JP2016213189A - 有向ビーム信号分析を使用した粒子サイズの適応走査 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)視野内において荷電粒子ビームを加工物に向かって初期走査パターンで導くことであり、同時に、荷電粒子ビームの衝突に反応して加工物の表面から発散した2次粒子を検出することであり、2次粒子が加工物の特性に対応し、
(b)加工物中の特徴部分の縁上の点を識別するために、加工物の特性が変化する、初期走査パターンに沿った点を決定することと、
(c)荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことであり、後続の限局走査パターンの出発点が、特徴部分の縁において識別された点によって決定され、後続の限局走査パターンが、縁における加工物の特性の変化によって決定される1つまたは複数の交点において、特徴部分の縁と交差し、
(d)特徴部分の外形を追跡する特徴部分の縁の複数の点を決定するために、荷電粒子ビームを、複数の後続の限局走査パターンで導くことであり、後続の限局走査パターンの出発点が、1つまたは複数の以前の限局走査パターンと特徴部分の縁との交点に基づいて決定されること
を含む。
(a)荷電粒子の源と、
(b)荷電粒子をビームにする集束カラムと、
(c)ビームを、加工物に導くパターンで走査する偏向器と、
(d)荷電粒子ビームの衝突に反応して加工物の表面から発散した粒子を検出する検出器であり、検出された粒子が、加工物の少なくとも部分的な画像を形成するために使用される検出器と、
(e)荷電粒子ビーム顕微鏡を制御するコントローラと、
(f)他の実施形態に従って顕微鏡を動作させるようにコントローラに命令するコンピュータ可読命令を記憶した記憶装置と
を備える。
604 特徴部分の外側のエリア
605 境界
606 ビーム経路
1100 走査電子ビーム・システム
1102 試料
1104 可動X−Y−Zステージ
1110 真空室
1120 プロセッサ
1125 データ記憶装置
1133 システム・コントローラ
1134 真空コントローラ
1140 X線検出器
1141 走査電子顕微鏡
1142 後方散乱電子検出器
Claims (20)
- 荷電粒子ビームを使用した走査方法であって、
(a)視野内において荷電粒子ビームを加工物に向かって初期走査パターンで導くことであって、同時に、前記荷電粒子ビームの衝突に反応して前記加工物の表面から発散した2次粒子を検出することであり、前記2次粒子が前記加工物の特性に対応し、
(b)前記加工物中の特徴部分の縁上の点を識別するために、前記加工物の特性が変化する、前記初期走査パターンに沿った点を決定することと、
(c)前記荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことであって、前記後続の限局走査パターンの出発点が、前記特徴部分の前記縁上で識別された前記点によって決定され、前記後続の限局走査パターンが、前記縁における前記加工物の前記特性の変化によって決定される1つまたは複数の交点において、前記特徴部分の前記縁と交差し、
(d)前記特徴部分の外形を追跡する前記特徴部分の前記縁の複数の点を決定するために、前記荷電粒子ビームを、複数の後続の限局走査パターンで導くことであって、前記後続の限局走査パターンの出発点が、1つまたは複数の以前の限局走査パターンと前記特徴部分の前記縁との交点に基づいて決定される、こと
を含む方法。 - 前記荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことが、前記荷電粒子ビームを曲線走査パターンで導くことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことが、前記ビームを円を描いて導くことを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記円の半径が、前記ビームの直径の2倍から前記ビームの直径の10倍の間である、請求項3に記載の方法。
- 信号対ノイズ比を向上させるために、前記ビームが前記円を描いて複数回走査される、請求項3に記載の方法。
- 前記後続の限局走査パターンの前記出発点を決定することが、前記円形走査の中心から前記走査と前記縁との前記交点のうちの1つの交点までのベクトルの角度を決定することを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記後続の限局走査パターンの前記出発点を決定することが、前記特徴部分の縁に対して垂直なベクトルを決定することと、前記特徴部分の縁に対して平行に、直前の限局走査パターンに対して移動させた出発点を選択することとを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記走査の特性が少なくとも所定の量だけ変化する、前記走査パターンに沿った点を決定することが、2次電子または後方散乱電子の数が所定の量だけ変化する、前記走査パターンに沿った点を決定することを含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記後続の限局走査パターンの位置が、前記特徴部分の前記縁上の直前に位置が突き止められた点のうちの1つの点に対して決定される、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記後続の限局走査パターンからの検出器信号のデューティ・サイクルを決定することをさらに含み、前記デューティ・サイクルが、前記走査パターンが前記特徴部分の縁の内側にどれくらい長い間あるのか、および前記走査パターンが前記特徴部分の縁の外側にどれくらい長い間あるのかを示す、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記特徴部分の前記外形を決定するために走査される点の総数が、前記特徴部分全体を走査するのに必要な点の総数の20%よりも少ない、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 加工物を観察する荷電粒子ビーム顕微鏡であって、
(a)荷電粒子の源と、
(b)前記荷電粒子をビームにする集束カラムと、
(c)前記ビームを、前記加工物に導くパターンで走査する偏向器と、
(d)前記荷電粒子ビームの衝突に反応して前記加工物の表面から発散した粒子を検出する検出器であり、検出された粒子が、前記加工物の少なくとも部分的な画像を形成するために使用される検出器と、
(e)前記荷電粒子ビーム顕微鏡を制御するコントローラと、
(f)請求項1に記載の方法に従って前記顕微鏡を動作させるように前記コントローラに命令するコンピュータ可読命令を記憶した記憶装置と
を備える荷電粒子ビーム顕微鏡。 - 前記偏向器に動作可能に結合された適応ビーム制御回路であり、前記ビームを限局走査パターンで導く適応ビーム制御回路をさらに備える、請求項12に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記適応ビーム制御回路が、前記検出器からの出力信号の位相を分析するように動作可能な位相分析回路をさらに備える、請求項13に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことが、前記荷電粒子ビームを曲線走査パターンで導くことを含む、請求項12から14のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記荷電粒子ビームを後続の限局走査パターンで導くことが、前記ビームを円を描いて導くことを含む、請求項12から15のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記後続の限局走査パターンの前記出発点を決定することが、前記円形走査の中心から前記走査と前記縁との前記交点のうちの1つの交点までのベクトルの角度を決定することを含む、請求項12から16のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記後続の限局走査パターンの前記出発点を決定することが、前記特徴部分の縁に対して垂直なベクトルを決定することと、前記特徴部分の縁に対して平行に、直前の限局走査パターンに対して移動させた出発点を選択することとを含む、請求項12から17のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記後続の限局走査パターンからの検出器信号のデューティ・サイクルを決定することをさらに含み、前記デューティ・サイクルが、前記走査パターンが前記特徴部分の縁の内側にどれくらい長い間あるのか、および前記走査パターンが前記特徴部分の縁の外側にどれくらい長い間あるのかを示す、請求項12から18のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
- 前記顕微鏡を動作させるように前記コントローラに命令する前記可読命令が、前記特徴部分の縁の全体を巡って限局走査パターンが実施されるまで、前記限局走査パターンを繰り返す命令をさらに含む、請求項12から19のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム顕微鏡。
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