JP2016501179A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. ＩＴＱ−３２の構造を有するモレキュラーシーブであり、その合成されたままの形態で、フッ化物イオンを実質的に含まないモレキュラーシーブ。
2. ケイ素およびホウ素を８：１よりも大きな原子比（Ｓｉ／Ｂ）で含む、請求項１に記載のモレキュラーシーブ。
3. ＺＳＭ−１２を実質的に含まない、請求項１に記載のモレキュラーシーブ。
4. ＩＴＱ−３２の構造を有するモレキュラーシーブであり、その合成されたままの形態で、フッ化物イオンを実質的に含まず、４，４−ジメチル，１−シクロヘキシルピペラジニウムカチオンをその細孔構造に含む、モレキュラーシーブ。
5. ｑＱ^＋：ｘＸ_２Ｏ_３：ＳｉＯ_２のモル関係
   ［式中、
   ０＜ｑ≦０．０６、
   ０≦ｘ≦０．０５、
   Ｑ^＋は、４，４−ジメチル，１−シクロヘキシルピペラジニウムカチオンを含み、および
   Ｘは、３価元素を含む］
   を含む組成を有する、請求項４に記載のモレキュラーシーブ。
6. ３価元素Ｘは、アルミニウム、ホウ素、クロム、ガリウムおよび鉄の少なくとも１種を含む、請求項５に記載のモレキュラーシーブ。
7. ３価元素Ｘは、ホウ素を含む、請求項５に記載のモレキュラーシーブ。
8. ＩＴＱ−３２の構造を有するモレキュラーシーブの製造方法であって、
   （ｉ） 前記モレキュラーシーブを形成することが可能である合成混合物であり、水と、シリカの供給源と、３価元素（Ｘ）の供給源と、４，４−ジメチル，１−シクロヘキシルピペラジニウムカチオン（Ｑ^＋）の供給源とを含み、フッ化物イオンを実質的に含まず、モル比で、
   ＳｉＯ_２／Ｘ_２Ｏ_３ 約２〜約１００、
   Ｑ^＋／ＳｉＯ_２ 約０．０２〜約１．０、
   Ｈ_２Ｏ／ＳｉＯ _２ 約１０〜約６０
   の量の範囲内の組成を有する合成混合物を調製することと、
   （ｉｉ） モレキュラーシーブの結晶が形成されるまで、約１００℃〜約２００℃の温度および約１日〜約２８日の時間を含む結晶化条件下で前記混合物を加熱することと、
   （ｉｉｉ） 前記（ｉｉ）の工程からモレキュラーシーブを回収することと
   を含む方法。
9. ３価元素Ｘは、アルミニウム、ホウ素、クロム、ガリウムおよび鉄の少なくとも１種を含む、請求項８に記載の方法。
10. ３価元素Ｘは、ホウ素を含む、請求項８に記載の方法。
11. 前記合成混合物が、塩化物イオンの供給源を含む、請求項８に記載の方法。
12. 前記合成混合物が、約０．３までのＣｌ⁻／ＳｉＯ_２のモル比を示す、請求項１１に記載の方法。
13. 前記合成混合物が、種結晶をも含む、請求項８に記載の方法。
14. 前記合成混合物が、約０．０１ｗｐｐｍ〜約１００００ｗｐｐｍの種結晶を含む、請求項８に記載の方法。
15. 前記合成混合物が、約１００ｗｐｐｍ〜約５０００ｗｐｐｍの種結晶を含む、請求項８に記載の方法。
16. 前記種結晶が、ＩＴＱ−３２の構造を有する結晶質材料を含む、請求項１５に記載の方法。
17. 前記（ｉｉｉ）の工程で回収されたモレキュラーシーブの結晶から前記有機材料の少なくとも一部分を除去および／または分解することをさらに含む、請求項８に記載の方法。