JP2016506026A - 積層電子または光電子有機デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
・第1の電極と、
・発光(OLED)、または電荷の発生(OPV)、または電荷の輸送(OLED、OPV、OTFT)を可能にする有機半導体層のスタックと、
・第2の電極と、
・たとえば水分および酸素に対する保護コーティングなどの第2のカバー支持体カバー支持体または封止支持体と、
が連続して堆積された第1の支持体の形態で提供される。
TgM−Tgf≧130℃、好ましくは≧140℃、より好ましくは≧150℃、最も好ましくは≧160℃
(ここで、Tgf:少なくとも1つの介在接着フィルム、好ましくは唯一の介在接着フィルムを構成する材料のガラス転移温度)
となる材料からなる、すなわち排他的に含有するような構造である。
Y−X≧0.3mm
となるような構造であり、ここでXは、2つの不浸透性基板の間に挿入された有機電子または光電子デバイスを構成する支持体のmmの単位で表される厚さの合計を表し、Yは、少なくとも1つの介在接着フィルムのmmの単位で表される厚さを表す。
a)第1の基板、好ましくはガラス基板の上に第1の介在接着フィルムを配置する段階、
b)少なくとも1つの有機電子または光電子デバイス、好ましくは少なくとも1つの有機発光デバイスを配置する段階、
c)好ましくは導電性PETなどの透明導電性フィルム、および/または導電性接着テープの形態の電気的接続部を取り付ける段階、
d)好ましくは第1のものと同じ性質の第2の介在接着フィルムを配置する段階、
e)第2の基板、好ましくはガラス基板を配置する段階、
f)第1の基板と第2の基板との間に取り外し可能な固定手段を取り付けることによって、得られた構造を一体化する段階であって、前記手段が、好ましくは基板の構造的変化を必要とせず、ガス交換が可能となる段階、
g)続いて、以下の連続する段階を含む組み立てサイクルを行うために、得られた構造をチャンバー中に配置する段階:
g1.少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空を、少なくとも30分間、好ましくは少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
g2.少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空下で、好ましくは少なくとも45分間、最高120℃、好ましくは最高95℃の温度到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
g3.真空の発生を停止し、少なくとも15分間、最高120℃、好ましくは最高110℃の温度に到達するまでチャンバーの温度の上昇または維持を行う段階、
g4.チャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度において、少なくとも90分間、好ましくは少なくとも150分間、より好ましくは少なくとも180分間維持する段階、
g5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
g6.チャンバーを開く段階。
g1.チャンバー中で、少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空を、少なくとも30分間、好ましくは少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
g2.真空の発生を停止して容器を閉じる段階であって、真空が容器中で少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barである段階、
g3.次に容器を第2のチャンバーまたはオートクレーブなどの加熱チャンバー中に入れる段階、
g4.好ましく少なくとも45分間、最高120℃、好ましくは最高95℃の温度に到達するまで第2のチャンバーの温度を上昇させる段階。好都合には、第2のチャンバーは、最大11bar、好ましくは最大4bar、より好ましくは最大3bar、最も好ましくは最大2barの圧力に置かれ、第1のチャンバーに作用する圧力によって、構造中の気泡の数を減少させることができる、
g5.少なくとも15分間、最高120℃、好ましくは最高110℃の温度に到達するまで、第2のチャンバーの温度を上昇させる、または維持する段階、
g6.第2のチャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度で、少なくとも90分間、好ましくは少なくとも150分間、より好ましくは少なくとも180分間維持する段階、
g7.第2のチャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
g8.第2のチャンバーを開き、容器を取り出す段階、
g9.容器を開く段階。
g1.少なくとも0.35barの真空を、少なくとも30分間、好ましくは少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
g2.少なくとも0.35barのチャンバー中の真空下で、少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
g3.真空の発生を停止し、少なくとも15分間、最高120℃、好ましくは最高110℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
g4.チャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度で、少なくとも150分間、好ましくは少なくとも180分間維持する段階、
g5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
g6.チャンバーを開く段階。
a)少なくとも1つの有機電子または光電子デバイス、好ましくは少なくとも1つ有機発光デバイスを、導電性層で覆われた第1の基板、好ましくはガラス基板の上に直接堆積する段階、
b)有機発光デバイスと導電性層との間に、好ましくははんだ付けされたワイヤの形態の電気的接続部を取り付ける段階、
c)第1の介在接着フィルムを堆積する段階、
d)第2の基板、好ましくはガラス基板を堆積する段階、
e)第1の基板と第2の基板との間に取り外し可能な固定手段を取り付けることによって、得られた構造を一体化する段階であって、前記手段が、好ましくは基板の構造的変化を必要とせず、ガス交換が可能となる段階、
f)以下の連続する段階を含む組み立てサイクルを行うために、得られた構造を次にチャンバー中に配置する段階:
f1.少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空を少なくとも30分間、好ましくは少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
f2.少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空下で、好ましくは少なくとも60分間、より好ましくは少なくとも45分間、最高120℃、好ましくは最高95℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
f3.最高120℃、好ましくは最高最大110℃の温度に到達するまで、好ましくは少なくとも15分間真空の発生を停止する段階、
f4.チャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度で、少なくとも90分間、好ましくは少なくとも120分間、より好ましくは少なくとも150分間、最も好ましくは少なくとも180分維持する段階、
f5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
f6.チャンバーを開く段階。
f1.容器中で少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barの真空を少なくとも30分間、好ましくは少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
f2.真空の発生を停止し、容器を閉じる段階であって、容器中の真空が少なくとも0.15bar、好ましくは少なくとも0.35barである段階、
f3.容器を次に第2のチャンバーまたはオートクレーブなどの加熱チャンバー中に配置する段階、
f4.好ましくは少なくとも60分間、より好ましくは少なくとも45分間、最高120℃、好ましくは最高95℃の温度に到達するまで第2のチャンバーの温度を上昇させる段階。好都合には、第2のチャンバーは、最大11bar、好ましくは最大4bar、より好ましくは最大3bar、最も好ましくは最大2barの圧力下に置かれ、第1のチャンバー中に作用する圧力によって、構造中の気泡の数を減少させることができる、
f5.好ましくは少なくとも15分間、最高120℃、好ましくは最高110℃の温度に到達するまで温度を上昇させる、または維持する段階、
f6.チャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度で、少なくとも90分間、好ましくは少なくとも120分間、より好ましくは少なくとも150分間、最も好ましくは少なくとも180分間維持する段階、
f7.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
f8.チャンバーを開く段階。
f1.チャンバー中で少なくとも0.35barの真空を少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
f2.少なくとも0.35barの真空下で、好ましくは少なくとも60分間、より好ましくは少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
f3.最高110℃の温度に到達するまで、好ましくは少なくとも15分間真空の発生を停止する段階、
f4.チャンバーを最高120℃、好ましくは最高110℃の温度で、少なくとも90分間、好ましくは少なくとも120分間、より好ましくは少なくとも150分間、最も好ましくは少なくとも180分間維持する段階、
f5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
f6.チャンバーを開く段階。
a)第1のガラス基板の上に、介在接着フィルムを堆積する段階、
介在接着フィルムはEVA製が選択されるが、その理由はPVBと比較して:
・必要なオートクレーブ温度がより低い(EVAの場合の110℃に対してPVBの場合の125℃)、
・最終製品を得るために1つのみの温度サイクルを必要とするが、PVBでは2サイクル(プレサイジングおよび接着接合)を必要とする、
・オートクレーブ中で少なくとも11barのより低い圧力を使用する必要があるのに比べ、PVBでは少なくとも15barが必要であり、
・PVBとは対照的に、積層体の製造方法の間に湿度および温度の制御が不要であり、
・EVAは、オートクレーブ中で圧力(4.0barおよび0.15bar程度の正圧および負圧)を使用する必要があり、PVBの場合に使用される圧力よりも低く、前記圧力が高いと、OLEDの損傷が生じうるためである、
b)有機発光デバイスを配置する段階、
c)電気的接続部を取り付ける段階、
d)第1のものと同じ性質の第2の介在接着フィルムを堆積する段階、
e)第2のガラス基板を堆積する段階、
f)第1の基板と第2の基板との間に取り外し可能な固定手段を取り付けることによって、得られた構造を一体化する段階。構造は、組み立てられた構造の端部に接着テープを取り付けることによって一体化され、前記テープは、110℃の温度において構造を維持することができ、EVAはこの温度で流動性である。接着テープは構造のそれぞれの角に取り付けられる。さらに、接着テープには、組み立てプロセス中に構造の排気を徹底するために孔が設けられる。
g)以下の連続する段階を含む組み立てサイクルを行うために、得られた構造を、加熱チャンバーまたはオートクレーブ中に配置する段階:
g1.チャンバー中で少なくとも0.35barの真空を少なくとも45分間使用することによって、得られた構造の排気を行う段階。構造の排気を確実にし、EVA中の気泡の形成を防止するために、構造は、好ましくはシリコーンでできた袋の中にあらかじめ密封され、その中で真空を発生させる。こうして発生させた真空は、一方では、袋の中に入れられた構造を真空下に維持するのに十分であり、他方、前記中の構造の排気を可能にするのに十分である。この排気段階は、オートクレーブを加熱する前の第1の段階である。この段階は45分続けられる、
g2.少なくとも0.35barの真空下で、少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
g3.少なくとも45分間、最高110℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階であって、前記チャンバーは、もはや真空下には維持されない段階。チャンバーを大気圧に戻すことによって、真空下での排気を停止する。
g4.最高120℃の温度で少なくとも180分間維持する段階。チャンバー中の温度は110℃で少なくとも150分間維持される。
g5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階。チャンバー中の温度が80℃になるが、これは15分の時間で行われる。
g6.チャンバーを開く段階。構造の温度は、周囲温度に低下するまで放置されることはなく、本発明者らは、驚くべきことに、構造が最大限の透明性を示すために、EDAは温度の急激な低下が必要であることを見出した。
g1.容器中で少なくとも0.35barの真空を少なくとも45分間使用することによって、得られた構造の排気を行う段階、
g2.真空の発生を停止し、袋を閉じる段階であって、真空が容器中で少なくとも0.35barである段階、
g3.袋を次に加熱チャンバーまたはオートクレーブ中に入れる段階、
g4.少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまで、加熱チャンバーまたはオートクレーブの温度を上昇させる段階。オートクレーブは最大2barの圧力に置かれ、袋上に作用する圧力によって、構造中の気泡の数を減少させることができる、
g5.少なくとも15分間、最高110℃の温度に到達するまで、加熱チャンバーまたはオートクレーブの温度を上昇させる段階、
g6.加熱チャンバーまたはオートクレーブを最高110℃の温度で少なくとも180分間維持する段階、
g7.加熱チャンバーまたはオートクレーブの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
g8.加熱チャンバーまたはオートクレーブを開き、袋を取り出す段階、
g9.袋を開く段階。
a)導電性層で覆われた第1のガラス基板の上に有機発光デバイスを直接配置する段階、
b)有機発光デバイスと導電性層との間にはんだ付けされたワイヤの形態の電気的接続部を取り付ける段階、
c)第1の介在接着フィルムを配置する段階、
d)第2のガラス基板を配置する段階、
e)第1の基板と第2の基板との間に取り外し可能な固定手段を取り付けることによって得られた構造を一体化する段階、
f)以下の連続する段階を含む組み立てサイクルを行うために、得られた構造を次にチャンバー中に配置する段階:
f1.少なくとも0.35barの真空を少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行う段階、
f2.少なくとも0.35barの真空下で、少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまでチャンバーの温度を上昇させる段階、
f3.少なくとも15分間、最高110℃の温度に到達するまで、真空の発生を停止させる段階、
f4.チャンバーを最高110℃の温度で少なくとも180分間維持する段階、
f5.チャンバーの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
f6.チャンバーを開く段階。
f1.少なくとも0.35barの真空を少なくとも45分間使用することによって、得られた組立体の排気を行うステップ、
f2.真空の発生を停止させ、袋を閉じる段階であって、袋中の真空が少なくとも0.35barである段階、
f3.容器を次に加熱チャンバーまたはオートクレーブ中に配置する段階、
f4.少なくとも45分間、最高95℃の温度に到達するまで、加熱チャンバーまたはオートクレーブの温度を上昇させる段階。オートクレーブは最大2barの圧力におかれる、
f5.最高110℃の温度に到達するまで、温度を少なくとも15分間上昇させる段階、
f6.加熱チャンバーまたはオートクレーブを最高110℃の温度で少なくとも180分維持する段階、
f7.加熱チャンバーまたはオートクレーブの温度を最高80℃の温度まで低下させる段階、
f8.加熱チャンバーまたはオートクレーブを開き、袋を取り出す段階、
f9.袋を開く段階。
Claims (10)
- 少なくとも2つの不浸透性基板であって、これらの基板の少なくとも1つが透明である基板と、少なくとも1つの介在接着フィルムと、前記2つの基板の間の少なくとも1つの有機電子または光電子デバイスとを含む構造であって、前記デバイスが、光電気活性層と、前記光電気活性層のいずれかの側の上の、電荷の輸送を促進する追加の有機層(これらの層の中では、正孔輸送層および電子輸送層を挙げることができる)とを含む有機層のスタックを含み、前記デバイスが、発光、電荷の発生、および/または輸送を可能にする有機半導体層のスタックを含み、前記スタックが2つの支持体の間に挿入され、前記有機層のスタックが、ガラス転移温度(TgM)が:
TgM−Tgf≧130℃
(ここで、Tgf:前記介在接着フィルムを構成する材料のガラス転移温度)
となるような材料を排他的に含有する、構造。 - 前記介在接着フィルムが、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリ(メタクリル酸メチル)、ポリプロピレン、エチレン/酢酸ビニルコポリマー、シクロオレフィン系コポリマー、ポリエチレン、熱可塑性ポリエステル、アクリル樹脂、または塩化ビニル/メタクリル酸グリシジルコポリマーから選択されるプラスチックの少なくとも1つの層を含む、請求項1に記載の構造。
- 積層構造であり、前記有機層のスタックを構成する前記材料のガラス転移温度(TgM)が、組み立てプロセス中に必要な最高温度(Ta)以上である、請求項1または2に記載の構造。
- 前記2つの不浸透性基板の少なくとも1つがガラス基板である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の構造。
- 前記ガラス基板が平坦であるか、または湾曲している、請求項4に記載の構造。
- 少なくとも1つのガラス基板が、15Ω/□以下のシート抵抗を有する導電性層で覆われる、請求項4または5に記載の構造。
- 前記導電性層が、銀(単一または二重Ag)低eスタック、あるいは導電性コーティングであって、スズがドープされた酸化インジウム(ITO)、アルミニウムおよびガリウムから選択される少なくとも1つのドーピング元素でドープされた酸化亜鉛、ならびにフッ素またはアンチモンでドープされた酸化スズから好ましくは選択されるドープされた酸化物(TCO)を主成分とする導電性コーティングから選択される、請求項6に記載の構造。
- Y−X≧0.3mm
(式中、Xは、前記有機発光デバイスの前記支持体のmmの単位で表される厚さの合計を表し、Yは、前記介在接着フィルムのmmの単位で表される厚さを表す)
である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の構造。 - 前記有機発光デバイスの前記支持体の厚さの合計が2.0mm以下、好ましくは1.1mm以下である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の構造。
- 前記介在接着フィルムの厚さが0.4mm以上、好ましくは0.8mm以上である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の構造。
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