JP2016221684A - 金属充填構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】面内方向において均一な厚さの充填材料が配置された金属充填構造体を提供すること。【解決手段】金属充填構造体は、第1基材と、第1基材上に配置され、第1基材に達する開口部が設けられ、第1基材より抵抗率が高い第2基材と、開口部に配置され、金属を含有する充填材料と、を有する。充填材料は、第2基材に比べてX線に対する透過率が低くてもよい。まだ、第2基材は、第1基材に比べて10倍以上の抵抗率を有してもよい。第1基材及び第2基材は、単結晶基材であってもよい。【選択図】図2
Description
本発明は、金属充填構造体及びその製造方法に関する。特に、高アスペクト比の微細なパターンへの電解めっき法による金属充填構造体及びその製造方法に関する。
近年、電子機器等の小型化の要求から、半導体製造プロセスを応用したMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術が実用化され、電子機器分野のみならず光学機器等の多様な分野での利用が進められている。MEMSにおいては、高アスペクトに加工した貫通孔や有底孔等の開口部に金属等の充填材料を充填した微細構造が用いられることがある。
このような開口部に充填材料を充填した微細構造は、3次元的な電気接続に用いられる貫通電極や、X線の透過性や位相を制御するX線画像撮像用グリッドなどの幅広い分野で採用されている。特に、高アスペクト比の開口部が設けられた微細構造に充填材料を充填するには、電解めっき法により開孔部の底部からボトムアップ式に充填材料を充填する技術が利用されている。
高アスペクト比の開口部が設けられた微細構造に対して電解めっき法により充填材料を充填する場合、充填材料の内部にボイドが生じると製品の性能及び歩留まりを低下させてしまう。上記のボイド発生を防ぐためには、開口部内での充填材料の成長方向や速度を一様に制御する必要がある。また、MEMSやX線画像撮像用グリッドにおいて微細構造が形成される基材は、シリコンなどの半導体基材が広く用いられている。半導体基材は基材自体が導電性を有するため、めっき層を一方向から成長させるためには開口部の側壁を絶縁する必要があった。開口部の側壁が適切に絶縁されていない場合、絶縁されていない半導体基材の側壁から充填材料が成長することにより、充填材料の内部にボイドを発生されることがあった。
特許文献1には、有底孔の少なくとも側壁及び底部に、気相法によりオルガノポリシロキサンを有する絶縁層を形成した後、有底孔の底部に指向性の高い蒸着法によりシード層を形成し、当該シード層に給電する電解めっき法により、有底孔内に金属を充填することが記載されている。
しかしながら、特許文献1では以下のような問題がある。まず、有底孔のアスペクト比が大きいと、気相法により有底孔の側壁に均一に絶縁層を形成することが難しい。また、蒸着法によって有底孔にシード層を形成する場合、底部のみにシード層を形成することが難しい。有底孔の側壁に絶縁層が均一に形成されていない、又はシード層が有底孔の側壁に形成されている状態で電解めっき法でめっき層を形成すると、めっき層の内部にボイドが発生してしまう。
このように、特許文献1では、半導体等の導電性を有する基材に設けられた開口部に充填材料を形成する場合、ボイドの発生を効果的に抑制する方法についての検討が十分にはなされていなかった。
本発明は、そのような課題に鑑みてなされたものであり、面内方向において均一な厚さの充填材料が配置された金属充填構造体を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る金属充填構造体は、第1基材と、第1基材上に配置され、第1基材に達する開口部が設けられ、第1基材より抵抗率が高い第2基材と、開口部に配置され、金属を含有する充填材料と、を有する。
上記の金属充填構造体によれば、簡易的な構造で充填材料の成長方向を制御することができるため、第1基材及び第2基材の面内方向において均一な厚さの充填材料を得ることができる。
また、別の態様において、充填材料は、第2基材に比べてX線に対する透過率が低くてもよい。
上記の金属充填構造体によれば、金属充填構造体をX線画像撮影用グリッドとして用いることができる。
また、別の態様において、第2基材は、第1基材に比べて10倍以上の抵抗率を有してもよい。
上記の金属充填構造体によれば、第2基材からの充填材料の成長を抑制することができるため、第1基材及び第2基材の面内方向において均一な厚さの充填材料を得ることができる。
また、別の態様において、第1基材及び第2基材は、単結晶基材であってもよい。
上記の金属充填構造体によれば、第1基材領域及び第2基材領域において、基材の厚さ方向及び面内方向に均一なX線の透過率を得ることができる。
また、別の態様において、充填材料は、金を含んでもよい。
上記の金属充填構造体によれば、充填材料によるX線の阻止効率を向上させることができるため、X線映像を撮影するための信号に含まれるノイズを小さくすることができる。
また、別の態様において、充填材料は、第2基材に接していてもよい。
上記の金属充填構造体によれば、X線が透過する領域が第2基材に限定されるため、透過したX線の強度ムラを抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法は、第1基材と第2基材とを貼り合せ、第1基材に達する開口部を第2基材基材に形成し、第1基材から第2基材の開口端部に向けて、金属を含有する充填材料を形成する。
上記の金属充填構造体の製造方法によれば、異なる物性値を有する基材同士を容易に積層させることができる。
また、別の態様において、第2基材は、第1基材より抵抗率が高くてもよい。
上記の金属充填構造体の製造方法によれば、簡易的な製造方法で充填材料の成長方向を制御することができる。
また、別の態様において、充填材料は、第2基材に比べてX線に対する透過率が低くてもよい。
上記の金属充填構造体の製造方法によれば、金属充填構造体をX線画像撮影用グリッドとして用いることができる。
また、別の態様において、第2基材は、第1基材に比べて10倍以上の抵抗率を有してもよい。
上記の金属充填構造体の製造方法によれば、充填材料が第2基材の開口部の側壁から成長することを抑制することができる。
本発明によると、面内方向において均一な厚さの充填材料が配置された金属充填構造体を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明に係る金属充填構造体及びその製造方法について説明する。但し、本発明の金属充填構造体及びその製造方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上下方向が逆転してもよい。
〈実施形態1〉
図1乃至図6を用いて、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体10の構成、及び金属充填構造体10の製造方法について説明する。
図1乃至図6を用いて、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体10の構成、及び金属充填構造体10の製造方法について説明する。
[金属充填構造体10の構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の概要を示す平面図である。また、図2は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体のA−A’断面図である。図1及び図2に示すように、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体10は、第1基材100、第2基材200、及び充填材料300を有する。第2基材200は第1基材100上に配置されており、第2基材200には第1基材100に達する開口部210が設けられている。充填材料300は開口部210に配置されており、開口部210の内壁において第2基材200と接している。図1に示すように、開口部210及び充填材料300は、第2基材200の第1側202から第1側202とは反対側の第2側204に向かって延在する。ここで、第2基材200の抵抗率は第1基材100の抵抗率よりも高い。つまり、第2基材200の導電率は第1基材100の導電率よりも低い。また、充填材料300は金属を含有する。
図1は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の概要を示す平面図である。また、図2は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体のA−A’断面図である。図1及び図2に示すように、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体10は、第1基材100、第2基材200、及び充填材料300を有する。第2基材200は第1基材100上に配置されており、第2基材200には第1基材100に達する開口部210が設けられている。充填材料300は開口部210に配置されており、開口部210の内壁において第2基材200と接している。図1に示すように、開口部210及び充填材料300は、第2基材200の第1側202から第1側202とは反対側の第2側204に向かって延在する。ここで、第2基材200の抵抗率は第1基材100の抵抗率よりも高い。つまり、第2基材200の導電率は第1基材100の導電率よりも低い。また、充填材料300は金属を含有する。
図1では、充填材料300の平面形状は第1側202から第2側204に向かって延びる複数の線がそれぞれ独立に配列された形状を例示したが、この形状に限定されない。例えば、複数の線がそれぞれ異なる方向に延び、一部の線が交差する又は一部の線が連結してもよい。また、充填材料300の平面形状は線状に限らず、円形又は多角形の点状であってもよい。また、充填材料300の平面形状は線状及び点状等の組み合わせであってもよい。充填材料300の幅、つまり開口部210の開口幅220は、用途に応じて適宜選択でき、例えば、2μm以上100μm以下の範囲で選択することができる。なお、第1基材100及び第2基材200は、それぞれ単一の基材によって構成された例を図示したが、この構成に限定されず、複数の基材又は層が積層された構造であってもよい。
また、図1では、第1基材100及び第2基材200が方形である構成を例示したが、この構成に限定されない。例えば、第1基材100及び第2基材200はシリコンウェハのように円形であってもよい。この場合、充填材料300はシリコンウェハの円形の外周付近まで配置されていてもよく、シリコンウェハ内部の方形の領域に配置されていてもよい。
第1基材100は、第2基材200を支持するように設けられている。第1基材100の材料は特に制限はないが、例えば、シリコン基材などの半導体基材を用いることができる。半導体基材としては、シリコン基材の他に炭化シリコン基材、ガリウムヒ素基材、窒化ガリウム基材などの基材を用いることができ、それぞれ単結晶基材を用いることができる。第1基材100として、半導体基材や導電性基材を用いる場合、抵抗率が0.001Ωcm以上10Ωcm以下の基材を用いることができる。
また、半導体基材として、単結晶基材以外にも多結晶基材やアモルファス基材を用いることもできる。多結晶基材やアモルファス基材は第1基材100上に物理蒸着法(Physical Vapor Deposition:PVD法)又は化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition:CVD法)を用いて形成することができる。PVD法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、めっき法、及び分子線エピタキシー法などを用いることができる。また、CVD法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、触媒CVD法(Cat(Catalytic)−CVD法又はホットワイヤCVD法)などと用いることができる。
また、半導体基材の他にもステンレス基材などの導電性基材や、少なくとも開口部210によって露出される領域に導電性を有する材料が配置された絶縁基材を用いることができる。絶縁基材としては、ガラス基材、石英基材、サファイア基材、樹脂基材などの基材を用いることができる。
第2基材200の材料は第1基材100の材料に比べて抵抗率が高い材料であればよく、第1基材100と同様に、シリコン基材などの半導体基材を用いることができる。半導体基材としては、シリコン基材の他に炭化シリコン基材、ガリウムヒ素基材、窒化ガリウム基材などの基材を用いることができ、それぞれ単結晶基材を用いることができる。ただし、第1基材100と同様に、第2基材200として単結晶基材以外にも多結晶基材やアモルファス基材を用いることもできる。多結晶基材やアモルファス基材は第1基材100と同様の方法で形成することができる。
また、第1基材100と同様に、第2基材200として半導体基材の他にもステンレス基材などの導電性基材や絶縁基材を用いることができる。絶縁基材としては、ガラス基材、石英基材、サファイア基材、樹脂基材などの基材を用いることができる。第2基材200の材料は第1基材100の材料と同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。
第2基材200として、半導体基材や導電性基材を用いる場合、抵抗率が10Ωcm以上10MΩcm以下の基材を用いることができる。ここで、第2基材200の抵抗率は、第1基材100の抵抗率に比べて10倍以上であるとよい。
充填材料300の材料は、白金、金、銀、銅、ニッケル等を用いることができ、用途に応じて適宜選択するとよい。例えば、金属充填構造体10を貫通電極基材として用いる場合は充填材料300として銅を用いることができる。なお、詳細は後述するが、充填材料300は第1基材100から成長させることで形成する。
なお、金属充填構造体10をX線画像撮影用グリッドとして用いる場合、充填材料300は、第2基材200に比べてX線に対する透過率が低い材料を用いることができる。例えば、充填材料300として金、白金、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム等を含む材料を用いることができる。図2では、充填材料300が開口部210を充填するように配置された構造を例示したが、この構造に限定されない。充填材料300は、目的に応じて、少なくとも開口部210の一部に配置されていればよい。
第2基材200の厚さは、開口部210のアスペクト比が5以上、好ましくは10以上、より好ましくは30以上になるように選択されるとよい。ここで、開口部210のアスペクト比は、開口幅220に対する第2基材200の厚さとして定義される。開口部210の平面形状が図1に示す形状とは異なる場合、開口部210のアスペクト比は、開口部210のうち最も幅が狭い箇所の幅に対する第2基材200の厚さとして定義されてもよい。開口部210のアスペクト比が下限よりも小さいと、金属充填構造体10を貫通電極基材として用いる場合は微細パターンを形成することが困難になり、金属充填構造体10をX線画像撮像用グリッドとして用いる場合はX線を充填材料300で阻止することができなくなり、X線映像を撮影するための信号にノイズが多く含まれてしまう。
第1基材100及び第2基材200の材料として、熱膨張係数が2×10−6[/K]以上17×10−6[/K]以下の範囲の材料を使用することができる。また、これらが積層されたものであってもよい。第1基材100及び第2基材200の厚さは、特に制限はないが、例えば、100μm以上800μm以下の厚さの基材を使用することができる。上記の基材の厚さの下限よりも基材が薄くなると、基材のたわみが大きくなる。その影響で、製造過程におけるハンドリングが困難になるとともに、第1基材100と第2基材200及び充填材料300との内部応力の差により基材が反ってしまう。一方、上記の基材の厚さの上限よりも基材が厚くなると基材の重量が増加し、ハンドリングを行う装置への負担が大きくなる。また、金属充填構造体10をX線画像撮影用グリッドとして用いる場合、X線が第1基材100及び第2基材200を透過する距離が長くなるため、第1基材100及び第2基材200によるX線の散乱及び吸収が大きくなり、X線映像を撮影するための信号が弱くなってしまう。
以上のように、実施形態1に係る金属充填構造体10によると、開口部210が設けられた第2基材200の抵抗率が第1基材100の抵抗率よりも高いことで、簡易的な構造で充填材料300の成長方向を制御することができる。したがって、第1基材100及び第2基材200の面内方向において均一な厚さの充填材料300を得ることができる。つまり、開口部210内においてボイド等のない充填材料300を得ることができる。
また、充填材料300X線に対する透過率が第2基材200X線に対する透過率に比べて低いことで、金属充填構造体10にX線を照射したときに、X線が第2基材200の領域を透過し、充填材料300によって遮蔽される。したがって、金属充填構造体10をX線画像撮影用グリッドとして用いることができる。また、第2基材200が第1基材100に比べて10倍以上の抵抗率を有することで、例えば電解めっき法によって充填材料300を成長させる際に、充填材料300が第2基材200の開口部210の側壁から成長することを抑制することができる。したがって、充填材料300の成長方向の制御性をさらに向上させることができるため、第1基材100及び第2基材200の面内方向において均一な厚さの充填材料300を得ることができる。
また、第1基材100及び第2基材200として単結晶基材を用いることで、第1基材100及び第2基材200において均一なX線の透過率を得ることができる。したがって、第1基材100及び第2基材200の厚さ方向及び面内方向に均一なX線の透過率を得ることができる。また、充填材料300が金を含むことで、充填材料300によるX線の阻止効率を向上させることができる。したがって、X線映像を撮影するための信号に含まれるノイズを小さくすることができる。また、充填材料300が第2基材200の開口部210側壁に接していることで、X線が透過する領域が第2基材200に限定される。したがって、透過したX線の強度ムラを抑制することができる。
[金属充填構造体10の製造方法]
図3乃至図6を用いて、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体の製造方法を説明する。図3乃至図6において、図1及び図2に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。ここで、金属充填構造体10の第1基材100及び第2基材200として、抵抗率の異なる単結晶シリコン基材を使用した場合の製造方法について説明する。
図3乃至図6を用いて、本発明の実施形態1に係る金属充填構造体の製造方法を説明する。図3乃至図6において、図1及び図2に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。ここで、金属充填構造体10の第1基材100及び第2基材200として、抵抗率の異なる単結晶シリコン基材を使用した場合の製造方法について説明する。
図3は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第1基材と第2基材とを貼り合せる工程を示す図である。図3に示すように、第1基材100と第2基材200とを個別に準備して貼り合せる。第1基材100と第2基材200とを貼り合せる方法は、両基材の材料及び表面状態に応じて適宜選択すればよい。例えば、第1基材100及び第2基材200がシリコン基材の場合、常温接合法によって接合することができる。常温接合法は、表面活性化法を用いることによって基材同士を常温で接合する接合方法である。表面活性化法は、例えば真空中で高速原子ビームなどを用いて、基材の貼り合せる側の表面に形成された酸化物や吸着した分子をスパッタリング効果により除去することで表面を活性化する方法である。
常温接合法の他にもウェハ直接接合法によって接合することもできる。ウェハ直接接合法は、単に貼り合せ法とも呼ばれ、表面が親水化処理された基材同士を貼り合せる接合方法である。親水化処理は、例えば酸などの化学薬品及び純水を用いて基材表面を洗浄、酸化して薄い酸化膜を形成し、基材の表面に水酸基を付着させる処理である。
図4は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第2基材上にレジストを形成する工程を示す図である。図4に示すように、第2基材200上(第2基材200の第1基材100とは反対側)にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことによりレジストパターン400を形成する。レジストパターン400は、少なくとも図2に示す開口部210のパターンが形成される領域を露出するように形成される。
図5は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第2基材をエッチングする工程を示す図である。図4に示す状態で、レジストパターン400から露出された第2基材200のエッチングを行う。単結晶シリコン基材である第2基材200のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ウェットエッチングによって第2基材200をエッチングする場合、KOH水溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール(EDP)、又は4メチル水酸化アンモニウム(TMAH)を使用することができる。一方、ドライエッチングによって第2基材200をエッチングする場合、4フッ化炭素(CF4)、六フッ化硫黄(SF6)、臭化水素(HBr)を使用したドライエッチングを行うことができる。上記のようにして、第1基材100に達する開口部210を第2基材200に形成する。
次に、レジストパターン400を除去することで、図5に示す断面構造の基材を得ることができる。レジストパターン400の除去は、有機溶媒を用いてもよく、又は酸素プラズマ処理などのアッシングを用いてもよい。レジストの除去の後はIPA乾燥によって基材を乾燥してもよい。
図6は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、めっき層を形成する工程を示す図である。図6に示すように、第1基材100に通電する電解めっき法によって、開口部210によって露出された第2基材200の表面からめっき層310を成長させる。つまり、第1基材100から開口部210の端部320に向けてめっき層310を形成することで、図2に示す充填材料300を形成する。
電解めっき法において、第1基材100への通電は第1基材100の裏面(第1基材100の第2基材200とは反対側の面)から電力が供給されることで行われる。ここで、第2基材200の抵抗率は第1基材100の抵抗率に比べて高いため、第1基材100の裏面から供給された電力は第2基材200にはほとんど伝達されない。つまり、めっき層310は開口部210の側壁からはほとんど成長せず、第1基材100の表面からの成長が支配的となる。これによって、めっき層310の表面は第1基材100の表面とほぼ平行に成長する。上記の効果は、第2基材200の抵抗率が第1基材100の抵抗率の10倍以上の場合により顕著である。
以上のように、実施形態1に係る金属充填構造体10の製造方法によると、異なる物性値を有する基材同士を容易に積層させることができる。また、第1基材100に対して第1基材100よりも抵抗率が高い第2基材200を貼り合せることで、充填材料300の成長方向を制御することができる。したがって、第1基材100及び第2基材200の面内方向において均一な厚さの充填材料300を容易に製造することができる。つまり、開口部210内においてボイド等のない充填材料300を容易に製造することができる。
また、充填材料300が第2基材200に比べてX線に対する透過率が低いことで、金属充填構造体10にX線を照射したときに、X線が第2基材200の領域を透過し、充填材料300によって遮蔽される。したがって、金属充填構造体10をX線画像撮影用グリッドとして用いることができる。また、第1基材100に比べて10倍以上の抵抗率を有する第2基材200を第1基材100に貼り合せることで、例えば電解めっき法によって充填材料300を成長させる際に、充填材料300が第2基材200の開口部210の側壁から成長することを抑制することができる。したがって、充填材料300の成長方向の制御性をさらに向上させることができるため、第1基材100及び第2基材200の面内方向において均一な厚さの充填材料300を容易に製造することができる。
〈実施形態2〉
図7を用いて、本発明の実施形態2に係る金属充填構造体20の構成について説明する。図7では、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いた金属充填構造体20について説明する。ここで、金属充填構造体20の平面形状は実施形態1の金属充填構造体10と同様であるので、説明を省略し、金属充填構造体20の断面構造について説明する。
図7を用いて、本発明の実施形態2に係る金属充填構造体20の構成について説明する。図7では、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いた金属充填構造体20について説明する。ここで、金属充填構造体20の平面形状は実施形態1の金属充填構造体10と同様であるので、説明を省略し、金属充填構造体20の断面構造について説明する。
[金属充填構造体20の構成]
図7は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の断面図である。図7に示すように、金属充填構造体20は、SOI基板500及び充填材料300を有する。SOI基板500は、シリコン層510、酸化シリコン層520(埋め込み酸化シリコン層又はボックス層ともいう)、及び支持基材530を有する。酸化シリコン層520は支持基材530上に配置されている。シリコン層510は酸化シリコン層520上に配置されている。シリコン層510及び酸化シリコン層520には、支持基材530に達する開口部540が設けられている。ここで、シリコン層510の抵抗率は支持基材530の抵抗率よりも高い。つまり、シリコン層510の導電率は支持基材530の導電率よりも低い。充填材料300は開口部540に配置されており、開口部540の内壁においてシリコン層510及び酸化シリコン層520と接している。充填材料300は金属を含有する。SOI基板500において、シリコン層510及び支持基材530はいずれも単結晶である。
図7は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の断面図である。図7に示すように、金属充填構造体20は、SOI基板500及び充填材料300を有する。SOI基板500は、シリコン層510、酸化シリコン層520(埋め込み酸化シリコン層又はボックス層ともいう)、及び支持基材530を有する。酸化シリコン層520は支持基材530上に配置されている。シリコン層510は酸化シリコン層520上に配置されている。シリコン層510及び酸化シリコン層520には、支持基材530に達する開口部540が設けられている。ここで、シリコン層510の抵抗率は支持基材530の抵抗率よりも高い。つまり、シリコン層510の導電率は支持基材530の導電率よりも低い。充填材料300は開口部540に配置されており、開口部540の内壁においてシリコン層510及び酸化シリコン層520と接している。充填材料300は金属を含有する。SOI基板500において、シリコン層510及び支持基材530はいずれも単結晶である。
SOI基板500は、市販のSOI基板を用いることができる。市販のSOI基板としては、UNIBOND基材(登録商標)やSIMOX(登録商標)(Separation by IMplantation of OXygen)等を用いることができる。又は、目的に応じた物性値を有するシリコン基材を貼り合せることでSOI基板500を形成してもよい。シリコン基材を貼り合せる方法は、上記のように常温接合法やウェハ直接接合法等の方法を用いることができる。
支持基材530の抵抗率は、開口部540によって露出された支持基材530の表面から充填材料300を成長させるために十分な抵抗率であればよい。支持基材530の抵抗率は金属充填構造体10の第1基材100と同様に0.001Ωcm以上10Ωcm以下とすることができる。
シリコン層510の抵抗率は、支持基板530の抵抗率よりも高ければよく、金属充填構造体10の第2基材200と同様に10Ωcm以上10MΩcm以下とすることができる。
酸化シリコン層520は、貼り合せる基材の表面を熱酸化することで形成してもよく、シリコン基材に酸素イオンをドーピング又はインプランテーションし、熱処理することで形成してもよい。
図7のように、SOI基板500を用いて金属充填構造体20を形成する場合、開口部540によって露出された支持基材530の表面から充填材料300を成長させる。実施形態1と同様に充填材料300を電解めっき法で成長させる場合、支持基材530に供給された電力は酸化シリコン層520によって遮断され、シリコン層510には伝達されない。したがって、充填材料300の成長がシリコン層510に到達するまでは、シリコン層510に電力は供給されず、充填材料300の成長方向は一方向に制御される。
一方で、支持基材530の表面から充填材料300が成長し、充填材料300の上面がシリコン層510に到達すると、支持基材530に供給された電力は充填材料300を介してシリコン層510に伝達されてしまう。この場合、開口部540のシリコン層510の側壁部から充填材料300が成長する。上記のように、シリコン層510の抵抗率を支持基材530の抵抗率よりも高くすることで、充填材料300の上面がシリコン層510に到達した状態においても、開口部540のシリコン層510の側壁部から充填材料300が成長することを抑制することができる。
以上のように、実施形態2に係る金属充填構造体20によると、充填材料300を成長させるために支持基材530に供給された電力は、酸化シリコン層520によって遮断されるため、充填材料300の成長方向を制御することができる。したがって、SOI基板500の面内方向において均一な厚さの充填材料300を得ることができる。つまり、開口部540内においてボイド等のない充填材料300を得ることができる。
〈実施形態3〉
図8乃至図13を用いて、本発明の実施形態3に係る金属充填構造体30の構成、及び金属充填構造体30の製造方法について説明する。図8乃至図13では、第1基材150と第2基材250との間に第2基材250のエッチングストッパとして機能する酸化層600が配置された金属充填構造体30について説明する。ここで、金属充填構造体30の平面形状は実施形態1の金属充填構造体10と同様であるので、説明を省略し、金属充填構造体30の断面構造について説明する。
図8乃至図13を用いて、本発明の実施形態3に係る金属充填構造体30の構成、及び金属充填構造体30の製造方法について説明する。図8乃至図13では、第1基材150と第2基材250との間に第2基材250のエッチングストッパとして機能する酸化層600が配置された金属充填構造体30について説明する。ここで、金属充填構造体30の平面形状は実施形態1の金属充填構造体10と同様であるので、説明を省略し、金属充填構造体30の断面構造について説明する。
[金属充填構造体30の構成]
図8は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の断面図である。図8に示す金属充填構造体30は、図2に示す金属充填構造体10と類似しているが、金属充填構造体30は第1基材150と第2基材250との間に酸化層600が配置されている点において、金属充填構造体10とは相違する。金属充填構造体30において、開口部230は第2基材250及び酸化層600を開口して第1基材150に達している。その他の構造については金属充填構造体10と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。
図8は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の断面図である。図8に示す金属充填構造体30は、図2に示す金属充填構造体10と類似しているが、金属充填構造体30は第1基材150と第2基材250との間に酸化層600が配置されている点において、金属充填構造体10とは相違する。金属充填構造体30において、開口部230は第2基材250及び酸化層600を開口して第1基材150に達している。その他の構造については金属充填構造体10と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。
金属充填構造体30において、第1基材150の抵抗率は、開口部230によって露出された第1基材150の表面から充填材料300を成長させるために十分な抵抗率であればよい。第1基材150の抵抗率は金属充填構造体10の第1基材100と同様に0.001Ωcm以上10Ωcm以下とすることができる。
金属充填構造体30において、第2基材250の抵抗率は、第1基材150の抵抗率よりも高ければよく、金属充填構造体10の第2基材200と同様に10Ωcm以上10MΩcm以下とすることができる。
酸化層600は、絶縁性を有し、第2基材250のエッチング条件に対して第2基材250よりもエッチングレートが遅い材料を用いることができる。例えば、第1基材150及び第2基材250のうち少なくとも一方の表面に形成された酸化層であってもよい。又は、第1基材150及び第2基材250のうち少なくとも一方の表面にPVD法又はCVD法によって形成された酸化層であってもよい。酸化層600の膜厚は10nm以上とすることが好ましい。酸化層600の膜厚が下限よりも薄いと、第2基材250のエッチングストッパとしての機能が得られなくなる。なお、酸化層600の膜厚の上限は特に設ける必要はないが、後の充填材料300の成長に影響しない範囲で選択することができる。
以上のように、実施形態3に係る金属充填構造体30によると、充填材料300を成長させるために第1基材150に供給された電力は、酸化層600によって遮断されるため、第2基材250には伝達されない。したがって、充填材料300の成長が第2基材250に到達するまでは、第2基材250に電力は供給されず、充填材料300の成長方向は一方向に制御される。第1基材150の表面から充填材料300が成長し、充填材料300の上面が第2基材250に到達すると、第1基材150に供給された電力は充填材料300を介して第2基材250に伝達されてしまう。この場合、開口部230の第2基材250の側壁部から充填材料300が成長する。上記のように、第2基材250の抵抗率を第1基材150の抵抗率よりも高くすることで、充填材料300の上面が第2基材250に到達した状態においても、開口部230の第2基材250の側壁部から充填材料300が成長することを抑制することができる。したがって、第1基材150及び第2基材250の面内方向において均一な厚さの充填材料300を得ることができる。つまり、開口部230内においてボイド等のない充填材料300を得ることができる。
[金属充填構造体30の製造方法]
図9乃至図13を用いて、本発明の実施形態3に係る金属充填構造体の製造方法を説明する。図9乃至図13において、図8に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。ここで、金属充填構造体の第1基材150及び第2基材250として単結晶シリコン基材を使用し、酸化層600に酸化シリコンを使用した場合の製造方法について説明する。
図9乃至図13を用いて、本発明の実施形態3に係る金属充填構造体の製造方法を説明する。図9乃至図13において、図8に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。ここで、金属充填構造体の第1基材150及び第2基材250として単結晶シリコン基材を使用し、酸化層600に酸化シリコンを使用した場合の製造方法について説明する。
図9は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第1基材と第2基材とを貼り合せる工程を示す図である。図9に示すように、表面に酸化層600が形成された第1基材150と第2基材250とを個別に準備して貼り合せる。貼り合せの方法は、両基材の材料及び表面状態に応じて適宜選択すればよい。例えば、実施形態1と同様に常温接合法やウェハ直接接合法によって接合することができる。酸化層600の形成は、第1基材150を熱酸化することで形成してもよく、第1基材150を酸素プラズマ処理することで形成してもよく、酸やオゾン水等の酸化力が強い液体処理によって形成してもよい。
ここで、図9では、酸化層600を第1基材150の表面に形成して第1基材150及び第2基材250を貼り合せる製造方法を例示したが、この製造方法に限定されない。例えば、酸化層600を第2基材250の表面に形成して両基板を貼り合せてもよい。又は、第1基材150及び第2基材250の両方に酸化層600を形成して、両基板を貼り合せてもよい。
図10は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第2基材上にレジストを形成する工程を示す図である。図10に示すように、第2基材250上にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことによりレジストパターン400を形成する。レジストパターン400は、少なくとも図8に示す開口部230のパターンが形成される領域を露出するように形成される。
図11は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、第2基材をエッチングする工程を示す図である。第2基材250のエッチングは、実施形態1と同様にウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ウェットエッチングによって第2基材250をエッチングする場合、KOH水溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール(EDP)、又は4メチル水酸化アンモニウム(TMAH)を使用することができる。一方、ドライエッチングによって第2基材250をエッチングする場合、4フッ化炭素(CF4)、六フッ化硫黄(SF6)、臭化水素(HBr)を使用したドライエッチングを行うことができる。図11に示すように、上記のエッチング条件は、シリコンのエッチングレートに比べて酸化シリコンのエッチングレートが遅い(又は酸化シリコンをエッチングしない)ため、酸化層600が露出した状態でエッチングの進行が遅くなる(又はストップする)。ここで、酸化層600の膜厚は10nm以上であるので、酸化層600は第2基材250のエッチングストッパとして機能する。
図12は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、レジストを除去し、酸化層を除去する工程を示す図である。レジストパターン400の除去は、有機溶媒を用いてもよく、又は酸素プラズマ処理などのアッシングを用いてもよい。レジストの除去の後はIPA乾燥によって基材を乾燥してもよい。
酸化層600のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ウェットエッチングによって酸化層600をエッチングする場合、フッ酸(HF)、バッファードフッ酸(BHF)、界面活性剤添加バッファードフッ酸(LAL(登録商標))などを使用することができる。一方、ドライエッチングによって酸化層600をエッチングする場合、トリフルオロメタン(CHF3)ガスや六フッ化エタン(C2F6)ガスを使用したドライエッチングを行うことができる。ドライエッチングは異方性を有するため、ほぼ設計値通りのサイズのパターンを形成することができる。
図13は、本発明の一実施形態に係る金属充填構造体の製造方法において、めっき層を形成する工程を示す図である。図13に示すように、第1基材150に通電する電解めっき法によって、開口部230によって露出された第2基材250の表面からめっき層310を成長させる。つまり、第1基材150から開口部230の端部320に向けてめっき層310を形成することで、図8に示す充填材料300を形成する。
以上のように、実施形態3に係る金属充填構造体30の製造方法によると、第1基材150と第2基材250との間の酸化層600によって、露出された第1基材150の平坦性を向上させることができる。その結果、表面の平坦性が高い充填材料300を形成することができる。
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
10、20、30:金属充填構造体、 100、150:第1基材、 200、250:第2基材、 202:第1側、 204:第2側、 210、230、540:開口部、 220:開口幅、 300:充填材料、 310:めっき層、 320:端部、 400:レジストパターン、 500:SOI基板、 510:シリコン層、 520:酸化シリコン層、 530:支持基材、 600:酸化層
Claims (10)
- 第1基材と、
前記第1基材上に配置され、前記第1基材に達する開口部が設けられ、前記第1基材より抵抗率が高い第2基材と、
前記開口部に配置され、金属を含有する充填材料と、を有することを特徴とする金属充填構造体。 - 前記充填材料は、前記第2基材に比べてX線に対する透過率が低いことを特徴とする請求項1に記載の金属充填構造体。
- 前記第2基材は、前記第1基材に比べて10倍以上の抵抗率を有することを特徴とする請求項1に記載の金属充填構造体。
- 前記第1基材及び前記第2基材は、単結晶基材であることを特徴とする請求項1に記載の金属充填構造体。
- 前記充填材料は、金を含むことを特徴とする請求項2に記載の金属充填構造体。
- 前記充填材料は、前記第2基材に接していることを特徴とする請求項1に記載の金属充填構造体。
- 第1基材と第2基材とを貼り合せ、
前記第1基材に達する開口部を前記第2基材に形成し、
前記第1基材から前記第2基材の開口端部に向けて、金属を含有する充填材料を形成することを特徴とする金属充填構造体の製造方法。 - 前記第2基材は、前記第1基材より抵抗率が高いことを特徴とする請求項7に記載の金属充填構造体の製造方法。
- 前記充填材料は、前記第2基材に比べてX線に対する透過率が低いことを特徴とする請求項7に記載の金属充填構造体の製造方法。
- 前記第2基材は、前記第1基材に比べて10倍以上の抵抗率を有することを特徴とする請求項7に記載の金属充填構造体の製造方法。
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