JP2016210940A

JP2016210940A - イソブチレン系重合体の製造方法

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Publication number: JP2016210940A
Application number: JP2015097607A
Authority: JP
Inventors: 茂樹大石; Shigeki Oishi
Original assignee: Bridgestone Corp
Current assignee: Bridgestone Corp
Priority date: 2015-05-12
Filing date: 2015-05-12
Publication date: 2016-12-15
Anticipated expiration: 2035-05-12
Also published as: JP6527748B2

Abstract

【課題】従来のカチオン重合による製造方法よりも高い重合温度でイソブチレンを重合することができる、イソブチレン系重合体の製造方法の提供。【解決手段】下記一般式（Ｉ）：（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、ＣｐRは、それぞれ独立して無置換又は置換インデニルを示し、Ｒa〜Ｒfは、それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基又は水素原子を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す）で表されるメタロセン錯体などからなる群より選択される少なくとも１種類の錯体を含む重合触媒組成物を用いて、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させることを特徴とする、イソブチレン系重合体の製造方法。【選択図】なし

Description

本発明は、イソブチレン系重合体の製造方法に関する。

イソブチレン系重合体は、接着剤、シーリング材、アスファルト改質材、潤滑油改質材、電気絶縁材、特殊塗料、合成ゴム（例えば、ブチルゴムなど）、ゴム用添加剤などの用途に広く用いられている。イソブチレン系重合体は、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と組み合わせて、ルイス酸系触媒などを用いてカチオン重合することによって製造されている（特許文献１及び２）。

特開２０００−１７０２０号公報特開２００２−３４８３１７号公報

イソブチレンを重合してイソブチレン系重合体を製造する際のカチオン重合は、活性種が不安定である、副反応を抑える必要がある等の理由から、目的とするイソブチレン系重合体を効率的に製造するために、−１００℃〜−７０℃程度の極低温で重合反応を進行させる必要があった。しかしながら、重合温度をこのような極低温に制御する必要がある製造方法には、製造設備の設計及び運転における難しさや、製造コストが高くなるといった難点が存在する。そこで、本発明は、比較的高い温度でイソブチレンを重合することができる、イソブチレン系重合体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法は、
下記一般式（Ｉ）：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^Rは、それぞれ独立して無置換又は置換インデニルを示し、Ｒ^a〜Ｒ^fは、それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基又は水素原子を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す）で表されるメタロセン錯体、及び下記一般式（ＩＩ）：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^Rは、それぞれ独立して無置換又は置換インデニルを示し、Ｘ'は、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す）で表されるメタロセン錯体、並びに下記一般式(ＩＩＩ)：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^R'は、無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルを示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示し、[Ｂ]^-は、非配位性アニオンを示す）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体からなる群より選択される少なくとも１種類の錯体を含む重合触媒組成物を用いて、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させることを特徴とする。本発明のイソブチレン系重合体の製造方法によれば、比較的高い温度でイソブチレンの重合反応を行うことができる。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法において、前記Ｍが、ガドリニウム（Ｇｄ）であることが好ましい。この構成によると、イソブチレンを効率よく重合することができるからである。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法において、前記錯体が、前記一般式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体であることが好ましい。この構成によると、イソブチレンを効率よく重合することができるからである。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法において、前記一般式（Ｉ）で表わされるメタロセン錯体の前記Ｒ^a〜Ｒ^fのうちの少なくとも一つが水素原子であることが好ましい。かかるメタロセン錯体は、合成が容易であり、また、この構成によると、イソブチレンを効率よく重合することができるからである。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法において、重合温度が−５０℃以上であることが好ましい。通常用いられるカチオン重合による製造方法よりも、この構成によると、より低コスト且つ簡便にイソブチレン系重合体を製造することができるからである。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法において、重合温度が０℃以下であることが好ましい。この構成によると、より高分子量のイソブチレン系重合体を製造することができるからである。

本発明によれば、比較的高い温度でイソブチレンを重合することができる、イソブチレン系重合体の製造方法を提供することができる。

以下に、本発明をその実施形態に基づき詳細に例示説明する。

（イソブチレン系重合体の製造方法）
本発明のイソブチレン系重合体の製造方法は、下記一般式（Ｉ）：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^R'は、無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルを示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示し、[Ｂ]^-は、非配位性アニオンを示す）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体からなる群より選択される少なくとも１種類の錯体を含む重合触媒組成物を用いて、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させることを特徴とする。従来技術において、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させてイソブチレン系重合体を製造する方法としては、カチオン重合が知られていた。しかしながら、かかるカチオン重合は、活性種が不安定である、副反応を抑える必要がある等の理由から、目的とするイソブチレン系重合体を効率よく製造するためには、−１００℃〜−７０℃程度の極低温で重合反応を進行させる必要があった。これに対し、本願特定の錯体を含む重合触媒組成物を用いることによって、重合を高温で行っても副反応を抑制することができる。そのため、イソブチレン系重合体の製造方法で通常用いられるカチオン重合の反応温度よりも比較的高い温度で、イソブチレンを重合してイソブチレン系重合体を得ることができる。結果として、製造設備の設計や運転をより簡便にすることができ、製造コストも低減させることができる。

＜イソブチレン＞
本発明のイソブチレン系重合体の製造方法では、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させることができる。イソブチレンを他の共重合単量体成分と重合させる場合、イソブチレンの割合は、特に限定しないが、単量体成分全量のうち５０重量％以上を占めることが好ましく、７０重量％以上を占めることが好ましく、９０重量％以上を占めることがさらに好ましい。

＜共重合単量体成分＞
イソブチレンと共重合させることができる共重合単量体成分としては、例えば、共役ジエン化合物、非共役オレフィン化合物（但し、イソブチレンを除く）、芳香族ビニル化合物などが挙げられる。
本明細書において、共役ジエン化合物とは、共役系のジエン化合物を指す。本発明の製造方法で共重合単量体成分として用いることができる共役ジエン化合物は、特に限定しないが、炭素数が４〜８であることが好ましい。かかる共役ジエン化合物としては、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、２，３−ジメチルブタジエン等が挙げられる。
本明細書において、非共役オレフィン化合物（但し、イソブチレンを除く）とは、脂肪族不飽和炭化水素で、炭素−炭素二重結合を１個以上有する化合物を指すが、炭素−炭素二重結合が共役している化合物及び芳香族ビニル化合物を含まないものとする。本発明の製造方法で共重合単量体成分として用いることができる非共役オレフィン化合物は、特に限定しないが、炭素数が２〜１０であることが好ましい。かかる非共役オレフィン化合物としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、若しくは１−オクテン等のα−オレフィン、ピバリン酸ビニル、１−フェニルチオエテン、若しくはＮ−ビニルピロリドン等のヘテロ原子置換アルケン化合物等が挙げられる。
本明細書において、芳香族ビニル化合物とは、少なくともビニル基で置換された芳香族化合物を指す。本発明の製造方法で共重合単量体成分として用いることができる芳香族ビニル化合物は、特に限定しないが、炭素数が８〜１０であることが好ましい。かかる芳香族ビニル化合物としては、例えば、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン等が挙げられる。

＜重合触媒組成物＞
本発明の製造方法で用いる重合触媒組成物は、下記一般式（Ｉ）：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^R'は、無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルを示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示し、[Ｂ]^-は、非配位性アニオンを示す）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体からなる群より選択される少なくとも１種類の錯体を含む。

上記重合触媒組成物は、更に、通常のメタロセン錯体を含む重合触媒組成物に含有される他の成分、例えば助触媒等を含んでいてもよい。なお、重合反応系において、重合触媒組成物に含まれる一般式（Ｉ）若しくは（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体又は一般式(ＩＩＩ) で表されるハーフメタロセンカチオン錯体の濃度は、０．１〜０．０００１ｍｏｌ／Ｌの範囲であることが好ましい。

一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体において、式中のＣｐ^Rは、無置換インデニル又は置換インデニルである。インデニル環を基本骨格とするＣｐ^Rは、Ｃ₉Ｈ_7-xＲ_x又はＣ₉Ｈ_11-xＲ_xで示され得る。ここで、Ｘはインデニル環上の置換基の数であり、Ｘは０〜７又は０〜１１の整数である。イソブチレンの重合効率を高める観点から、置換基の数Ｘは、２以上であるのが好ましく、置換基は、置換インデニル基の５員環上に存在するのが好ましい。Ｒはそれぞれ独立してヒドロカルビル基又はメタロイド基であることが好ましい。ヒドロカルビル基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１０であることが更に好ましく、１〜８であることが一層好ましい。該ヒドロカルビル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基等が好適に挙げられる。中でも、イソブチレンの重合効率を高める観点から、少なくとも１つのＲは、フェニル基、ベンジル基等の芳香族基であることが好ましい。Ｘが２以上であったり、Ｒが芳香族基等のかさ高い置換基を有すると、Ｃｐ^Rが一層かさ高くなり、重合される単量体が、立体障害によって、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体の触媒中心である金属Ｍに対してＮＳｉ（Ｒ^aＲ^bＲ^c）Ｓｉ（Ｒ^dＲ^eＲ^f）側又はＳｉＸ'₃側から接近することになるため、イソブチレンの重合効率が高まるからである。一方、メタロイド基のメタロイドの例としては、ゲルミルＧｅ、スタニルＳｎ、シリルＳｉが挙げられ、また、メタロイド基はヒドロカルビル基を有することが好ましく、メタロイド基が有するヒドロカルビル基は上記のヒドロカルビル基と同様である。該メタロイド基として、具体的には、トリメチルシリル基等が挙げられる。置換インデニルとして、具体的には、２−フェニルインデニル、２−メチルインデニル、１−メチル−２−フェニルインデニル、１，３−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリル）インデニル、１−エチル−２−フェニルインデニル、１−ベンジル−２−フェニルインデニル等が挙げられる。なお、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）における二つのＣｐ^Rは、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体において、式中のＣｐ^R'は、無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルである。これらの中でも、イソブチレンの重合効率の観点から、無置換インデニル又は置換インデニルであることが好ましい。シクロペンタジエニル環を基本骨格とするＣｐ^R'は、Ｃ₅Ｈ_5-xＲ_xで示される。ここで、Ｘは０〜５の整数である。イソブチレンの重合効率を高める観点から、Ｘは、２以上であるのが好ましい。また、Ｒはそれぞれ独立してヒドロカルビル基又はメタロイド基であることが好ましい。ヒドロカルビル基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１０であることが更に好ましく、１〜８であることが一層好ましい。該ヒドロカルビル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基等が好適に挙げられる。中でも、イソブチレンの重合効率の観点から、少なくとも１つのＲは、フェニル基、ベンジル基等の芳香族基であることが好ましい。Ｘが２以上であったり、Ｒが芳香族基等のかさ高い置換基を有すると、Ｃｐ^R'が一層かさ高くなり、重合される単量体が、立体障害によって、一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体の触媒中心である金属Ｍに対してＸ側から接近することになるため、イソブチレンの重合効率が高まるからである。一方、メタロイド基のメタロイドの例としては、ゲルミルＧｅ、スタニルＳｎ、シリルＳｉが挙げられ、また、メタロイド基はヒドロカルビル基を有することが好ましく、メタロイド基が有するヒドロカルビル基は上記のヒドロカルビル基と同様である。該メタロイド基として、具体的には、トリメチルシリル基等が挙げられる。上記Ｃｐ^R'としての無置換又は置換シクロペンタジエニルとして、具体的には、以下のものが例示される。

（式中、Ｒは水素原子、メチル基又はエチル基を示す。）
一般式（ＩＩＩ）において、上記インデニル環を基本骨格とするＣｐ^R'は、一般式（Ｉ）のＣｐ^Rと同様に定義され、好ましい例も同様である。

一般式（ＩＩＩ）において、フルオレニル環を基本骨格とするＣｐ^R'は、Ｃ₁₃Ｈ_9-xＲ_x又はＣ₁₃Ｈ_17-xＲ_xで示され得る。ここで、Ｘは０〜９又は０〜１７の整数である。イソブチレンの重合効率を高める観点から、Ｘは、２以上であるのが好ましい。また、Ｒはそれぞれ独立してヒドロカルビル基又はメタロイド基であることが好ましい。ヒドロカルビル基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１０であることが更に好ましく、１〜８であることが一層好ましい。該ヒドロカルビル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基等が好適に挙げられる。中でも、イソブチレンの重合効率の観点から、少なくとも１つのＲは、フェニル基、ベンジル基等の芳香族基であることが好ましい。Ｘが２以上であったり、Ｒが芳香族基等のかさ高い置換基を有すると、Ｃｐ^R'が一層かさ高くなり、重合される単量体が、立体障害によって、一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体の触媒中心である金属Ｍに対してＸ側から接近することになるため、イソブチレンの重合効率が高まるからである。一方、メタロイド基のメタロイドの例としては、ゲルミルＧｅ、スタニルＳｎ、シリルＳｉが挙げられ、また、メタロイド基はヒドロカルビル基を有することが好ましく、メタロイド基が有するヒドロカルビル基は上記のヒドロカルビル基と同様である。該メタロイド基として、具体的には、トリメチルシリル基等が挙げられる。

一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）における中心金属Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムである。ランタノイド元素には、原子番号５７〜７１の１５元素が含まれ、これらのいずれでもよい。中心金属Ｍとしては、サマリウムＳｍ、ネオジムＮｄ、プラセオジムＰｒ、ガドリニウムＧｄ、セリウムＣｅ、ホルミウムＨｏ、スカンジウムＳｃ及びイットリウムＹが好適に挙げられる。中でも、イソブチレンの重合効率の観点から、ガドリニウムＧｄがより好ましい。

一般式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体は、シリルアミド配位子［−Ｎ（ＳｉＲ₃）₂］を含む。シリルアミド配位子に含まれるＲ基（一般式（Ｉ）におけるＲ^a〜Ｒ^f）は、それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基又は水素原子である。また、Ｒ^a〜Ｒ^fのうち少なくとも一つが水素原子であることが好ましい。Ｒ^a〜Ｒ^fのうち少なくとも一つを水素原子にすることで、触媒の合成が容易になり、また、ケイ素まわりのかさ高さが低くなるため、イソブチレンの重合効率が高くなる。同様の観点から、Ｒ^a〜Ｒ^cのうち少なくとも一つが水素原子であり、Ｒ^d〜Ｒ^fのうち少なくとも一つが水素原子であることが更に好ましい。更に、アルキル基としては、メチル基が好ましい。

一般式（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体は、シリル配位子［−ＳｉＸ’₃］を含む。シリル配位子［−ＳｉＸ’₃］に含まれるＸ'は、下記で説明される一般式（ＩＩＩ）のＸと同様に定義される基であり、好ましい基も同様である。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基及び炭素数１〜２０の炭化水素基からなる群より選択される基である。ここで、上記アルコキシド基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の脂肪族アルコキシ基；フェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、２，６−ジイソプロピルフェノキシ基、２，６−ジネオペンチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−イソプロピルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ネオペンチルフェノキシ基、２−イソプロピル−６−ネオペンチルフェノキシ基等のアリールオキシド基が挙げられ、これらの中でも、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘが表すチオラート基としては、チオメトキシ基、チオエトキシ基、チオプロポキシ基、チオｎ−ブトキシ基、チオイソブトキシ基、チオｓｅｃ−ブトキシ基、チオｔｅｒｔ−ブトキシ基等の脂肪族チオラート基；チオフェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルチオフェノキシ基、２，６−ジイソプロピルチオフェノキシ基、２，６−ジネオペンチルチオフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−イソプロピルチオフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−チオネオペンチルフェノキシ基、２−イソプロピル−６−チオネオペンチルフェノキシ基、２，４，６−トリイソプロピルチオフェノキシ基等のアリールチオラート基が挙げられ、これらの中でも、２，４，６−トリイソプロピルチオフェノキシ基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘが表すアミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプロピルアミド基等の脂肪族アミド基；フェニルアミド基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアミド基、２，６−ジイソプロピルフェニルアミド基、２，６−ジネオペンチルフェニルアミド基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−イソプロピルフェニルアミド基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ネオペンチルフェニルアミド基、２−イソプロピル−６−ネオペンチルフェニルアミド基、２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアミド基等のアリールアミド基；ビストリメチルシリルアミド基等のビストリアルキルシリルアミド基が挙げられ、これらの中でも、ビストリメチルシリルアミド基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘが表すシリル基としては、トリメチルシリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基、ビス（トリメチルシリル）メチルシリル基、トリメチルシリル（ジメチル）シリル基、トリイソプロピルシリル（ビストリメチルシリル）シリル基等が挙げられ、これらの中でも、トリス（トリメチルシリル）シリル基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子のいずれでもよいが、塩素原子又は臭素原子が好ましい。また、Ｘが表す炭素数１〜２０の炭化水素基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分枝鎖の脂肪族炭化水素基；フェニル基、トリル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基；ベンジル基等のアラルキル基等の他、トリメチルシリルメチル基、ビストリメチルシリルメチル基等のケイ素原子を含有する炭化水素基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基、イソブチル基、トリメチルシリルメチル基等が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｘとしては、ビストリメチルシリルアミド基又は炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、［Ｂ］^-で示される非配位性アニオンとしては、例えば、４価のホウ素アニオンが挙げられる。該４価のホウ素アニオンとして、具体的には、テトラフェニルボレート、テトラキス（モノフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（テトラフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラ（トリル）ボレート、テトラ（キシリル）ボレート、（トリフェニルペンタフルオロフェニル）ボレート、［トリス（ペンタフルオロフェニル）フェニル］ボレート、トリデカハイドライド−７，８−ジカルバウンデカボレート等が挙げられ、これらの中でも、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが好ましい。

上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体、並びに上記一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体は、更に０〜３個、好ましくは０〜１個の中性ルイス塩基Ｌを含む。ここで、中性ルイス塩基Ｌとしては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメチルアニリン、トリメチルホスフィン、塩化リチウム、中性のオレフィン類、中性のジオレフィン類等が挙げられる。ここで、上記錯体が複数の中性ルイス塩基Ｌを含む場合、中性ルイス塩基Ｌは、同一であっても異なっていてもよい。

また、上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体、並びに上記一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体は、単量体として存在していてもよく、二量体又はそれ以上の多量体として存在していてもよい。

上記一般式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体は、例えば、溶媒中でランタノイドトリスハライド、スカンジウムトリスハライド又はイットリウムトリスハライドを、インデニルの塩（例えば、カリウム塩やリチウム塩）及びビス（トリアルキルシリル）アミドの塩（例えば、カリウム塩やリチウム塩）と反応させることで得ることができる。なお、反応温度は室温程度にすればよいので、温和な条件で製造することができる。また、反応時間は任意であるが、数時間〜数十時間程度である。反応溶媒は特に限定されないが、原料及び生成物を溶解する溶媒であることが好ましく、例えばトルエンを用いればよい。以下に、一般式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体を得るための反応例を示す。

・・・（Ｉ）
（式中、Ｘ’’はハライドを示す。）

上記一般式（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体は、例えば、溶媒中でランタノイドトリスハライド、スカンジウムトリスハライド又はイットリウムトリスハライドを、インデニルの塩（例えばカリウム塩やリチウム塩）及びシリルの塩（例えばカリウム塩やリチウム塩）と反応させることで得ることができる。なお、反応温度は室温程度にすればよいので、温和な条件で製造することができる。また、反応時間は任意であるが、数時間〜数十時間程度である。反応溶媒は特に限定されないが、原料及び生成物を溶解する溶媒であることが好ましく、例えばトルエンを用いればよい。以下に、一般式（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体を得るための反応例を示す。

（式中、Ｘ’’はハライドを示す。）

上記一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体は、例えば、次の反応により得ることができる。

ここで、一般式（ＩＶ）で表される化合物において、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、Ｃｐ^R'は、それぞれ独立して無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルを示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す。また、一般式［Ａ］⁺［Ｂ］^-で表されるイオン性化合物において、［Ａ］⁺は、カチオンを示し、［Ｂ］^-は、非配位性アニオンを示す。

［Ａ］⁺で表されるカチオンとしては、例えば、カルボニウムカチオン、オキソニウムカチオン、アミンカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプタトリエニルカチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオン等が挙げられる。カルボニウムカチオンとしては、トリフェニルカルボニウムカチオン、トリ（置換フェニル）カルボニウムカチオン等の三置換カルボニウムカチオン等が挙げられ、トリ（置換フェニル）カルボニルカチオンとして、具体的には、トリ（メチルフェニル）カルボニウムカチオン等が挙げられる。アミンカチオンとしては、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリプロピルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン等のトリアルキルアンモニウムカチオン；Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムカチオン等のＮ，Ｎ−ジアルキルアニリニウムカチオン；ジイソプロピルアンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオン等のジアルキルアンモニウムカチオン等が挙げられる。ホスホニウムカチオンとしては、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムカチオン、トリ（ジメチルフェニル）ホスホニウムカチオン等のトリアリールホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらカチオンの中でも、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウムカチオン又はカルボニウムカチオンが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウムカチオンが特に好ましい。

上記反応に用いる一般式［Ａ］⁺［Ｂ］^-で表されるイオン性化合物としては、上記の非配位性アニオン及びカチオンからそれぞれ選択し組み合わせた化合物であって、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が好ましい。また、一般式［Ａ］⁺［Ｂ］^-で表されるイオン性化合物は、一般式（ＩＶ）で表される化合物に対して０．１〜１０倍ｍｏｌ加えることが好ましく、約１倍ｍｏｌ加えることが更に好ましい。なお、一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体を重合反応に用いる場合、一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体をそのまま重合反応系中に提供してもよいし、上記反応に用いる一般式（ＩＶ）で表される化合物と一般式［Ａ］⁺［Ｂ］^-で表されるイオン性化合物を別個に重合反応系中に提供し、反応系中において一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体を形成させてもよい。また、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体と一般式［Ａ］⁺［Ｂ］^-で表されるイオン性化合物とを組み合わせて使用することにより、反応系中において一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体を形成させることもできる。

一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体、並びに一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体の構造は、Ｘ線構造解析により決定することが好ましい。

上記重合触媒組成物に用いることができる助触媒は、通常のメタロセン錯体を含む重合触媒組成物の助触媒として用いられる成分から任意に選択され得る。該助触媒としては、例えば、アルミノキサン、有機アルミニウム化合物、上記のイオン性化合物等が好適に挙げられる。これら助触媒は、一種単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記アルミノキサンとしては、アルキルアミノキサンが好ましく、例えば、メチルアルミノキサン（ＭＡＯ）、修飾メチルアルミノキサン等が挙げられる。また、修飾メチルアルミノキサンとしては、ＭＭＡＯ−３Ａ（東ソーファインケム社製）等が好ましい。なお、上記重合触媒組成物におけるアルミノキサンの含有量は、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体又は一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体の中心金属Ｍに対する、アルミノキサンのアルミニウム元素Ａｌの元素比率Ａｌ／Ｍが、１０〜１０００程度、好ましくは１００程度となるようにすることが好ましい。

一方、上記有機アルミニウム化合物としては、一般式ＡｌＲＲ’Ｒ’’（式中、Ｒ及びＲ'はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又は水素原子であり、Ｒ’’は炭素数１〜１０の炭化水素基である）で表される有機アルミニウム化合物が好ましい。上記有機アルミニウム化合物としては、例えば、トリアルキルアルミニウム、ジアルキルアルミニウムクロライド、アルキルアルミニウムジクロライド、ジアルキルアルミニウムハイドライド等が挙げられ、これらの中でも、トリアルキルアルミニウムが好ましい。また、トリアルキルアルミニウムとしては、例えば、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等が挙げられる。なお、上記重合触媒組成物における有機アルミニウム化合物の含有量は、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体又は一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体に対して１〜５０倍ｍｏｌであることが好ましく、約１０倍ｍｏｌであることが更に好ましい。

更に、上記重合触媒組成物においては、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるメタロセン錯体、並びに一般式（ＩＩＩ）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体をそれぞれ、適切な助触媒と組み合わせることで、得られる重合体の分子量を増大させることや、他の共重合単量体成分との共重合体におけるミクロ構造を制御することができる。

＜重合工程＞
本発明の製造方法は、上記重合触媒組成物の存在下で、イソブチレンを、単独で又は他の共重合単量体成分と重合させる工程（以下、重合工程とも呼ぶ）を具え、更に、必要に応じ、カップリング工程、洗浄工程、その他の工程を適宜具えることができる。

重合工程としては、溶液重合法、懸濁重合法、液相塊状重合法、乳化重合法、気相重合法、固相重合法等の任意の方法を用いることができる。また、重合反応に溶媒を用いる場合、かかる溶媒としては、重合反応において不活性なものであればよく、例えば、トルエン、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン等が挙げられる。重合工程は、一段階で行ってもよく、二段階以上の多段階で行ってもよい。

本発明の製造方法において、重合工程は、不活性ガス、好ましくは窒素ガスやアルゴンガスの雰囲気下において行われることが好ましい。重合工程の重合温度は、特に限定しないが、例えば、−５０℃以上が好ましく、−５０〜５０℃がより好ましく、室温程度とすることもできる。より高分子量のイソブチレン系共重合体を得る観点からは、０℃以下が好ましく、−３０℃以下がより好ましい。このような比較的高温でイソブチレン系重合体を製造することができると、製造設備の設計や運転をより簡便にすることができ、製造コストも低減させることができる。なお、重合温度を上げると、連鎖移動反応などの副反応の確率が高まって、得られるイソブチレン系重合体の重量平均分子量が小さくなる場合がある。重合工程の圧力は、特に限定しないが、例えば、０．１〜１０．０ＭＰａの範囲とすることができ、大気圧程度とすることもできる。重合工程の反応時間は、特に限定しないが、例えば、１秒〜１０日の範囲であり、得られるイソブチレン系重合体について所望するミクロ構造、各単量体の種類、投入量及び添加順序、触媒の種類、重合温度等の条件によって適宜選択することができる。重合工程において、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の重合停止剤を用いて、重合を停止させてもよい。

＜カップリング工程＞
カップリング工程は、前記重合工程において得られたイソブチレン系重合体の高分子鎖の少なくとも一部（例えば、末端）を変性する反応（カップリング反応）を行う工程である。カップリング工程において、重合反応が１００％に達した際にカップリング反応を行うことが好ましい。
前記カップリング反応に用いるカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビス（マレイン酸−１−オクタデシル）ジオクチルスズ等のスズ含有化合物；４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート等のイソシアネート化合物；グリシジルプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン化合物、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ビス（マレイン酸−１−オクタデシル）ジオクチルスズが、反応効率と低ゲル生成の点で、好ましい。
なお、カップリング反応を行うことにより、数平均分子量（Ｍｎ）を増加させることができる。

＜洗浄工程＞
洗浄工程は、前記重合工程において得られたイソブチレン系重合体を洗浄する工程である。なお、洗浄に用いる媒体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどが挙げられる。この洗浄工程により、イソブチレン系重合体中の触媒残渣量を好適に低下させることができる。

＜イソブチレン系重合体の同定＞
本発明の製造方法によってイソブチレン系重合体が得られたか否かは、例えば、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ等の手法を用いて重合生成物の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルや¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定し、イソブチレン単位由来のピークや他の共重合単量体成分由来の単位のピークの存在を確認することによって確かめることができる。イソブチレン単位由来のピークは、例えば、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、1.14ppm付近のポリイソブチレンのメチル基由来のピークと、1.47ppm付近のポリイソブチレンのメチレン由来のピークとの組み合わせにより確認することができる。

以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン１５ｇ(０．２７ｍｏｌ)を含むトルエン溶液６０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にビス（２−フェニルインデニル）ガドリニウムビス（ジメチルシリル）アミド［（２−ＰｈＣ₉Ｈ₆）₂ＧｄＮ（ＳｉＨＭｅ₂）₂］７５μｍｏｌ、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｍｅ₂ＮＨＰｈＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］７５μｍｏｌ、及びジイソブチルアルミニウムハイドライド１．５ｍｍｏｌを仕込み、トルエン４０ｍＬに溶解させて触媒溶液とした。その後、グローブボックスから触媒溶液を取り出し、ガドリニウム換算で５０μｍｏｌとなる量の触媒溶液をモノマー溶液へ添加後、５０℃で１２０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ａを得た。得られた重合体Ａの収量は０．９ｇであった。

（実施例２）
十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン７．５ｇ(０．１３ｍｏｌ)を含むトルエン溶液３０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にビス（２−フェニルインデニル）ガドリニウムビス（ジメチルシリル）アミド［（２−ＰｈＣ₉Ｈ₆）₂ＧｄＮ（ＳｉＨＭｅ₂）₂］５６．３μｍｏｌ、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｍｅ₂ＮＨＰｈＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］５６．３μｍｏｌ、及びジイソブチルアルミニウムハイドライド０．２３ｍｍｏｌを仕込み、トルエン４０ｍＬに溶解させて触媒溶液とした。その後、グローブボックスから触媒溶液を取り出し、ガドリニウム換算で３７．５μｍｏｌとなる量の触媒溶液をモノマー溶液へ添加後、２５℃で１２０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｂを得た。得られた重合体Ｂの収量は０．７ｇであった。

（実施例３）
十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン７．５ｇ(０．１３ｍｏｌ)を含むトルエン溶液３０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にビス（２−フェニルインデニル）ガドリニウムビス（ジメチルシリル）アミド［（２−ＰｈＣ₉Ｈ₆）₂ＧｄＮ（ＳｉＨＭｅ₂）₂］５６．３μｍｏｌ、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｍｅ₂ＮＨＰｈＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］５６．３μｍｏｌ、及びジイソブチルアルミニウムハイドライド０．５６ｍｍｏｌを仕込み、トルエン４０ｍＬに溶解させて触媒溶液とした。その後、グローブボックスから触媒溶液を取り出し、ガドリニウム換算で３７．５μｍｏｌとなる量の触媒溶液をモノマー溶液へ添加後、−４０℃で１２０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｃを得た。得られた重合体Ｃの収量は０．５ｇであった。

（実施例４）
十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン１５ｇ(０．２７ｍｏｌ)を含むトルエン溶液６０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にビス（１−メチル−２−フェニルインデニル）ガドリニウムビス（ジメチルシリル）アミド［（１−Ｍｅ−２−ＰｈＣ₉Ｈ₆）₂ＧｄＮ（ＳｉＨＭｅ₂）₂］１５μｍｏｌ、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｍｅ₂ＮＨＰｈＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］１５μｍｏｌ、及びジイソブチルアルミニウムハイドライド０．２ｍｍｏｌを仕込み、トルエン４０ｍＬに溶解させて触媒溶液とした。その後、グローブボックスから触媒溶液を取り出し、ガドリニウム換算で７．５μｍｏｌとなる量の触媒溶液をモノマー溶液へ添加後、−３０℃で１２０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｄを得た。得られた重合体Ｄの収量は５．５ｇであった。

（実施例５）
十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン１５ｇ(０．２７ｍｏｌ)を含むトルエン溶液６０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にビス（１−メチル−２−フェニルインデニル）ガドリニウムビス（ジメチルシリル）アミド［（１−Ｍｅ−２−ＰｈＣ₉Ｈ₆）₂ＧｄＮ（ＳｉＨＭｅ₂）₂］１５μｍｏｌ、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｍｅ₂ＮＨＰｈＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］１５μｍｏｌ、及びジイソブチルアルミニウムハイドライド０．２ｍｍｏｌを仕込み、トルエン４０ｍＬに溶解させて触媒溶液とした。その後、グローブボックスから触媒溶液を取り出し、ガドリニウム換算で７．５μｍｏｌとなる量の触媒溶液をモノマー溶液へ添加後、−７０℃で３日間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｅを得た。得られた重合体Ｅの収量は３．２ｇであった。

（比較例１）
従来のイソブチレン系重合体の製造方法として、カチオン重合を用いて、次の通りにイソブチレン系重合体を合成した。十分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン７．５ｇ(０．１３ｍｏｌ)を含むトルエン溶液３０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にトリチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｐｈ₃ＣＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］５７μｍｏｌをトルエン１０ｍＬに溶解させた。その後、グローブボックスから上記トルエン溶液を取り出し、全量をモノマー溶液へ添加後、−４０℃で１２０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｆを得た。得られた重合体Ｆの収量は５．８ｇであった。

（比較例２）
従来のイソブチレン系重合体の製造方法として、カチオン重合を用いて、次の通りにイソブチレン系重合体を合成した。分に乾燥した３００ｍＬガラス容器に、イソブチレン７．５ｇ(０．１３ｍｏｌ)を含むトルエン溶液３０ｇを添加した。一方、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、ガラス製容器にトリチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート［Ｐｈ₃ＣＢ(Ｃ₆Ｆ₅)₄］５７μｍｏｌをトルエン１０ｍＬに溶解させた。その後、グローブボックスから上記トルエン溶液を取り出し、全量をモノマー溶液へ添加後、−７０℃で３６０分間、重合を行った。重合後、２,２'−メチレン−ビス(４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＮＳ−５）５質量％のイソプロパノール溶液１ｍＬを加えて反応を停止させ、さらに大量の２−プロパノールで重合体を分離し、６０℃で真空乾燥し、重合体Ｇを得た。得られた重合体Ｇの収量は６．８ｇであった。

［イソブチレン系重合体の確認］
以上のようにして得られた重合体Ａ〜Ｆについて、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定して、イソブチレン単位に由来するピーク（１．１４ｐｐｍにポリイソブチレンのメチル基由来のピーク、１．４７ｐｐｍにポリイソブチレンのメチレン由来のピーク）を確認して、イソブチレン系重合体であることを確認した。

［重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定］
また、重合体Ａ〜Ｆについて、重量平均分子量（Ｍｗ）、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を、下記の方法で測定・評価した。その結果を表１に示す。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー［ＧＰＣ：東ソー製ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ／ＨＴ、カラム：東ソー製ＧＭＨ_HR−Ｈ（Ｓ）ＨＴ×２本、検出器：示差屈折率計（ＲＩ）］で単分散ポリスチレンを基準として、重合体Ａ〜Ｆのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。なお、測定温度は４０℃であった。

表１に示すように、本発明の製造方法により、比較例の従来法よりも比較的高い重合温度で、比較的狭い分子量分布を有する様々な重量平均分子量のイソブチレン系重合体を製造することができた。

本発明のイソブチレン系重合体の製造方法は、イソブチレンを単独で又は他のモノマーと重合してなるイソブチレン系重合体の製造に用いることができる。このようにして製造したイソブチレン系重合体は、接着剤、シーリング材、アスファルト改質材、潤滑油改質材、電気絶縁材、特殊塗料、合成ゴム（例えば、ブチルゴムなど）、ゴム用添加剤などの用途に広く用いることができる。

Claims

下記一般式(Ｉ)：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、
Ｃｐ^Rは、それぞれ独立して無置換又は置換インデニルを示し、Ｒ^a〜Ｒ^fは、それぞれ独立して炭素数１〜３のアルキル基又は水素原子を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す）で表されるメタロセン錯体、及び下記一般式(ＩＩ)：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、
Ｃｐ^Rは、それぞれ独立して無置換又は置換インデニルを示し、Ｘ'は、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示す）で表されるメタロセン錯体、並びに下記一般式(ＩＩＩ)：

（式中、Ｍは、ランタノイド元素、スカンジウム又はイットリウムを示し、
Ｃｐ^R'は、無置換若しくは置換シクロペンタジエニル、無置換若しくは置換インデニル又は無置換若しくは置換フルオレニルを示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシド基、チオラート基、アミド基、シリル基又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｌは、中性ルイス塩基を示し、ｗは、０〜３の整数を示し、[Ｂ]^-は、非配位性アニオンを示す）で表されるハーフメタロセンカチオン錯体からなる群より選択される少なくとも１種類の錯体を含む重合触媒組成物を用いて、イソブチレンを単独で又は他の共重合単量体成分と重合させることを特徴とする、イソブチレン系重合体の製造方法。
前記Ｍが、ガドリニウム（Ｇｄ）であることを特徴とする、請求項１に記載のイソブチレン系重合体の製造方法。
前記錯体が、前記一般式(Ｉ)で表されるメタロセン錯体であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のイソブチレン系重合体の製造方法。
前記Ｒ^a〜Ｒ^fのうちの少なくとも一つが水素原子であることを特徴とする、請求項３に記載のイソブチレン系重合体の製造方法。
重合温度が−５０℃以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のイソブチレン系重合体の製造方法。
重合温度が０℃以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のイソブチレン系重合体の製造方法。