JP2016213399A - シリコン単結晶基板の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理工程と評価工程からなり、熱処理工程は、ドーパントとして赤燐が添加されて抵抗率0.8mΩ・cm以下となるシリコン単結晶基板に、エッチング作用をもつ雰囲気ガス下において1050℃以上の温度で熱処理を30秒以上施す。評価工程は、熱処理工程によりシリコン単結晶基板の表面に形成された欠陥の数に基づきシリコン単結晶基板の品質を評価する。
【選択図】図2
Description
ドーパントとして赤燐が添加されて抵抗率0.8mΩ・cm以下となるシリコン単結晶基板にエッチング作用をもつ雰囲気ガス下において1050℃以上の温度で熱処理を30秒以上施す熱処理工程と、
熱処理工程によりシリコン単結晶基板の表面に形成された欠陥の数に基づきシリコン単結晶基板の品質を評価する評価工程と、
を備えることを特徴とする。
ドーパントとして赤燐が添加されて抵抗率0.8mΩ・cm以下となるポリッシュトウェーハ状態の基板Wと各々同一インゴットの隣接部分から切り出した基板W´の組を複数用意した。まず用意した各基板Wに対して熱処理装置で熱処理をそれぞれ施した。具体的には、水素ガス雰囲気下において、1130℃、20秒間の熱処理を各基板Wに施した。そして、熱処理後の各基板Wの表面の欠陥の数(以下、「欠陥数」とする)を欠陥測定装置(MAGICS)で測定した。各基板Wに対応する基板W´に対しては、別途、同一条件でエピタキシャル層を成長し、エピタキシャル層を成長することで発生した積層欠陥の数を欠陥測定装置(MAGICS)で測定した。
熱処理の時間を20秒間から60秒間に代える以外は同一の条件にし、各基板Wに熱処理を施した。そして、比較例と同様にして各基板Wの表面の欠陥数を測定し、別途、各基板Wに対応する基板W´に対して比較例と同様にエピタキシャル層を成長して積層欠陥の数を測定した。
Claims (3)
- ドーパントとして赤燐が添加されて抵抗率0.8mΩ・cm以下となるシリコン単結晶基板にエッチング作用をもつ雰囲気ガス下において1050℃以上の温度で熱処理を30秒以上施す熱処理工程と、
前記熱処理工程により前記シリコン単結晶基板の表面に形成された欠陥の数に基づき前記シリコン単結晶基板の品質を評価する評価工程と、
を備えることを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記シリコン単結晶基板の品質は、当該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させた場合に発生すると予測される積層欠陥の数である請求項1に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。
- 前記熱処理工程は、前記熱処理を60秒以上実施する請求項1又は2に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。
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