JP2016517125A - 不揮発性ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
実施形態によれば、不揮発性ランダムアクセスメモリは、複数のバンクを備え、各バンクが複数のロウを備えるメモリセルアレイと、前記複数のロウに対応して設けられる複数の第1のワード線と、第1のロウアドレス信号をラッチするアドレスラッチ回路と、前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化するロウデコーダと、第1のコマンドがロードされたときにバンクアドレス信号に基づいて前記複数のバンクのうちの1つを活性化する第1の動作、および前記第1のロウアドレス信号を前記アドレスラッチ回路にラッチする第2の動作を実行し、かつ、前記第1のコマンドの後に第2のコマンドがロードされたときに第2のロウアドレス信号および前記アドレスラッチ回路にラッチされた前記第1のロウアドレス信号に基づいて前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する第3の動作を実行するよう構成された制御回路と、を具備する。
Description
本国際出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、2013年3月21日に出願された米国仮出願第61/803,997号、及び2013年9月6日に出願された米国特許出願第14/020,534号の優先権の利益を主張する。
実施形態は、不揮発性ランダムアクセスメモリに関する。
磁気ランダムアクセスメモリなどの不揮発性ランダムアクセスメモリは、DRAM、SRAMなどの揮発性メモリの置き換えとして研究/開発が進められている。
この場合、DRAM及びSRAMと同じ仕様により不揮発性ランダムアクセスメモリを動作させることが、開発コストを抑え、かつ、置き換えをスムーズに行うに当たって望ましい。また、不揮発性ランダムアクセスメモリによれば、例えば、メモリセルアレイを構成するバンクの数を増やし、それらのうち活性化するバンクを最小限に抑えることにより、低消費電力かつノーマリーオフコンピューティングを実現することも可能である。
しかし、メモリセルアレイを構成するバンクの数が増えると、それらを選択するためのアドレスのビット数が多くなる。上述のように、汎用のDRAM及びSRAMと同じ仕様を実現するためには、アドレスのビット数が増えても、ピン数の増加や、動作速度の低下が無いようなシステムを構築する必要がある。
実施形態によれば、不揮発性ランダムアクセスメモリは、複数のバンクを備え、各バンクが複数のロウを備えるメモリセルアレイと、前記複数のロウに対応して設けられる複数の第1のワード線と、第1のロウアドレス信号をラッチするアドレスラッチ回路と、前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化するロウデコーダと、第1のコマンドがロードされたときにバンクアドレス信号に基づいて前記複数のバンクのうちの1つを活性化する第1の動作、および前記第1のロウアドレス信号を前記アドレスラッチ回路にラッチする第2の動作を実行し、かつ、前記第1のコマンドの後に第2のコマンドがロードされたときに第2のロウアドレス信号および前記アドレスラッチ回路にラッチされた前記第1のロウアドレス信号に基づいて前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する第3の動作を実行するよう構成された制御回路と、を具備する。
[不揮発性ランダムアクセスメモリ]
図1は、不揮発性ランダムアクセスメモリを示している。
図1は、不揮発性ランダムアクセスメモリを示している。
不揮発性ランダムアクセスメモリ10は、メモリコア11、周辺回路12及びインターフェイス13を有する。
メモリコア11は、データの記憶を行う複数の磁気抵抗効果素子(メモリセル)を備える。周辺回路12は、メモリコア11に対するデータのリード/ライトを実行する。
インターフェイス13は、リード/ライトのための制御信号CNT、リード/ライトの動作タイミングを制御するクロック信号CK、並びに、リード/ライトのための内部動作を決定し、かつ、メモリコア11内のアドレスを指定するコマンド&アドレス信号CA[n:0]を入力する。
また、インターフェイス13は、リードデータDOUT[m:0]を出力し、ライトデータDIN[m:0]を入力する。
ここで、CA[n:0]は、(n+1)ビットのコマンド&アドレス信号CA[n],CA[n−1],…CA[0]を意味し、DOUT[m:0]は、(m+1)ビットのリードデータDOUT[m],DOUT[m−1],…DOUT[0]を意味し、DIN[m:0]は、(m+1)ビットのライトデータDIN[m],DIN[m−1],…DIN[0]を意味する。
但し、n及びmは、共に、自然数である。
図2は、インターフェイスの仕様を示している。
不揮発性ランダムアクセスメモリ10のインターフェイス13においては、例えば、リードデータDOUT[m:0]の出力とライトデータDIN[m:0]の入力を並行して行うため、データ経路を2系統化する。これにより、スループットの向上を図る。
但し、データ経路を1系統化し、入力経路と出力経路を同じにしても構わない。
また、本実施形態において、制御信号CNT及びコマンド&アドレス信号CA[n:0]について、制御信号CNTはクロックイネーブル信号CKEおよびチップセレクト信号bCSのみを含み、リード及びライト等のコマンドのデコードはCA[n:0]を用いたコード化されたコマンドに基づいて実行される。
尚、CKは、上述したデータ入力/出力およびコマンド入力を同時に実行するクロック信号である。
図3は、メモリコア及び周辺回路を示している。
メモリコア11は、メモリセルアレイ21、ロウデコーダ22及びカラムデコーダ23を備える。メモリセルアレイ21は、k個(kは、2以上の自然数)のバンクB0,B1,…Bkを備える。これらバンクB0,B1,…Bkは、独立に活性化することができるため、例えば、リード/ライト時に、必要なバンクのみを活性化することで、低消費電力化を図ることができる。
ロウデコーダ22は、例えば、k個のバンクB0,B1,…Bkのうちの1つを選択するxビットのバンクアドレス信号BA[x:0]、及び、選択されたバンク内の1つのロウを選択するためのyビットのロウアドレス信号AR[y:0]をデコードする。ここで、ロウアドレス信号AR[y:0]は、例えば、上位ビット、中位ビット及び下位ビットを備えていてもよい。
カラムデコーダ23は、例えば、メモリセルアレイ21内の1つのカラムを選択するためのzビットのカラムアドレス信号AC[z:0]をデコードする。
周辺回路12は、コマンド&アドレスラッチ回路24、データラッチ回路25、制御回路26、アドレスラッチ回路27、及び、クロックジェネレータ28を備える。
コマンド&アドレスラッチ回路24は、ホスト14からのコマンド&アドレス信号CA[n:0]を受け取る。即ち、リード/ライトのための内部動作を決定するコマンド信号CMD、及び、メモリコア11内のアドレスを指定するアドレス信号ADDは、コマンド&アドレスラッチ回路24内に一時的に保持される。
そして、コマンド信号CMDは、制御回路25に転送される。制御回路25は、ホスト14からの制御信号CNT及びコマンド信号CMDに基づいて、内部動作を制御する。
アドレス信号ADDのうち、バンクアドレス信号BA[x:0]は、ロウデコーダ22に転送される。また、アドレス信号ADDのうち、ロウアドレス信号AR[y:0]は、アドレスラッチ回路26に転送され、カラムアドレス信号AC[z:0]は、カラムデコーダ23に転送される。
ここで、本例では、後述するように、選択されたバンク内のワード線(ロウ)を活性化するアクティブコマンドが入力されたときに、ロウアドレス信号AR[y:0]の一部がアドレスラッチ回路26に入力されると共に、ロウアドレス信号AR[y:0]の他の一部は、アクティブコマンド前の所定のコマンドが入力されたときに、予め、アドレスラッチ回路26に入力される。
このように、アクティブコマンドが入力される前に、予め、ロウアドレス信号AR[y:0]の一部を入力しておくことにより、例えば、メモリセルアレイ21内のワード線(ロウ)を選択するためのロウアドレス信号AR[y:0]のビット数が増えたとしても、ピン数の増加や、動作速度の低下無しに、即ち、仕様の変更無しに、不揮発性ランダムアクセスメモリを、システム内に組み込むことができる。
尚、所定のコマンドとは、例えば、選択されたバンクをプリチャージするバンクプリチャージコマンドである。バンクプリチャージコマンドが入力されたときに、バンクアドレス信号BA[x:0]がロウデコーダ22に入力され、かつ、ロウデコーダ22により、選択されたバンクのプリチャージが開始される。
ここで、アクティブコマンドとは、選択されたバンク内の複数のワード線のうちの1つ(選択されたワード線)を活性化させるアクティブ動作を行うコマンドのことである。また、バンクプリチャージコマンドとは、複数のバンクのうちの1つ(選択されたバンク)をリード/ライトのための初期状態(プリチャージ状態)に設定するバンクプリチャージ動作を行うコマンドのことである。
データラッチ回路27は、リードデータDOUT[m:0]又はライトデータDIN[m:0]を一時的に保持する。リードデータDOUT[m:0]は、選択されたバンク内のメモリセルから、カラムデコーダ23を介して読み出される。また、ライトデータDIN[m:0]は、カラムデコーダ23を介して、選択されたバンク内のメモリセルに書き込まれる。
クロックジェネレータ28は、ホスト14からのクロック信号CKに基づいて、内部クロック信号CLKを生成する。内部クロック信号CLKは、コマンド&アドレスラッチ回路24、制御回路25、アドレスラッチ回路26、及び、データラッチ回路27に入力され、それらの動作タイミングを制御する。
図4は、メモリセルアレイの例を示している。
本例では、メモリセルアレイ内の1つのバンクBk内の構成について説明する。また、ここでは、不揮発性ランダムアクセスメモリの例として、磁気ランダムアクセスメモリを採用する。
複数のメモリセルMCは、ロウ方向及びカラム方向に沿ってアレイ状に配置される。複数のワード線WL0〜WLi−1は、複数のロウに対応して設けられ、バンクBk内においてロウ方向に延びる。複数のビット線BL0〜BLj−1は、バンクBk内においてカラム方向に延びる。但し、iは、2以上の自然数であり、jは、2以上の偶数である。
1つのメモリセルMCは、直列接続される1つの磁気抵抗効果素子MTJと1つの選択トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)Trとを備える。1つのメモリセルMCは、1つの制御ノードと、2つの電流ノードとを有する。
制御ノードは、1本のワード線WLi−1に接続される。2つの電流ノードのうちの一方は、偶数番目のビット線BLj−2に接続され、他方は、奇数番目のビット線BLj−1に接続される。
磁気抵抗効果素子MTJは、例えば、磁化方向が不変な第1の強磁性層(磁化ピンド層)と、磁化方向が可変な第2の強磁性層(磁化フリー層)と、第1及び第2の強磁性層間の絶縁層(トンネルバリア層)を備える。
磁気抵抗効果素子MTJは、例えば、スピン注入電流により第2の強磁性層の磁化方向を変化させることが可能なスピントランスファトルク型である。即ち、磁気抵抗効果素子MTJの第2の強磁性層の磁化方向は、偶数番目のビット線BLj−2と奇数番目のビット線BLj−1との間に流れるスピン注入電流(双方向電流)により決定される。
尚、磁気抵抗効果素子MTJの残留磁化の磁化方向は、膜面(第1又は第2の強磁性層と絶縁層との界面)に対して垂直方向を向く垂直磁化型であってもよいし、膜面に対して平行方向を向く面内磁化型であってもよい。
[実施例]
図1乃至図3の不揮発性ランダムアクセスメモリを用いた実施例を説明する。
図1乃至図3の不揮発性ランダムアクセスメモリを用いた実施例を説明する。
即ち、前提条件として、メモリセルアレイは、複数のバンクを備え、各バンクは、複数のロウを備える。また、複数のワード線は、複数のロウに対応して設けられる。
・ 第1及び第2の実施例
図5は、第1の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
図5は、第1の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
内部クロック信号CLKは、例えば、図3のクロックジェネレータ28により生成される。内部クロック信号CLKの第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1において、バンクプリチャージコマンド(第1のコマンド)PCGが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、バンクアドレス信号に基づいて複数のバンクのうちの1つを活性化するバンクプリチャージ動作(第1の動作)を行うと共に、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bを図3のアドレスラッチ回路26内にラッチするプリアクティブ動作(第2の動作)を行う。
即ち、第1の実施例では、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、バンクプリチャージ動作とは異なるプリアクティブ動作として、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bを予めロードする点(領域X)に特徴を有する。
バンクプリチャージ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作として、例えば、2クロックサイクルかけて実行される。プリアクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリのバンクプリチャージ動作の内部動作とは分離した内部動作として、例えば、1クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2において、アクティブコマンド(第2のコマンド)Actが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、アクティブコマンドActが入力されたときに、第2のロウアドレス信号R_C,R_Dをロードし、かつ、第2のロウアドレス信号R_C,R_D及び図3のアドレスラッチ回路26内にラッチされた第1のロウアドレス信号R_A,R_Bに基づいて、図3のロウデコーダ22によりメモリセルアレイ21内の複数のワード線のうちの1つを活性化するアクティブ動作(第3の動作)を行う。
尚、図3のアドレスラッチ回路26は、アクティブコマンドActが入力されるまで、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bをラッチし続ける。
アクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、4クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第3のクロックサイクル(1クロックサイクル)C3において、リード/ライトコマンドR/Wが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、リード/ライトコマンドR/Wが入力されたときに、カラムアドレス信号C_A,C_Bを入力する動作を行う。
このように、第1の実施例においては、アクティブコマンドActに基づいたロウアドレス信号R_C,R_Dの入力とは別に、バンクプリチャージコマンドPCGに基づいたロウアドレス信号R_A,R_Bの入力される前に、予め、ロウアドレス信号R_A,R_Bの入力が可能である。
したがって、例えば、図3のメモリセルアレイ21内の複数のワード線(複数のロウ)を選択するためのフルロウアドレス信号のビット数が増えたとしても、アクティブコマンドActに基づくアドレス信号の入力の追加に依存するピン数の増加や、動作速度の低下無しに、即ち、仕様の変更無しに、不揮発性ランダムアクセスメモリを、システム内に組み込むことができる。
図6は、第2の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
第2の実施例は、第1の実施例と比べると、内部クロック信号CLKの1クロックサイクルのハイエッジ(↑)及びロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードする点に特徴を有する。
内部クロック信号CLKは、例えば、図3のクロックジェネレータ28により生成される。内部クロック信号CLKの第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のハイエッジ(時刻t1)において、バンクプリチャージコマンド(第1のコマンド)PCGが入力される(ローディング)。
また、第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のハイエッジ(時刻t1)において、第1のロウアドレス信号の一部R_Aが入力され(ローディング)、第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のロウエッジ(時刻t2)において、第1のロウアドレス信号の他の一部R_Bが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、バンクアドレス信号に基づいて複数のバンクのうちの1つを活性化するバンクプリチャージ動作(第1の動作)を行うと共に、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bを図3のアドレスラッチ回路26内にラッチするプリアクティブ動作(第2の動作)を行う。
即ち、第2の実施例においても、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、バンクプリチャージ動作とは異なるプリアクティブ動作として、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bを予めロードする点(領域X)に特徴を有する。
バンクプリチャージ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作として、例えば、2クロックサイクルかけて実行される。プリアクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリのバンクプリチャージ動作の内部動作とは分離した内部動作として、例えば、1クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のハイエッジ(時刻t3)において、アクティブコマンド(第2のコマンド)Actが入力される(ローディング)。
また、第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のハイエッジ(時刻t3)において、第2のロウアドレス信号の一部R_Cが入力され(ローディング)、第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のロウエッジ(時刻t4)において、第2のロウアドレス信号の他の一部R_Dが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、アクティブコマンドActが入力されたときに、第2のロウアドレス信号R_C,R_D及び図3のアドレスラッチ回路26内にラッチされた第1のロウアドレス信号R_A,R_Bに基づいて、図3のロウデコーダ22によりメモリセルアレイ21内の複数のワード線のうちの1つを活性化するアクティブ動作(第3の動作)を行う。
尚、図3のアドレスラッチ回路26は、アクティブコマンドActが入力されるまで、第1のロウアドレス信号R_A,R_Bをラッチし続ける。
アクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、4クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第3のクロックサイクル(1クロックサイクル)C3のハイエッジ(時刻t5)において、リード/ライトコマンドR/Wが入力される(ローディング)。
また、第3のクロックサイクル(1クロックサイクル)C3のハイエッジ(時刻t5)において、カラムアドレス信号の一部C_Aが入力され(ローディング)、第3のクロックサイクル(1クロックサイクル)C3のロウエッジ(時刻t6)において、カラムアドレス信号の他の一部C_Bが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、リード/ライトコマンドR/Wが入力されたときに、カラムアドレス信号C_A,C_Bに基づいて、図3のカラムデコーダ23によりメモリセルアレイ21内の複数のビット線対(複数のカラム)のうちの1つを選択し、リード/ライト動作を行う。
このように、アクティブコマンドに基づいたロウアドレス信号R_C,R_Dの入力とは別に、バンクプリチャージコマンドPCGに基づいたロウアドレス信号R_A,R_Bの入力される前に、予め、ロウアドレス信号の入力が可能である。
したがって、例えば、図3のメモリセルアレイ21内の複数のワード線(複数のロウ)を選択するためのフルロウアドレス信号のビット数が増えたとしても、アクティブコマンドActに基づくアドレス信号の入力の追加に依存するピン数の増加や、動作速度の低下無しに、即ち、仕様の変更無しに、不揮発性ランダムアクセスメモリを、システム内に組み込むことができる。
図7乃至図12は、第1及び第2の実施例におけるコマンド及びアドレスのローディングの例を示している。
これらの図において、CLKは、クロック端子(ピン)から入力されるクロック信号CKに基づいて生成される内部クロック信号を示している。また、CA0〜CA9は、コマンド&アドレス端子(ピン)から入力されるコマンド&アドレス信号を示している。
本例では、コマンド&アドレス端子CA0〜CA9は、10本であるが、これは、以下の説明を分かり易くするためであり、その数は、これに限定されることはない。
また、以下の説明において、メモリセルアレイ内のバンク数は、8個、これらバンクを選択するためのバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、3ビットと仮定する。但し、これも、以下の説明を分かり易くするためであり、その数は、これに限定されることはない。
さらに、本例においては、フルロウアドレス信号は、R0〜R17の18ビットと仮定し、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに入力される第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の一部)は、上位ビットR14〜R17と仮定する。
但し、これについても、一例であり、本実施例にとっては、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、フルロウアドレス信号の一部が予め入力されていることが重要なことである。
図7及び図8は、2種類のバンクアドレスの割り当てが可能であり、プリチャージ動作の対象としてのバンクの割り当てとプリアクティブ動作の対象としてのバンクの割り当てとがバンクプリチャージコマンドによって別に可能である例である。
図7の「Case 1a」では、バンクプリチャージコマンド(H,H,L,H)は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0〜CA3から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、オールバンクプリチャージ動作を行うか否かを決定するフラグABは、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA4から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。ここで、オールバンクプリチャージ動作とは、メモリセルアレイ内の全てのバンクを強制的にリード/ライトのための初期状態に設定する動作のことである。
さらに、プリチャージ動作の対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
この後、第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の上位ビットR14〜R17)は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA3〜CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる(プリアクティブ動作)。
また、プリアクティブ動作の対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
尚、同図において、×は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)又はロウエッジ(↓)において、コマンド又はアドレス信号のロードに使用していないことを意味する。
図8の「Case 1b」は、図7の「Case 1a」の変形例である。
図8の例が図7の例と異なる点は、第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の上位ビットR14〜R17)を、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)及びロウエッジ(↓)に基づいて不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードしている点にある。
即ち、本例では、フルロウアドレス信号の上位ビットR14,R15は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA5,CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされ、フルロウアドレス信号の上位ビットR16,R17は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA5,CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる(プリアクティブ動作)。
それ以外の点は、図7の例と同じであるため、ここでの説明を省略する。
図9及び図10は、バンクプリチャージ動作で活性化されるバンクが、アクティブ動作(プリアクティブ動作を含む)の対象となるバンクと同じ例である。
図9の「Case 2a」が図7の「Case 1a」と異なる点は、バンクプリチャージ動作とアクティブ動作が同じバンクを対象とするため、バンクアドレス信号BA0,BA1,BA2が内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)のみに基づいて不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる点にある。
即ち、本例では、バンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされ、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて入力されることはない。
それ以外の点は、図7の例と同じであるため、ここでの説明を省略する。
図10の「Case 2b」が図8の「Case 1b」と異なる点は、バンクプリチャージ動作とアクティブ動作が同じバンクを対象とするため、バンクアドレス信号BA0,BA1,BA2が内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)のみに基づいて不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる点にある。
即ち、本例では、バンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされ、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて入力されることはない。
それ以外の点は、図8の例と同じであるため、ここでの説明を省略する。
図11及び図12は、図7乃至図10の各々のケースにおいて、バンクプリチャージ動作&プリアクティブ動作、バンクプリチャージ動作のみ、及び、プリアクティブ動作のみのうちの1つを選択可能な例を示している。
ここでは、図7の「Case 1a」をベースにする例と、図8の「Case 1b」をベースにする例について説明する。
図11は、図7の「Case 1a」をベースにする例である。
本例では、「Case 3a-1」、「Case 3a-2」及び「Case 3a-3」を選択可能とする。
例えば、「Case 3a-1」は、「Case 1a」をベースとし、バンクプリチャージコマンド(H,H,L,H)とは別に、プリアクティブコマンド(L,H)を、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0,CA1から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードする。
「Case 3a-2」は、「Case 3a-1」におけるバンクプリチャージ動作のみを行う。この場合、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)のみに基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードし、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)では、コマンド及びアドレス信号をロードしない。
「Case 3a-3」は、「Case 3a-1」におけるプリアクティブ動作のみを行う。この場合、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)のみに基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードし、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)では、コマンド及びアドレス信号をロードしない。
図12は、図8の「Case 1b」をベースにする例である。
本例では、「Case 3b-1」、「Case 3b-2」及び「Case 3b-3」を選択可能とする。
例えば、「Case 3b-1」は、「Case 1b」をベースとし、バンクプリチャージコマンド(H,H,L,H)とは別に、プリアクティブコマンド(L,H)を、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0,CA1から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードする。
「Case 3b-2」は、「Case 3b-1」におけるバンクプリチャージ動作のみを行う。この場合、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)のみに基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードし、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)では、コマンド及びアドレス信号をロードしない。
「Case 3b-3」は、「Case 3b-1」におけるプリアクティブ動作のみを行う。この場合、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)のみに基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードし、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)では、コマンド及びアドレス信号をロードしない。
・ 第3及び第4の実施例
図13は、第3の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
図13は、第3の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
内部クロック信号CLKは、例えば、図3のクロックジェネレータ28により生成される。内部クロック信号CLKの第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1において、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンド(第1のコマンド)R/W&APが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに、バンクアドレス信号に基づいて複数のバンクのうちの1つを活性化するバンクプリチャージ動作(第1の動作)を行うと共に、第1のロウアドレス信号R_Aを図3のアドレスラッチ回路26内にラッチするプリアクティブ動作(第2の動作)を行う。
即ち、第3の実施例では、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに、バンクプリチャージ動作とは異なるプリアクティブ動作として、第1のロウアドレス信号R_Aを予めロードする点(領域X)に特徴を有する。
また、図3の制御回路25は、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに、カラムアドレス信号C_A,C_Bを入力する動作を行う。
バンクプリチャージ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、2クロックサイクルかけて実行される。プリアクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリのバンクプリチャージ動作の内部動作とは分離した内部動作として、例えば、1クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2において、アクティブコマンド(第2のコマンド)Actが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、アクティブコマンドActが入力されたときに、第2のロウアドレス信号R_B,R_Cをロードし、かつ、第2のロウアドレス信号R_B,R_C及び図3のアドレスラッチ回路26内にラッチされた第1のロウアドレス信号R_Aに基づいて、図3のロウデコーダ22によりメモリセルアレイ21内の複数のワード線のうちの1つを活性化するアクティブ動作(第3の動作)を行う。
尚、図3のアドレスラッチ回路26は、アクティブコマンドActが入力されるまで、第1のロウアドレス信号R_Aをラッチし続ける。
アクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、4クロックサイクルかけて実行される。
このように、第3実施形態では、アクティブコマンドに基づいたロウアドレス信号R_C,R_Dの入力とは別に、バンクプリチャージコマンドPCGに基づいたロウアドレス信号R_A,R_Bの入力される前に、予め、ロウアドレス信号の入力が可能である。
したがって、例えば、図3のメモリセルアレイ21内の複数のワード線(複数のロウ)を選択するためのフルロウアドレス信号のビット数が増えたとしても、アクティブコマンドActに基づくアドレス信号の入力の追加に依存するピン数の増加や、動作速度の低下無しに、即ち、仕様の変更無しに、不揮発性ランダムアクセスメモリを、システム内に組み込むことができる。
図14は、第4の実施例に係わるタイミングチャートを示している。
第4の実施例は、第3の実施例と比べると、内部クロック信号CLKの1クロックサイクルのハイエッジ(↑)及びロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド及びアドレス信号をロードする点に特徴を有する。
内部クロック信号CLKは、例えば、図3のクロックジェネレータ28により生成される。内部クロック信号CLKの第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のハイエッジ(時刻t1)において、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンド(第1のコマンド)R/W&APが入力される(ローディング)。
また、第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のハイエッジ(時刻t1)において、カラムアドレス信号の一部C_Aが入力され(ローディング)、第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のロウエッジ(時刻t2)において、カラムアドレス信号の他の一部C_Bが入力される(ローディング)。
さらに、第1のクロックサイクル(1クロックサイクル)C1のロウエッジ(時刻t2)において、第1のロウアドレス信号R_Aが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに、バンクアドレス信号に基づいて複数のバンクのうちの1つを活性化するバンクプリチャージ動作(第1の動作)を行うと共に、第1のロウアドレス信号R_Aを図3のアドレスラッチ回路26内にラッチするプリアクティブ動作(第2の動作)を行う。
即ち、第2の実施例においても、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに、バンクプリチャージ動作とは異なるプリアクティブ動作として、第1のロウアドレス信号R_Aを予めロードする点(領域X)に特徴を有する。
バンクプリチャージ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、2クロックサイクルかけて実行される。プリアクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリのバンクプリチャージ動作の内部動作とは分離した内部動作として、例えば、1クロックサイクルかけて実行される。
また、内部クロック信号CLKの第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のハイエッジ(時刻t3)において、アクティブコマンド(第2のコマンド)Actが入力される(ローディング)。
また、第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のハイエッジ(時刻t3)において、第2のロウアドレス信号の一部R_Bが入力され(ローディング)、第2のクロックサイクル(1クロックサイクル)C2のロウエッジ(時刻t4)において、第2のロウアドレス信号の他の一部R_Cが入力される(ローディング)。
図3の制御回路25は、アクティブコマンドActが入力されたときに、第2のロウアドレス信号R_B,R_C及び図3のアドレスラッチ回路26内にラッチされた第1のロウアドレス信号R_Aに基づいて、図3のロウデコーダ22によりメモリセルアレイ21内の複数のワード線のうちの1つを活性化するアクティブ動作(第3の動作)を行う。
尚、図3のアドレスラッチ回路26は、アクティブコマンドActが入力されるまで、第1のロウアドレス信号R_Aをラッチし続ける。
アクティブ動作は、不揮発性ランダムアクセスメモリの内部動作(Internal operation)として、例えば、4クロックサイクルかけて実行される。
このように、第4実施形態では、アクティブコマンドに基づいたロウアドレス信号R_C,R_Dの入力とは別に、バンクプリチャージコマンドPCGに基づいたロウアドレス信号R_A,R_Bの入力される前に、予め、ロウアドレス信号の入力が可能である。
したがって、例えば、図3のメモリセルアレイ21内の複数のワード線(複数のロウ)を選択するためのフルロウアドレス信号のビット数が増えたとしても、アクティブコマンドActに基づくアドレス信号の入力の追加に依存するピン数の増加や、動作速度の低下無しに、即ち、仕様の変更無しに、不揮発性ランダムアクセスメモリを、システム内に組み込むことができる。
図15乃至図17は、第3及び第4の実施例におけるコマンド及びアドレスのローディングの例を示している。
これらの図において、CLKは、クロック端子(ピン)から入力されるクロック信号CKに基づいて生成される内部クロック信号を示している。また、CA0〜CA9は、コマンド&アドレス端子(ピン)から入力されるコマンド&アドレス信号を示している。
本例では、コマンド&アドレス端子CA0〜CA9は、10本であるが、これは、以下の説明を分かり易くするためであり、その数は、これに限定されることはない。
また、以下の説明において、メモリセルアレイ内のバンク数は、8個、これらバンクを選択するためのバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、3ビットと仮定する。但し、これも、以下の説明を分かり易くするためであり、その数は、これに限定されることはない。
さらに、本例においては、フルロウアドレス信号は、R0〜R17の18ビットと仮定し、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドR/W&APが入力されたときに入力される第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の一部)は、上位ビットR14〜R17と仮定する。
但し、これについても、一例であり、本実施例にとっては、バンクプリチャージコマンドPCGが入力されたときに、フルロウアドレス信号の一部が予め入力されていることが重要なことである。
図15の「Case 4」は、リード/ライト with オートプリチャージ動作(バンクプリチャージ動作)で活性化されるバンクが、アクティブ動作(プリアクティブ動作を含む)の対象となるバンクと同じ例である。
同図に示すように、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドは、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0〜CA2(H,L,H/L)から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされると共に、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0(H(AP))から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、カラムアドレス信号C1,C2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA5,CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされ、カラムアドレス信号C3〜C7は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA1〜CA5から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
本例では、フルカラムアドレス信号は、C1〜C7の7ビットである。
さらに、リード/ライト with オートプリチャージ動作の対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の上位ビットR14〜R17)は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA6〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる(プリアクティブ動作)。
尚、同図において、×は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)又はロウエッジ(↓)において、コマンド又はアドレス信号のロードに使用していないことを意味する。
図16及び図17は、リード/ライト with オートプリチャージ動作(バンクプリチャージ動作)で活性化されるバンクが、アクティブ動作(プリアクティブ動作を含む)の対象となるバンクと異なる例である。
図16の「Case 5a」では、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドは、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0〜CA2(H,L,H/L)から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされると共に、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0(H(AP))から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、カラムアドレス信号C1,C2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA5,CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされ、カラムアドレス信号C3,C4は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA1,CA2から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
本例では、フルカラムアドレス信号は、C1〜C4の4ビットである。
さらに、リード/ライトの対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、オートプリチャージ動作及びプリアクティブ動作の対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
さらに、第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の上位ビットR14〜R17)は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA3〜CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる(プリアクティブ動作)。
尚、同図において、×は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)又はロウエッジ(↓)において、コマンド又はアドレス信号のロードに使用していないことを意味する。
図17の「Case 5b」では、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドは、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0〜CA2(H,L,H/L)から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされると共に、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA0(H(AP))から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、カラムアドレス信号C1〜C4は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA3〜CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
本例では、フルカラムアドレス信号は、C1〜C4の4ビットである。
さらに、リード/ライトの対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
また、オートプリチャージ動作及びプリアクティブ動作の対象となるバンクアドレス信号BA0,BA1,BA2は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA7〜CA9から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる。
さらに、第1のロウアドレス信号(フルロウアドレス信号の上位ビットR14〜R17)は、内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて、コマンド&アドレス端子CA3〜CA6から不揮発性ランダムアクセスメモリ内にロードされる(プリアクティブ動作)。
尚、同図において、×は、内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)又はロウエッジ(↓)において、コマンド又はアドレス信号のロードに使用していないことを意味する。
「Case 5b」の特性は、全てのリード/ライトに対するアドレス信号が内部クロック信号CLKのハイエッジ(↑)に基づいてインプットされることである。結果として、コマンドは、「Case 5a」と異なる内部クロック信号CLKのロウエッジ(↓)に基づいて実行され得る。
[応用例]
第1及び第4の実施例は、階層ワード線方式のメモリセルアレイに組み合わせることにより、非常に有効となる。
第1及び第4の実施例は、階層ワード線方式のメモリセルアレイに組み合わせることにより、非常に有効となる。
なぜなら、階層ワード線方式では、メモリセルアレイの1本のワード線(1つのロウ)を選択するに当たって、まずは、上位アドレスにより、複数本のサブワード線に共通の1本のメインワード線を選択し、次に、中位又は下位アドレスにより、選択されたメインワード線に含まれる複数本のサブワード線のうちの1つを選択する、というステップを備えるからである。
即ち、第1及び第2の実施例を階層ワード線方式のメモリセルアレイに組み合わせることにより、不揮発性ランダムアクセスメモリの高速動作を図ることができる。
図18は、階層ワード線方式のメモリセルアレイを示している。
本例では、メモリセルアレイは、複数のバンクB0〜B3を有する。複数のバンクB0〜B3は、それぞれ、メインロウデコーダ30−0〜30−3、サブロウデコーダ31−0〜31−3、サブアレイ32A,32B、及び、センスアンプS/Aを有する。
但し、複数のバンクB0〜B3の数は、4つに限られず、2つ以上であればよい。また、1つのバンクBr(rは、0〜3のうちの1つ)内のサブアレイ32A,32Bの数も、2つに限られず、3つ以上であってもよい。
メインワード線MWL0〜MWL3は、メインロウデコーダ30−0〜30−3からロウ方向に延びる。複数のサブワード線SWLr0〜SWLrt(tは、自然数)は、サブロウデコーダ31−0〜31−3からロウ方向に延びる。
ここで、1本のメインワード線MWLrは、複数のサブワード線SWLr0〜SWLrtに共通である。例えば、1本のメインワード線MWL0は、複数のサブワード線SWL01〜SWL0tに共通である。
センスアンプS/Aは、サブアレイ32A,32Bのカラム方向の両端にそれぞれ配置される。1つのビット線対BL0,BL1は、サブアレイ32A,32Bからカラム方向に延びる。
図19は、図18のメインロウデコーダ及びサブロウデコーダを示している。
複数のバンク内のメイン/サブロウデコーダの構成は、同じであるため、ここでは、図18のメインロウデコーダ30−0及びサブロウデコーダ31−0について説明する。また、以下の説明を分かり易くするため、1本のメインワード線MWL0に共通の複数本のサブワード線SWL01〜SWL03の数は、4本と仮定する。
メインロウデコーダ30−0は、ロウアドレス信号の上位ビットに基づいて、メインワード線MWL0の活性化を制御する。
例えば、上述の第1乃至第4の実施例に対応させると、メインロウデコーダ30−0としてのNAND回路33には、バンクプリチャージコマンドPCG又はリード/ライト with オートプリチャージコマンドR/W&APが入力されたときに予めロードされる第1のロウアドレス信号(例えば、R14〜R17)φ1が入力される。
本例では、第1のロウアドレス信号φ1の全ビットが“H”のとき、メインワード線MWL0が活性化される。即ち、メインワード線MWL0は、“L”になる。
ここで、メインワード線MWL0を活性化させるタイミングは、後述するように、バンクプリチャージコマンドPCG又はリード/ライト with オートプリチャージコマンドR/W&APがロードされたときであってもよいし、それらの後にアクティブコマンドActがロードされたときであってもよい。
メインワード線MWLが“L”(活性化)のとき、ドライバユニット34内のPチャネル型FET(Field Effect Transistor)35aは、オン状態であり、Nチャネル型FET35bは、オフ状態である。即ち、この時、サブロウデコーダ31−0も、活性化される。
サブロウデコーダ31−0は、ロウアドレス信号の中位ビット又は下位ビットに基づいて、サブアレイ32A,32B内のサブワード線SWL00〜SWL03の活性化を制御する。
例えば、上述の第1乃至第4の実施例に対応させると、サブロウデコーダ31−0としてのAND回路36には、アクティブコマンドActが入力されたときにロードされる第2のロウアドレス信号(例えば、R0〜R13)φ20〜φ27が入力される。
本例では、第2のロウアドレス信号φ20の全ビットが“H”のとき、サブアレイ32A内のサブワード線SWL00が活性化される。
即ち、この時、第2のロウアドレス信号φ20が入力されるAND回路36の出力は、“H”であり、第2のロウアドレス信号φ20に対応するドライバユニット34内のNチャネル型FET37は、オフ状態である。
従って、第2のロウアドレス信号φ20が入力されるAND回路36の出力“H”は、サブアレイ32A内のサブワード線SWL00に転送される。
この時、残りの第2のロウアドレス信号φ21〜φ27の全ビットのうちの少なくとも1つは、“L”である。即ち、これらロウアドレス信号が入力されるAND回路36の出力は、“L”であるため、サブアレイ32A内の残りのサブワード線SWL01〜SWL03及びサブアレイ32B内の全てのサブワード線SWL00〜SWL03が非活性化される。
ここで、サブワード線SWL00を活性化させるタイミングは、例えば、アクティブコマンドActがロードされたときである。
尚、本例では、メインワード線MWL0とサブワード線SWL00を活性化させるタイミングを異ならせたが、両者のタイミングは、同じであってもよい。
また、メインワード線MWL0とサブワード線SWL00を活性化させるタイミングが同じであるとき、そのタイミングは、バンクプリチャージコマンドPCG又はリード/ライト with オートプリチャージコマンドR/W&APがロードされたときであってもよいし、それらの後にアクティブコマンドActがロードされたときであってもよい。
図20及び図21は、図18及び図19の階層ワード線方式におけるメイン/サブワード線を活性化させるタイミングを示している。
図20は、上述の第1及び第2の実施例に対応する。
図20に示すように、t1〜t4は、図6のt1〜t4に対応し、ロウアドレス信号R_A,R_B,R_C,R_Dは、図6のロウアドレス信号R_A,R_B,R_C,R_Dに対応する。
例Aでは、時刻t1で、R_Aをラッチし、時刻t2で、R_Bをラッチし、時刻t3で、R_Cをラッチする。そして、時刻t4で、R_Dをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_A,R_B,R_C,R_Dに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0及びサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。
例Bでは、時刻t1で、R_Aをラッチし、時刻t2で、R_Bをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_A,R_Bに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0を活性化する動作を行う。また、時刻t3で、R_Cをラッチし、時刻t4で、R_Dをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_C,R_Dに基づいて、図18及び図19のサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。
尚、メインワード線MWL0の活性化は、R_A、及び、R_Bの一部に基づいて行い、サブワード線SWL00の活性化は、R_Bの一部、R_C、及び、R_Dに基づいて行ってもよい。
例Cでは、時刻t1で、R_Aをラッチし、時刻t2で、R_Bをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_A,R_Bに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0及びサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。また、時刻t3で、R_Cをラッチし、時刻t4で、R_Dをラッチする。ロウアドレス信号R_C,R_Dは、メインワード線MWL0及びサブワード線SWL00の選択以外、例えば、センスアンプS/Aに接続するメモリセルを決定するために使用される。
例A,B,Cは、例である。そして、メインワード線MWL0およびサブワード線SWL00は、例A,B,Cで記載されたタイミング以外のタイミングで活性化し得る。
図21は、上述の第3及び第4の実施例に対応する。
t1〜t4は、図14のt2〜t4に対応し、ロウアドレス信号R_A,R_B,R_Cは、図14のロウアドレス信号R_A,R_B,R_Cに対応する。
例Aでは、時刻t2で、R_Aをラッチし、時刻t3で、R_Bをラッチし、時刻t4で、R_Cをラッチする。また、時刻t4で、ロウアドレス信号R_A,R_B,R_Cに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0及びサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。
例Bでは、時刻t2で、R_Aをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_Aに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0を活性化する動作を行う。また、時刻t3で、R_Bをラッチし、時刻t4で、R_Cをラッチする。また、時刻t4で、ロウアドレス信号R_B,R_Cに基づいて、図18及び図19のサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。
例Cでは、時刻t1で、R_Aをラッチすると共に、ロウアドレス信号R_Aに基づいて、図18及び図19のメインワード線MWL0及びサブワード線SWL00を活性化する動作を行う。また、時刻t3で、R_Bをラッチし、時刻t4で、R_Cをラッチする。ロウアドレス信号R_B,R_Cは、メインワード線MWL0及びサブワード線SWL00の選択以外、例えば、センスアンプS/Aに接続するメモリセルを決定するために使用される。
例A,B,Cは、例である。そして、メインワード線MWL0およびサブワード線SWL00は、例A,B,Cで記載されたタイミング以外のタイミングで活性化し得る。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
Claims (35)
- 複数のバンクを備え、各バンクが複数のロウを備えるメモリセルアレイと、
前記複数のロウに対応して設けられる複数の第1のワード線と、
第1のロウアドレス信号をラッチするアドレスラッチ回路と、
前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化するロウデコーダと、
第1のコマンドがロードされたときにバンクアドレス信号に基づいて前記複数のバンクのうちの1つを活性化する第1の動作、および前記第1のロウアドレス信号を前記アドレスラッチ回路にラッチする第2の動作を実行し、かつ、前記第1のコマンドの後に第2のコマンドがロードされたときに第2のロウアドレス信号および前記アドレスラッチ回路にラッチされた前記第1のロウアドレス信号に基づいて前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する第3の動作を実行するよう構成された制御回路と、
を具備する不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のコマンドはバンクプリチャージコマンドであり、前記第1の動作は前記バンクプリチャージコマンドにより実行されるバンクプリチャージ動作である請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記制御回路は、前記第2のコマンド後にリード/ライトコマンドが入力されたときに、カラムアドレス信号を入力する動作を行う請求項2の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1のコマンドはリード/ライト with オートプリチャージ-コマンドであり、前記第1の動作は前記リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドにより実行されるバンクプリチャージ動作である請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記制御回路は、前記第1のコマンドが入力されたときに、カラムアドレス信号を入力する動作を行う請求項4の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記複数のロウを共通に選択する第2のワード線をさらに具備し、
前記ロウデコーダは、
前記第1のロウアドレス信号に基づいて、前記第2のワード線を活性化し、
前記第2のロウアドレス信号に基づいて、前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記複数の第1のワード線のうちの1つ及び前記第2のワード線は、前記第2のコマンドが入力されたときに活性化される請求項6の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第2のワード線は前記第1のコマンドが入力されたときに活性化され、前記複数の第1のワード線のうちの1つは前記第2のコマンドが入力されたときに活性化される請求項6の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記複数のロウを共通に選択する第2のワード線をさらに具備し、
前記ロウデコーダは、前記第1及び第2のロウアドレス信号に基づいて、前記第2のワード線を活性化する
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記アドレスラッチ回路は、前記第2のコマンドが入力されるまで、前記第1のロウアドレス信号をラッチし続ける請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第2のコマンドはアクティブコマンドであり、前記第3の動作は前記アクティブコマンドにより実行されるアクティブ動作であり、前記第2の動作は前記アクティブ動作の準備を行うプリアクティブ動作である請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の動作で活性化されるバンクは、前記第3の動作の対象となるバンクと同じである請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の動作で活性化されるバンクは、前記第3の動作の対象となるバンクと異なる請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記第1のコマンド及び前記バンクアドレス信号は、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記第1のコマンドは、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジに基づいて入力され、
前記第2の動作は、第3のコマンドにより前記第3の動作の準備を行う動作であることが決定され、
前記第3のコマンドは、前記1クロックサイクルのロウエッジに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記バンクアドレス信号は、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジに基づいて入力され、
前記第1のロウアドレス信号の対象となるバンクを指定するバンクアドレス信号は、前記1クロックサイクルのロウエッジに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記第1のロウアドレス信号は、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジ及びロウエッジのうちの少なくとも1つに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記第2のコマンド及び前記第2のロウアドレス信号は、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 内部クロック信号を生成するクロックジェネレータをさらに具備し、
前記第2のロウアドレス信号は、前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジ及びロウエッジのうちの少なくとも1つに基づいて入力される
請求項1の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 複数のバンクを備え、各バンクが複数のロウを備えるメモリセルアレイと、
前記複数のロウに対応して設けられる複数の第1のワード線と、
第1のロウアドレス信号をラッチするアドレスラッチ回路と、
前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化するロウデコーダと、
内部クロック信号を生成するクロックジェネレータと、
前記内部クロック信号の1クロックサイクルのハイエッジに基づいて第1のコマンドを入力し、かつ、前記1クロックサイクルのロウエッジに基づいて第2のコマンドを入力する制御回路と、
を具備する不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記制御回路は、
前記第1のコマンドが入力されたときに、バンクアドレス信号に基づいて前記複数のバンクのうちの1つを活性化する第1の動作を行い、
前記第2のコマンドが入力されたときに、前記第1のロウアドレス信号を前記アドレスラッチ回路内にラッチする第2の動作を行い、かつ、
前記第2のコマンド後に第3のコマンドが入力されたときに、第2のロウアドレス信号及び前記アドレスラッチ回路内にラッチされた前記第1のロウアドレス信号に基づいて、前記ロウデコーダにより前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する第3の動作を行う
請求項20の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記複数のロウを共通に選択する第2のワード線をさらに具備し、
前記ロウデコーダは、
前記第1のロウアドレス信号に基づいて、前記第2のワード線を活性化し、and
前記第2のロウアドレス信号に基づいて、前記複数の第1のワード線のうちの1つを活性化する
請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記複数の第1のワード線のうちの1つ及び前記第2のワード線は、前記第3のコマンドが入力されたときに活性化される請求項22の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第2のワード線は前記第2のコマンドが入力されたときに活性化され、前記複数の第1のワード線のうちの1つは前記第3のコマンドが入力されたときに活性化される請求項22の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記複数のロウを共通に選択する第2のワード線をさらに具備し、
前記ロウデコーダは、前記第1及び第2のロウアドレス信号に基づいて、前記第2のワード線を活性化する
請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記アドレスラッチ回路は、前記第3のコマンドが入力されるまで、前記第1のロウアドレス信号をラッチし続ける請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1のコマンドは、バンクプリチャージコマンドであり、前記第1の動作は、前記バンクプリチャージコマンドにより実行されるバンクプリチャージ動作であり、
前記第2のコマンドは、プリアクティブコマンドであり、前記第2の動作は、前記プリアクティブコマンドにより実行されるプリアクティブ動作であり、
前記第3のコマンドは、アクティブコマンドであり、前記第3の動作は、前記アクティブコマンドにより実行されるアクティブ動作である
請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記制御回路は、前記第3のコマンド後にリード/ライトコマンドが入力されたときに、カラムアドレス信号を入力する動作を行う請求項27の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1のコマンドは、リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドであり、前記第1の動作は、前記リード/ライト with オートプリチャージ-コマンドにより実行されるバンクプリチャージ動作であり、
前記第2のコマンドは、プリアクティブコマンドであり、前記第2の動作は、前記プリアクティブコマンドにより実行されるプリアクティブ動作であり、
前記第3のコマンドは、アクティブコマンドであり、前記第3の動作は、前記アクティブコマンドにより実行されるアクティブ動作である
請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記制御回路は、前記第1のコマンドが入力されたときに、カラムアドレス信号を入力する動作を行う請求項29の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の動作で活性化されるバンクは、前記第3の動作の対象となるバンクと同じである請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の動作で活性化されるバンクは、前記第3の動作の対象となるバンクと異なる請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記バンクアドレス信号は、前記1クロックサイクルの前記ハイエッジに基づいて入力される請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
- 前記バンクアドレス信号は、前記1クロックサイクルの前記ハイエッジに基づいて入力され、
前記第1のロウアドレス信号の対象となるバンクを指定するバンクアドレス信号は、前記1クロックサイクルの前記ロウエッジに基づいて入力される
請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のロウアドレス信号は、前記1クロックサイクルの前記ハイエッジ及び前記ロウエッジのうちの少なくとも1つに基づいて入力される請求項21の不揮発性ランダムアクセスメモリ。
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