JP2016213409A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016213409A5
JP2016213409A5 JP2015098261A JP2015098261A JP2016213409A5 JP 2016213409 A5 JP2016213409 A5 JP 2016213409A5 JP 2015098261 A JP2015098261 A JP 2015098261A JP 2015098261 A JP2015098261 A JP 2015098261A JP 2016213409 A5 JP2016213409 A5 JP 2016213409A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
impurity
doped diamond
diamond according
doped
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015098261A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2016213409A (ja
JP6635675B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015098261A priority Critical patent/JP6635675B2/ja
Priority claimed from JP2015098261A external-priority patent/JP6635675B2/ja
Publication of JP2016213409A publication Critical patent/JP2016213409A/ja
Publication of JP2016213409A5 publication Critical patent/JP2016213409A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6635675B2 publication Critical patent/JP6635675B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015098261A 2015-05-13 2015-05-13 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法 Active JP6635675B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015098261A JP6635675B2 (ja) 2015-05-13 2015-05-13 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015098261A JP6635675B2 (ja) 2015-05-13 2015-05-13 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016213409A JP2016213409A (ja) 2016-12-15
JP2016213409A5 true JP2016213409A5 (enExample) 2018-06-07
JP6635675B2 JP6635675B2 (ja) 2020-01-29

Family

ID=57550089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015098261A Active JP6635675B2 (ja) 2015-05-13 2015-05-13 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6635675B2 (enExample)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7023477B2 (ja) * 2016-07-19 2022-02-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ホウ素ドープダイヤモンド
JP6703683B2 (ja) 2017-12-20 2020-06-03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子
WO2019123745A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 国立研究開発法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子
CN111115625A (zh) * 2018-11-01 2020-05-08 深圳先进技术研究院 掺杂型金刚石粉的制备方法
JP7556509B2 (ja) * 2019-11-08 2024-09-26 住友電工ハードメタル株式会社 ダイヤモンド被覆工具及びダイヤモンド被覆工具の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03163820A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Tokai Univ ダイヤモンドn型半導体およびダイヤモンドp―n接合ダイオードの製造方法
JPH06321690A (ja) * 1993-05-13 1994-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法
JPH08330624A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド発光素子
US6858080B2 (en) * 1998-05-15 2005-02-22 Apollo Diamond, Inc. Tunable CVD diamond structures
JP4691952B2 (ja) * 2004-10-15 2011-06-01 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド基板及びその製造方法
JP5152836B2 (ja) * 2007-08-30 2013-02-27 独立行政法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド薄膜積層体
JP5454867B2 (ja) * 2009-04-17 2014-03-26 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンド基板
WO2012050157A1 (ja) * 2010-10-13 2012-04-19 独立行政法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
JP5540296B2 (ja) * 2010-10-13 2014-07-02 独立行政法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
JP6099260B2 (ja) * 2013-02-22 2017-03-22 学校法人早稲田大学 透明導電体及び透明導電体の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016213409A5 (enExample)
JP2013219336A5 (enExample)
JP2011124556A5 (ja) 半導体装置
JP2016512380A5 (enExample)
JP2016027649A5 (ja) 半導体装置
WO2018013991A3 (en) Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries
JP2014205902A5 (ja) 金属酸化物膜
JP2015179818A5 (ja) 半導体装置
JP2014216647A5 (enExample)
JP2014225651A5 (enExample)
RU2017120817A (ru) Ионный проводник и способ его изготовления
JP2013038396A5 (enExample)
JP2013021310A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2015079946A5 (enExample)
JP2016063227A5 (enExample)
MY170172A (en) Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon
WO2014111702A3 (en) Graphene-based detector
EP3104417A3 (en) Method of manufacturing a protective film for a solar cell
Rani et al. Energetics of a Li Atom adsorbed on B/N doped graphene with monovacancy
JP2013153172A5 (enExample)
TW200607107A (en) Process for producing doped semiconductor wafers from silicon, and the semiconductor wafers
JP2015527288A5 (enExample)
JP2019114633A5 (enExample)
WO2016080806A3 (ko) 수소 저장체 및 이의 제조 방법
JP2013531705A5 (enExample)