JP2016509759A - 格納室を有する伸縮性電子システム - Google Patents
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Abstract
Description
によって得ることができ、式中、Eはヤング率であり、L0は平衡長であり、ΔLは印加応力下での長さ変化であり、Fは加えられた力であり、Aは、表面に力が加えられた面積である。ヤング率は、方程式:
を介してラーメ定数を用いて表してもよく、式中、λ及びμは、ラーメ定数である。高ヤング率(又は高モジュラス)及び低ヤング率(又は低モジュラス)は、所与の材料、層、又はデバイスにおけるヤング率の大きさの相対的記述子である。いくつかの実施形態では、高ヤング率は、低ヤング率よりも大きく、好ましくはいくつかの適用例に関して約10倍大きく、より好ましくはその他の適用例に関して約100倍大きく、さらにより好ましくはさらにその他の適用例に関して約1000倍大きい。ある実施形態では、低モジュラス層は、100MPa未満のヤング率を有し、任意選択で10MPa未満、任意選択で、0.1MPa〜50MPaの範囲から選択されたヤング率を有する。ある実施形態では、高モジュラス層は、100MPa超のヤング率を有し、任意選択で10GPa超であり、任意選択でヤング率は1GPa〜100GPaの範囲から選択される。
実施例1:自己相似蛇行相互接続及び統合型ワイヤレス再充電システムを持つ伸縮性バッテリ
結果
考察
方法
参考文献
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35 Datasheet for BAT 62-02LS E6327 onwww.digikey.com
補遺情報。
シリコーン基板上のAl/PIの座屈シートからなる、伸縮性包封層の製作。
「島−橋」自己相似電極構造の機械解析:FEA
バッテリの漏れ電流の解析
[0231]
実用的な見地から、本発明者らは、ダイオードの比較的小さいサイズに起因して、統合システムの機械的性質全体に対する有意な拘束を観察していない。特に、約4.0GPaのモジュラスを有するエポキシに包封されたショットキーダイオードは、基板(Ecoflex製、モジュラスは約60KPa)の場合よりも有効に4桁超大きいが、その寸法(長さ0.62mm、幅0.32mm、及び高さ0.31mm)は、ワイヤレスシステムのサイズ全体(約30mm×約20mm)の数パーセント(約2%)でしかないことを表す。実験により、本発明者らは、約30%まで及びそれを超えて伸長するのにシステムが堅牢であることを観察している。
[0234]
コイルの抵抗/Q値は、効率を支配する極めて重要なパラメータである。この効果を例示する追加の実験では、本発明者らは、600nmの厚さの金蛇行コイルを、厚さが増大した銅で製作された、その他の点では類似しているものと置き換えた。結果は、7μmの厚さの銅被膜(Dupont)を使用して形成されたコイルが、全抵抗185Ωを有し、受信電力30.8mWを発生させ、入力電力が179mW(1mmの距離で、先に報告された結果に類似)であることを示す。対応する効率は17.2%であり、これは当初の金コイル(4.9%)よりも3倍以上も改善されたことを表す。18μmの厚さの銅箔(MTI Corp.)を使用することによる、38Ωまでのコイル抵抗のさらなる低減は、受信電力を36.2mWまで改善し、効率を20.2%まで改善する。図23aを参照されたい。
[0236]充電回路は、下記のモデルを使用して記述することができる:
式中、U0は、3ボルトの電圧の充電源である。L及びRは、回路に関連するインダクタンス及び抵抗である。U(t)は、電圧計の時間依存性読出しであり、I(t)は、電流計の時間依存性読出しである。
電流をシミュレートするのに使用したプログラム:
#include<iostream.h>
#include<stdio.h>
#include<stdlib.h>
#include<math.h>
#include<time.h>
#define tim 3500
#define start 265
float curre[tim];
float nihe[tim];
float test[tim];
float voll[tim];
FILE *fp;
int main()
{
inti,j,k;
fp=fopen("Cur.txt","r");
for(i=0;i<tim;i++)
{
fscanf(fp,"%f",&curre[i]);
curre[i]=-curre[i];
cout<<curre[i]<<endl;
}
fclose(fp);
fp=fopen("Vol.txt","r");
for(i=0;i<tim;i++)
{
fscanf(fp,"%f",&voll[i]);
cout<<voll[i]<<endl;
}
fclose(fp);
double coef1;
double coef2;
coef2=curre[1]/(voll[1]-voll[0]);
cout<<coef2<<endl;
test[0]=curre[0];
test[start]=curre[start];
double coef1th;
double maxh=1000000000;
double coef2th;
for(coef2=0;coef2<0.04; coef2=coef2+0.0001)
{
cout<<coef2<<endl;
for(coef1=0.94; coef1<=0.96; coef1=coef1+0.0001)
{
// cout<<coef1<<endl;
for(i=start+1;i<tim;i++)
{
test[i]=coef1*test[i-1]+(3-(voll[i]+voll[i-1])*0.5)*coef2;
}
double poi=0;
for(i=start;i<tim;i++)
{
poi+=(test[i]-curre[i])*(test[i]-curre[i]);
}
if(poi<maxh)
{
coef1th=coef1;
coef2th=coef2;
maxh=poi;
for(int j=0;j<tim;j++)
{
nihe[j]=test[j];
}
}
}
}
cout<<coef1th<<endl;
cout<<coef2th<<endl;
cout<<maxh<<endl;
fp=fopen("nihe.txt","w");
for(i=0;i<tim;i++)
{
fprintf(fp, "%f", -nihe[i]);
fprintf(fp, "\n");
}
fclose(fp);
fp=fopen("canshu.txt","w");
fprintf(fp,"%f", coef1th);
fprintf(fp,"\n");
fprintf(fp,"%f", coef2th);
fprintf(fp,"\n");
fclose(fp);
return(1);
}
[0238]図25及び27は、本発明の一部の電子システム製造に関する製造プロセスフローの例を示す図である。図25は、総体的製造フローチャートを示す図である。図26は、蛇行型相互接続とCOTSチップとの間に電気的接触を作り出すための銀エポキシ剥離を示す図である。図27は、液体室製造を示す図である。空隙又は袋は、エラストマー薄膜1枚を基板上に積層することによって形成され、周辺部分の密閉は、未硬化エラストマーを接着剤として使用して、加熱と加圧によって達成される。流体は、形成された状態の空隙へ、空隙の側方端部経由で注射器を使用して注入される。
[0254]次に、流体格納を有する電子デバイスを、複数の図を参考に記述するが、図70の記述に使用される参照番号は、複数の実施形態における同じ形体を示し、1つの図における複数の項目に表示が施されていない場合があり、また複数の図が同じ縮尺で作成されているとは限らない。
[0270]皮膚に装着する場合、現代のセンサ、回路、無線装置及び電源システムは、臨床品質の健康モニタリング能力を、伝統的な病院又は試験所施設に限らず、継続的に使用する潜在性を有する。しかし、十分に開発が進んだ構成要素技術は概して、硬質の平面上形式のものしか出回っていない。結果として、システム設計における既存の選択肢では、軟質で凹凸のある、曲線状の、時間によって変動する皮膚の表面との一体化に効果的に適応することができない。本発明では、高弾性、剛性、最新式の機能的要素の集合体を組み入れる、低弾性、伸縮性のシステム向けの材料、マイクロ流体システム、構造設計及び力学における複合的戦略を提示する。その成果が、薄型で適合性のある、皮膚表面へ柔軟に積層することができ、生理学的モニタリング向けの先進的な多機能動作を無線モードで可能にする、デバイス技術である。これらの発想の多用途性及び可撓性/伸縮性電子機器に対する他のアプローチとの両立性は、人体との親密な統合を活用する装着型デバイスの急速な進歩の基礎を示唆するものである。
材料及び方法
[0285]回路設計の論拠。誘導型ECGシステムの場合、チップ105(10μFのキャパシタ)が、入力ECG信号のDCオフセットの防止に使用される。チップ107(0.1μFのキャパシタ)及びチップ13(200kΩ)は、入力ECG信号から低周波ノイズを除去するためのハイパスRCフィルタを形成する。計装用増幅器(AD627b、チップ1)は、ECG信号を800倍に増幅する。チップ107(0.1μFのキャパシタ)及びチップ10(10kΩ)は、増幅後のECG信号から高周波ノイズを除去するためのローパスRCフィルタを形成する。電圧制御型発振器(MAX2750、チップ3)は、ECG信号電圧を表わす高周波信号を生成する。このチップの出力は小型アンテナを通過する(チップ18)。誘導電力モジュールは共振誘導結合を基本とし、10μHの誘導コイル(27T103C、チップ101)及び0.1μFのキャパシタ(チップ107)がLCループを形成する。
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[0293]図102aは、格納室内に封入された電子システムの高い伸縮性を達成するための設計配置の概略図である。記載の実施形態において、電子システムは、基板1002及びスーパーストレート1004によって形成される格納室内に封入された電子デバイス又は構成要素1000を備える。電子デバイス又は構成要素1000は、基板1002及び第1の充填材又は低弾性固体1006によって支持される。第2の充填材又は低弾性固体1008は、電子デバイス又は構成要素1000の上面及び側面と接触する。一実施形態において、第1の充填材の厚さは1000μm以下であるか、又は500μm以下であるか、又は250μm以下であるか、又は100μm以下である。一実施形態において、第1及び第2の充填材は、同じであるか又は異なる低弾性固体材料であってもよい。一実施形態において第1の充填材及び第2の充填材のヤング率は、同じであるか又は異なっていてもよい。一実施形態において、格納室内に2種類を超える充填材(例えば3種類、4種類、5種類、6種類の充填材)が(例えば混合又は層状に)存在していてもよい。
[0298]一実施形態において、低弾性固体を備える格納システムは、空隙を形成するスーパーストレート及び基板の結合によって製造され得る。スーパーストレートは、例えば、複数の側壁及び上部壁を備えるものであってもよい。次いで、シルビオンなど低弾性固体は、針を使用して、例えばスーパーストレートと基板との間の端部を介して、空隙へ注入され得る。一般的に、注入穴は針の除去後に自己密閉するが、この密閉の頑健性を増進するためのエラストマーが注入箇所で追加され得る。
[0300]自己相似構造を有する相互接続を、従来的なフォトリソグラフィにより、PI(1.2ミクロン)被覆Cu箔(5ミクロン)を使用して製造する。次いで相互接続を水溶性テープを使用して取り出し、電子ビーム蒸着によりCr(5mm)/SiOx(60mm)層を蒸着させる。最後に、相互接続を所望の基板へ移し、個々の太陽電池、電池又は他の電子デバイス又は構成要素を相互接続へ、Inベースのはんだを使用して取り付ける。
[0304]本出願全体を通した全ての参考文献、例えば発行された又は付与された特許又は均等物を含む特許文書;特許出願公開;及び非特許文献文書又はその他の出典資料は、あたかも参照により個々に組み込まれるように、各参考文献が少なくとも部分的に本出願の開示と矛盾しなくなる程度まで、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる(例えば、部分的に矛盾している参考文献は、参考文献の部分的に矛盾している部分を除き、参照により組み込まれる。)。
Claims (81)
- i.基板と、
ii.前記基板によって支持され、自立型であるか又は前記基板へ繋留される電子デバイス又はデバイス構成要素と、
iii.少なくとも部分的に前記電子デバイス又はデバイス構成要素を包囲し、少なくとも部分的に格納流体又は低弾性固体が充填される格納室と、
を備える電子システム。 - i.超低弾性層と、
ii.前記超低弾性層によって支持される基板と、
iii.前記基板によって支持され、自立型であるか又は前記基板へ繋留される電子デバイス又はデバイス構成要素と、
iv.複数の側壁及び上部壁を備え、少なくとも部分的に前記電子デバイス又はデバイス構成要素を包囲し、少なくとも部分的に格納流体又は低弾性固体が充填される格納室と、
を備え、
v.前記基板のヤング率が前記超低弾性層のヤング率より高く、前記上部壁のヤング率が前記格納流体又は前記低弾性固体のヤング率より高いことにより、前記システムのヤング率プロファイルが前記超低弾性層に対し実質的に直角の軸に沿って空間的に変動する
電子システム。 - 前記超低弾性層がecoflex(登録商標)を備える、請求項2に記載のシステム。
- 前記超低弾性層のヤング率が150KPa以下である、請求項2に記載のシステム。
- 前記超低弾性層のヤング率が50KPa〜150Paの範囲から選択される、請求項2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素における前記自立型又は繋留型の構成が少なくとも部分的に、前記基板の運動又は変形を前記電子デバイス又はデバイス構成要素から分断する、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素における前記自立型又は繋留型の構成が少なくとも部分的に、前記基板の伸長、圧縮又は変形によって生じる力を前記電子デバイス又はデバイス構成要素から分断する、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が、前記基板の受容表面に、又は前記基板と前記電子デバイス若しくはデバイス構成要素との間に設けられた中間構造上に設けられる、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素の外側部分を包囲するよう配置された、1つ又は複数の包囲構造を備える、請求項8に記載のシステム。
- 前記格納室における前記1つ又は複数の包囲構造が、前記受容表面へ、又は前記受容表面と前記1つ若しくは複数の包囲構造との間に設けられた中間構造へ動作的に連結された、請求項9に記載のシステム。
- 前記格納室の前記1つ又は複数の包囲構造が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素と物理的に接触していない状態である、請求項9に記載のシステム。
- 前記包囲構造が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素の側面から少なくとも10ミクロンの位置にそれぞれ配置される、1つ又は複数の格納室隔壁又はバリア構造を備える、請求項9に記載のシステム。
- 前記格納室が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素を部分的に包囲する前記基板に設けられた1つ又は複数の凹型形体をさらに備え、前記1つ又は複数の包囲構造が前記凹型形体を包囲するように設けられる、請求項9に記載のシステム。
- 前記格納室の前記凹型形体が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素の側面から少なくとも10ミクロンの位置にそれぞれ配置される、1つ又は複数の格納室隔壁又はバリア構造を備える、請求項13に記載のシステム。
- 前記格納室における前記包囲構造の少なくとも一部が、前記基板又は前記基板と前記包囲構造との間に設けられた中間構造へ積層される、請求項9に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素と電気的に接触している状態の1つ又は複数の伸縮性電気相互接続をさらに備える、請求項9に記載のシステム。
- 前記格納室の前記包囲構造のヤング率が1KPa〜1GPaの範囲から選択される、請求項9に記載のシステム。
- 前記格納室が、前記格納流体に対し透過性でない材料を備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室がエラストマーを備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室が、PDMS、ecoflex(登録商標)、又はシリコーンからなる群から選択される材料を備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室の高さが10μm〜10cmの範囲から選択される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室の容積の少なくとも50%が前記格納流体によって占有される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室の容積の少なくとも0.1%が前記電子デバイス又はデバイス構成要素によって占有される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室が構造的に自己支持型である、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納室に前記格納流体が充填される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記格納流体が前記電子デバイス又はデバイス構成要素と物理的に接触している状態である、請求項25に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が前記流体に完全に浸漬している状態である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体が潤滑剤である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体の粘度が0.1cP〜10000cPの範囲から選択される、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体が電解液である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体のイオン伝導率が0.001Scm−1以上である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体が高いイオン抵抗性を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体の蒸気圧力が298Kにて760Torr以下である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体が液体、コロイド、ゲル又は気体である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納流体が、プレポリマー、溶媒、非水電解液、シリコーン、天然油脂、合成油脂、ポリオレフィン及びフルオロカーボンからなる群から選択される材料である、請求項25に記載のシステム。
- 前記格納室に低弾性固体が充填される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記低弾性固体が、ゲル、プレポリマー、シリコーン、シリコーンゴム、天然油脂、合成油脂、ポリオレフィン又はフルオロカーボンである、請求項36に記載のシステム。
- 前記低弾性固体のヤング率が200KPa以下である、請求項36に記載のシステム。
- 前記低弾性固体のヤング率が2KPa〜200KPaの範囲から選択される、請求項36に記載のシステム。
- 前記低弾性固体のヤング率が、前記基板又は前記上部壁のヤング率の10分の1以下である、請求項36に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が、前記基板又は前記低弾性固体によって支持される自立型構造であるか、又は前記基板又は前記低弾性固体と物理的に接触している状態である、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記自立型構造が、前記基板若しくは前記基板と前記自立型構造との間に設けられる中間構造との結合性相互作用を受け、前記結合性相互作用は双極子間相互作用又はファンデルワールス相互作用である、請求項41に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が、前記基板の1つ若しくは複数のレリーフ形体、又は前記基板によって支持される1つ若しくは複数のレリーフ形体によって支持される繋留型構造である、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数のレリーフ形体が1つ又は複数のペデスタルを備える、請求項43に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数のレリーフ形体が少なくとも10のペデスタルからなるアレイを備える、請求項43に記載のシステム。
- 前記繋留型構造が前記1つ又は複数のレリーフ形体へ結合される、請求項43に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数のレリーフ形体がエラストマー、PDMS、ecoflex(登録商標)、又はシリコーンを備える、請求項43に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数のレリーフ構造がそれぞれ独立的に100nm〜1mmの範囲にわたり選択される長さに延び、独立的に100nm〜1mmの範囲にわたり選択される1つ又は複数の物理的断面寸法を有する、請求項43に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が単結晶無機半導体構造を備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が、導電構造、誘電構造、電極、カソード、アノード、及び付加的半導体構造からなる群から選択される少なくとも1つの付加的デバイス構成要素又は構造へ動作的に接続される、単結晶無機半導体構造を備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が、10ナノメートル〜約100ミクロンの範囲から選択される厚さと、100ナノメートル〜約1ミリメートルの範囲から選択される幅と、1ミクロン〜1ミリメートルの範囲から選択される長さとを有する、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が単結晶半導体電子デバイスを備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記単結晶半導体電子デバイス又はデバイス構成要素が、トランジスタ、電気化学電池、燃料電池、集積回路、太陽電池、レーザ、発光ダイオード、ナノ電気機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、フォトダイオード、PN接合、センサ、記憶デバイス、集積回路、補助的論理回路からなる群から選択される1つ又は複数の電子デバイスを備える、請求項52に記載のシステム。
- 少なくとも部分的に前記格納室に包囲された、又は少なくとも部分的に1つ又は複数の付加的格納室に包囲された、1つ又は複数の付加的電子デバイス又はデバイス構成要素をさらに備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記基板が可撓性基板又は伸縮性基板である、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記基板がポリマー基板である、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記基板が、エラストマー、PDMS、ecoflex(登録商標)、及びシリコーンからなる群から選択される1つ又は複数の材料を備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記基板のヤング率が20KPa〜1MPaの範囲から選択される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記基板の厚さが100ミクロン〜100mmの範囲から選択される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素と電気的に接触している状態の1つ又は複数の電気相互接続をさらに備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の電気相互接続が、前記電子デバイス又はデバイス構成要素と1つ又は複数の付加的な電子デバイス又はデバイス構成要素との間の電気的接触を確立する、請求項60に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素、前記1つ又は複数の付加的電子デバイス又はデバイス構成要素及び前記1つ又は複数の電気相互接続が島状架橋形状で設けられ、前記電子デバイス又はデバイス構成要素が前記島状構造を備え、前記電気相互接続が前記架橋を備える、請求項61に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の電気相互接続が前記基板へ個別に少なくとも1箇所で接続される、請求項60に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の電気相互接続が伸縮性電気相互接続である、請求項60に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の伸縮性電気相互接続が、前記電子システムの弾性、屈曲性又は両方をもたらすよう構成された伸縮性電気相互接続である、請求項64に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の伸縮性電気相互接続のうち少なくとも1つが屈曲型、座屈型、折り畳み型、湾曲側、又は蛇行型の幾何形状を有する、請求項64に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の伸縮性電気相互接続の少なくとも一部が、面内、面外又は面内と面外両方に、前記基板の支持面によって定義される面と相対する幾何形状を有する、請求項64に記載のシステム。
- 前記支持表面が湾曲型である、請求項67に記載のシステム。
- 前記支持表面が実質的に平坦である、請求項67に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の電気相互接続の少なくとも一部が面内蛇行型幾何形状を有する、請求項67に記載のシステム。
- 前記電気相互接続のうち少なくとも1つが、第1の剛性島状デバイスを備える前記デバイス構成要素を、第2の剛性島状デバイスを備える第2のデバイス構成要素と電気的に接続する、請求項60に記載のシステム。
- 剛性島状デバイスを備えるデバイス構成要素からなるアレイをさらに備え、前記1つ又は複数の電気相互接続が、隣接する剛性島状デバイスを電気的に接続する、請求項71に記載のシステム。
- 複数のデバイス構成要素をさらに備え、前記剛性島状のそれぞれが1つのデバイス構成要素に対応する、請求項72に記載のシステム。
- 前記電子デバイス又はデバイス構成要素が自立型又は繋留型の完全に形成された集積回路である、請求項1又は2に記載のシステム。
- トランジスタ、電気化学電池、燃料電池、集積回路、太陽電池、レーザ、発光ダイオード、ナノ電気機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、フォトダイオード、PN接合、センサ、記憶デバイス、補助的論理回路又はこれらのいずれかからなるアレイを備える、請求項1又は2に記載のシステム。
- 請求項1又は2に記載の電気的に相互接続された複数のデバイスからなるアレイ。
- i.基板と、
ii.前記基板によって支持され、自立型であるか又は前記基板へ繋留される第1の電子デバイス構成要素の少なくとも一部を形成するアノードと、
iii.前記基板によって支持され、自立型であるか又は前記基板へ繋留される第2の電子デバイス構成要素の少なくとも一部を形成するカソードと、
iv.少なくとも部分的に前記アノード、前記カソード又は前記アノードと前記カソードの両方を包囲し、少なくとも部分的に、前記アノードと前記カソードとの間でのイオン輸送を可能にする電解液が充填される格納室と
を備える電気化学電池。 - 前記アノード、前記カソード又は前記アノードと前記カソードの両方と電気的に接触している状態の1つ又は複数の伸縮性電気相互接続をさらに備える、請求項77に記載の電気化学電池。
- 前記1つ又は複数の伸縮性電気相互接続がそれぞれ独立的に、自己相似蛇行型幾何形状を有する、請求項78に記載の電気化学電池。
- 請求項77に記載の、電気的に相互接続された複数の電気化学電池を備えるアレイ。
- 基板の準備と、
自立型又は前記基板上の格納室内の前記基板に繋留される電子デバイス又はデバイス構成要素を設けることにより、前記格納室が少なくとも部分的に前記電子デバイス又はデバイス構成要素を包囲するようにすることと、
少なくとも部分的に前記格納室に格納流体又は低弾性固体を充填すること
を備える電子システム製造方法。
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