
○Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＴｉ酸化物、ならびに／またはＺｒ酸化物系誘導体基層、
○Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
○Ｚｎ酸化物系誘導体上層、を少なくとも備える。

下方反射防止層は、上に示したような順で３つの層から成り得る。

いくつかの実施形態において、下方反射防止層は、ガラス基板から順に、
○Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＴｉ酸化物、ならびに／またはＺｒ酸化物系誘導体基層、
○Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
○Ｚｎ酸化物系誘導体上層、を少なくとも備える。

誘導体基層は、ガラス基板に隣接する下方反射防止層の最下部である。それは、少なくとも５ｎｍ、好ましくは５〜６０ｎｍ、より好ましくは１０〜５０ｎｍ、さらにより好ましくは２０〜４５ｎｍ、最も好ましくは２０〜３５ｎｍの厚さを有し得る。誘導体基層は、１つより多くの層を備え得る。誘導体基層は、中でも特にガラス側の拡散バリアとして機能し得る。

「Ｓｉ（オキシ）窒化物」という用語は、Ｓｉ窒化物（ＳｉＮ_ｘ）及びＳｉオキシ窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）の両方を包含し、「Ａｌ（オキシ）窒化物」という用語は、Ａｌ窒化物（ＡｌＮ_ｘ）及びＡｌオキシ窒化物（ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ）の両方を包含する。Ｓｉ窒化物、Ｓｉオキシ窒化物、Ａｌ窒化物、及びＡｌオキシ窒化物層は、好ましくは、本質的に化学量論的である（例えば、Ｓｉ窒化物＝Ｓｉ_３Ｎ_４、ｘ＝１．３３、Ａｌ窒化物＝ＡｌＮ、ｘ＝１）が、被覆の熱処理性がそれによって悪影響を受けない限り、準化学量論的、または超化学量論的でもあり得る。好ましい実施形態において、下方反射防止層の基層は、本質的に化学量論的な混合窒化物Ｓｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘの層を備えるか、またはそれから成る。

Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金の層は、窒素及びアルゴンを含むスパッタリング雰囲気において、それぞれＳｉ及び／またはＡｌ系ターゲットから反応的にスパッタされ得る。Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系基層の酸素含有量は、スパッタリング雰囲気内の残留酸素、または該雰囲気内に追加される酸素の制御された含有量に起因し得る。Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／またはＡｌ（オキシ）窒化物の酸素含有量がその窒素含有量よりも著しく低い場合、すなわち、層内の原子比率Ｏ／Ｎが著しく１未満に維持される場合が一般に好まれる。下方反射防止層の基層にＳｉ窒化物及び／またはＡｌ窒化物をごく少量の酸素含有量で使用することが最も好まれる。この特徴は、層の屈折率が無酸素Ｓｉ窒化物及び／またはＡｌ窒化物層の屈折率と著しく異ならないことを確実にすることによって制御され得る。

混合Ｓｉ及び／もしくはＡｌターゲットを使用すること、または下方反射防止層の基層の必須のバリア及び保護特性が失われない限り、この層のＳｉ及び／もしくはＡｌ構成要素に金属もしくは半導体を別途追加することは、本発明の範囲内である。ＡｌをＳｉターゲットと混合することは周知であり、実証されているが、他の混合ターゲットは除外されない。追加の構成要素は、典型的に、最大約１０〜１５重量％の量で存在し得る。Ａｌは、通常、約１０重量％の量で混合Ｓｉターゲット内に存在する。

下方反射防止層の誘導体基層は、代替的に、または追加として、ｘが１．５〜２．０である少なくとも１つのＴｉＯ_ｘ及び／またはＺｒＯ_ｘ系層を備え得る。

下方反射防止層のＺｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、及び／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層は、基層上に位置する。それは、高密度の熱的に安定した層を提供し、熱処理後にヘイズを減少させることに寄与することによって、熱処理中の安定性を高めるのに役立つ。金属酸化物系誘電体層は、少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは０．５〜９ｎｍ、さらにより好ましくは１〜８ｎｍ、さらにより好ましくは１〜７ｎｍ、さらにより好ましくは２〜６ｎｍ、さらにより好ましくは３〜６ｎｍ、最も好ましくは３〜５ｎｍの厚さを有し得る。光学干渉条件に起因して、及び熱処理性の低下により、機能層を反射防止するための光学干渉境界条件を維持する必要がある誘導体基層の厚さにおいて結果として生じる減少に起因して、約８ｎｍの厚さ上限が好まれる。

金属酸化物系誘電体層は、好ましくは、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系誘導体基層の直上に位置する。

金属酸化物系誘電体層がＺｎ及びＳｎ酸化物（略記：ＺｎＳｎＯ_ｘ）系のものである場合、それは、好ましくは、その総金属含有量の重量％で、約１０〜９０重量％のＺｎ及び９０〜１０重量％のＳｎ、より好ましくは約４０〜６０重量％のＺｎ及び約４０〜６０重量％のＳｎ、好ましくはそれぞれ約５０重量％のＺｎ及びＳｎを含む。Ｚｎ及びＳｎ酸化物系層は、Ｏ_２の存在下での混合ＺｎＳｎターゲットの反応性スパッタリングによって堆積し得る。

下方反射防止層のＺｎ酸化物系誘導体上層は、その後に堆積する銀系機能層のための成長促進層として主に機能する。Ｚｎ酸化物系誘導体上層は、任意に、Ａｌ、Ｓｎ、またはＧａなどの金属と最大約１０重量％の量で混合される（ターゲット金属含有量に対する重量％）。Ａｌ、Ｓｎ、またはＧａなどの該金属の典型的な含有量は、約２重量％であり、実際にはＡｌが好まれる。他の好ましい実施形態において、Ｚｎ酸化物系上層は、最大で１８重量％のＳｎ、より好ましくは最大で１５重量％のＳｎ、さらにより好ましくは最大で１０重量％のＳｎを含み得る。ＺｎＯ及び混合Ｚｎ酸化物は、その後に堆積する銀系機能層の所与の厚さでの低いシート抵抗の達成を支援する成長促進層として非常に効果的であることが証明されている。下方反射防止層の誘導体上層がＯ_２の存在下でＺｎターゲットから反応的にスパッタされる場合、または、酸素を全く含有しない、もしくは低量、一般に約５体積％以下を含有する雰囲気内で、例えばＺｎＯ：Ａｌ系などのセラミックターゲットをスパッタリングすることによって堆積する場合が好まれる。Ｚｎ酸化物系誘導体上層は、少なくとも２ｎｍ、好ましくは２〜２０ｎｍ、より好ましくは４〜１５ｎｍ、さらにより好ましくは５〜１３ｎｍ、さらにより好ましくは５〜１１ｎｍの厚さを有し得る。

銀系機能層（複数可）は、本来、低放射及び／または太陽制御被覆の領域における事例のように、いかなる添加物も有さず本質的に銀で合成され得る。しかしながら、ドープ剤、合金添加物、もしくは同様のものを追加すること、または非常に薄い金属もしくは金属化合物層を追加することによって銀系機能層（複数可）の特性を修正することは、高光透過及び低光吸収ＩＲ反射層（複数可）としての銀系機能層（複数可）の機能に必要なその（それらの）特性がそれによって著しく損なわれない限り、本発明の範囲内である。

銀系機能層の厚さは、その技術的目的により支配される。典型的な太陽制御目的のために、単一の銀系層に好まれる層厚は、５〜２０ｎｍ、より好ましくは５〜１５ｎｍ、さらにより好ましくは５〜１２ｎｍ、さらにより好ましくは７〜１１ｎｍ、最も好ましくは８〜１０ｎｍである。そのような層厚では、熱処理後の８６％超の光透過値及び０．０５未満の垂直放射率は、単一の機能銀系層を備える被覆において容易に達成することができる。より良好な太陽制御特性が目的とされる場合、銀系機能層の厚さが適切に増大され得るか、またはいくつかの離間された銀系機能層が提供され得る。

板が２つの銀系機能層を備えるとき、ガラス基板から最も遠くに位置する銀系機能層は、好ましくは、５〜２５ｎｍ、より好ましくは１０〜２１ｎｍ、さらにより好ましくは１３〜１９ｎｍ、さらにより好ましくは１４〜１８ｎｍ、最も好ましくは１５〜１８ｎｍの厚さを有し得る。

板が３つの銀系機能層を備えるとき、ガラス基板から最も遠くに位置する２つの銀系機能層は、それぞれ独立して、好ましくは、５〜２５ｎｍ、より好ましくは１０〜２１ｎｍ、さらにより好ましくは１３〜１９ｎｍ、さらにより好ましくは１４〜１８ｎｍ、最も好ましくは１５〜１８ｎｍの厚さを有し得る。

好ましくは、下方反射防止層内のＺｎ酸化物系誘導体上層は、その後に堆積する銀系機能層と直接接触している。

中央反射防止層は、以下の層、
少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、のうちの１つ以上の組み合わせを少なくとも備え得る。

いくつかの好ましい実施形態において、各銀系機能層は、中央反射防止層によって隣接する銀系機能層から離間され、
各中央反射防止層は、
中央反射防止層が間に位置する銀系機能層のうちのガラス基板の最も近くに位置する銀系機能層から順に、
少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、
Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
Ｚｎ酸化物系誘導体上層を少なくとも備える。

窒化タングステン系吸収層は、先の段落に従う該中央反射防止層内に位置し得、例えばそれは、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に位置し得る。窒化タングステン系吸収層が該中央反射防止層内に位置する場合、好ましくは該吸収層は、最上のＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層とＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。

いくつかの他の好ましい実施形態において、各銀系機能層は、中央反射防止層によって隣接する銀系機能層から離間され、
各中央反射防止層は、
中央反射防止層が間に位置する銀系機能層のうちのガラス基板の最も近くに位置する銀系機能層から順に、
少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
任意に、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、
Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
Ｚｎ酸化物系誘導体上層を少なくとも備える。

窒化タングステン系吸収層は、先の段落に従う該中央反射防止層内に位置し得、例えばそれは、少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に位置し得る。窒化タングステン系吸収層が先の段落に従う該中央反射防止層内に位置するとき、好ましくは、任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層は存在しない。好ましくは、該吸収層は、最上のＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。吸収層が存在するときは、驚くべきことに、Ｚｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層が必要とされないことが実証されている。任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層及び窒化タングステン系吸収層が共に、先の段落に従う該中央反射防止層内に存在するとき、好ましくは、吸収層は、最上のＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。

少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層は、好ましくは、少なくとも０．３ｎｍ、より好ましくは少なくとも０．４ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも０．５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも０．６ｎｍ、好ましくは最大で１０ｎｍ、より好ましくは最大で５ｎｍ、さらにより好ましくは最大で２ｎｍ、最も好ましくは最大で１ｎｍの厚さを有し得る。これらの好まれる厚さは、機械的耐久性を維持しつつ、ヘイズなどの光学特性の堆積及び改善をさらに容易にすることができる。

中央反射防止層の任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層は、独立して、好ましくは、少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも２ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも４ｎｍ、好ましくは最大で１０ｎｍ、より好ましくは最大で７ｎｍ、さらにより好ましくは最大で６ｎｍ、最も好ましくは最大で５ｎｍの厚さを有し得る。これらの好まれる厚さは、機械的耐久性を維持しつつ、ヘイズなどの光学特性の堆積及び改善をさらに容易にすることができる。

本発明の文脈において、バリア層は、下位銀系機能層をその後の層の堆積プロセス中及び熱処理中の損傷から保護することを主に目的とする。それらは、銀系機能層と誘電体層または吸収層などのその後の層との間の接着性を提供することにさらに役立つ。選択した材料によって、それらを実施可能な限り薄くすることにより、それらは、反射防止層の反射防止機能に著しく寄与しないように設計される。反対に、本発明に従う誘電体層は、主な機能として、光学干渉に基づいて銀系機能層（複数可）を反射防止するため、それらは、バリア層よりも著しく大きい厚さであることを特性とする必要がある。

堆積プロセス中の銀系機能層（複数可）の優れた保護及び熱処理中の高い光学安定性は、バリア層が、混合金属酸化物ターゲットからスパッタされた混合金属酸化物の層を備える場合に達成され得ることが一般に分かっている。バリア層がＺｎ酸化物系のものであるとき、該酸化物は、ＺｎＯ：Ａｌなどの混合金属酸化物であり得る。ＺｎＯ：Ａｌ系バリア層が導電性ＺｎＯ：Ａｌターゲットからスパッタされる場合に、良い結果が特に達成される。ＺｎＯ：Ａｌは、完全に酸化されて、またはそれがわずかに亜酸化であるように堆積し得る。好ましくは、ＺｎＯ：Ａｌバリア層は、本質的に化学量論的である。金属性よりも本質的に化学量論的なＺｎＯ：Ａｌバリア層、または９５％未満の化学量論的なＺｎＯ：Ａｌバリア層の使用は、熱処理中の被覆の極めて高い光学安定性をもたらし、熱処理中の光学修正を小さく保つことを効果的に支援する。加えて、本質的に化学量論的な金属酸化物系バリア層の使用は、機械的耐久性の点で利益を提供する。

バリア層がＮｉＣｒ酸化物系のものであるとき、それは、好ましくは、準化学量論的な酸化物として堆積する。これは、層が熱処理中に脱酸素剤／酸素吸収剤として機能することを可能にする。

銀系機能層と直接接触するバリア層の少なくとも一部分は、好ましくは、銀損傷を回避するために酸化物ターゲットの非反応性スパッタリングを使用して堆積する。

好ましくは、Ｚｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層は、非反応性スパッタリングによって堆積する。酸化物バリア層の場合、それらは、好ましくは、セラミックターゲットからスパッタされる。本発明の文脈において、「非反応性スパッタリング」という用語は、本質的に化学量論的な酸化物を提供するために低酸素雰囲気（無酸素または最大５体積％の酸素）において酸化物ターゲットをスパッタすることを含む。

バリア層がＴｉＯｘ系のものである場合、ｘは１．５〜２．０であり得る。

バリア層に関する先の一般的な開示は、さらに以下で議論される上方反射防止層のバリア層にも当てはまる。

中央反射防止層のＺｎ酸化物、ならびにＳｎ及び／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層は、好ましくは、少なくとも２ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも８ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１０ｎｍ、好ましくは最大で４０ｎｍ、より好ましくは最大で３０ｎｍ、さらにより好ましくは最大で２０ｎｍ、最も好ましくは最大で１５ｎｍの厚さを有し得る。

中央反射防止層のＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層は、好ましくは、少なくとも１０ｎｍ、より好ましくは少なくとも３０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも４０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも５０ｎｍ、好ましくは最大で８０ｎｍ、より好ましくは最大で７０ｎｍ、さらにより好ましくは最大で６０ｎｍ、最も好ましくは最大で５５ｎｍの厚さを有し得る。

中央反射防止層のＺｎ酸化物系誘導体上層は、好ましくは、少なくとも２ｎｍ、より好ましくは少なくとも７ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも１２ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１５ｎｍ、好ましくは最大で２５ｎｍ、より好ましくは最大で２０ｎｍ、さらにより好ましくは最大で１８ｎｍ、最も好ましくは最大で１７ｎｍの厚さを有し得る。

上方反射防止層は、以下の層、
少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、ならびに
Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、のうちの１つ以上の組み合わせを少なくとも備え得る。

いくつかの好ましい実施形態において、上方反射防止層は、ガラス基板から最も遠くに位置する銀系機能層から順に、
少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
少なくとも１つのＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、ならびに
Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層を少なくとも備え得る。

窒化タングステン系吸収層は、先の段落に従う該上方反射防止層内に位置し得、例えばそれは、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に位置し得る。好ましくは、該吸収層は、最上のＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。

いくつかの他の好ましい実施形態において、上方反射防止層は、ガラス基板から最も遠くに位置する銀系機能層から順に、
少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
任意に、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、ならびに
Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層を少なくとも備え得る。

窒化タングステン系吸収層は、先の段落に従う該上方反射防止層内に位置し得、例えばそれは、少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に位置し得る。そのような場合、好ましくは、任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層は存在しない。好ましくは、該吸収層は、最上のＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。吸収層が存在するときは、驚くべきことに、Ｚｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層が必要とされないことが実証されている。Ｚｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層及び窒化タングステン系吸収層が共に、先の段落に従う該上方反射防止層内に存在するとき、好ましくは、吸収層は、最上のＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層と、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して位置する。

上方反射防止層のＮｉＣｒ酸化物系バリア層は、好ましくは、少なくとも０．３ｎｍ、より好ましくは少なくとも０．４ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも０．５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも０．６ｎｍ、好ましくは最大で１０ｎｍ、より好ましくは最大で５ｎｍ、さらにより好ましくは最大で２ｎｍ、最も好ましくは最大で１ｎｍの厚さを有し得る。これらの好まれる厚さは、機械的耐久性を維持しつつ、ヘイズなどの光学特性の堆積及び改善をさらに容易にすることができる。

上方反射防止層のＺｎ酸化物及び／またはＴｉ酸化物系バリア層は、好ましくは、少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも２ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも４ｎｍ、好ましくは最大で１０ｎｍ、より好ましくは最大で７ｎｍ、さらにより好ましくは最大で６ｎｍ、最も好ましくは最大で５ｎｍの厚さを有し得る。これらの好まれる厚さは、機械的耐久性を維持しつつ、ヘイズなどの光学特性の堆積及び改善をさらに容易にすることができる。

上方反射防止層のＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層は、好ましくは、少なくとも２ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも１０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１５ｎｍ、好ましくは最大で４０ｎｍ、より好ましくは最大で３０ｎｍ、さらにより好ましくは最大で２５ｎｍ、最も好ましくは最大で２０ｎｍの厚さを有し得る。そのような厚さは、被覆板の機械的耐久性の点でさらなる改善を提供する。該Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系誘電体層は、上方反射防止が窒化タングステン系吸収層を備えないとき、好ましくは、上方反射防止層の最上バリア層と直接接触し得る。

いくつかの場合において上方反射防止層の大部分を形成することができるＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系誘電体層は、安定性（熱処理中のより良好な保護）及び拡散バリア特性を提供する。該層は、好ましくは、Ｎ_２含有雰囲気におけるＳｉ、Ａｌ、または混合ＳｉＡｌターゲット、例えばＳｉ_９０Ａｌ_１０ターゲットの反応性スパッタリングによって、Ａｌ窒化物及び／またはＳｉ窒化物層として堆積する。Ａｌ（オキシ）窒化物及び／またはＳｉ（オキシ）窒化物系誘電体層の組成は、本質的に化学量論的なＳｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘであり得る。

上方反射防止層のＺｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層は、好ましくは、少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも４ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも６ｎｍ、最も好ましくは少なくとも８ｎｍ、好ましくは最大で２０ｎｍ、より好ましくは最大で１５ｎｍ、さらにより好ましくは最大で１２ｎｍ、最も好ましくは最大で１０ｎｍの厚さを有し得る。そのような厚さは、被覆板の機械的耐久性の点でさらなる改善を提供する。該層がＺｎ及びＳｎ酸化物であるとき、それは、好ましくは、その総金属含有量の重量％で、約１０〜９０重量％のＺｎ及び９０〜１０重量％のＳｎ、より好ましくは約４０〜６０重量％のＺｎ及び約４０〜６０重量％のＳｎ、好ましくはそれぞれ約５０重量％のＺｎ及びＳｎを含む。該層は、Ｏ_２の存在下での混合ＺｎＳｎターゲットの反応性スパッタリングによって堆積し得、上方反射防止層の反射防止特性に寄与する。

上方反射防止層のＳｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒの酸化物系誘電体層は、さらなる誘電体層のいかなる介在もなしに、本明細書に定義される上方反射防止層の金属酸化物系誘電体層と直接接触し得る。

好ましくは、上方反射防止層の金属酸化物系誘電体層は、Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物系層を備える。

上方反射防止層は、２０〜６０ｎｍ、好ましくは２０〜５０ｎｍ、より好ましくは２０〜４０ｎｍ、さらにより好ましくは２５〜３５ｎｍの全厚を有し得る。

保護層は、機械的及び／または化学的耐久性、例えば引っかき抵抗性の改善のために、上方反射防止層の上層（最も外側の層）として堆積し得る。該保護層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系層を備え得る。

熱処理中の光透過増大を減少させるため、バリア層から離れた上方、中央、及び下方反射防止層の個々の層は全て、好ましくは、本質的に化学量論的な組成で堆積する。

被膜板の光学特性をさらに最適化するため、上方及び／または下方反射防止層は、一般的には低放射及び／または太陽制御被覆の誘電体層で知られる好適な材料から成る、具体的には、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ａｌ、またはそれらの組み合わせの酸化物のうちの１つ以上より選択されるさらなる部分的層を備え得る。しかしながら、そのようなさらなる部分的層を追加するとき、本明細書で目的とされる熱処理性がそれによって損なわれないことが検証されなければならない。

任意のさらなる部分的層が、その特性を修正、及び／またはその製造を促進する添加剤、例えば、ドープ剤、または反応性プラッタリングガスの反応生成物を含有し得ることが理解されよう。酸化物系層の場合、窒素がスパッタリング雰囲気に追加されて酸化物よりもオキシ窒化物の形成をもたらし、窒化物系層の場合は、酸素がスパッタリング雰囲気に追加されて窒化物よりもオキシ窒化物の形成をまたもたらす。

任意のそのような部分的層を本発明の板の基層配列に追加するときには、主に目的とされる特性、例えば、高い熱安定性がそれによって著しく損なわれないように、適切な材料、構造、厚さの選択を実行することによって注意が払われなければならない。

本発明は、被覆のための特定の産生プロセスに限定されない。しかしながら、層の少なくとも１つ及び最も好ましくは全ての層が、ＤＣモード、パルス状モード、中波モード、または任意の他の好適なモードのいずれかでマグネトロン陰極スパッタリングによって適用され、それによって金属または半導体ターゲットが好適なスパッタリング雰囲気内で内反応的または非反応的にスパッタされる場合が好まれる。スパッタされる材料によって、平面または回転管状ターゲットが使用され得る。

被覆プロセスは、好ましくは、被覆の反射防止層のいかなる酸化物（または窒化物）層のいかなる酸素（または窒素）欠損も、熱処理中の被覆ガラス板の光透過及び色の高い安定性を達成するために低く保たれるように好適な被覆条件を設定することによって実行される。

本発明に従う被覆ガラス板の熱安定性は、熱処理された被覆ガラス板が許容できないレベルのヘイズを示さないという事実に反映される。ヘイズ値の大きな増大が熱処理中に検出される場合、被覆が損傷され始めていることを示す。

本発明の別の態様に従って、本発明に従う被覆ガラス板を組み込む多重グレージングが提供される。例えば、多重グレージングは、合わせガラス、または絶縁ガラスであり得る。

本発明は、これより、以下の特定の実施形態によってさらに説明され、それらは例示の目的で示されるのであり、限定するものではない。

全ての実施例において、約８９％の光透過を有する６ｍｍ厚の標準フロートガラス板（１０ｃｍ×１０ｃｍ）上に、ＡＣ及び／またはＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して被覆を堆積させ、必要に応じて中波スパッタリングを適用した。被覆前に、ガラスをＢｅｎｔｅｌｅｒ（ＲＴＭ）洗浄機で２回洗浄した。
Ｚｎ及びＳｎ酸化物（ＺｎＳｎＯ_ｘ、重量比Ｚｎ：Ｓｎ≒５０：５０）の全誘電体層を、Ａｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気内で亜鉛−スズターゲットから反応的にスパッタした。
下方、中央、及び上方反射防止層のＺｎＯ：Ａｌ成長促進誘導体上層を、Ａｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気内でＡｌドープＺｎターゲット（Ａｌ含有量約２重量％）からスパッタした。
全実施例において本質的に純銀（Ａｇ）から成る機能層を、いかなる追加酸素もなしに、１０^−５ｍｂａｒ未満の残留酸素の分圧で、Ａｒスパッタ雰囲気内で銀ターゲットからスパッタした。
準化学量論的なＮｉＣｒＯ_ｘのバリア層を、Ａｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気内でニッケル−クロムターゲットから反応的にスパッタした。
ＮｉＣｒの吸収バリア層を、残留酸素のみを含有するＡｒスパッタ雰囲気内でニッケル−クロムターゲットからスパッタした。
Ａｌドープ亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ、「ＺＡＯ」）のバリア層を、酸素含有量の少ないＡｒ／Ｏ_２スパッタ雰囲気内で導電性セラミックＺｎＯ_ｘ：Ａｌターゲットからスパッタした。
混合ケイ素アルミニウム窒化物（Ｓｉ_９０Ａｌ_１０Ｎ_ｘ）の誘電体層を、残留酸素のみを含有するＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気内で、混合Ｓｉ_９０Ａｌ_１０ターゲットから反応的にスパッタした。Ａｌ窒化物の層を、残留酸素のみを含有するＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気内でＡｌターゲットから反応的にスパッタした。
窒化タングステンの吸収層を、残留酸素のみを含有するＡｒ／Ｎ_２スパッタ雰囲気内でＷターゲットから反応的にスパッタした。

表１：比較用被覆ガラス板及び本発明に従う被覆ガラス板におけるヘイズスコア、光透過、及び反射特性。表中、ＡＤ＝堆積時、ＨＴ＝熱処理後、色Ｒｆ＝板の被覆側から見たときの反射の色、色Ｒｇ＝板の非被覆（ガラス）側から見たときの反射の色、ΔＥ＝熱処理時の反射色の変化、及びＴ_Ｌ％＝光透過の割合。表１中のデータを収集するために使用された方法を以下に示す。表１中、各実施例において、提示される最初の層から始めて順に層をガラス板上に堆積した。

熱処理性試験
実施例の被覆の堆積後、Ｔ_Ｌ及び色値を測定し、試料を約６１０℃で約５分間熱処理した。その後、ヘイズ、Ｔ_Ｌ、及び色値を測定した。結果は上の表１に示す。

本実施例における被覆ガラス板の光透過％ Ｔ_Ｌ％に記載される値を、ＥＮ １４０に従う測定値から算出した。

既知のＣＩＥ ＬＡＢ ａ^＊、ｂ^＊座標を使用して、色特性を測定し、報告した。（例えば、国際特許第２００４−０６３ １１１ Ａ１号内の［００３０］及び［００３１］を参照のこと）。好ましくは、被覆板は、熱処理によって引き起こされる反射色修正を示し、それは、加熱処理された被覆ガラス板及び熱処理されていない被覆ガラス板が、被覆ガラス板において不可避の製造ばらつきより著しく大きい反射色の差がなく互いに隣接してはめられるほどの小ささである。これを達成するためには、被覆板は、ΔＥ^＊≦３、好ましくはΔＥ^＊≦２（熱処理時の反射色の変化、ΔＥ^＊＝ＳＱＲ［（Ｌ^＊ _１−Ｌ^＊ _２）^２＋（ａ^＊ _１−ａ^＊ _２）^２＋（ｂ^＊ _１−ｂ^＊ _２）^２］、Ｌ^＊ _ｉ、ａ^＊ _ｉ、及びｂ^＊ _ｉは熱処理前後の反射色値）を示すべきである。色の変化、ΔＥ^＊は、Ｄ６５光源及び１０°観測者を使用して１９７６ ＣＩＥ（Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊）により定義される。

主観的可視ヘイズ採点システムを本実施例に適用した。以下に説明される品質アセスメントシステムは、明るい光条件下での被覆の見た目の品質、ＡＳＴＭ Ｄ １００３−６１に従って測定される標準ヘイズ値によって完全には反映されない特性をより良く識別することが必要とされることが分かった。
本評価システムは、被覆が損傷されているまたは不完全である局部的な色のバリエーション（表１内のヘイズスコア）を引き起こす、被覆内の目に見える欠陥のより肉眼的な影響を検討する。熱処理後の被覆における目に見える欠陥の肉眼的な影響（全ての実施例が熱処理前はヘイズを示さない）を、明るい光の下で試料を検分することによって主観的に評価した。本評価は、０（完全、欠陥なし）から３（明らかに目に見える欠陥及び／または染みが多い）を経て最大５（濃いヘイズ、多くの場合すでに肉眼で見える）までのスコアを使用する完全性採点（評価）システムに基づき、熱処理後の被覆ガラス試料の外観を評価する。
視覚的評価は、２５０万カンデラパワービーム（トーチ）を使用し、それを約−９０°〜約＋９０°の入射角で（垂直入射に対して）、黒い箱の前に置かれた被覆ガラス板上の２つの直交面に当てる（すなわち、最初に水平面に、次いで垂直面にトーチを向ける）ことによって実行した。黒い箱は、数枚の被覆ガラス試料を同時に評価することができるように十分に大きいサイズを有する。被覆ガラス板を観測し、上記の入射角を変化させることにより、被覆ガラス板を通して観測者から光線を当てることにより、それらの見た目の品質を評価した。被覆ガラス板を、それらの被覆が観測者の方を向くように黒い箱の前に置いた。３以上のスコアを有する熱処理された被覆ガラス板は、試験に不合格であったと見なされる。

結果の概要
比較用実施例１の被覆板は、吸収及びバリア両方の特性を提供するために、上方反射防止層内にＮｉＣｒ吸収バリア層を利用する。この被覆板は、熱処理時に検出可能なヘイズを示さない。しかしながら、この板は、被覆側及びガラス側両方からの観測に対するΔＥ値が共に高く、熱処理時に反射色特性に大きな変化を示す。

対照的に、上方反射防止層内のＮｉＣｒＯ_ｘバリア層上に窒化タングステン吸収層を使用する実施例２の被覆板は、被覆側及びガラス側両方からの観測に対するΔＥ値が非常に低く、熱処理時に反射色特性に非常に小さな変化を示す。低い光透過値は、窒化タングステン吸収層の影響を示し、熱処理時の光透過の微小変化もある。光透過の微小変化は、主に、熱処理中にさらに酸化される２つのＮｉＣｒＯ_ｘ層に起因する。さらには、被覆板は、熱処理時に検出可能なヘイズを示さない。

上記の本発明の説明において、逆に記載されない限り、パラメータの許容範囲の上限または下限のための代替値の開示は、それらの値のうちの１つが他の値よりもより多く好まれるという兆候を加味して、代替値のより好まれるものとそれほど好まれないものとの間に位置するパラメータの各中間値が、それほど好まれないものよりも、またそれほど好まれないものと中間値との間に位置する各値よりも好まれるという暗黙の記述として解釈される。

本発明の文脈において、層が特定の材料（複数可）「系」であると言われる場合、これは、その層がその材料（複数可）から主に成ることを意味し、典型的には、その材料（複数可）を少なくとも約５０ａｔ．％含むことを意味する。

本発明の文脈において、「本質的に化学量論的な酸化物」とは、少なくとも９５％、最大で１０５％化学量論的である酸化物を意味し、「わずかに準化学量論的な酸化物」とは、少なくとも９５％、１００％未満化学量論的である酸化物を意味する。

他に指定のない場合、本明細書で言及される光透過値は、一般に、被覆なしで８９％の光透過Ｔ_Ｌを有する４ｍｍ厚の標準フロートガラス板を備える被覆ガラス板に関して指定される。

本発明の一態様に適用可能な追加の機能を、任意の組み合わせ及び任意の数で使用することができることが理解されよう。さらに、それらを、本発明の他の態様のうちのいずれかと共に、任意の組み合わせ及び任意の数で使用することもできる。これは、本出願の特許請求の範囲内の任意の他の請求項のための独立請求項として使用されている任意の請求項からの独立請求項を含むが、それらに限定されない。

読者の注意は、本明細書に関連して本明細書と同時に、またはそれより前に提出され、かつ本明細書と共に公衆の閲覧に付された全文書に向けられ、そのような全文書の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

本明細書（添付の特許請求の範囲、要約、及び図面）に開示される機能の全て、及び／またはそのように開示される任意の方法及びプロセスのステップの全ては、そのような機能及び／またはステップのうちの少なくともいくつかが相互排他的である組み合わせを除き、任意の組み合わせで組み合わされ得る。

本明細書（添付の特許請求の範囲、要約、及び図面）に開示される各機能は、明示的に別段の記載がない限り、同じ、同等、または類似の目的を果たす代替機能によって置き換えられ得る。したがって、明示的に別段の記載のない限り、開示される各機能は、包括的な一連の同等または類似の機能のうちの１つの例にすぎない。

本発明は、前述の実施形態の詳細に限定されない。本発明は、本明細書（添付の特許請求の範囲、要約、及び図面）に開示される機能の、任意の新規のもの、もしくは任意の新規の組み合わせ、またはそのように開示される任意の方法もしくはプロセスのステップの、任意の新規のもの、もしくは任意の新規の組み合わせにまで及ぶ。

Claims (11)

1. 少なくとも以下の層、
   ガラス基板と、
   下方反射防止層と、
   銀系機能層と、
   少なくとも１つのさらなる反射防止層と、を順に備える被覆ガラス板であって、前記さらなる反射防止層が、少なくとも以下の層、
   少なくとも１つのバリア層と、
   少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層と、
   少なくとも１つの上位誘電体層と、を順に備え、
   前記下方反射防止層が、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＴｉ酸化物、ならびに／またはＺｒ酸化物系誘導体基層、Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびにＺｎ酸化物系誘導体上層、のうちの１つ以上を備え、
   前記少なくとも１つのバリア層が、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＣｒの酸化物及び／もしくは窒化物系のものであり、
   前記少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が、前記バリア層と直接接触して位置し、
   前記少なくとも１つの上位誘電体層が、前記吸収層と直接接触して位置し、前記少なくとも１つの上位誘電体層が、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系誘電体層、ならびに／または、Ｚｎ及びＳｎ酸化物などの、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＮｂのうちの１つ以上の酸化物などの金属酸化物系誘電体層を備え、
   前記上位誘電体層が、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系のものであるとき、前記少なくとも１つの吸収層と直接接触する前記バリア層は、Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系のものではない、前記被覆ガラス板。
2. 所与の反射防止層内に位置する前記少なくとも１つのバリア層が、少なくとも０．５ｎｍ、最大で８ｎｍの全厚を有する、請求項１に記載の前記被覆ガラス板。
3. 各吸収層が、少なくとも２ｎｍ、最大で２５ｎｍの厚さを有する、請求項１または２に記載の前記被覆ガラス板。
4. 前記板が、１つより多くの銀系機能層を備え、
   各銀系機能層が、中央反射防止層によって隣接する銀系機能層から離間されており、
   前記ガラス基板から最も遠くに位置する前記反射防止層が、上方反射防止層と呼ばれ、
   少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が、前記上方反射防止層内及び／または中央反射防止層内に位置する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の前記被覆ガラス板。
5. 前記中央反射防止層（複数可）が、以下の層、
   少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
   少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
   Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
   Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、のうちの１つ以上の組み合わせを少なくとも備える、請求項４に記載の前記被覆ガラス板。
6. 各中央反射防止層が、
   前記中央反射防止層が間に位置する前記銀系機能層のうちの前記ガラス基板の最も近くに位置する前記銀系機能層から順に、
   少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
   任意に、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
   Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、
   Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびに
   Ｚｎ酸化物系誘導体上層、を少なくとも備え、
   少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が前記中央反射防止層内に位置するとき、前記任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層が存在せず、前記吸収層が、前記少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、前記Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に位置する、請求項４または請求項５のいずれか一項に記載の前記被覆ガラス板。
7. 少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が、最上のＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、前記Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して前記中央反射防止層内に位置する、請求項６に記載の前記被覆ガラス板。
8. 前記ガラス基板から最も遠くに位置する前記反射防止層が、上方反射防止層と呼ばれ、前記上方反射防止層が、以下の層、
   少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
   少なくとも１つのＺｎ酸化物及び／またはＴｉ酸化物系バリア層、
   Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、ならびに
   Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、のうちの１つ以上の組み合わせを少なくとも備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の前記被覆ガラス板。
9. 前記上方反射防止層が、前記ガラス基板から最も遠くに位置する前記銀系機能層から順に、
   少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層、
   任意に、少なくとも１つのＺｎ酸化物、Ｔｉ酸化物、及び／またはＴｉ系バリア層、
   Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系誘電体層、ならびに
   Ｚｎ及びＳｎ酸化物ならびに／またはＳｎ酸化物などの金属酸化物系誘電体層を、少なくとも備え、
   少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が前記上方反射防止層内に位置するとき、前記任意の少なくとも１つのＺｎ酸化物系バリア層が存在せず、前記吸収層が、前記少なくとも１つのＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、前記Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系前記誘電体層との間に位置する、請求項８に記載の前記被覆ガラス板。
10. 少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層が、最上のＮｉＣｒ酸化物系バリア層と、前記Ｓｉ（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び／もしくはＺｒ酸化物系前記誘電体層との間に、かつそれらと直接接触して前記上方反射防止層内に位置する、請求項９に記載の前記被覆ガラス板。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の被覆ガラス板を組み込む多重グレージング。