JP2016507158A5 - - Google Patents

Description

基体表面上に自己組織化ポリマー層を形成するために使用できる両親媒性ブロックコポリマーの特定の非限定的例としては、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン（ＰＳ−ｂ−ＰＩ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリスチレン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレン（ＰＳ−ｂ−ＰＥ）、ポリスチレン−ブロック−ポリ有機シリケート（ＰＳ−ｂ−ＰＯＳ）、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ｂ−ＰＦＳ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリイソプレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＩ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリブタジエン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＥＯ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリエチルエチレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＥＥ）、ポリブタジエン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＢＤ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリビニルピリジン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＶＰ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、およびポリイソプレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＩ−ｂ−ＰＭＭＡ）が挙げられる。実施の形態において、両親媒性ブロックコポリマーは、ポリスチレン疎水性ブロックおよびポリエチレンオキシド親水性ブロックを有するポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）ブロックコポリマーを含むことができる。

Claims (6)

1. ナノピラー基体表面を製造する方法において、
   ポリマー溶液であって、
   疎水性ブロックと親水性ブロックとを有する両親媒性ブロックコポリマー、
   前記両親媒性ブロックコポリマーの前記親水性ブロックと化学的に適合性である親水性ホモポリマー、および
   塗布溶媒、
   を含有するポリマー溶液を基体の基体表面に塗布する工程、
   前記塗布溶媒を除去して、前記ポリマー溶液中の前記両親媒性ブロックコポリマーおよび前記親水性ホモポリマーを前記基体表面上で自己組織化させて、自己組織化ポリマー層であって、該基体表面に隣接した疎水性領域と、該基体表面と反対の該自己組織化ポリマー層の露出表面から該自己組織化ポリマー層中に延在する、前記親水性ホモポリマーの親水性領域と、前記疎水性領域と前記親水性領域との間の、前記両親媒性ブロックコポリマーの前記親水性ブロックからなる移行領域と、を備える自己組織化ポリマー層を形成する工程、
   前記親水性ホモポリマーの前記親水性領域の少なくとも一部分を除去して、前記自己組織化ポリマー層の前記露出表面に複数の細孔を形成する工程、
   保護層を前記露出表面上に堆積させる工程、
   前記複数の細孔を通してエッチングして、前記自己組織化ポリマー層を通って前記基体表面まで貫通孔を形成する工程、
   ナノピラー形成材料を、前記貫通孔を通じて前記基体表面上に堆積させる工程、および
   前記自己組織化ポリマー層を除去して、上に複数のナノピラーを有するナノピラー基体表面を露出する工程、
   を有してなる方法。
2. 前記両親媒性ブロックコポリマーが、ポリスチレン疎水性ブロックとポリエチレンオキシド親水性ブロックとを有するＰＳ−ｂ−ＰＥＯブロックコポリマーを含む、請求項１記載の方法。
3. 前記親水性ホモポリマーがポリ（アクリル酸）を含む、請求項１記載の方法。
4. 前記両親媒性ブロックコポリマーが、約１００，０００ダルトンから約５００，０００ダルトンの数平均分子量を持つポリスチレン疎水性ブロックとポリエチレンオキシド親水性ブロックとを有するＰＳ−ｂ−ＰＥＯブロックコポリマーを含み、
   前記親水性ホモポリマーがポリ（アクリル酸）を含む、請求項１記載の方法。
5. 前記保護層が金属層または誘電体層であり、
   前記保護層を前記露出表面に堆積させる工程が、
   視射角蒸着であって、前記保護層を前記露出表面に堆積させ、かつ堆積されている材料で前記複数の細孔を塞がない視射角で行われる視射角蒸着によって、該保護層を所定の保護層厚まで堆積させる工程、
   を含む、請求項１記載の方法。
6. 前記基体がガラスであり、前記ナノピラー形成材料がシランおよびシロキサンからなる群より選択されたガラス形成材料である、請求項１記載の方法。